實(shí)現(xiàn)邏輯功能和引導(dǎo)帶電粒子的電子裝置和方法
【專利摘要】一種裝置和方法用于實(shí)現(xiàn)一個或多個邏輯功能。該裝置包括一個或多個基本模塊，每一模塊包括預(yù)定數(shù)量的帶電粒子輸入，至少一個定義了功能空間的交互作用區(qū)和至少一個距相互作用區(qū)一定距離的帶電粒子輸出。邏輯功能是受影響的帶電粒子相互作用的結(jié)果。
【專利說明】實(shí)現(xiàn)邏輯功能和引導(dǎo)帶電粒子的電子裝置和方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉屬于邏輯門領(lǐng)域，具體的涉及實(shí)現(xiàn)邏輯功能和引導(dǎo)帶電粒子的電子裝置和方法
【背景技術(shù)】
[0002]芯片邏輯的實(shí)現(xiàn)基礎(chǔ)為使用兩種不同電壓代表邏輯' 或邏輯'O'，大部門邏輯門采用CMOS晶體管制造(例如使用NMOS或PMOS晶體管)。通常一個集成電路中集成有數(shù)十億的邏輯門。
[0003]由本申請發(fā)明人發(fā)展的其它特定技術(shù)手段，利用電子發(fā)射原理。例如美國專利US7847596描述了一種使用彈道電子執(zhí)行一個或多個邏輯功能的電子裝置。美國專利US7545179公開了一種使用真空中的電子和漂浮電極操作邏輯門的電子裝置。
[0004]發(fā)明概述
[0005]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)使用在時間和空間上運(yùn)動的帶電粒子(電子或離子)能夠顯著提高邏輯門的性能從而改善提高其計算效率和性能。根據(jù)本
【發(fā)明內(nèi)容】
，定義邏輯，Ii，例如目標(biāo)位置存在帶電粒子(電子)的狀態(tài)。因此每一個到功能的輸入和輸出可以由在特定位置和時間的帶電粒子的'存在'或'不存在，代表。功能自身為空間中的體積，在此位置帶電粒子之間交互以產(chǎn)生輸出。
[0006]選擇電子作為帶電粒子具有很多優(yōu)勢。電子比離子更輕易于引導(dǎo)和操縱。當(dāng)兩個電子比你接近時靜電力足夠強(qiáng)以產(chǎn)生邏輯狀態(tài)變化。一般來說，僅需要能量切換系統(tǒng)“開”，也就是說產(chǎn)生電子(通常為帶電粒子)并提供其初始動能。否則這個CPU不需要任何額外的能量輸入可以運(yùn)行。當(dāng)然，當(dāng)CPU內(nèi)建數(shù)十億邏輯門時，需要能量來引導(dǎo)、收集和重復(fù)利用電子。然而，原則上講在本發(fā)明的新的自由粒子邏輯模型中，能量是非必須的。本發(fā)明的模型可以用于實(shí)現(xiàn)基本邏輯功能，引導(dǎo)和重復(fù)利用電子，擴(kuò)大門數(shù)，縮小門的規(guī)模。此外，本發(fā)明的概念可以集成于任何其它類型的CPU，例如作為CMOS CPU的子集。
[0007]因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種用于實(shí)現(xiàn)一個或多個邏輯功能的方法。該方法包括影響至少具有一定動能的第一和第二帶電粒子的第一和第二流動以便選擇性地使第一和第二帶電粒子相互作用從而選擇性的影響帶電粒子的位置，基于相互作用是否發(fā)生選擇性的提供帶電粒子輸出，帶電粒子輸出與否代表邏輯功能。
[0008]在一些實(shí)施例中，為了影響至少第一和第二流動以選擇性的使第一和第二帶電粒子交互作用，本發(fā)明提供了至少第一第一帶電粒子的第一流動到交互作用區(qū)，同時選擇性的提供至少第二帶電粒子的輸入流到交互作用區(qū)，從而使得第二帶電粒子基本上與第一帶電粒子到達(dá)相互作用區(qū)的同時到達(dá)相互作用區(qū)附近。
