專利名稱：集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及集成電路。
背景技術(shù)：
作為防止由靜電導(dǎo)致的集成電路的靜電破壞的方法，有時(shí)設(shè)置用于使浪涌電流迂回的保護(hù)元件。此時(shí)，即使使浪涌電流迂回到保護(hù)元件，若在集成電路中存在浪涌電流流動(dòng)的路徑，則集成電路有時(shí)也會(huì)被靜電破壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題是:提供一種可提高對(duì)于靜電破壞的耐性的集成電路。實(shí)施方式的集成電路，其特征在于，具備:放大晶體管，其使輸入信號(hào)放大；偏置電路，其設(shè)定偏置電壓以使所述放大晶體管可進(jìn)行放大；靜電保護(hù)電路，其根據(jù)在所述放大晶體管施加的電壓來設(shè)定所述放大晶體管的偏置電壓以使所述放大晶體管截止；和切換電路，其根據(jù)電源的供給狀態(tài)來切換所述放大晶體管的偏置電壓。另一實(shí)施方式的集成電路，其特征在于，具備:第一放大晶體管，其使所述輸入信號(hào)放大；第二放大晶體管，其與所述第一放大晶體管串聯(lián)連接；偏置電路，其根據(jù)偏置晶體管(bias transistor)的電流鏡動(dòng)作來設(shè)定偏置電壓以使所述第一及第二放大晶體管可進(jìn)行放大；第一開關(guān)晶體管，其使所述第一放大晶體管的柵極和源極之間導(dǎo)通/截止；第二開關(guān)晶體管，其使所述第二放大晶體管的柵極和源極之間導(dǎo)通/截止；第三開關(guān)晶體管，其使所述偏置晶體管的柵極和源極之間導(dǎo)通/截止；第一電阻，其檢測(cè)在所述偏置電路的電源施加的電壓；第一變換器(inverter )，其根據(jù)經(jīng)所述第一電阻而被檢測(cè)出的電壓來驅(qū)動(dòng)所述第一、第二及第三開關(guān)晶體管的柵極以使所述第一、第二及第三開關(guān)晶體管導(dǎo)通；和切換電路，其根據(jù)電源的供給狀態(tài)來經(jīng)所述第一變換器驅(qū)動(dòng)所述第一、第二及第三開關(guān)晶體管的柵極以使所述第一、第二及第三開關(guān)晶體管截止。根據(jù)上述構(gòu)成的集成電路，可提高對(duì)靜電破壞的耐性。


圖1是表示第一實(shí)施方式涉及的集成電路的概要構(gòu)成的電路圖。圖2是表示圖1的放大電路I和外設(shè)部件12、13的連接方法的電路圖。圖3是表示第二實(shí)施方式涉及的集成電路的概要構(gòu)成的電路圖。圖4是表示第三實(shí)施方式涉及的集成電路的概要構(gòu)成的電路圖。
具體實(shí)施方式
根據(jù)實(shí)施方式的集成電路，設(shè)有放大晶體管、偏置電路、靜電保護(hù)電路和切換電路。放大晶體管使輸入信號(hào)放大。偏置電路設(shè)定偏置電壓以使上述放大晶體管可進(jìn)行放大。靜電保護(hù)電路根據(jù)在上述放大晶體管施加的電壓來設(shè)定上述放大晶體管的偏置電壓以使上述放大晶體管截止。切換電路根據(jù)電源的供給狀態(tài)來切換上述放大晶體管的偏置電壓。下面參照附圖來說明實(shí)施方式涉及的集成電路。再有，本發(fā)明不限于這些實(shí)施方式。(第一實(shí)施方式)圖1是表示第一實(shí)施方式涉及的集成電路的概要構(gòu)成的電路圖。在圖1中，在該集成電路中，設(shè)有放大電路1、靜電保護(hù)電路2、切換電路3及偏置電路4。此外,在該集成電路中，設(shè)有ニ極管D1 D8來作為靜電保護(hù)元件。放大電路I可將輸入信號(hào)放大。這里,在放大電路I中，設(shè)有放大晶體管Ml、M2、電阻Rl、R2、電感器LI及電容器Cl、C2。再有，放大晶體管Ml、M2可使用例如N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而且，放大晶體管M1、M2互相串聯(lián)連接。再有，放大晶體管Ml的源極經(jīng)電感器LI與接地端子GND_LNA連接。在放大晶體管Ml的柵極和源極之間連接有電容器Cl。放大晶體管Ml的柵極連接電阻R1，經(jīng)電阻Rl被施加偏置電壓BA1。