一種電源開關(guān)控制電路的制作方法
【專利摘要】一種電源開關(guān)控制電路,連接于電源和下級(jí)電路之間,包括:一開關(guān);一D觸發(fā)器,其CP管腳與開關(guān)連接,其管腳與D管腳連接,其管腳還連接一開關(guān)管;該D觸發(fā)器用于檢測(cè)開關(guān)的動(dòng)作,并輸出開或關(guān)的控制信號(hào)至開關(guān)管;開關(guān)管,其控制端連接D觸發(fā)器的管腳,其輸入端與電源連接,其輸出端與下級(jí)電路連接;該開關(guān)管用于根據(jù)來自D觸發(fā)器的開或關(guān)的控制信號(hào),對(duì)電源和下級(jí)電路的導(dǎo)通或者斷開進(jìn)行控制。本發(fā)明能夠減小設(shè)備的體積,保護(hù)下游的IC電路,延長設(shè)備的壽命。
【專利說明】—種電源開關(guān)控制電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及控制電路,尤其涉及一種電源開關(guān)控制電路。
【背景技術(shù)】
[0002]日常應(yīng)用中,電子設(shè)備常常通過設(shè)置撥動(dòng)開關(guān)來切換電源的開啟和關(guān)閉。這種撥動(dòng)開關(guān)往往由于體積的龐大需要占用不少的PCB板空間,從而使整個(gè)設(shè)備的體積增大。最重要的是使用這種切換開關(guān)是強(qiáng)制將輸入電源瞬間供電到整板的下游各種IC電路中,現(xiàn)在IC都比較精密,比較容易損壞。因此,如果IC經(jīng)常受到撥動(dòng)開關(guān)的機(jī)械式切換(沖擊電流大,有電弧),其壽命將會(huì)大大的縮短。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)撥動(dòng)開關(guān)占用設(shè)備較大體積并且容易損壞下級(jí)電路的問題,提出一種電源開關(guān)控制電路,能夠減少了整個(gè)設(shè)備的體積,保護(hù)下游的IC電路,延長了設(shè)備的壽命。
[0004]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提出一種電源開關(guān)控制電路,連接于電源和下級(jí)電路之間,包括:一開關(guān);一 D觸發(fā)器,其CP管腳與開關(guān)連接,其
ρ管腳與D管腳連接,其^管腳還連接一開關(guān)管;該D觸發(fā)器用于檢測(cè)開關(guān)的動(dòng)作,并輸出
開或關(guān)的控制信號(hào)至開關(guān)管;開關(guān)管,其控制端連接D觸發(fā)器的&管腳,其輸入端與電源連
接,其輸出端與下級(jí)電路連接;該 開關(guān)管用于根據(jù)來自D觸發(fā)器的開關(guān)控制信號(hào),對(duì)電源和下級(jí)電路的導(dǎo)通或者斷開進(jìn)行控制。
[0005]優(yōu)選地,開關(guān)為輕觸開關(guān),該輕觸開關(guān)的輸入端連接所述電源,該輕觸開關(guān)的接地端通過一第一下拉電阻接地,該輕觸開關(guān)的輸出端連接D觸發(fā)器的CP管腳。
[0006]優(yōu)選地,D觸發(fā)器的^管腳和^管腳分別通過一第四上拉電阻和一第三上拉電阻與電源連接。
[0007]優(yōu)選地,D觸發(fā)器的VCC管腳與GND管腳之間連接有一濾波電容,且D觸發(fā)器的VCC管腳與GND管腳之間的連接點(diǎn)接地。
[0008]優(yōu)選地,開關(guān)管的輸入端與地之間并聯(lián)有濾波電容。
[0009]優(yōu)選地,開關(guān)管的輸出端與地之間并聯(lián)有濾波電容。
[0010]優(yōu)選地,開關(guān)管為一 P溝道MOS管;P溝道MOS管的柵極為開關(guān)管的控制端,P溝道MOS管的源極為開關(guān)管的輸入端,P溝道MOS管的漏極為開關(guān)管的輸出端;M0S管的柵極通過一第五上拉電阻與電源連接。
