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      復(fù)合壓電橫向振動諧振器的制造方法

      文檔序號:7541162閱讀:278來源:國知局
      復(fù)合壓電橫向振動諧振器的制造方法
      【專利摘要】描述了諧振器。該諧振器包括多個電極。該諧振器還包括復(fù)合壓電材料。該復(fù)合壓電材料包括至少一層第一壓電材料和至少一層第二壓電材料。至少一個電極耦合至該復(fù)合壓電材料的底部。至少一個電極耦合至該復(fù)合壓電材料的頂部。
      【專利說明】復(fù)合壓電橫向振動諧振器
      [0001]相關(guān)申請
      [0002]此申請與2011 年 8 月 19 日提交的、題為 “COMPOSITE PIEZOELECTRIC LATERALLYVIBRATING RESONATORS AND FILTERS (復(fù)合壓電橫向振動諧振器和濾波器)”的美國臨時專利申請S/K 61/525,607相關(guān)并要求其優(yōu)先權(quán),該申請通過引用納入于此。
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0003]本公開一般涉及無線通信系統(tǒng)。具體而言,本公開涉及用于復(fù)合壓電橫向振動諧振器的系統(tǒng)和方法。
      【背景技術(shù)】
      [0004]電子設(shè)備(蜂窩電話、無線調(diào)制解調(diào)器、計算機(jī)、數(shù)字音樂播放器、全球定位系統(tǒng)單元、個人數(shù)字助理、游戲設(shè)備等)已成為日常生活的一部分。小型計算設(shè)備如今被放置在從汽車到住房用鎖等各種事物中。在過去的幾年里電子設(shè)備的復(fù)雜度有了驚人的上升。例如,許多電子設(shè)備具有一個或多個幫助控制該設(shè)備的處理器、以及支持該處理器及該設(shè)備的其他部件的數(shù)個數(shù)字電路。
      [0005]各種電子電路組件可在機(jī)電系統(tǒng)級實現(xiàn),諸如諧振器。一些常規(guī)諧振器結(jié)構(gòu)提供低于期望的電氣和機(jī)械能量轉(zhuǎn)換。這些低于期望的屬性可使得此類常規(guī)諧振器不適于在電路(諸如寬帶濾波器)中使用。因此,存在對具有改善的電氣和機(jī)械能量轉(zhuǎn)換的機(jī)電系統(tǒng)級諧振器的需要。
      [0006]概沭
      [0007]描述了一種諧振器。該諧振器包括多個電極。該諧振器還包括復(fù)合壓電材料,該復(fù)合壓電材料包括至少一層第一壓電材料和至少一層第二壓電材料。至少一個電極耦合至該復(fù)合壓電材料的底部。至少一個電極耦合至該復(fù)合壓電材料的頂部。
      [0008]該諧振器可以是橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合諧振器。第一壓電材料可具有第一品質(zhì)因數(shù)和第一機(jī)電耦合。第二壓電材料可具有第二品質(zhì)因數(shù)和第二機(jī)電耦合。該復(fù)合壓電材料可具有復(fù)合品質(zhì)因數(shù)和復(fù)合機(jī)電耦合。該復(fù)合品質(zhì)因數(shù)和該復(fù)合機(jī)電耦合可取決于該復(fù)合壓電材料中第一壓電材料與第二壓電材料之間的體積比。
      [0009]該復(fù)合品質(zhì)因數(shù)和該復(fù)合機(jī)電耦合可代之以取決于該復(fù)合壓電材料中第一層第一壓電材料的第一厚度與第一層第二壓電材料的第二厚度之間的厚度比。
      [0010]該復(fù)合壓電材料可包括第一層第一壓電材料和第一層第二壓電材料。第一層第一壓電材料可堆疊在第一層第二壓電材料的頂部。該復(fù)合壓電材料還可包括第二層第一壓電材料。第一層第二壓電材料可堆疊在第二層第一壓電材料的頂部。該復(fù)合壓電材料還可包括第二層第二壓電材料。第二層第一壓電材料可堆疊在第二層第二壓電材料的頂部。
      [0011]第一層第一壓電材料可與第一層第二壓電材料并排堆疊。第一電極可耦合至第一層第一壓電材料和第一層第二壓電材料兩者的頂部。第二電極可耦合至第一層第一壓電材料和第一層第二壓電材料兩者的底部。[0012]第一層第二壓電材料可代之以夾在第一層第一壓電材料與第二層第一壓電材料之間。第二層第一壓電材料可夾在第一層第二壓電材料與第二層第二壓電材料之間。
      [0013]該復(fù)合壓電材料可將來自一個或多個輸入電極的輸入信號轉(zhuǎn)換成機(jī)械振動。這些機(jī)械振動可被轉(zhuǎn)換成來自一個或多個輸出電極的輸出信號。第一壓電材料可以是氮化招,并且第二壓電材料可以是氧化鋅。在另一配置中,第一壓電材料可以是氮化鋁,并且第二壓電材料可以是鋯鈦酸鉛。該復(fù)合壓電材料可具有足夠高以供在寬帶濾波器應(yīng)用中使用的復(fù)合品質(zhì)因數(shù)和復(fù)合機(jī)電I禹合。
      [0014]還描述了用于生成諧振器的方法。確定該諧振器的期望品質(zhì)因數(shù)。還確定該諧振器的期望機(jī)電耦合。選擇供在該諧振器中使用的第一壓電材料和第二壓電材料。調(diào)整第一壓電材料與第二壓電材料之間的體積比以獲得具有該期望品質(zhì)因數(shù)和該期望機(jī)電耦合的復(fù)合壓電材料。使用該復(fù)合壓電材料生成該諧振器。
      [0015]描述了配置用于生成諧振器的設(shè)備。該設(shè)備包括用于確定該諧振器的期望品質(zhì)因數(shù)的裝置。該設(shè)備還包括用于確定該諧振器的期望機(jī)電耦合的裝置。該設(shè)備進(jìn)一步包括用于選擇供在該諧振器中使用的第一壓電材料和第二壓電材料的裝置。該設(shè)備還包括用于調(diào)整第一壓電材料與第二壓電材料之間的體積比以獲得具有該期望品質(zhì)因數(shù)和該期望機(jī)電耦合的復(fù)合壓電材料的裝置。該設(shè)備進(jìn)一步包括用于使用該復(fù)合壓電材料生成該諧振器的
      >J-U ρ?α裝直。
      [0016]還描述了用 于生成諧振器的計算機(jī)程序產(chǎn)品。該計算機(jī)程序產(chǎn)品包括其上具有指令的非瞬態(tài)計算機(jī)可讀介質(zhì)。這些指令包括用于使得設(shè)備確定該諧振器的期望品質(zhì)因數(shù)的代碼。這些指令還包括用于使得該設(shè)備確定該諧振器的期望機(jī)電耦合的代碼。這些指令進(jìn)一步包括用于使得該設(shè)備選擇供在該諧振器中使用的第一壓電材料和第二壓電材料的代碼。這些指令還包括用于使得該設(shè)備調(diào)整第一壓電材料和第二壓電材料之間的體積比以獲得具有該期望品質(zhì)因數(shù)和該期望機(jī)電耦合的復(fù)合壓電材料的代碼。這些指令進(jìn)一步包括用于使得該設(shè)備使用該復(fù)合壓電材料生成該諧振器的代碼。