此外，放大晶體管Ml的柵極連接輸入端子LNA_IN，經(jīng)輸入端子LNA_IN被輸入輸入信號(hào)。放大晶體管M2的漏極與輸出端子LNA_0UT連接。在放大晶體管M2的柵極和接地端子GND_LAN之間連接有電容器C2。放大晶體管M2的柵極連接電阻R2，經(jīng)電阻R2被施加偏置電壓BA2。偏置電路4可設(shè)定偏置電壓BA1、BA2以使放大晶體管M1、M2可進(jìn)行放大。這里，經(jīng)電源端子VDD_LNA向偏置電路4供給電源電壓。而且，用偏置電路4生成偏置電壓BA1、BA2。再有，經(jīng)電阻Rl向放大晶體管Ml的柵極施加偏置電壓BA1，且經(jīng)電阻R2向放大晶體管M2的柵極施加偏置電壓BA2。靜電保護(hù)電路2可根據(jù)在放大晶體管Ml、M2施加的電壓來設(shè)定放大晶體管Ml的偏置電壓BAl以使放大晶體管Ml截止。這里，在靜電保護(hù)電路2，設(shè)有開關(guān)晶體管M3、變換器N2、N3及電阻R3。再有，開關(guān)晶體管M3可使用例如N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而且，開關(guān)晶體管M3的漏極經(jīng)電阻Rl與放大晶體管Ml的柵極連接。開關(guān)晶體管M3的源極與接地端子GND_LNA連接。變換器N2、N3互相串聯(lián)連接，變換器N2的輸入經(jīng)電阻R3與電源端子VDD_LNA連接。變換器N3的輸出與開關(guān)晶體管M3的柵極連接。此外，經(jīng)電源端子VDD_LNA向變換器N2、N3供給電源電壓。切換電路3可根據(jù)電源VDDC的供給狀態(tài)來切換放大晶體管Ml的偏置電壓BAl。這里，切換電路3中設(shè)有變換器NI。變換器NI被供給電源電壓VDDC。此外，變換器NI被輸入通電(power on)信號(hào)PS。變換器NI的輸出與變換器N2的輸入連接。在輸出端子LNA_0UT和電源端子VDD_LNA之間連接有ニ極管D5。ニ極管D6 D8互相串聯(lián)連接。而且，在電源端子VDD_LNA和接地端子GND_LNA之間連接有ニ極管D6 D8的串聯(lián)電路。ニ極管D1、D2互相反向并聯(lián)連接，ニ極管D3、D4互相反向并聯(lián)連接。ニ極管D1、D2的反向并聯(lián)電路和二極管D3、D4的反向并聯(lián)電路互相串聯(lián)連接。另外，該串聯(lián)電路連接在變換器NI的接地電位GNDC和接地端子GND_LNA之間。
圖2是表示圖1的放大電路I和外設(shè)部件12、13的連接方法的電路圖。在圖2中，放大電路I及調(diào)節(jié)器(regulator)7搭載于半導(dǎo)體芯片11。調(diào)節(jié)器7可將電源電壓VDDl轉(zhuǎn)換為電源電壓VDD2。這里，在調(diào)節(jié)器7設(shè)有比較器PA。向比較器PA供給電源電壓VDDI，并可將電源電壓VDD2與基準(zhǔn)電壓ref比較。而且，放大晶體管Ml的柵極與輸入端子TI連接，放大晶體管M2的漏極與輸出端子TO連接，放大晶體管Ml的源極經(jīng)電感器LI與接地端子TG連接，調(diào)節(jié)器7的輸出端子與電源端子TD連接。在輸入端子TI連接有進(jìn)行與輸入信號(hào)In的匹配的外設(shè)部件12。在輸出端子TO和電源端子TD之間，連接有進(jìn)行與輸出信號(hào)Out的匹配的外設(shè)部件13。這里，在外設(shè)部件12設(shè)有電感器L11、L12及電容器C11。而且，輸入信號(hào)In依次經(jīng)電感器Lll及電容器Cll向放大晶體管Ml的柵極輸入。此外，電感器Lll和電容器Cll的連接點(diǎn)經(jīng)電感器L12接地。在外設(shè)部件13設(shè)有電感器L13、電容器C12及電阻RlI。而且，電感器L13和電阻Rl I互相連接，從比較器PA輸出的電源電壓VDD2經(jīng)電感器L13和電阻Rl I的并聯(lián)電路向放大晶體管M2的漏極供給。此外，輸出信號(hào)Out從放大晶體管M2的漏極經(jīng)電容器C12輸出。這里，放大電路I的輸入端子T1、輸出端子T0、電源端子TD及接地端子TG從半導(dǎo)體芯片11露出到外部。