[0011]優(yōu)選地,開關(guān)管為一 N溝道MOS管;N溝道MOS管的柵極為開關(guān)管的控制端,N溝道MOS管的漏極為開關(guān)管的輸入端,N溝道MOS管的源極為開關(guān)管的輸出端;M0S管的柵極通過一第五上拉電阻與電源連接。
[0012]優(yōu)選地,開關(guān)管為一 NPN三極管;該NPN三極管的柵極為開關(guān)管的控制端,該NPN三極管的發(fā)射極為開關(guān)管的輸出端,該NPN三極管的集電極為開關(guān)管的輸入端;三極管的基極通過一第五上拉電阻與電源連接。
[0013]優(yōu)選地,開關(guān)管為一 PNP三極管;該P(yáng)NP三極管的柵極為開關(guān)管的控制端,該P(yáng)NP三極管的集電極為開關(guān)管的輸出端,該P(yáng)NP三極管的發(fā)射極為開關(guān)管的輸入端;三極管的基極通過一第五上拉電阻與電源連接。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果包括:本發(fā)明通過利用D觸發(fā)器的特性來控制電源的導(dǎo)通和斷開,不僅能夠取代原有的切換開關(guān),從而有效地減小了整個(gè)設(shè)備的體積,并且能夠保護(hù)下級(jí)電路中容易損壞的1C,延長了設(shè)備的壽命。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明電源開關(guān)控制電路的原理方框圖。
[0016]圖2為本發(fā)明電源開關(guān)控制電路的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]為了進(jìn)一步說明本發(fā)明的原理和結(jié)構(gòu),現(xiàn)結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0018]請(qǐng)參閱圖1,本發(fā)明一種電源開關(guān)控制電路,連接于電源和下級(jí)電路之間,包括:
一開關(guān)I ;一 D觸發(fā)器2,其CP管腳與開關(guān)I連接,其&管腳與D管腳連接,其管腳還連接
一開關(guān)管3,用于檢測(cè)開關(guān)的動(dòng)作,并輸出開或關(guān)的控制信號(hào)至開關(guān)管3;開關(guān)管3,其控制
端連接D觸發(fā)器2的^管腳,其輸入端與電源4連接,其輸出端與下級(jí)電路5連接,該開關(guān)
管3用于根據(jù)來自D觸發(fā)器2的開或關(guān)的控制信號(hào),進(jìn)行電源4和下級(jí)電路5的導(dǎo)通或者斷開的控制。
[0019]請(qǐng)參閱圖2,VCC_IN連接電源,VCC_0UT連接下級(jí)電路。本實(shí)施例中,開關(guān)為一輕觸開關(guān)SI。輕觸開關(guān)SI的輸入端為開關(guān)的2管腳,輕觸開關(guān)SI的輸出端為開關(guān)的4管腳,輕觸開關(guān)SI的接地端為開關(guān)的3管腳。輕觸開關(guān)SI的2管腳連接VCC_IN,輕觸開關(guān)SI的4管腳通過第一下拉電阻Rl接地,輕觸開關(guān)的3管腳連接D觸發(fā)器Ul的CP管腳。本實(shí)施例中,Rl的電阻為IOK0
[0020]D觸發(fā)器Ul的CP管腳與輕觸開關(guān)SI的3管腳連接,其0管腳與D管腳連接,其占
管腳連接開關(guān)管。D觸發(fā)器Ul的^管腳和^管腳分別通過第四上拉電阻R3和第三上拉電
阻R4與VCC_IN連接。D觸發(fā)器Ul的VCC管腳與GND管腳之間連接有一第五濾波電容C5,且D觸發(fā)器的VCC管腳與GND管腳之間的連接點(diǎn)接地。本實(shí)施例中,第三上拉電阻R3和第四上拉電阻R4的阻值為10K,第五濾波電容C5為0.1uF0
[0021]開關(guān)管為一晶體管,如,NPN三極管、PNP三極管、P溝道MOS管或N溝道MOS管。若開關(guān)管為一PNP三極管^PNP三極管的柵極為開關(guān)管的控制端,該P(yáng)NP三極管的集電極為開關(guān)管的輸出端,該P(yáng)NP三極管的發(fā)射極為開關(guān)管的輸入端;三極管的基極通過一第五上拉電阻與電源連接。若開關(guān)管為一 NPN三極管;該NPN三極管的柵極為開關(guān)管的控制端,該NPN三極管的發(fā)射極為開關(guān)管的輸出端,該NPN三極管的集電極為開關(guān)管的輸入端;三極管的基極通過一第五上拉電阻與電源連接。若開關(guān)管為一 N溝道MOS管;該N溝道MOS管的柵極為開關(guān)管的控制端,該N溝道MOS管的漏極為開關(guān)管的輸入端,該N溝道MOS管的源極為開關(guān)管的輸出端;M0S管的柵極通過一第五上拉電阻與電源連接。