      [0017]附圖簡沭
      [0018]圖1是解說橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器的框圖;
      [0019]圖2解說供在本系統(tǒng)和方法中使用的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器;
      [0020]圖3解說了三種不同諧振器的仿真結(jié)果的曲線圖;
      [0021]圖4是用于生成橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器的方法的流程圖;
      [0022]圖5解說供在本系統(tǒng)和方法中使用的另一橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器;
      [0023]圖6解說供在本系統(tǒng)和方法中使用的又一橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器;
      [0024]圖7是解說具有三個垂直層的壓電材料的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器的框圖;
      [0025]圖8是解說具有四個水平層的壓電材料的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器的框圖;
      [0026]圖9解說可被包括在電子設(shè)備/無線設(shè)備內(nèi)的某些組件。
      [0027]詳細(xì)描沭[0028]圖1是解說橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104的框圖。機(jī)電系統(tǒng)諧振器器件的一個示例是等高線模式諧振器(CMR)。等高線模式諧振器(CMR)具有基本橫向且在面內(nèi)的振動模式。橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104由此可以是等高線模式諧振器(CMR)的一種配置。
      [0029]—般而言,橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104可包括多個導(dǎo)電電極106,其中復(fù)合壓電材料108夾在這些電極106之間。這些電極106可包括耦合至輸入端口的一個或多個輸入電極106以及I禹合至輸出端口的一個或多個輸出電極106。接地電極106可穿插在輸入電極和輸出電極106當(dāng)中。如本文中所使用的,橫向振動是指單芯片多頻率操作,這與其中每晶片僅允許一個中心頻率的常規(guī)石英晶體和薄膜體聲波諧振器(FBAR)技術(shù)形成對比。
      [0030]橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104結(jié)構(gòu)可被懸掛在包括專門設(shè)計的系帶的腔中,這些系帶將該橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104結(jié)構(gòu)耦合至支承結(jié)構(gòu)。這些系帶可在諧振器104結(jié)構(gòu)的層堆疊中制造。諧振器104結(jié)構(gòu)可依靠該腔與周圍結(jié)構(gòu)支承和其他組件聲學(xué)隔離。
      [0031]許多不同種類的電子設(shè)備可從橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104獲益。不同種類的這些設(shè)備包括但不限于蜂窩電話、無線調(diào)制解調(diào)器、計算機(jī)、數(shù)字音樂播放器、全球定位系統(tǒng)單元、個人數(shù)字助理、游戲設(shè)備等。一組設(shè)備包括可與無線通信系統(tǒng)一起使用的那些設(shè)備。如本文中所使用的,術(shù)語“無線通信設(shè)備”是指可用于在無線通信網(wǎng)絡(luò)上進(jìn)行語音和/或數(shù)據(jù)通信的電子設(shè)備。無線通信設(shè)備的示例包括蜂窩電話、手持式無線設(shè)備、無線調(diào)制解調(diào)器、膝上型計算機(jī)、個人計算機(jī)等。無線通信設(shè)備可被替換地稱為接入終端、移動終端、訂戶站、遠(yuǎn)程站、用戶終端、終端、訂戶單元、用戶裝備、移動站等。
      [0032]無線通信網(wǎng)絡(luò)可以為數(shù)個無線通信設(shè)備提供通信,其中每個無線通信設(shè)備可由基站來服務(wù)?;疽部梢蕴鎿Q地被稱為接入點、B節(jié)點、或其他某個術(shù)語?;竞蜔o線通信設(shè)備可利用橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104。然而,除了所提到的無線設(shè)備以外,許多不同種類的電子設(shè)備也可利用橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104。
      [0033]等高線模式諧振器(CMR)(諸如橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104)的諧振頻率可基本上通過操縱復(fù)合壓電材料108和電極106的橫向尺寸來控制。此類構(gòu)造的一個益處在于多頻RF濾波器、時鐘振蕩器、換能器或各自包括一個或多個等高線模式諧振器(CMR)的其他設(shè)備可在同一基板上制造。這通過在單個芯片上為RF前端應(yīng)用實現(xiàn)緊湊、多帶濾波器解決方案而可在成本和大小上為有利的。橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104可提供緊湊的大小(例如,長度和/或?qū)挾壬蠟?00微米(μ m))、低功耗以及與高產(chǎn)量、可大量生產(chǎn)的組件的兼容性的優(yōu)點。
      [0034]典型地,在諧振器中僅使用單個壓電材料。例如,單個壓電材料可被用于單端口或雙端口橫向振動諧振器中。作為另一個示例,單個壓電材料可被用于單端口、基板上覆壓電材料式橫向振動諧振器中(對于所有類型的電極106配置)。不同壓電材料可被用作該單個壓電材料。
