電壓控制振蕩器、信號發(fā)生裝置以及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電壓控制振蕩器、信號發(fā)生裝置以及電子設(shè)備。在能夠利用電容器陣列而對振蕩頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)的電壓控制振蕩器中，在切斷PLL電路的控制環(huán)之后對振蕩信號實(shí)施頻率調(diào)制的情況下，降低了輸送頻率的漂移。該電壓控制振蕩器包括：振蕩電路，其以與被連接于第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電感以及電容相對應(yīng)的頻率而進(jìn)行振蕩動作；第一組以及第二組電容器，具有分別被連接于第一以及第二節(jié)點(diǎn)的第一端子；第一組以及第二組晶體管，分別被連接于第一組以及第二組電容器的第二端子與基準(zhǔn)電位之間；第一組以及第二組電阻，分別與第一組以及第二組晶體管并聯(lián)連接。
【專利說明】電壓控制振蕩器、信號發(fā)生裝置以及電子設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種能夠利用電容器陣列來對振蕩頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)的電壓控制振蕩器 (VCO :voltage-controlled oscillator)，以及具備利用這種電壓控制振蕩器而構(gòu)成的 PLL(Phase Locked Loop，鎖相環(huán)）電路的信號發(fā)生裝置。而且，本發(fā)明還涉及一種具備這 種電壓控制振蕩器或者信號發(fā)生裝置的電子設(shè)備等。

【背景技術(shù)】
[0002] 在進(jìn)行無線通信的電子設(shè)備中，使用有信號發(fā)生裝置，所述信號發(fā)生裝置具備利 用電壓控制振蕩器而被構(gòu)成的PLL電路。電壓控制振蕩器的振蕩頻率通過PLL電路而被控 制為，與所使用的無線通信頻道的輸送頻率或者對應(yīng)于該無線通信頻道的輸送頻率的局部 振蕩頻率相一致。另外，能夠通過使電壓控制振蕩器的控制電壓發(fā)生變化，從而對由電壓控 制振蕩器所生成的振蕩信號實(shí)施頻率調(diào)制。
[0003] 但是，由于電壓控制振蕩器的振蕩頻率會因工藝變動或溫度變動而產(chǎn)生偏差，因 此，有時(shí)需要對振蕩頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)（校準(zhǔn)）。為了對振蕩頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)，例如，實(shí)施如下的動 作，即，利用開關(guān)用的多個(gè)晶體管而將電容器陣列中所包含的多個(gè)電容器選擇性地與電壓 控制振湯器相連接。
[0004] 作為相關(guān)的技術(shù)，在專利文獻(xiàn)1中公開了一種如下的電壓控制振蕩器，所述電壓 控制振蕩器具備：被連接于兩個(gè)節(jié)點(diǎn)之間的電感器部以及變?nèi)荻O管部；通過在上述節(jié)點(diǎn) 之間于雙方向上被并聯(lián)連接的兩個(gè)逆變器而構(gòu)成的負(fù)Gm部；被連接于各個(gè)節(jié)點(diǎn)上的補(bǔ)償 電容器陣列以及偏壓電路。該偏壓電路通過向?qū)㈦娙萜鲾嚅_的晶體管的漏極施加偏置電 壓，從而不使寄生二極管導(dǎo)通，由此能夠抑制相位噪聲的增加。在此，偏置電壓被設(shè)定為，高 于負(fù)Gm部的放大電壓。
[0005] 另外，在專利文獻(xiàn)2中，公開了一種半導(dǎo)體集成電路，其目的在于，減少芯片占有 面積，并減少數(shù)字控制振蕩器（DC0 digitally controlled oscillator)的控制增益的偏 差。該數(shù)字控制振蕩器包括振蕩晶體管和諧振電路，諧振電路包括電感、頻率粗調(diào)用可變電 容陣列和頻率微調(diào)用可變電容陣列，頻率粗調(diào)用可變電容陣列包括根據(jù)預(yù)定位數(shù)的粗調(diào)數(shù) 字控制信號而被控制的多個(gè)粗調(diào)電容單元，頻率微調(diào)用可變電容陣列包括根據(jù)預(yù)定位數(shù)的 微調(diào)數(shù)字控制信號而被控制的多個(gè)微調(diào)電容單元，粗調(diào)電容單元以及微調(diào)電容單元的電容 值根據(jù)各自的二進(jìn)制權(quán)重而被設(shè)定。
[0006] 可是，在將電容器陣列所包含的電容器選擇性地與電壓控制振蕩器相連接的晶體 管處于截止?fàn)顟B(tài)的情況下，如果漏極與半導(dǎo)體基板或阱之間的電壓發(fā)生變化，則由于漏極 與基準(zhǔn)電位（交流的接地電位）之間的寄生電容將發(fā)生變化，因此，附加于電壓控制振蕩器 上的電容也會發(fā)生變化。
[0007] 即使附加于電壓控制振蕩器上的電容發(fā)生變化，只要PLL電路進(jìn)行工作，控制電 壓便會發(fā)生變化以吸收電容變化，從而電壓控制振蕩器的振蕩頻率不會發(fā)生變化。但是，在 切斷PLL電路的控制環(huán)之后，對由電壓控制振蕩器所生成的振蕩信號實(shí)施頻率調(diào)制的情況 下，將會產(chǎn)生輸送頻率的漂移。