而且，輸入端子TI不經(jīng)過電阻地與放大晶體管Ml的柵極連接，輸出端子TO不經(jīng)過電阻地與放大晶體管M2的漏極連接，接地端子TG不經(jīng)過電阻地與放大晶體管Ml的源極連接。因此，浪涌電流直接輸入放大晶體管M1、M2。再有，對(duì)于圖1的靜電保護(hù)電路2、切換電路3及偏置電路4，也可搭載于半導(dǎo)體芯片11。而且，在圖1及圖2中，在將半導(dǎo)體芯片11安裝于電路基板前，不向半導(dǎo)體芯片11供給電源。因此，不向偏置電路4及變換器NI供給電源電壓，放大晶體管Ml、M2的柵極電壓及開關(guān)晶體管M3的柵極電壓為不定。此時(shí)，在輸出端子LNA_0UT和接地端子GND_LNA之間施加浪涌電壓。這里，如果放大晶體管M1、M2截止，則浪涌電流經(jīng)二極管D5 D8從輸出端子LNA_0UT流向接地端子GND_LNA。因此，浪涌電流不會(huì)流到放大晶體管M1、M2，放大晶體管M1、M2不會(huì)被破壞。這里，若向輸出端子LNA_0UT施加浪涌電壓，則經(jīng)二極管D5使電源端子VDD_LNA的電位上升。然后，若為了偏置電路4工作而使電源端子VDD_LNA的電位充分地上升，則在偏置電路4中設(shè)定偏置電壓BAl、BA2以使放大晶體管Ml、M2可導(dǎo)通。而且，在向輸出端子LNA_0UT施加浪涌電壓時(shí)，如果放大晶體管肌12導(dǎo)通，則浪涌電流流到放大晶體管肌、皿2，放大晶體管Ml、M2將被破壞。另一方面，電源端子VDD_LNA的電位經(jīng)電阻R3而被檢測(cè)，經(jīng)該電阻R3而被檢測(cè)的電壓向變換器N2輸入。這里，如果不向半導(dǎo)體芯片11供給電源，則不會(huì)形成從電源端子VDD_LNA流到電阻R3的電流路徑。因此，可不伴隨由電阻R3導(dǎo)致的電壓下降地，將電源端子VDD_LNA的電位向變換器N2輸入。而且，根據(jù)經(jīng)電阻R3檢測(cè)出的電壓來驅(qū)動(dòng)變換器N2、N3，從而電源端子VDD_LNA的電位被施加到開關(guān)晶體管M3的柵極。這里，在向輸出端子LNA_OUT施加浪涌電壓時(shí)，如果電源端子VDD_LNA的電位上升，則開關(guān)晶體管M3導(dǎo)通。因此，放大晶體管Ml的偏置電壓BAl成為0V，放大晶體管Ml的柵極電位成為0V。因此，放大晶體管Ml截止，可防止浪涌電流流到放大晶體管M1、M2。
例如，在輸出端子LNA_0UT和接地端子GND_LNA之間施加6V的浪涌電壓，該浪涌電壓經(jīng)ニ極管D5向電源端子VDD_LNA施加，從而電源端子VDD_LNA的電位成為4.5V。此時(shí)，在偏置電路4施加4.5V的電源電壓，通過偏置電路4生成0疒4.5V的偏置電壓BA1、BA2。另ー方面，電源端子VDD_LNA的電位經(jīng)電阻R3傳遞到變換器N2，向變換器N2輸入
4.5V的電壓。而且，如果向變換器N2輸入4.5V的電壓，則經(jīng)變換器N2、N3，開關(guān)晶體管M3的柵極電位被設(shè)定為4.5V。因此，開關(guān)晶體管M3的柵極/源極間電壓Vgs3為4.5V，開關(guān)晶體管M3導(dǎo)通。其結(jié)果，放大晶體管Ml的偏置電壓BAl為0V，經(jīng)電阻R1，該偏置電壓BAl向放大晶體管Ml的柵極施加，從而放大晶體管Ml的柵極/源極間電壓Vgsl為0V，放大晶體管Ml截止。此時(shí)，如果放大晶體管M2導(dǎo)通，放大晶體管M2的漏扱/源極間電壓Vds2為0V,則放大晶體管Ml的漏極/源極間電壓Vdsl為6V。另ー方面，在將半導(dǎo)體芯片11安裝于電路基板時(shí)，向半導(dǎo)體芯片11供給電源。因此，向變換器NI供給電源電壓VDDC，并且經(jīng)電源端子VDD_LNA向偏置電路4供給電源電壓。而且，如果通電信號(hào)PS為高電平，則變換器NI的輸出PS_B為低電平。此外，在向電源端子VDD_LNA供給電源電壓吋，電流經(jīng)電阻R3而被抽取(引き抜く)到變換器NI，從而電源端子VDD_LNA的電源電壓經(jīng)電阻R3而下降，變換器NI的輸出PS_B被維持在低電平。而且，根據(jù)變換器NI的輸出PS_B來驅(qū)動(dòng)變換器N2、N3，從而向開關(guān)晶體管M3的柵極施加接地端子GND_LNA的電位。