[0022]本實(shí)施例中,該開關(guān)管為P溝道MOS管Ql。MOS管Ql的柵極為開關(guān)管的控制端,MOS管Ql的源極為開關(guān)管的輸入端,MOS管Ql的漏極為開關(guān)管的輸出端。MOS管Ql的柵極
連接D觸發(fā)器Ul的—Q管腳,MOS管Ql的柵極通過一第五上拉電阻R5與VCC_IN連接,MOS
管Ql的源極與VCC_IN連接,MOS管Ql的漏極與VCC_0UT連接。MOS管Ql的源極與地之間并聯(lián)有第一濾波電容Cl和第二濾波電容C2。MOS管Ql的漏極與地之間并聯(lián)有濾波電容第三濾波電容C3和第四濾波電容C4。本實(shí)施例中,第一濾波電容Cl以及第三濾波電容C3均為0.luF,第二濾波電容C2以及第四濾波電容C4均為10uF。
[0023]該電源開關(guān)控制電路的工作原理如下:
為了描述理解方便下面文字用“ O ”代表低電平,“ I ”表示高電平。將供電電源接入vcc_IN,下級(jí)電路接入VCC_0UT。D觸發(fā)器Ul使用VCC_IN供電,D觸發(fā)器Ul供電后開始正常工
作。在初始狀態(tài)下,D觸發(fā)器Ul輸出Q=0,Q的反相也即& =1,由于§管腳接到MOS管Ql的
柵極G,此時(shí)由于柵極G為高電平,漏極S也為高電平,MOS管Ql截止,則漏極D與源極S斷開,VCC_0UT沒有電壓,整板沒有上電。若按一下輕觸開關(guān)SI,由于按下之前CP=0,按下后CP=1,這就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)上升沿(即由O到I的跳變)給D觸發(fā)器Ul。D觸發(fā)器輸出開的控制
信號(hào)至MOS管Ql。此時(shí)D觸發(fā)器Ul觸發(fā),將D= & =1狀態(tài)鎖存進(jìn)Q管腳,這時(shí)Q=l,而占跳
變?yōu)?,則MOS管Ql柵極G為低電平,源極S為高電平,MOS管Ql導(dǎo)通。由于漏極D與源極S極間電阻Vds很小,相當(dāng)于將 VCC_IN與VCC_0UT直接接通,也即電源與下級(jí)電路導(dǎo)通。由于VCC_0UT直接給整個(gè)板子供電,相當(dāng)于通過MOS管Ql的開與關(guān)直接給下游的芯片供電,MOS管Ql的開與關(guān)避免了電弧的生產(chǎn)。
[0024]按下輕觸開關(guān)SI后松開,輕觸開關(guān)SI彈起,恢復(fù)到原來的狀態(tài),這時(shí)CP=0,Q=I,
ρ =O0若再次按下輕觸開關(guān)SI,由于按下之前CP=0,按下后CP=1,產(chǎn)生一個(gè)上升沿(即由O
到I的跳變)給D觸發(fā)器Ul。D觸發(fā)器輸出關(guān)的控制信號(hào)至MOS管Q1。此時(shí)D觸發(fā)器Ul
觸發(fā),將D= & =0狀態(tài)鎖存進(jìn)Q管腳。這時(shí)Q=0,而&跳變?yōu)镮,MOS管Ql柵極G為高電平,
MOS管Ql截止,MOS管Ql漏極D與源極S斷開,相當(dāng)于將VCC_IN與VCC_0UT直接斷開,整個(gè)板子掉電。
[0025]與現(xiàn)有技術(shù)相比,采用本發(fā)明電源開關(guān)控制電路,通過利用D觸發(fā)器的特性,就可以實(shí)現(xiàn)電源開關(guān)的控制,而不需要通過機(jī)械開關(guān)來強(qiáng)制給電路板上電或者斷電,這不僅減小了設(shè)備的體積,并且保護(hù)了電路,延長了設(shè)備的壽命。