[0009]應(yīng)當(dāng)理解此處所用的“基本上同時”并不意味著交互粒子同時到達(dá)交互作用區(qū)，而是對應(yīng)于粒子到達(dá)交互作用區(qū)具有足夠的時間差，從而在交互作用區(qū)的給定動能的(一個或多個)帶電粒子之間的距離使其之間產(chǎn)生所需的交互作用。因此，術(shù)語“基本同時”或“基本上同時”用于下文內(nèi)容中應(yīng)予以廣義理解為“幾乎同時”或“足夠同時”從而粒子之間的距離(源于“時間或抵達(dá)”上的差異)產(chǎn)生所需的交互作用。應(yīng)當(dāng)理解第一和第二粒子之間的交互作用影響交互作用粒子向輸出區(qū)(或接收區(qū))的傳輸軌跡，從而影響粒子相對于輸出區(qū)的位置。
[0010]邏輯功能包括至少下述之一:至少一邏輯門，一記憶功能，弓I導(dǎo)帶電粒子與電子裝置不同部分互連
[0011]本發(fā)明的另一目的是提供一種實(shí)現(xiàn)一種或多種邏輯功能的裝置，該裝置包括一個或多個基本模塊，每一模塊包括預(yù)定數(shù)量的帶電粒子輸入，至少一個定義了功能空間的交互作用區(qū)，和至少一個距離相互作用區(qū)域一定距離的帶電粒子輸出。邏輯功能是受影響的帶電粒子相互作用的結(jié)果。
[0012]本發(fā)明的還一個目的是提供一實(shí)現(xiàn)一個或多個邏輯功能的裝置。該裝置包括一個或多個基本模塊，每個模塊包括預(yù)定數(shù)量的帶電粒子輸入和至少一帶電粒子輸出，基本模塊構(gòu)造和操作以引導(dǎo)至少兩個帶電粒子，包括至少一第一帶電粒子和一第二帶電粒子移動向交互作用區(qū)以選擇性的在交互作用區(qū)所述至少兩帶電粒子發(fā)生交互影響至少一交互帶電粒子向基本模塊輸出的傳輸軌跡，從而影響至少一交互帶電粒子相對于基本模塊輸出的位置從而在基本模塊的輸出選擇性的產(chǎn)生至少一交互帶電粒子存在或不存在的條件以對應(yīng)所要實(shí)現(xiàn)的邏輯功能。
[0013]本發(fā)明的又一個目的是提供一集成了上述裝置的處理器單元，該處理器單元構(gòu)造和操作處理器不同模塊之間的互連以在這些模塊之間傳輸信息。此處理器單元可以是基于傳統(tǒng)的CMOS系統(tǒng)的C叫。
[0014]基本模塊包括至少一個通道弓I導(dǎo)所述至少一第一帶電粒子朝向交互作用區(qū)，在交互作用區(qū)此帶電粒子在所述第二帶電粒子及時輸入到交互作用區(qū)的情況下與至少一第二帶電粒子交互。應(yīng)當(dāng)理解提供第一帶電粒子的引導(dǎo)通道還存在裝置(基本模塊)輸入。還應(yīng)理解在某些情況下帶電粒子稱為“活躍帶電粒子”或“系統(tǒng)提供的帶電粒子”。通常類似于CMOS技術(shù)，從輸入到功能為“硬件線路”到邏輯“I”或邏輯'O”。對于一個或多個其它輸入，其在類似的通道中弓I導(dǎo)第二帶電粒子或稱為“輸入帶電粒子”代表控制信號。這樣的輸入通道還定義一交互作用區(qū)域。引導(dǎo)第一和第二帶電粒子的通道各自構(gòu)造使得第一和第二交互作用區(qū)域彼此相鄰或至少部分重疊從而共同定義了交互作用區(qū)?？刂频诙щ娏Ｗ虞斎脒x擇性的提供第二帶電粒子基本上與到達(dá)交互作用區(qū)的至少一第一帶電粒子同時(幾乎同時或足夠同時)到達(dá)交互作用區(qū)的附近從而產(chǎn)生所需交互。在第一帶電粒子到達(dá)交互作用區(qū)(存在功能空間)時交互作用區(qū)附近存在或不存在第二帶電粒子等價于邏輯“1”，交互中不存在第二帶電粒子等價于邏輯'O"，第一和第二帶電粒子在功能空間的交互產(chǎn)生輸出。換句話說，第一帶電粒子到達(dá)交互作用區(qū)時交互作用區(qū)附近存在或不存在第二帶電粒子決定了帶電粒子是否到達(dá)基本模塊的輸出，從而產(chǎn)生基本單元的邏輯輸出。對于基本模塊輸出，可由帶電粒子檢測器、下一基本模塊或任意其它接下來的步驟表示。