因此，開關(guān)晶體管M3截止，放大晶體管Ml的偏置電壓BAl經(jīng)偏置電路4而設(shè)定。這里，在向偏置電路4供給電源電壓時(shí)，設(shè)定偏置電壓BA1、BA2以使放大晶體管Ml、M2可進(jìn)行放大。而且,在向放大晶體管Ml的柵極施加輸入信號(hào)時(shí),根據(jù)該輸入信號(hào)而使電流流到放大晶體管M1、M2，基于該電流的輸出信號(hào)經(jīng)輸出端子LNA_0UT輸出。這里，放大晶體管M2可設(shè)定成，從放大晶體管Ml抽取的漏極電流不會(huì)返回到放大晶體管Ml。此外，放大晶體管Ml的源極電流經(jīng)電感器LI而轉(zhuǎn)換為電壓，經(jīng)電容器Cl向放大晶體管Ml的柵極反饋，從而進(jìn)行匹配，減小噪音。例如，如果在向半導(dǎo)體芯片11供給電源時(shí)電源電壓VDDl是3.3V，則通過調(diào)節(jié)器7轉(zhuǎn)換為1.2V的電源電壓VDD2，經(jīng)外設(shè)部件13向放大晶體管M2的漏極供給。因此，輸出端子LNA_0UT的電位設(shè)定為1.2V。此外，通過向電源端子VDD_LNA施加電源電壓VDD2，而將電源端子VDD_LNA的電位設(shè)定為1.2V。此外，若向變換器NI供給電源電壓VDDC，通電信號(hào)PS成為高電平，則變換器NI的輸出PS_B為0V。而且，電流從電源端子VDD_LNA經(jīng)電阻R3被引入到變換器NI，從而通過電阻R3產(chǎn)生1.2V大小的電壓下降，電源端子VDD_LNA的電位被維持在1.2V。在電源端子VDD_LNA的電位維持為1.2V時(shí)，向偏置電路4施加1.2V的電源電壓，通過偏置電路4生成0.4V的偏置電壓BAl，并且生成0.8V的偏置電壓BA2。此外，在變換器NI的輸出PS_B為OV吋，經(jīng)變換器N2、N3將開關(guān)晶體管M3的柵極電位設(shè)定為0V。因此，開關(guān)晶體管M3的柵極/源極間電壓Vgs3為0V，開關(guān)晶體管M3截止。其結(jié)果，放大晶體管Ml的柵極電位為0.4V，放大晶體管Ml的柵扱/源極間電壓Vgsl為0.4V。此外，放大晶體管Ml的漏極/源極間電壓Vdsl為0.4V。另外，放大晶體管M2的柵極電位為0.8V,放大晶體管M2的柵極/源極間電壓Vgs2為0.4V。放大晶體管M2的漏極/源極間電壓Vds2為0.8V。
這里，在放大晶體管Ml的源極側(cè)和柵極側(cè)之間連接開關(guān)晶體管M3，在檢測(cè)出浪涌電壓時(shí)將開關(guān)晶體管M3導(dǎo)通，從而可將放大晶體管Ml的源極和柵極之間的電壓設(shè)定為0V。因此，可防止在輸入浪涌電壓時(shí)放大晶體管Ml導(dǎo)通，并且可防止浪涌電流流到放大晶體管Ml、M2，因此可提高放大晶體管Ml、M2對(duì)靜電破壞的耐性。此外，通過經(jīng)電阻R3及變換器N2、N3來檢測(cè)浪涌電壓，可提高浪涌電壓的檢測(cè)靈敏度。再有，通過經(jīng)電阻Rl將開關(guān)晶體管M3與放大晶體管Ml的柵極連接，可使得從輸入端子LNA_IN側(cè)不可見開關(guān)晶體管M3的寄生電容，可抑制増益及雜音特性的下降。另外，通過設(shè)置切換電路3，即使在根據(jù)電源未接入時(shí)的浪涌電壓而使開關(guān)晶體管M3導(dǎo)通的情況下，也可在電源接入時(shí)使開關(guān)晶體管M3截止，能夠使放大晶體管M1、M2的放大功能不損失。(第二實(shí)施方式)圖3是表示第二實(shí)施方式涉及的集成電路的概要構(gòu)成的電路圖。在圖3中，在該集成電路中設(shè)有靜電保護(hù)電路5來代替圖1的集成電路的靜電保護(hù)電路2。靜電保護(hù)電路5可根據(jù)在放大晶體管M1、M2施加的電壓來設(shè)定放大晶體管M2的偏置電壓BA2以使放大晶體管M2截止。這里，在靜電保護(hù)電路5設(shè)有開關(guān)晶體管M4來代替開關(guān)晶體管M3。再有，開關(guān)晶體管M4可使用例如N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而且，開關(guān)晶體管M4的漏極與放大晶體管M2的柵極連接。