專利名稱：電流或電壓型傳感器信號采集保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電流或電壓型傳感器信號采集保護(hù)電路，屬于汽車控制電路領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前汽車用氣壓傳感器多采用電流型或電壓型傳感器，電流型傳感器輸出的電流范圍為4-20mA，電壓型傳感器輸出的電壓范圍為0-5V，如果針對電流或電壓傳感器的信號采集，該功能很容易實現(xiàn)，傳統(tǒng)的采樣電路如圖1所示，R3是200歐姆、精度為1%、功率為IW的貼片電阻，因現(xiàn)在生產(chǎn)都采用貼片封裝元器件，由貼片機(jī)進(jìn)行貼片生產(chǎn)，早期應(yīng)用的插件式的大功率的金屬膜電阻已經(jīng)不再采用，這個電路正常情況下可以實現(xiàn)對傳感器的信號采集功能，但是在傳感器對電源短路或是在汽車生產(chǎn)過程中因線束問題誤將汽車上24V電源電壓直接接到該端口時，R3由于功率不夠會被燒損，導(dǎo)致整個產(chǎn)品出現(xiàn)質(zhì)量事故，產(chǎn)品的可靠性差
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是為了解決沒有保護(hù)電路的電流或電壓傳感器信號采集的可靠性差的問題，提供了一種電流或電壓型傳感器信號采集保護(hù)電路。本發(fā)明所述電流或電壓型傳感器信號采集保護(hù)電路，它包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、三極管KTl和NMOS管KT2，三極管KTl的基極同時連接電阻R5的一端和電阻Rl的一端；三極管KTl的集電極同時連接電阻R2的一端和NMOS管KT2的柵極；電阻R2的另一端連接12V電源；三極管KTl的發(fā)射極同時連接電阻Rl的另一端和NMOS管KT2的源極，并接地；NMOS管KT2的漏極連接電阻R3的一端，電阻R3的另一端、電阻R5的另一端和電阻R4的一端同時連接電壓或電流傳感器的輸出端；電阻R4的另一端連接單片機(jī)的AD端口。本發(fā)明的優(yōu)點:本發(fā)明所述電流或電壓型傳感器信號采集保護(hù)電路結(jié)構(gòu)簡單，有效的對電流或電壓型傳感器信號采集電路進(jìn)行保護(hù)，保證產(chǎn)品的可靠性。


圖1是背景技術(shù)中對電流或電壓型傳感器的采集電路的電路圖；圖2是本發(fā)明所述電流或電壓型傳感器信號采集保護(hù)電路的電路圖。
具體實施例方式具體實施方式
一:下面結(jié)合圖2說明本實施方式，本實施方式所述電流或電壓型傳感器信號采集保護(hù)電路，它包括電阻Rl、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、三極管KTl和NMOS 管 KT2，
三極管KTl的基極同時連接電阻R5的一端和電阻Rl的一端；三極管KTl的集電極同時連接電阻R2的一端和NMOS管KT2的柵極；電阻R2的另一端連接12V電源；三極管KTl的發(fā)射極同時連接電阻Rl的另一端和NMOS管KT2的源極，并接地；NMOS管KT2的漏極連接電阻R3的一端，電阻R3的另一端、電阻R5的另一端和電阻R4的一端同時連接電壓或電流傳感器的輸出端；電阻R4的另一端連接單片機(jī)的AD端口。NMOS管KT2采用自帶體二極管的MOSFET晶體管。下面給出一個具體實施例來說明其保護(hù)工作原理。設(shè)定Rl=IOKΩ、R2=100KQ、R3=200 Ω、R4=30K Ω , R5=100KQ,電流或電壓傳感器正常工作狀態(tài)下，B點電壓小于三極管KTl的導(dǎo)通電壓，KTl截止，C點電壓被上拉到12V，大于NMOS管KT2的開啟電壓2.5V，使NMOS管KT2導(dǎo)通，因NMOS管KT2選用的N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻僅為0.2歐姆，這個阻值可以忽略不計，又因Rl，R5的阻值遠(yuǎn)大于R3，Rl所在支路分流的電流值也可忽略不計，此時，圖2的電路等效圖1的電路，實現(xiàn)對電流或電壓型傳感器的信號采集功能，當(dāng)輸入端口電壓或電流出現(xiàn)異常，如電壓大于7.7V或電流大于40mA時，Rl和R5進(jìn)行分壓，使得B點電壓大于0.7V，三極管KTl導(dǎo)通，C點電壓接近于0，NMOS管KT2截止，實現(xiàn)對電阻R3的保護(hù)，此時，電阻R4作為限 流電阻，保護(hù)單片機(jī)的端口。
權(quán)利要求
1.電流或電壓型傳感器信號采集保護(hù)電路，其特征在于，它包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、三極管KTl和NMOS管KT2， 三極管KTl的基極同時連接電阻R5的一端和電阻Rl的一端； 三極管KTl的集電極同時連接電阻R2的一端和NMOS管KT2的柵極；電阻R2的另一端連接12V電源； 三極管KTl的發(fā)射極同時連接電阻Rl的另一端和NMOS管KT2的源極，并接地； NMOS管KT2的漏極連接電阻R3的一端，電阻R3的另一端、電阻R5的另一端和電阻R4的一端同時連接電壓或電流傳感器的輸出端； 電阻R4的另一端連接單片機(jī)的AD端口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述電流或電壓型傳感器信號采集保護(hù)電路，其特征在于，NMOS管KT2采用自帶體二極管的MOSFET晶體管。
全文摘要
電流或電壓型傳感器信號采集保護(hù)電路，屬于汽車控制電路領(lǐng)域，本發(fā)明為解決沒有保護(hù)電路的電流或電壓傳感器信號采集的可靠性差的問題。本發(fā)明包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、三極管KT1和NMOS管KT2，三極管KT1的基極同時連接R5的一端和R1的一端；三極管KT1的集電極同時連接R2的一端和NMOS管KT2的柵極；R2的另一端連接12V電源；三極管KT1的發(fā)射極同時連接R1的另一端和NMOS管KT2的源極，并接地；NMOS管KT2的漏極連接R3的一端，R3的另一端、R5的另一端和R4的一端同時連接電壓或電流傳感器的輸出端；R4的另一端連接單片機(jī)的AD端口。
文檔編號H03K19/003GK103219987SQ201310158708
公開日2013年7月24日 申請日期2013年5月2日 優(yōu)先權(quán)日2013年5月2日
發(fā)明者王大偉, 魏麗娜, 臧軍望, 胡楊, 張志遠(yuǎn), 鄧春云, 王博玉 申請人:航天科技控股集團(tuán)股份有限公司