      [0035]在一種配置中,該單個壓電材料可以是氮化鋁(AIN)。AlN可具有高品質(zhì)因數(shù)(Q)112,從而導(dǎo)致低動阻抗和低濾波器插入損耗。然而,AlN可具有受限的橫向壓電系數(shù)(d31)114,從而導(dǎo)致受限的機(jī)電耦合(kt2) 116。因此,橫向振動AlN微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)諧振器對于寬帶濾波器應(yīng)用而言可能不是理想的。
      [0036]在另一種配置中,該單個壓電材料可以是氧化鋅(ZnO)或鋯鈦酸鉛(PZT)。ZnO和PZT具有比AlN相對較大的橫向壓電系數(shù)(d31) 114和機(jī)電耦合(kt2) 116 (尤其對于PZT而言),由此使它們在寬帶濾波器應(yīng)用中的使用更為理想。然而,ZnO和PZT具有低品質(zhì)因數(shù)(Q) 112,由此具有大的動阻抗和大的濾波器插入損耗。
      [0037]對于單端口基板上覆壓電材料式橫向振動諧振器而言,該單個壓電材料可以是ΖηΟ,ΑΙΝ,ΡΖΤ或其他壓電材料,并且基板可以是硅、鉆石或其他非壓電材料。諧振器體可以主要為非壓電基板。因此,有效的復(fù)合機(jī)電耦合(kt2)116是較小的且不利于寬帶濾波器應(yīng)用。單端口基板上覆壓電材料式橫向振動諧振器可具有高品質(zhì)因數(shù)(Q) 112和低插入損耗以供用于窄帶濾波器(例如,分?jǐn)?shù)濾波器帶寬〈1%)。
      [0038]復(fù)合壓電材料108可包括第一壓電材料IlOa和第二壓電材料110b。第一壓電材料I 1a和第二壓電材料I 1b可各自形成一層或多層。這些層可彼此耦合或由電極106(諸如接地電極106)分開。可對第一壓電材料IlOa和第二壓電材料IlOb的各層使用不同配置(連同不同電極106配置所需的對應(yīng)電極106層)。例如,第一壓電材料IlOa層可被直接置于第二壓電材料IlOb層之上。主諧振器體可以僅是復(fù)合壓電材料108。
      [0039]在一種配置中,第一壓電材料IlOa可以是A1N,并且第二壓電材料IlOb可以是PZT或ZnO。然而,本文中未提到的其他壓電材料也可被用作第一壓電材料IlOa或第二壓電材料110b。
      [0040]第一壓電材料IlOa可具有品質(zhì)因數(shù)(Q) 112a、橫向壓電系數(shù)(d31) 114a和機(jī)電率禹合(kt2) 116a。第二壓電材料IlOb可具有品質(zhì)因數(shù)(Q) 112b、橫向壓電系數(shù)(d31) 114b和機(jī)電稱合(kt2) 116b。復(fù)合壓電材料108可具有復(fù)合品質(zhì)因數(shù)(Q) 118、復(fù)合橫向壓電系數(shù)Cd31) 120和復(fù)合機(jī)電耦合(kt2) 122。復(fù)合品質(zhì)因數(shù)(Q) 118、復(fù)合橫向壓電系數(shù)(d31) 120和復(fù)合機(jī)電稱合(kt2) 122可基于第一壓電材料IlOa和第二壓電材料IlOb的體積比126和/或厚度比124來設(shè)計。例如,在一種配置中,第一壓電材料IlOa可以是AlN (具有高品質(zhì)因數(shù)(Q)112),并且第二壓電材料IlOb可以是ZnO (具有高機(jī)電耦合(kt2)116)。復(fù)合壓電材料108就可具有足以用于寬帶濾波器應(yīng)用的復(fù)合品質(zhì)因數(shù)(Q) 118和足以用于寬帶濾波器應(yīng)用的復(fù)合機(jī)電耦合(kt2) 122。
      [0041]復(fù)合壓電材料108可將來自一個或多個電極106的輸入信號轉(zhuǎn)換成機(jī)械振動,該機(jī)械振動隨后可被轉(zhuǎn)換成輸出信號。這些機(jī)械振動可以是橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104的諧振頻率?;陔姌O106的指寬,該結(jié)構(gòu)的諧振頻率可被控制。用于復(fù)合壓電材料108的位移的基頻可部分地以光刻方式通過電極106和/或復(fù)合壓電材料108層的平面大小來設(shè)置。
      [0042]跨電極106施加的AC電場可通過復(fù)合橫向壓電系數(shù)(d31) 120或復(fù)合縱向壓電系數(shù)(d33)127來引發(fā)復(fù)合壓電材料108的一個或多個平面中的機(jī)械形變。在橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104的諧振頻率處,跨該設(shè)備的電信號被增強(qiáng)并且該設(shè)備表現(xiàn)為電子諧振器電路。
      [0043]在一種配置中,可設(shè)置橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104的總寬度乘以總長度來控制該諧振器結(jié)構(gòu)的阻抗。復(fù)合壓電材料108的合適厚度可以是厚0.01到10微米(μ m)。[0044]復(fù)合壓電材料108的使用可被應(yīng)用到已為單壓電或基板上覆壓電材料式諧振器演示的所有不同的電極106配置。使用更多壓電材料110層和金屬層,還可開發(fā)其他新的電極106配置。
      [0045]橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104可被用來在同一芯片上合成各個中心頻率(從10兆赫(MHz)直至微波頻率)處的寬帶(其分?jǐn)?shù)帶寬>3%)濾波器以用于多帶/多模無線通信,而這使用現(xiàn)有技術(shù)是無法達(dá)到的。多個橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104可被電耦合(例如,以梯形、格子或自耦合拓?fù)?和/或機(jī)械耦合以在單個芯片上合成具有不同中心頻率和帶寬(窄或?qū)?的高階帶通濾波器??墒褂貌煌罘桨?例如,厚度場激勵和橫向場激勵)來激勵橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104中的所有不同種類的振動模式(寬度延伸、長度延伸、厚度延伸、蘭姆波、剪力模式等)。