開關(guān)晶體管M4的源極與接地端子GND_LNA連接。變換器N3的輸出與開關(guān)晶體管M4的柵極連接。而且，如果在將半導(dǎo)體芯片11安裝于電路基板前，向輸出端子LNA_0UT施加浪涌電壓，則經(jīng)ニ極管D5，電源端子VDD_LNA的電位上升。而且，電源端子VDD_LNA的電位經(jīng)電阻R3而被檢測(cè)，經(jīng)該電阻R3被檢測(cè)出的電壓被輸入到變換器N2。而且，根據(jù)經(jīng)電阻R3而被檢測(cè)出的電壓來驅(qū)動(dòng)變換器N2、N3，從而向開關(guān)晶體管M4的柵極施加電源端子VDD_LNA的電位。這里，如果向輸出端子LNA_0UT施加浪涌電壓時(shí)，電源端子VDD_LNA的電位上升，則開關(guān)晶體管M4導(dǎo)通。因此，放大晶體管M2的偏置電壓BA2為0V，放大晶體管M2的柵極電位為0V。因此，放大晶體管M2截止，可防止浪涌電流流到放大晶體管M1、M2。例如，在輸出端子LNA_0UT和接地端子GND_LNA之間施加6V的浪涌電壓，將該浪涌電壓經(jīng)ニ極管D5向電源端子VDD_LNA施加，從而電源端子VDD_LNA的電位成為4.5V。此時(shí)，在偏置電路4施加4.5V的電源電壓，通過偏置電路4生成0V 4.5V的偏置電壓BAl、BA2。另ー方面，電源端子VDD_LNA的電位經(jīng)電阻R3而傳遞到變換器N2，向變換器N2輸入4.5V的電壓。而且，在向變換器N2輸入4.5V的電壓時(shí)，經(jīng)變換器N2、N3，開關(guān)晶體管M4的柵極電位被設(shè)定為4.5V。因此，開關(guān)晶體管M4的柵極/源極間電壓Vgs4為4.5V，開關(guān)晶體管M4導(dǎo)通。其結(jié)果，放大晶體管M2的偏置電壓BA2為0V，該偏置電壓BA2被施加到放大晶體管M2的柵極，從而放大晶體管M2的柵扱/源極間電壓Vgs2為-0.1V，放大晶體管M2截止。此時(shí)，如果放大晶體管Ml的柵扱/源極間電壓Vgsl為2V，放大晶體管Ml截止，放大晶體管Ml的漏極/源極間電壓Vdsl為0.1V，則放大晶體管M2的漏極/源極間電壓Vds2為5.9V。此外，放大晶體管M2的柵極/漏極間電壓Vgd2為5.9V。(第三實(shí)施方式)圖4是表示第三實(shí)施方式涉及的集成電路的概要構(gòu)成的電路圖。
在圖4中，在該集成電路中設(shè)有靜電保護(hù)電路6來代替圖1的集成電路的靜電保護(hù)電路2。此外，在偏置電路4設(shè)有偏置晶體管M11116及電流源Iref。再有，偏置晶體管Μ1ΓΜ13可使用例如P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。偏置晶體管Μ1ΓΜ16可使用例如N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這里，偏置晶體管Mlf M13可進(jìn)行電流鏡動(dòng)作。偏置晶體管M14根據(jù)偏置晶體管M12的電流鏡動(dòng)作來生成偏置電壓BA1。偏置晶體管M15、M16根據(jù)偏置晶體管M13的電流鏡動(dòng)作來生成偏置電壓BA2。這里，偏置晶體管Mlf M13的源極與電源端子VDD_LNA連接，偏置晶體管Mll的漏極經(jīng)電流源Iref與接地端子GND_LNA連接。偏置晶體管M12的漏極經(jīng)偏置晶體管M14與接地端子GND_LNA連接，偏置晶體管M13的漏極依次經(jīng)偏置晶體管M15、M16與接地端子GND_LNA連接。偏置晶體管M11113的柵極與偏置晶體管Mll的漏極連接。偏置晶體管M14的漏極與偏置晶體管14的柵極連接，并且經(jīng)電阻Rl與放大晶體管Ml的柵極連接。偏置晶體管M15的漏極與偏置晶體管M15的柵極連接，并且經(jīng)電阻R2與放大晶體管M2的柵極連接。偏置晶體管M16的漏極與偏置晶體管M16的柵極連接。此外，靜電保護(hù)電路6根據(jù)在放大晶體管Ml、M2施加的電壓來使放大晶體管Ml、M2截止，并且可使從偏置電路4輸出的偏置電壓BA1、BA2為不定。這里，在靜電保護(hù)電路6設(shè)有開關(guān)晶體管M317、變換器N2、N3及電阻R3。