[0015]因此，基于本發(fā)明，真空中的帶電粒子，而非電壓，作為邏輯門的輸入和輸出。一般而言，給予本發(fā)明的方案，邏輯功能是帶電粒子之間，如電子或離子(可
[0016]以是同類型或不同類型的裝置輸入和輸出)，交互作用的結(jié)果。輸入和輸出由帶電粒子流動代表。
[0017]應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的真空是指允許處理器產(chǎn)生功能的足夠低的壓力。[0018]每一功能中所用帶電粒子的數(shù)目取決于所需功能，每個功能所用粒子可以從一個到數(shù)千個之間變化。因此術(shù)語“帶電粒子”可以是多個粒子。
[0019]一般而言，帶電粒子通道為為中空的細(xì)長結(jié)構(gòu)，典型的是管狀件，內(nèi)部為真空腔(足夠低壓以提供足夠長的自由通路)。管子由合適的具有高于粒子動能的表面電荷能的材料制成。作為通道結(jié)構(gòu)合適的材料的例子為具有負(fù)的電子親和勢(NEA)的材料例如聚乙烯。材料的NEA特性使得帶電粒子不會被材料捕獲從而防止點(diǎn)和滲透到材料內(nèi)部,通道材料引導(dǎo)帶電粒子沿著通道流動。交互作用區(qū)(功能空間)由管道布局限定。
[0020]此類材料的另一個例子為二氧化硅(或與此有關(guān)的任何其它絕緣體)。
[0021]使用能量高于工作能量(例如系統(tǒng)所用粒子的動能)的帶電粒子首先充入絕緣體。例如，如果帶電粒子為電子，工作能量為leV，那么第一步在管道中通過的電子具有高于IeV的能量，例如IOeV ( “充電步驟”)。
[0022]這將填充絕緣體的所有表面狀態(tài)到10eV。當(dāng)對電子使用IeV的功能能量時，由于不存在此能量下的真空態(tài)，管道壁不吸收電子，優(yōu)選的充電步驟具有足夠高能量，裝置在操作中受熱影響更小。
[0023]附圖概述
[0024]為了理解本發(fā)明并了解如何實(shí)施本發(fā)明，參考下述附圖本發(fā)明提供了實(shí)施例，本發(fā)明并不限于實(shí)施例。其中:
[0025]圖1A為本發(fā)明執(zhí)行一個或多個邏輯門裝置的框圖；
[0026]圖1B示意了本發(fā)明裝置基本模塊的功能設(shè)計；
[0027]圖1C對應(yīng)于邏輯XOR功能的帶電粒子之間的交互作用設(shè)計；
[0028]圖2顯示了基于兩個電子交互的用于執(zhí)行XOR邏輯功能，即異或邏輯功能，的本發(fā)明裝置的構(gòu)造具體示例；
[0029]圖3顯示了本本發(fā)明的裝置中實(shí)現(xiàn)NOT門，即非門，的交互設(shè)計；
[0030]圖4顯示了本發(fā)明裝置實(shí)現(xiàn)0R/N0R門，即或/或非門，的交互設(shè)計；
[0031]圖5顯示了以聚乙烯為基材實(shí)現(xiàn)NOT和XOR門，即非門和異或門，的兩段式結(jié)構(gòu)；
[0032]圖6顯示了支持同步和電子重用的完整CPU構(gòu)造布局；
[0033]圖7顯示了本發(fā)明的裝置作為放大器(電子倍增器)；
[0034]圖8示意性的顯示了裝置使用NEA材料作為具有低能量變化和高度同步化的帶電粒子的來源；
[0035]圖9示意性的顯示了本發(fā)明使用PE管從一個傳統(tǒng)CPU系統(tǒng)的部分傳輸信息到另一部分的互連結(jié)構(gòu)。
[0036]【具體實(shí)施方式】詳述
[0037]參考附圖1A，通過框架圖的方式顯示了執(zhí)行一個或多個邏輯門的本發(fā)明電子裝置10。裝置10包括一個或多個基本單元,本實(shí)施例所示這樣的基本單元12構(gòu)造和操作實(shí)現(xiàn)一邏輯功能。如圖所示，基本單元12的輸出22結(jié)合到接收器14。后者可配置作為檢測器或作為下一級的基本單元以實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的邏輯功能，在此種情形下單元12的輸出22代表基本單兀14多個輸入中的一個。