      [0046]復(fù)合壓電材料108中所使用的各壓電材料110可彼此相疊或并排制造。此外,具有不同壓電材料110的分開的單壓電諧振器可被制造在同一芯片上彼此鄰接(或者甚至并排)以獲得用于橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104的復(fù)合壓電材料108。因此,多個諧振器可被并聯(lián)電連接或者機(jī)械耦合以實現(xiàn)橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104。由于不同壓電材料110的不同聲速,單設(shè)備多頻操作也可在包括復(fù)合壓電材料108的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104中設(shè)計。
      [0047]圖2解說供在本系統(tǒng)和方法中使用的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器204。圖2的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器204可以是圖1的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104的一種配置。橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器204可包括復(fù)合壓電材料208,復(fù)合壓電材料208包括第一壓電材料IlOa層210a以及第二壓電材料IlOb層210b。第一壓電材料IlOa層210a可以直接在第二壓電材料IlOb層210b之上。第一電極206a可被稱合至第一壓電材料I 1a層210a,并且第二電極206b可被稱合至第二壓電材料IlOb層210b。
      [0048]圖3解說了三種不同諧振器的仿真結(jié)果的曲線圖328a_c。在每個曲線圖中,導(dǎo)納的幅度(以分貝(dB)計)相對于頻率(以千兆赫(GHz)計)來標(biāo)繪。第一曲線圖328a解說了其中AlN被用作單壓電材料110的諧振器的仿真結(jié)果。第二曲線圖328b解說了其中ZnO被用作單壓電材料HO的諧振器的仿真結(jié)果。第三曲線圖328c解說了其中AlN被用作第一壓電材料IlOa并且ZnO被中用作第二壓電材料IlOb的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104的仿真結(jié)果。
      [0049]在第一曲線圖328a中,諧振頻率fs為2GHz,品質(zhì)因數(shù)(Q)112為2000并且機(jī)電耦合(kt2)116為3%。在第二曲線圖328b中,諧振頻率fs為2GHz,品質(zhì)因數(shù)(Q)112為500并且機(jī)電耦合(kt2) 116為8%。因此,AlN用作單壓電材料110的諧振器具有高品質(zhì)因數(shù)(Q)112和低機(jī)電耦合(kt2) 116,而ZnO用作單壓電材料110的諧振器具有低品質(zhì)因數(shù)(Q) 112和高機(jī)電耦合(kt2) 116。通過設(shè)計使用AlN層和ZnO層的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104,可達(dá)成2GHz的諧振頻率、1500的復(fù)合品質(zhì)因數(shù)(Q) 118、以及5.4%的復(fù)合機(jī)電耦合(kt2) 122。因此,橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104具有AlN諧振器在高復(fù)合品質(zhì)因數(shù)(Q) 118方面的優(yōu)點、以及ZnO諧振器在高復(fù)合機(jī)電耦合(kt2) 122方面的優(yōu)點。
      [0050]圖4是用于生成橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104的方法400的流程圖。方法400可由工程師、技術(shù)人員或計算機(jī)來執(zhí)行。在一種配置中,方法400可由制造機(jī)器來執(zhí)行。
      [0051]可確定(402)橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104的期望品質(zhì)因數(shù)(Q)(即,復(fù)合品質(zhì)因數(shù)(Q) 118)。還可確定(404)橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104的期望機(jī)電稱合(kt2)(復(fù)合機(jī)電稱合(kt2) 122)。可為橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104選擇(406)第一壓電材料IlOa和第二壓電材料110b。可調(diào)整(408)第一壓電材料IlOa與第二壓電材料IlOb之間的厚度比124 (或體積比126)以獲得具有期望品質(zhì)因數(shù)(Q)和期望機(jī)電耦合(kt2)的復(fù)合壓電材料108。隨后可使用該復(fù)合壓電材料108來生成(410)橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104。
      [0052]圖5解說供在本系統(tǒng)和方法中使用的另一橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器504。圖5的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器504可以是圖1的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104的一種配置。橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器504可包括復(fù)合壓電材料508,復(fù)合壓電材料508包括第一壓電材料IlOa (ZnO或PZT)層510a以及第二壓電材料IlOb (AlN)層510b。
      [0053]第一壓電材料IlOa層510a可以經(jīng)由接地(GND)層耦合至第二壓電材料IlOb層510b。多個輸入和輸出電極506a_d可被稱合至第一壓電材料IlOa層510a。多個輸入和輸出電極506e_h也可被稱合至第二壓電材料IlOb層510b。
      [0054]第一壓電材料IlOa層510a可具有厚度T1530a,而第二壓電材料IlOb層510b可具有厚度T2530b。通過調(diào)整厚度T1530a與厚度T2530b之間的比率124,可調(diào)整復(fù)合壓電材料508的復(fù)合品質(zhì)因數(shù)(Q) 118和復(fù)合機(jī)電耦合(kt2) 122。例如,如果第一壓電材料IlOa具有高品質(zhì)因數(shù)(Q) 112a但具有低機(jī)電耦合(kt2) 116,并且期望較高的復(fù)合品質(zhì)因數(shù)(Q)118 (以復(fù)合機(jī)電耦合(kt2) 122為代價),則可相對于厚度T2530b來增加厚度T1530a。