[0026]以上所述僅為本發(fā)明的較佳可行實(shí)施例,并非限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡運(yùn)用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作出的等效結(jié)構(gòu)變化,均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電源開關(guān)控制電路,連接于電源和下級(jí)電路之間,其特征在于,包括: 一開關(guān); 一 D觸發(fā)器,其CP管腳與所述開關(guān)連接,其ρ管腳與D管腳連接,其§管腳還連接一開關(guān)管;該D觸發(fā)器用于檢測(cè)所述開關(guān)的動(dòng)作,并輸出開或關(guān)的控制信號(hào)至所述開關(guān)管; 所述開關(guān)管,其控制端連接所述D觸發(fā)器的^管腳,其輸入端與所述電源連接,其輸出端與所述下級(jí)電路連接;該開關(guān)管用于根據(jù)來自所述D觸發(fā)器的開或關(guān)的控制信號(hào),對(duì)電源和下級(jí)電路的導(dǎo)通或者斷開進(jìn)行控制。
2.如權(quán)利要求1所述的電源開關(guān)控制電路,其特征在于,所述開關(guān)為輕觸開關(guān),該輕觸開關(guān)的輸入端連接所述電源,該輕觸開關(guān)的接地端通過一第一下拉電阻接地,該輕觸開關(guān)的輸出端連接所述D觸發(fā)器的CP管腳。
3.如權(quán)利要求2所述的電源開關(guān)控制電路,其特征在于,所述D觸發(fā)器的&管腳和管腳分別通過一第四上拉電阻和一第三上拉電阻與所述電源連接。
4.如權(quán)利要求2所述的電源開關(guān)控制電路,其特征在于,所述D觸發(fā)器的VCC管腳與GND管腳之間連接有一濾波電容,且所述D觸發(fā)器的VCC管腳與GND管腳之間的連接點(diǎn)接地。
5.如權(quán)利要求1所述的電源開關(guān)控制電路,其特征在于,所述開關(guān)管的輸入端與地之間并聯(lián)有濾波電容。
6.如權(quán)利要求1所述的電源開關(guān)控制電路,其特征在于,所述開關(guān)管的輸出端與地之間并聯(lián)有濾波電容。
7.如權(quán)利要求1、5或6所述的電源開關(guān)控制電路,其特征在于,所述開關(guān)管為一P溝道MOS管;該P(yáng)溝道MOS管的柵極為開關(guān)管的控制端,該P(yáng)溝道MOS管的源極為開關(guān)管的輸入端,該P(yáng)溝道MOS管的漏極為開關(guān)管的輸出端;所述MOS管的柵極通過一第五上拉電阻與所述電源連接。
8.如權(quán)利要求1、5或6所述的電源開關(guān)控制電路,其特征在于,所述開關(guān)管為一N溝道MOS管;該N溝道MOS管的柵極為開關(guān)管的控制端,該N溝道MOS管的漏極為開關(guān)管的輸入端,該N溝道MOS管的源極為開關(guān)管的輸出端;所述MOS管的柵極通過一第五上拉電阻與所述電源連接。
9.如權(quán)利要求1、5或6所述的電源開關(guān)控制電路,其特征在于,所述開關(guān)管為一NPN三極管;該NPN三極管的柵極為開關(guān)管的控制端,該NPN三極管的發(fā)射極為開關(guān)管的輸出端,該NPN三極管的集電極為開關(guān)管的輸入端;所述三極管的基極通過一第五上拉電阻與所述電源連接。
10.如權(quán)利要求1、5或6所述的電源開關(guān)控制電路,其特征在于,所述開關(guān)管為一PNP三極管;該P(yáng)NP三極管的柵極為開關(guān)管的控制端,該P(yáng)NP三極管的集電極為開關(guān)管的輸出端,該P(yáng)NP三極管的發(fā)射極為開關(guān)管的輸入端;所述三極管的基極通過一第五上拉電阻與所述電源連接。
【文檔編號(hào)】H03K17/94GK103475349SQ201210187257
【公開日】2013年12月25日 申請(qǐng)日期:2012年6月7日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月7日
【發(fā)明者】周明杰, 王永清 申請(qǐng)人:海洋王(東莞)照明科技有限公司, 海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司