再有，開關(guān)晶體管M316可使用例如N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。開關(guān)晶體管M7可使用例如P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而且，開關(guān)晶體管M5的漏極與放大晶體管Ml的柵極連接。開關(guān)晶體管M6的漏極經(jīng)電阻R2與放大晶體管M2的柵極連接。開關(guān)晶體管M5、M6的源極與接地端子GND_LNA連接。開關(guān)晶體管M5、M6的柵極與變換器N3的輸出連接。開關(guān)晶體管M7的漏極與偏置晶體管M11113的柵極連接。開 關(guān)晶體管M7的源極與電源端子VDD_LNA連接。開關(guān)晶體管M7的柵極與變換器N2的輸出連接。而且，在將半導(dǎo)體芯片11安裝于電路基板前，不向半導(dǎo)體芯片11供給電源。因此，不向偏置電路4及變換器NI供給電源電壓，放大晶體管Ml、M2的柵極電壓和開關(guān)晶體管M317的柵極電壓變?yōu)椴欢?。此時(shí)，如果向電源端子VDD_LNA施加浪涌電壓，則電源端子VDD_LNA的電位經(jīng)電阻R3而被檢測(cè)，經(jīng)該電阻R3而被檢測(cè)的電壓向變換器N2輸入。而且，根據(jù)經(jīng)電阻R3而被檢測(cè)的電壓來驅(qū)動(dòng)變換器N2、N3，從而將開關(guān)晶體管M316的柵極電位設(shè)定為高電平，將開關(guān)晶體管M7的柵極電位設(shè)定為低電平。因此，開關(guān)晶體管M317導(dǎo)通，放大晶體管M1、M2及偏置晶體管M14、M15的柵極電位為0V，并且偏置晶體管M11113的柵極電位成為電源端子VDD_LNA的電位。因此，偏置晶體管M11 M15截止，偏置電壓BA1、BA2成為GND_LNA，并且放大晶體管Ml、M2截止，可防止浪涌電流流到放大晶體管Ml、M2。另一方面，在將半導(dǎo)體芯片11安裝到電路基板時(shí)，向半導(dǎo)體芯片11供給電源。因此，向變換器NI供給電源電壓VDDC，并且經(jīng)電源端子VDD_LNA向偏置電路4供給電源電壓。而且，如果通電信號(hào)PS為高電平，則變換器NI的輸出成為低電平。此外，在向電源端子VDD_LNA供給電源電壓時(shí)，電流經(jīng)電阻R3而被抽取到變換器NI，從而電源端子VDD_LNA的電源電壓經(jīng)電阻R3而下降，變換器NI的輸出被維持在低電平。另外，根據(jù)變換器NI的輸出來驅(qū)動(dòng)變換器N2、N3，從而將開關(guān)晶體管M316的柵極電位設(shè)定為低電平，將開關(guān)晶體管WJ的柵極電位設(shè)定為高電平。因此，開關(guān)晶體管M3 M7截止，放大晶體管Ml、M2的偏置電壓BA1、BA2經(jīng)偏置電路4而設(shè)定，以使放大晶體管Ml、M2可進(jìn)行放大。而且，在向放大晶體管Ml的柵極施加輸入信號(hào)時(shí)，根據(jù)該輸入信號(hào)而使電流流到放大晶體管Ml、M2，并經(jīng)輸出端子LNA_0UT而輸出基于該電流的輸出信號(hào)。這里，在檢測(cè)到浪涌電壓時(shí)使放大晶體管Ml、M2截止，并且使從偏置電路4輸出的偏置電壓BA1、BA2成為GND_LNA，從而可防止放大晶體管M1、M2導(dǎo)通。因此，可防止浪涌電流流到放大晶體管Ml、M2，并且可提高放大晶體管Ml、M2對(duì)靜電破壞的耐性。雖然說明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式，但是，這些實(shí)施方式僅是作為例子而提示的，并不意在限定本發(fā)明的范圍。這些新穎的實(shí)施方式可用其他各種方式來實(shí)施，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，可進(jìn)行各種省略、替換、改變。這些實(shí)施方式及其變形包含于本發(fā)明的范圍和主旨中，并且包含于在權(quán)利要求所記載的發(fā)明和其等價(jià)范圍中。
權(quán)利要求