      [0055]圖6解說供在本系統(tǒng)和方法中使用的又一橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器604。圖6的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器604可以是圖1的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104的一種配置。橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器604可包括復(fù)合壓電材料608,復(fù)合壓電材料608包括第一壓電材料IlOa (AlN)層610a以及第二壓電材料IlOb (ZnO或PZT)層610b。
      [0056]第一壓電材料IlOa層610a可稱合至第二壓電材料IlOb層610b。第一電極606a可率禹合至第一壓電材料IlOa層610a,并且第二電極606b可稱合至第二壓電材料IlOb層610b。
      [0057]第一壓電材料IlOa可具有第一體積,而第二壓電材料IlOb可具有第二體積。通過調(diào)整第一體積與第二體積之間的比率126,可調(diào)整復(fù)合壓電材料608的復(fù)合品質(zhì)因數(shù)(Q)118和復(fù)合機(jī)電耦合(kt2)122。例如,如果第一壓電材料IlOa具有高品質(zhì)因數(shù)(Q)112a但具有低機(jī)電耦合(kt2) 116,并且期望較高的復(fù)合品質(zhì)因數(shù)(Q) 118 (以復(fù)合機(jī)電耦合(kt2)122為代價),則可相對于第二體積來增加第一體積。
      [0058]圖7是解說具有三個垂直層71a-C的壓電材料110的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器704的框圖。圖7的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器704可以是圖1的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104的一種配置。橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器704可包括復(fù)合壓電材料708,復(fù)合壓電材料708包括第一壓電材料IlOa的第一層710a、第二壓電材料IlOb層710b、以及第一壓電材料IlOa的第二層710c。第二壓電材料IlOb層710b可被夾在第一壓電材料IlOa的第一層710a與第一壓電材料IlOa的第二層710c之間(即,第一壓電材料IlOa的第一層710a可以直接在第二壓電材料IlOb層710b之上,并且第一壓電材料IlOa的第二層710b可以直接在第二壓電材料IlOb層710b之下)。第一電極706a可被稱合至第一壓電材料IlOa的第一層710a。第二電極706b可被稱合至第一壓電材料IlOa的第二層710c。
      [0059]第一壓電材料I 1a可具有第一體積(來自第一壓電材料I 1a的第一層710a和第一壓電材料I 1a的第二層710c兩者),并且第二壓電材料I 1b可具有第二體積(來自第二壓電材料IlOb層710b)。通過調(diào)整第一體積與第二體積之間的比率126,就可調(diào)整復(fù)合壓電材料708的復(fù)合品質(zhì)因數(shù)(Q) 118和復(fù)合機(jī)電耦合(kt2) 122。例如,如果第一壓電材料IlOa具有高品質(zhì)因數(shù)(Q)112a但具有低機(jī)電耦合(kt2)116,并且期望較高的復(fù)合品質(zhì)因數(shù)(Q) 118 (以復(fù)合機(jī)電耦合(kt2) 122為代價),則可相對于第二體積來增加第一體積。
      [0060]圖8是解說具有四個水平層810a_d的壓電材料110的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器804的框圖。圖8的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器804可以是圖1的橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器104的一種配置。橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)復(fù)合諧振器804可包括復(fù)合壓電材料808,復(fù)合壓電材料808包括第一壓電材料IlOa和第二壓電材料110b。
      [0061]在一種配置中,復(fù)合壓電材料808可包括第一壓電材料第一層810a、第二壓電材料第一層810b、第一壓電材料第二層810c和第二壓電材料第二層810d。第二壓電材料第一層810b可夾在第一壓電材料第一層810a與第一壓電材料第二層810c之間。第一壓電材料第二層810c可夾在第二壓電材料第一層810b與第二壓電材料第二層810d之間。
      [0062]第一電極806a可稱合在第一壓電材料第一層810a、第二壓電材料第一層810b、第一壓電材料第二層810c和第二壓電材料第二層810d的頂部。第二電極806b可耦合在第一壓電材料第一層810a、第二壓電材料第一層810b、第一壓電材料第二層810c和第二壓電材料第二層81d的底部。
      [0063]第一壓電材料IlOa可具有第一體積(來自第一壓電材料第一層810a和第一壓電材料第二層810c兩者),并且第二壓電材料IlOb可具有第二體積(來自第二壓電材料第一層810c和第二壓電材料第二層SlOd兩者)。通過調(diào)整第一體積與第二體積之間的比率126,就可調(diào)整復(fù)合壓電材料808的復(fù)合品質(zhì)因數(shù)(Q) 118和復(fù)合機(jī)電耦合(kt2) 122。例如,如果第一壓電材料IlOa具有高機(jī)電耦合(kt2) 116a但具有低品質(zhì)因數(shù)(Q) 112a,并且期望較高的復(fù)合機(jī)電耦合(kt2) 122 (以復(fù)合品質(zhì)因數(shù)(Q) 118為代價),則可相對于第二體積來增加第一體積。