[0038]基本單元12包括一個或多個接觸一個或多個帶電粒子輸入18的帶電粒子收集器或通道16，并具有一個出口 22 (通常一個或多個輸出)作為基本單元12的輸出。輸入18選擇性的以穿過通道16的帶電粒子流的形式提供信號輸入使與不同輸入相關(guān)聯(lián)的帶電粒子之間發(fā)生交互。這樣的交互發(fā)生在一定的體積或空間構(gòu)成一個功能空間。后者由交互作用區(qū)20所限定，交互作用區(qū)20由通道16的各個區(qū)域形成，或在特定通道內(nèi)的一個區(qū)域。如下所述，到通道16的交互區(qū)域或區(qū)20的輸入18由相鄰或重疊的另一個類似交互作用區(qū)的構(gòu)成。
[0039]需要注意的是用于單一功能的粒子數(shù)目從一個到數(shù)千個變化。因此，術(shù)語“帶電粒子”可以指多個粒子。
[0040]帶電粒子15，下文中有時稱為“系統(tǒng)粒子”或“活性粒子”，位于通道16并通過通道16傳輸。當(dāng)其抵達(dá)區(qū)域20，與一個或多個其它帶電粒子17交互。通道16的區(qū)域20代表發(fā)生預(yù)定功能的交互作用區(qū)。如上所述，到通道16的交互作用區(qū)20的粒子17的輸入18由另一帶電粒子通道類似空間或區(qū)域構(gòu)成，例如靠近與對準(zhǔn)通道16。此外來自不同位置可能存在多個輸入18，所有這些輸入18朝向交互作用區(qū)20?；灸K12的輸出，即通道16的輸出22存在或不存在帶電粒子15或17，因此接收器14取決于交互作用區(qū)20的帶電粒子15與17間的交互。例如，交互存在或不存在，決定基本單元12的邏輯輸出。因此位于通道16的輸出20的空間或體積代表了功能自身。
[0041]需要注意的是系統(tǒng)粒子15的存在是可選的，取決于所要實(shí)現(xiàn)的功能。此外，可以使用來自不同位置的兩個輸入，如圖1C所示例。帶電粒子通道16是一種由合適材料制成的小管，所述材料的表面電荷能高于帶電粒子的能量(例如其動能)，從而防止電荷滲透入材料。例如，可以使用具有負(fù)的電子親和勢的材料，例如聚乙烯材料。材料的NEA特性防止了電子被所述材料捕獲，管道的材料引導(dǎo)電子，類似于管道引導(dǎo)水流。此類材料的另一個例子是預(yù)先充入電子的二氧化硅SiO2 (或其它任意合適的絕緣體)，如下具體所述。
[0042]圖1B示意了本發(fā)明的基本模塊12的功能設(shè)計。此處，對應(yīng)與邏輯功能的輸入18由帶電粒子通道輸出空間22是否存在帶電粒子(電子)來代表。例如，在輸入18存在電子等價于邏輯“1”，在所述輸入不存在電子等價于邏輯“O”。在功能空間中，電子與其它電子交互產(chǎn)生輸出。在裝置開啟時給予管道中的電子動能。電子在裝置操作的整個過程中維持其動能，直至其被關(guān)閉。相比于其它力，電子之間的排斥庫侖力是巨大的。因此，可以使用現(xiàn)在的納米腔(功能空間)使得功能空間即使在輸入單個電子下也可以工作。
[0043]交互作用區(qū)域20發(fā)生交互的結(jié)果是在距離區(qū)域20 —定位置的地方存在或不存在電子(同一 IA的15或17)，通道的輸出22位于此處，此處還可以安置接收器(檢測器)或接下來的引導(dǎo)電子的通道。因此基于本發(fā)明的技術(shù)方案，狀態(tài)的改變(邏輯“O”或“I”)由粒子位置(定位)上的改變決定，例如源于粒子與其它粒子交互作用影響粒子軌跡，而不是常規(guī)采用的材料勢能變化。換言之，本發(fā)明利用空間上的粒子密度變化而不是材料電壓變化。