1.一種集成電路，其特征在于，具備: 放大晶體管，對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大； 偏置電路，設(shè)定偏置電壓以使所述放大晶體管可進(jìn)行放大； 靜電保護(hù)電路，根據(jù)在所述放大晶體管施加的電壓來設(shè)定所述放大晶體管的偏置電壓以使所述放大晶體管截止；以及 切換電路，根據(jù)電源的供給狀態(tài)來切換所述放大晶體管的偏置電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在干， 所述靜電保護(hù)電路具備: 開關(guān)晶體管，使所述放大晶體管的柵極和源極之間導(dǎo)通或截止； 第一電阻，檢測(cè)在所述偏置電路的電源施加的電壓；以及 第一變換器，根據(jù)經(jīng)由所述第一電阻而被檢測(cè)到的電壓來驅(qū)動(dòng)所述開關(guān)晶體管的柵扱，以使所述開關(guān)晶體管導(dǎo)通， 所述切換電路根據(jù)電源的供給狀態(tài)，經(jīng)由所述第一變換器來驅(qū)動(dòng)所述開關(guān)晶體管的柵扱，以使所述開關(guān)晶體管截止。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在干， 所述第一電阻連接在所述偏置電路的電源的電源端子和所述第一變換器的輸入端子之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路，其特征在干， 所述切換電路具備第二變換器，該第二變換器被輸入通電信號(hào)且其輸出端子與所述第一變換器的輸入端子連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路，其特征在干， 所述開關(guān)晶體管的漏極經(jīng)由第二電阻與所述放大晶體管的柵極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路，其特征在干， 所述放大晶體管的輸出端子經(jīng)由ニ極管與所述電源端子連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路，其特征在于，具備: 電感器，與所述放大晶體管的源極連接；以及 電容器，連接在所述放大晶體管的源極和柵極之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路，其特征在干， 所述放大晶體管具備: 第一放大晶體管，對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大；和 第二放大晶體管，與所述第一放大晶體管串聯(lián)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在干， 所述偏置電路具備: 第一偏置晶體管，進(jìn)行電流鏡動(dòng)作；以及 第二偏置晶體管，根據(jù)所述第一偏置晶體管的電流鏡動(dòng)作而生成所述偏置電路的所述偏置電壓， 所述靜電保護(hù)電路具備: 開關(guān)晶體管，使所述第一偏置晶體管的柵極和源極之間導(dǎo)通或截止； 第一電阻，檢測(cè)在所述偏置電路的電源施加的電壓；以及第一變換器，根據(jù)經(jīng)由所述第一電阻而被檢測(cè)出的電壓來驅(qū)動(dòng)所述開關(guān)晶體管的柵極，以使所述開關(guān)晶體管導(dǎo)通， 所述切換電路根據(jù)電源的供給狀態(tài)，經(jīng)由所述第一變換器來驅(qū)動(dòng)所述開關(guān)晶體管的柵極，以使所述開關(guān)晶體管截止。