      [0064]圖9解說可被包括在電子設(shè)備/無線設(shè)備902內(nèi)的某些組件。電子設(shè)備/無線設(shè)備902可以是接入終端、移動站、無線通信設(shè)備、基站、B節(jié)點、手持式電子設(shè)備等。電子設(shè)備/無線設(shè)備902包括處理器903。處理器903可以是通用單芯片或多芯片微處理器(例如,ARM)、專用微處理器(例如,數(shù)字信號處理器(DSP))、微控制器、可編程門陣列等。處理器903可被稱為中央處理單元(CPU)。盡管在圖9的電子設(shè)備/無線設(shè)備902中僅示出了單個處理器903,但在替換配置中,可以使用處理器的組合(例如,ARM和DSP)。
      [0065]電子設(shè)備/無線設(shè)備902還包括存儲器905。存儲器905可以是能夠存儲電子信息的任何電子組件。存儲器905可被實施為隨機(jī)存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、磁盤存儲介質(zhì)、光學(xué)存儲介質(zhì)、RAM中的閃存設(shè)備、隨處理器包括的板載存儲器、EPROM存儲器、EEPROM存儲器、寄存器等等,包括其組合。
      [0066]數(shù)據(jù)909a和指令907a可被存儲在存儲器905中。指令907a可由處理器903執(zhí)行以實現(xiàn)本文中所公開的方法。執(zhí)行指令907a可涉及使用存儲在存儲器905中的數(shù)據(jù)909a。當(dāng)處理器903執(zhí)行指令907a時,指令907b的各個部分可被加載到處理器903上,并且數(shù)據(jù)90%的各個片段可被加載到處理器903上。
      [0067]電子設(shè)備/無線設(shè)備902還可包括發(fā)射機(jī)911和接收機(jī)913,以允許向和從電子設(shè)備/無線設(shè)備902傳送和接收信號。發(fā)射機(jī)911和接收機(jī)913可被合稱為收發(fā)機(jī)915。天線917可電耦合至收發(fā)機(jī)915。電子設(shè)備/無線設(shè)備902還可包括(未示出)多個發(fā)射機(jī)、多個接收機(jī)、多個收發(fā)機(jī)、和/或多個天線。
      [0068]電子設(shè)備/無線設(shè)備902可包括數(shù)字信號處理器(DSP)921。電子設(shè)備/無線設(shè)備902還可包括通信接口 923。通信接口 923可允許用戶與電子設(shè)備/無線設(shè)備902交互。
      [0069]電子設(shè)備/無線設(shè)備902的各個組件可通過一條或多條總線耦合在一起,總線可包括電源總線、控制信號總線、狀態(tài)信號總線、數(shù)據(jù)總線等。為清楚起見,各種總線在圖9中被圖解為總線系統(tǒng)919。
      [0070]本文中所描述的技術(shù)可以用于各種通信系統(tǒng),包括基于正交復(fù)用方案的通信系統(tǒng)。此類通信系統(tǒng)的示例包括正交頻分多址(OFDMA)系統(tǒng)、單載波頻分多址(SC-FDMA)系統(tǒng)、等等。OFDMA系統(tǒng)利用正交頻分復(fù)用(0FDM),這是一種將整個系統(tǒng)帶寬劃分成多個正交副載波的調(diào)制技術(shù)。這些副載波也可以被稱為頻調(diào)、頻槽等。在OFDM下,每個副載波可以用數(shù)據(jù)獨立調(diào)制。SC-FDMA系統(tǒng)可以利用交織式FDMA (IFDMA)在跨系統(tǒng)帶寬分布的副載波上傳送,利用局部式FDMA (LFDMA)在由毗鄰副載波構(gòu)成的塊上傳送,或者利用增強(qiáng)式FDMA(EFDMA)在多個由毗鄰副載波構(gòu)成的塊上傳送。一般而言,調(diào)制碼元在OFDM下是在頻域中發(fā)送的,而在SC-FDMA下是在時域中發(fā)送的。
      [0071]術(shù)語“確定”涵蓋各種各樣的動作,并且因此“確定”可包括演算、計算、處理、推導(dǎo)、調(diào)研、查找(例如,在表、數(shù)據(jù)庫或其他數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中查找)、探明、和類似動作。另外,“確定”還可包括接收(例如,接收信息)、訪問(例如,訪問存儲器中的數(shù)據(jù))、和類似動作。另外,“確定”可包括解析、選擇、選取、建立、和類似動作。
      [0072]除非明確另行指出,否則短語“基于”并非意味著“僅基于”。換言之,短語“基于”描述“僅基于”和“至少基于”兩者。
      [0073]術(shù)語“處理器”應(yīng)被寬泛地解讀為涵蓋通用處理器、中央處理單元(CPU)、微處理器、數(shù)字信號處理器(DSP)、控制器、微控制器、狀態(tài)機(jī),等等。在某些情景下,“處理器”可以是指專用集成電路(ASIC)、可編程邏輯器件(PLD)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA),等等。術(shù)語“處理器”可以是指處理設(shè)備的組合,例如DSP與微處理器的組合、多個微處理器、與DSP核心協(xié)作的一個或多個微處理器、或任何其他這類配置。
      [0074]術(shù)語“存儲器”應(yīng)被寬泛地解讀為涵蓋能夠存儲電子信息的任何電子組件。術(shù)語存儲器可以是指各種類型的處理器可讀介質(zhì),諸如隨機(jī)存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、非易失性隨機(jī)存取存儲器(NVRAM)、可編程只讀存儲器(PR0M)、可擦式可編程只讀存儲器(EPROM)、電可擦式PROM (EEPR0M)、閃存、磁或光學(xué)數(shù)據(jù)存儲、寄存器等等。如果處理器能從存儲器讀信息和/或向存儲器寫信息,則認(rèn)為該存儲器與該處理器正處于電子通信中。整合到處理器的存儲器與該處理器處于電子通信中。
      [0075]術(shù)語“指令”和“代碼”應(yīng)被寬泛地解讀為包括任何類型的(諸)計算機(jī)可讀語句。例如,術(shù)語“指令”和“代碼”可以是指一個或多個程序、例程、子例程、函數(shù)、規(guī)程等?!爸噶睢焙汀按a”可包括單條計算機(jī)可讀語句或許多條計算機(jī)可讀語句。