[0044]參考圖1C，顯示了帶電粒子(電子)之間的交互方案。在此示例中，交互對應(yīng)于邏輯XOR功能?？紤]兩個電子E1和E2 (構(gòu)成圖1A的粒子17)在真空中運(yùn)動具有相同的動能。維持其速度不需要能量。當(dāng)其相互接近時相互排斥。排斥力(庫侖力)與其之間的距離的平方成反比。也就是說只要其”足夠接近”，兩個電子就可以以可檢測的方式進(jìn)行交互。
[0045]管道(通道)的不同結(jié)構(gòu)能實(shí)現(xiàn)所有的基本邏輯功能，包括記憶功能，和扇出數(shù)目大于等于I。為了估計發(fā)生交互所需時間和交互電子所需初始距離，進(jìn)行若干計算。計算結(jié)果如下表1.[0046]表I
【權(quán)利要求】
1.用于實(shí)現(xiàn)一個或多個邏輯功能的方法，該方法包括至少影響具有一定動能的第一和第二帶電粒子的第一和第二流動以便選擇性地使第一和第二帶電粒子相互作用從而選擇性的影響帶電粒子的位置，基于相互作用是否發(fā)生選擇性的提供帶電粒子輸出，帶電粒子輸出與否代表邏輯功能。
2.權(quán)利要求1的方法，其特征在于影響第一和第二流動以選擇性的使第一和第二帶電粒子相互作用包括:提供至少第一帶電粒子的第一流動到相互作用區(qū)，選擇性的供應(yīng)至少一第二帶電粒子的輸入流到相互作用區(qū)，使得第二帶電粒子基本上與第一帶電粒子到達(dá)相互作用區(qū)的同時到達(dá)相互作用區(qū)附近。
3.權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于所述第一和第二帶電粒子是電子。
4.權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于所述第一和第二帶電粒子是離子。
5.權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于所述第一和第二帶電粒子包括電子和離子。
6.權(quán)利要求1-5任一權(quán)利要求的裝置，其特征在于相互作用的第一和第二帶電粒子具有相同或不同的動能。
7.權(quán)利要求1-6任一權(quán)利要求的方法，其特征在于一個或多個邏輯功能包括至少下述之一:至少一邏輯門，一記憶功能，引導(dǎo)帶電粒子與與電子裝置不同部分互連。
8.權(quán)利要求1到7任以權(quán)利要求的方法，包括提供第一和第二粒子流各自通過具有定義了交互作用區(qū)的相鄰或至少部分重疊的第一和第二相互作用區(qū)域的第一和第二通道。
9.權(quán)利要求8的方法，其特征在于每個通道材料具有高于各自的粒子動能的表面電荷倉泛。
10.權(quán)利要求7到9任一權(quán)利要求的方法，包括提供帶電粒子的初始同步并保持同步。
11.權(quán)利要求10的方法，其特征在于初始同步通過下述方式實(shí)現(xiàn):創(chuàng)建帶電粒子云并在通道的特定起始位置捕獲通道中的帶電粒子，施加電場或磁場使得一專門的電極吸收過量的帶電粒子，并施加電信號同時提供所有捕獲的粒子初始動能。
12.權(quán)利要求10或11的方法，包括選擇每個通道的長度以保持同步。
13.實(shí)現(xiàn)一個或多個邏輯功能的裝置，其特征在于該裝置包括一個或多個基本模塊，每一模塊包括預(yù)定數(shù)量的帶電粒子輸入，至少一個定義了功能空間的交互作用區(qū)，和至少一個距離相互作用區(qū)域一定距離的帶電粒子輸出。邏輯功能是受影響的帶電粒子相互作用的結(jié)果。