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其特征在于， 所述第一電阻連接在所述偏置電路的電源的電源端子和所述第一變換器的輸入端子之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路，其特征在于， 所述切換電路具備第二變換器，該第二變換器被輸入通電信號(hào)且其輸出端子與所述第一變換器的輸入端子連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路，其特征在于， 所述開關(guān)晶體管的漏極經(jīng)由第二電阻與所述放大晶體管的柵極連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路，其特征在于， 所述放大晶體管的輸出端子經(jīng)由二極管與所述電源端子連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的集成電路，其特征在于，具備: 電感器，與所述放大晶體管的源極連接；以及 電容器，連接在所述放大晶體管的源極和柵極之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的集成電路，其特征在于， 所述放大晶體管具備: 第一放大晶體管，對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大；以及 第二放大晶體管，與所述第一放大晶體管串聯(lián)連接。
16.一種集成電路，其特征在于，具備: 第一放大晶體管，對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大； 第二放大晶體管，與所述第一放大晶體管串聯(lián)連接； 偏置電路，根據(jù)偏置晶體管的電流鏡動(dòng)作來設(shè)定偏置電壓，以使所述第一及第二放大晶體管可進(jìn)行放大； 第一開關(guān)晶體管，使所述第一放大晶體管的柵極和源極之間導(dǎo)通或截止； 第二開關(guān)晶體管，使所述第二放大晶體管的柵極和源極之間導(dǎo)通或截止； 第三開關(guān)晶體管，使所述偏置晶體管的柵極和源極之間導(dǎo)通或截止； 第一電阻，檢測(cè)在所述偏置電路的電源施加的電壓； 第一變換器，根據(jù)經(jīng)由所述第一電阻而被檢測(cè)出的電壓來驅(qū)動(dòng)所述第一、第二及第三開關(guān)晶體管的柵極，以使所述第一、第二及第三開關(guān)晶體管導(dǎo)通；以及 切換電路，根據(jù)電源的供給狀態(tài)，經(jīng)由所述第一變換器來驅(qū)動(dòng)所述第一、第二及第三開關(guān)晶體管的柵極，以使所述第一、第二及第三開關(guān)晶體管截止。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的集成電路，其特征在于， 所述第一電阻連接在所述偏置電路的電源的電源端子和所述第一變換器的輸入端子之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的集成電路，其特征在于， 所述切換電路具備第二變換器，該第二變換器被輸入通電信號(hào)且其輸出端子與所述第一變換器的輸入端子連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的集成電路，其特征在干， 所述第一開關(guān)晶體管的漏極經(jīng)由第二電阻與所述第一放大晶體管的柵極連接，所述第ニ開關(guān)晶體管的漏極經(jīng)由第三電阻與所述第二放大晶體管的柵極連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的集成電路，其特征在干， 所述第一放大晶體管的輸出端子經(jīng)由ニ極`管與所述電源端子連接。
全文摘要
一種集成電路，具備放大晶體管，對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大；偏置電路，設(shè)定偏置電壓以使所述放大晶體管可進(jìn)行放大；靜電保護(hù)電路，根據(jù)在所述放大晶體管施加的電壓來設(shè)定所述放大晶體管的偏置電壓以使所述放大晶體管截止；以及切換電路，根據(jù)電源的供給狀態(tài)來切換所述放大晶體管的偏置電壓。
文檔編號(hào)H03F1/52GK103095226SQ20121024348
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2012年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月28日
發(fā)明者小笠原陽介 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