      [0076]本文中所描述的功能可以在正由硬件執(zhí)行的軟件或固件中實現(xiàn)。各功能可以作為一條或多條指令存儲在計算機(jī)可讀介質(zhì)上。術(shù)語“計算機(jī)可讀介質(zhì)”或“計算機(jī)程序產(chǎn)品”是指能被計算機(jī)或處理器訪問的任何有形存儲介質(zhì)。作為示例而非限定,計算機(jī)可讀介質(zhì)可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其他光盤儲存、磁盤儲存或其他磁儲存設(shè)備、或任何其他能夠用于攜帶或存儲指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)形式的期望程序代碼且能由計算機(jī)訪問的介質(zhì)。如本文中所使用的盤(disk)和碟(disc)包括壓縮碟(⑶)、激光碟、光碟、數(shù)字多用碟(DVD)、軟盤和藍(lán)光⑧碟,其中盤常常磁性地再現(xiàn)數(shù)據(jù),而碟用激光來光學(xué)地再現(xiàn)數(shù)據(jù)。應(yīng)當(dāng)注意,計算機(jī)可讀介質(zhì)可以是有形且非暫態(tài)的。術(shù)語“計算機(jī)程序產(chǎn)品”是指計算設(shè)備或處理器結(jié)合可由該計算設(shè)備或處理器執(zhí)行、處理或計算的代碼或指令(例如,“程序”)。如本文中所使用的,術(shù)語“代碼”可以是指可由計算設(shè)備或處理器執(zhí)行的軟件、指令、代碼或數(shù)據(jù)。
      [0077]本文所公開的方法包括用于達(dá)成所描述的方法的一個或多個步驟或動作。這些方法步驟和/或動作可以彼此互換而不會脫離權(quán)利要求的范圍。換言之,除非所描述的方法的正確操作要求步驟或動作的特定次序,否則便可改動具體步驟和/或動作的次序和/或使用而不會脫離權(quán)利要求的范圍。
      [0078]進(jìn)一步,還應(yīng)領(lǐng)會,用于執(zhí)行本文中所描述的(諸如圖4所解說那樣的)方法和技術(shù)的模塊和/或其他恰適裝置可以由設(shè)備下載和/或以其他方式獲得。例如,可以將設(shè)備耦合至服務(wù)器以便于轉(zhuǎn)送用于執(zhí)行本文中所描述的方法的裝置。替換地,本文中所描述的各種方法可經(jīng)由存儲裝置(例如,隨機(jī)存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、諸如壓縮碟(CD)或軟盤等物理存儲介質(zhì)等等)來提供,以使得一旦將該存儲裝置耦合至或提供給設(shè)備,該設(shè)備就可獲得各種方法。
      [0079]應(yīng)該理解的是,權(quán)利要求并不被限定于以上所解說的精確配置和組件??稍诒疚闹兴枋龅南到y(tǒng)、方法、和裝置的布局、操作及細(xì)節(jié)上作出各種改動、變化和變型而不會脫離權(quán)利要求的范圍。
      【權(quán)利要求】
      1.一種諧振器,包括: 多個電極;以及 復(fù)合壓電材料,所述復(fù)合壓電材料包括至少一層第一壓電材料和至少一層第二壓電材料,其中至少一個電極耦合至所述復(fù)合壓電材料的底部,并且其中至少一個電極耦合至所述復(fù)合壓電材料的頂部。
      2.如權(quán)利要求1所述的諧振器,其特征在于,所述諧振器是橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合諧振器。
      3.如權(quán)利要求1所述的諧振器,其特征在于,所述第一壓電材料包括第一品質(zhì)因數(shù)和第一機(jī)電耦合,并且其中所述第二壓電材料包括第二品質(zhì)因數(shù)和第二機(jī)電耦合。
      4.如權(quán)利要求3所述的諧振器,其特征在于,所述復(fù)合壓電材料包括復(fù)合品質(zhì)因數(shù)和復(fù)合機(jī)電耦合,并且其中所述復(fù)合品質(zhì)因數(shù)和所述復(fù)合機(jī)電耦合取決于所述復(fù)合壓電材料中所述第一壓電材料與所述第二壓電材料之間的體積比。
      5.如權(quán)利要求3所述的諧振器,其特征在于,所述復(fù)合壓電材料包括復(fù)合品質(zhì)因數(shù)和復(fù)合機(jī)電耦合,并且其中所述復(fù)合品質(zhì)因數(shù)和所述復(fù)合機(jī)電耦合取決于所述復(fù)合壓電材料中第一層所述第一壓電材料的第一厚度與第一層所述第二壓電材料的第二厚度之間的厚度比。
      6.如權(quán)利要求1所述的諧振器,其特征在于,所述復(fù)合壓電材料包括: 第一層所述第一壓電材料;以及 第一層所述第二壓電材料。
      7.如權(quán)利要求6所述的諧振器,其特征在于,所述第一層第一壓電材料堆疊在所述第一層第二壓電材料的頂部。
      8.如權(quán)利要求7所述的諧振器,其特征在于,所述復(fù)合壓電材料還包括第二層所述第一壓電材料,并且其中所述第一層第二壓電材料堆疊在所述第二層第一壓電材料的頂部。
      9.如權(quán)利要求8所述的諧振器,其特征在于,所述復(fù)合壓電材料還包括第二層所述第二壓電材料,并且其中所述第二層第一壓電材料堆疊在所述第二層第二壓電材料的頂部。
      10.如權(quán)利要求6所述的諧振器,其特征在于,所述第一層第一壓電材料與所述第一層第二壓電材料并排堆疊,其中第一電極耦合至所述第一層第一壓電材料和所述第一層第二壓電材料兩者的頂部,并且其中第二電極耦合至所述第一層第一壓電材料和所述第一層第二壓電材料兩者的底部。
      11.如權(quán)利要求10所述的諧振器,其特征在于,所述復(fù)合壓電材料還包括第二層所述第一壓電材料,并且其中所述第一層第二壓電材料夾在所述第一層第一壓電材料與所述第二層第一壓電材料之間。
      12.如權(quán)利要求11所述的諧振器,其特征在于,所述復(fù)合壓電材料還包括第二層所述第二壓電材料,并且其中所述第二層第一壓電材料夾在所述第一層第二壓電材料與所述第二層第二壓電材料之間。
      13.如權(quán)利要求1所述的諧振器,其特征在于,所述復(fù)合壓電材料將來自一個或多個輸入電極的輸入信號轉(zhuǎn)換成機(jī)械振動,并且其中所述機(jī)械振動被轉(zhuǎn)換成來自一個或多個輸出電極的輸出信號。
      14.如權(quán)利要求1所述的諧振器,其特征在于,所述第一壓電材料是氮化鋁,并且其中所述第二壓電材料是氧化鋅。
      15.如權(quán)利要求1所述的諧振器,其特征在于,所述第一壓電材料是氮化鋁,并且其中所述第二壓電材料是鋯鈦酸鉛。
      16.如權(quán)利要求1所述的諧振器,其特征在于,所述復(fù)合壓電材料具有足夠高以供在寬帶濾波器應(yīng)用中使用的復(fù)合品質(zhì)因數(shù)和復(fù)合機(jī)電耦合。