14.權(quán)利要求13的裝置，其特征在于基本模塊構(gòu)造和操作以引導(dǎo)至少兩個帶電粒子，包括至少一第一帶電粒子和一第二帶電粒子移動向交互作用區(qū)以選擇性的在交互作用區(qū)所述至少兩束帶電粒子發(fā)生交互影響至少一交互帶電粒子向基本模塊輸出的傳輸軌跡，從而影響至少一交互帶電粒子相對于基本模塊輸出的位置從而在基本模塊的輸出選擇性的產(chǎn)生至少一交互帶電粒子存在或不存在的條件以對應(yīng)所要實(shí)現(xiàn)的邏輯功能。
15.權(quán)利要求13或14的裝置，其特征在于基本模塊包括存在于基本模塊輸入的至少一帶電粒子通道，帶電粒子通道構(gòu)造為引導(dǎo)至少一第一帶電粒子穿過通道朝向交互作用區(qū)，在交互作用區(qū)第一帶電粒子與至少一第二帶電粒子交互作用。
16.權(quán)利要求13或14的裝置，其特征在于輸入包括各自的帶電粒子通道，每一帶電粒子通道具有至少一交互作用區(qū)域，所述通道使得一通道中的至少一交互作用區(qū)域與另一通道中的至少一交互作用區(qū)域相鄰或部分重疊共同定義了交互作用區(qū)。
17.權(quán)利要求13到16任一權(quán)利要求的裝置，其特征在于一個或多個邏輯功能包括至少下述之一:至少一邏輯門，一記憶功能，引導(dǎo)帶電粒子與電子裝置不同部分互連
18.權(quán)利要求15到17任一權(quán)利要求所述的裝置，其特征在于帶電粒子通道為中空的細(xì)長結(jié)構(gòu)，內(nèi)部為真空腔。
19.權(quán)利要求18的裝置，其特征在于所述中空細(xì)長結(jié)構(gòu)包括一個或多個管狀件，管狀件由具有高于粒子動能的表面電荷能的組合物材料制成。
20.權(quán)利要求19的裝置，其特征在于所述組合物材料包括具有負(fù)的電子親和勢的材料。
21.權(quán)利要求20的裝置，其特征在于所述管狀件由聚乙烯制成。
22.權(quán)利要求19到21任一權(quán)利要求的裝置，其特征在于所述至少一交互作用區(qū)由管狀件布局所限定。
23.權(quán)利要求19的裝置，其特征在于所述材料為絕緣體，該絕緣體預(yù)先充有具有比交互帶電粒子動能更好能量的帶電粒子。
24.權(quán)利要求23的裝置，其特征在于所述絕緣體為二氧化硅。
25.權(quán)利要求19的裝置，其特征在于所述邏輯功能包括引導(dǎo)帶電粒子互連不同的晶體管或電路以傳輸之間的信息。
26.權(quán)利要求25的裝置，其特征在于所述中空細(xì)長結(jié)構(gòu)位于發(fā)射器單元和接收器單元之間。.
27.權(quán)利要求26的裝置，其特征在于發(fā)射器單元包括電極裝置。
28.權(quán)利要求26或27的裝置，其特征在于接收器單元包括電極裝置。
29.權(quán)利要求26到28任一權(quán)利要求的裝置，其特征在于所述接收器單元包括至少一電容或電感傳感器。
30.中央處理器，內(nèi)部集成有權(quán)利要求13到25任一權(quán)利要求的裝置。
31.一種實(shí)現(xiàn)一個或多個邏輯功能的裝置，該裝置包括一個或多個基本模塊，每一模塊包括預(yù)定數(shù)量的帶電粒子輸入，和至少一帶電粒子輸出，基本模塊構(gòu)造和操作用于引導(dǎo)至少兩帶電粒子，包括至少一第一帶電粒子和一第二帶電粒子以選擇性的在交互作用區(qū)所述至少兩個帶電粒子發(fā)生交互影響至少一交互帶電粒子向基本模塊輸出的傳輸軌跡，從而影響至少一交互帶電粒子相對于基本模塊輸出的位置從而在基本模塊的輸出選擇性的產(chǎn)生至少一交互帶電粒子存在或不存在的條件以對應(yīng)所要實(shí)現(xiàn)的邏輯功能。
【文檔編號】H03K19/06GK103444082SQ201280006347
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2012年1月24日 優(yōu)先權(quán)日:2011年1月24日
【發(fā)明者】埃雷茲·哈拉米, 龍·納曼 申請人:諾瓦特安斯集團(tuán)有限公司