      17.一種用于生成諧振器的方法,包括: 確定所述諧振器的期望品質(zhì)因數(shù); 確定所述諧振器的期望機(jī)電耦合; 選擇供在所述諧振器中使用的第一壓電材料和第二壓電材料; 調(diào)整所述第一壓電材料和所述第二壓電材料之間的體積比以獲得具有所述期望品質(zhì)因數(shù)和所述期望機(jī)電耦合的復(fù)合壓電材料;以及 使用所述復(fù)合壓電材料生成所述諧振器。
      18.如權(quán)利要求17所述的方法,其特征在于,所述諧振器包括: 多個電極;以及 所述復(fù)合壓電材料,其中至少一個電極耦合至所述復(fù)合壓電材料的底部,并且其中至少一個電極耦合至所述復(fù)合壓電材料的頂部。
      19.如權(quán)利要求18所述的方法,其特征在于,所述諧振器是橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合諧振器。
      20.如權(quán)利要求18所述的方法,其特征在于,所述第一壓電材料包括第一品質(zhì)因數(shù)和第一機(jī)電耦合,并且其中所述第二壓電材料包括第二品質(zhì)因數(shù)和第二機(jī)電耦合。
      21.如權(quán)利要求20所述的方法,其特征在于,所述復(fù)合壓電材料包括復(fù)合品質(zhì)因數(shù)和復(fù)合機(jī)電耦合,并且其中所述復(fù)合品質(zhì)因數(shù)和所述復(fù)合機(jī)電耦合取決于所述復(fù)合壓電材料中所述第一壓電材料與所述第二壓電材料之間的體積比。
      22.如權(quán)利要求18所述的方法,其特征在于,所述復(fù)合壓電材料包括: 第一層所述第一壓電材料;以及 第一層所述第二壓電材料。
      23.如權(quán)利要求22所述的方法,其特征在于,所述第一層第一壓電材料堆疊在所述第一層第二壓電材料的頂部。
      24.如權(quán)利要求23所述的方法,其特征在于,所述復(fù)合壓電材料還包括第二層所述第一壓電材料,并且其中所述第一層第二壓電材料堆疊在所述第二層第一壓電材料的頂部。
      25.如權(quán)利要求24所述的方法,其特征在于,所述復(fù)合壓電材料還包括第二層所述第二壓電材料,并且其中所述第二層第一壓電材料堆疊在所述第二層第二壓電材料的頂部。
      26.如權(quán)利要求23所述的方法,其特征在于,所述第一層第一壓電材料與所述第一層第二壓電材料并排堆疊,其中第一電極耦合至所述第一層第一壓電材料和所述第一層第二壓電材料兩者的頂部,并且其中第二電極耦合至所述第一層第一壓電材料和所述第一層第二壓電材料兩者的底部。
      27.如權(quán)利要求26所述的方法,其特征在于,所述復(fù)合壓電材料還包括第二層所述第一壓電材料,并且其中所述第一層第二壓電材料夾在所述第一層第一壓電材料與所述第二層第一壓電材料之間。
      28.如權(quán)利要求27所述的方法,其特征在于,所述復(fù)合壓電材料還包括第二層所述第二壓電材料,并且其中所述第二層第一壓電材料夾在所述第一層第二壓電材料與所述第二層第二壓電材料之間。
      29.如權(quán)利要求18所述的方法,其特征在于,所述復(fù)合壓電材料將來自一個或多個輸入電極的輸入信號轉(zhuǎn)換成機(jī)械振動,并且其中所述機(jī)械振動被轉(zhuǎn)換成來自一個或多個輸出電極的輸出信號。
      30.如權(quán)利要求18所述的方法,其特征在于,所述第一壓電材料是氮化鋁,并且其中所述第二壓電材料是氧化鋅。
      31.如權(quán)利要求18所述的方法,其特征在于,所述第一壓電材料是氮化鋁,并且其中所述第二壓電材料是鋯鈦酸鉛。
      32.如權(quán)利要求18所述的方法,其特征在于,所述復(fù)合壓電材料具有足夠高以供在寬帶濾波器應(yīng)用中使用的復(fù)合品質(zhì)因數(shù)和復(fù)合機(jī)電耦合。
      33.一種配置用于生成諧振器的設(shè)備,包括: 用于確定所述諧振器的期望品質(zhì)因數(shù)的裝置; 用于確定所述諧振器的期望機(jī)電耦合的裝置; 用于選擇供在所述諧振器中使用的第一壓電材料和第二壓電材料的裝置; 用于調(diào)整所述第一壓電材料和所述第二壓電材料之間的體積比以獲得具有所述期望品質(zhì)因數(shù)和所述期望機(jī)電耦合的復(fù)合壓電材料的裝置;以及用于使用所述復(fù)合壓電材料生成所述諧振器的裝置。
      34.如權(quán)利要求33所述的設(shè)備,其特征在于,所述諧振器包括: 多個電極;以及 所述復(fù)合壓電材料,其中至少一個電極耦合至所述復(fù)合壓電材料的底部,并且其中至少一個電極耦合至所述復(fù)合壓電材料的頂部。
      35.如權(quán)利要求34所述的設(shè)備,其特征在于,所述諧振器是橫向振動微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合諧振器。
      36.一種用于生成諧振器的計算機(jī)程序產(chǎn)品,所述計算機(jī)程序產(chǎn)品包括其上具有指令的非瞬態(tài)計算機(jī)可讀介質(zhì),所述指令包括: 用于使得設(shè)備確定所述諧振器的期望品質(zhì)因數(shù)的代碼; 用于使得所述設(shè)備確定所述諧振器的期望機(jī)電耦合的代碼; 用于使得所述設(shè)備選擇供在所述諧振器中使用的第一壓電材料和第二壓電材料的代碼; 用于使得所述設(shè)備調(diào)整所述第一壓電材料和所述第二壓電材料之間的體積比以獲得具有所述期望品質(zhì)因數(shù)和所述期望機(jī)電耦合的復(fù)合壓電材料的代碼;以及用于使得所述設(shè)備使用所述復(fù)合壓電材料生成所述諧振器的代碼。
      37.如權(quán)利要求36所述的計算機(jī)程序產(chǎn)品,其特征在于,所述諧振器包括: 多個電極;以及 所述復(fù)合壓電材料,其中至少一個電極耦合至所述復(fù)合壓電材料的底部,并且其中至少一個電極耦合至所述復(fù)合壓電材料的頂部。
      38.如權(quán)利要求37所述的計算機(jī)程序產(chǎn)品,其特征在于,所述諧振器是橫向振動微機(jī)電系 統(tǒng)復(fù)合諧振器。
      【文檔編號】H03H9/02GK104040886SQ201280040247
      【公開日】2014年9月10日 申請日期:2012年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月19日
      【發(fā)明者】C·左, C·尹, J·金 申請人:高通股份有限公司
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