[0008] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2006-60395號公報(bào)（說明書摘要、0024段）
[0009] 專利文獻(xiàn)2 :日本特開2010-56856號公報(bào)（說明書摘要、權(quán)利要求1)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 根據(jù)本發(fā)明的幾個(gè)觀點(diǎn)，在能夠利用電容器陣列來對振蕩頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)的電壓控 制振湯器中，在切斷PLL電路的控制環(huán)之后對振湯彳目號實(shí)施頻率調(diào)制的情況下，能夠減少 輸送頻率的漂移。
[0011] 為了解決以上的課題，本發(fā)明的第一觀點(diǎn)所涉及的電壓控制振蕩器具備：振蕩電 路，其以與被連接于第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電感以及電容相對應(yīng)的頻率而進(jìn)行振蕩動 作；至少一個(gè)電感器，其被連接于第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)之間；至少一對可變電容二極管，其 被連接于第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)之間，并根據(jù)控制電壓而對振蕩電路的振蕩頻率進(jìn)行控制； 第一組電容器，具有被連接于第一節(jié)點(diǎn)的第一端子；第一組晶體管，分別被連接于第一組電 容器的第二端子與基準(zhǔn)電位之間，并根據(jù)各自的控制信號而導(dǎo)通或者截止；第一組電阻，分 別與第一組晶體管并聯(lián)連接；第二組電容器，具有被連接于第二節(jié)點(diǎn)的第一端子；第二組 晶體管，分別被連接于第二組電容器的第二端子與基準(zhǔn)電位之間，并根據(jù)各自的控制信號 而導(dǎo)通或者截止；第二組電阻，分別與第二組晶體管并聯(lián)連接。
[0012] 在此，也可以采用如下方式，即，第一組晶體管的通態(tài)電阻值之比與所對應(yīng)的第一 組電容器的電容值的倒數(shù)之比大致相等，第二組晶體管的通態(tài)電阻值之比與所對應(yīng)的第二 組電容器的電容值的倒數(shù)之比大致相等。
[0013] 另外，本發(fā)明的第二觀點(diǎn)所涉及的電壓控制振蕩器具備：振蕩電路，其以與被連接 于第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電感以及電容相對應(yīng)的頻率而進(jìn)行振蕩動作；至少一個(gè)電感 器，其被連接于第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)之間；至少一對可變電容二極管，被連接于第一節(jié)點(diǎn)與 第二節(jié)點(diǎn)之間，并根據(jù)控制電壓而對振蕩電路的振蕩頻率進(jìn)行控制；第一組電容器，具有被 連接于第一節(jié)點(diǎn)的第一端子；第二組電容器，具有被連接于第二節(jié)點(diǎn)的第一端子；多個(gè)晶 體管，分別被連接于第一組電容器的第二端子與第二組電容器的第二端子之間，并根據(jù)各 自的控制信號而導(dǎo)通或者截止；第一組電阻，分別被連接于第一組電容器的第二端子與基 準(zhǔn)電位之間；第二組電阻，分別被連接于第二組電容器的第二端子與基準(zhǔn)電位之間。
[0014] 在此，也可以采用如下方式，即，晶體管的通態(tài)電阻值之比、所對應(yīng)的第一組電容 器的電容值的倒數(shù)之比與所對應(yīng)的第二組電容器的電容值的倒數(shù)之比大致相等。
[0015] 本發(fā)明的第一觀點(diǎn)所涉及的信號發(fā)生裝置具備：本發(fā)明的第一觀點(diǎn)所涉及的電壓 控制振蕩器；分頻電路，其對由電壓控制振蕩器所生成的振蕩信號進(jìn)行分頻，并輸出分頻信 號；誤差信號生成電路，其通過對從分頻電路所輸出的分頻信號的至少相位與基準(zhǔn)信號的 至少相位進(jìn)行比較，從而生成與它們的差相對應(yīng)的誤差信號；第一濾波器電路，其通過對由 誤差信號生成電路所生成的誤差信號實(shí)施低通濾波器處理，從而生成用于對電壓控制振蕩 器的振蕩頻率進(jìn)行控制的控制電壓；第一開關(guān)電路，其對向第一濾波器電路的誤差信號的 供給進(jìn)行接通或者斷開；第二濾波器電路，其通過對調(diào)制信號實(shí)施低通濾波器處理，從而生 成用于對電壓控制振蕩器的振蕩頻率進(jìn)行控制的控制電壓；第二開關(guān)電路，其對向第二濾 波器電路的調(diào)制信號的供給進(jìn)行接通或者斷開；控制電路，其在從電源電壓被供給至電壓 控制振蕩器起，經(jīng)過了通過第一組以及第二組電容器的電容值和所對應(yīng)的第一組以及第二 組電阻的電阻值而分別確定的時(shí)間常數(shù)的最大值以上的期間之后，使第一開關(guān)電路斷開， 并使第二開關(guān)電路導(dǎo)通。
[0016] 或者，也可以采用如下方式，即，控制電路在從電源電壓被供給至電壓控制振蕩器 起，使第一組以及第二組晶體管暫時(shí)導(dǎo)通而使第一組以及第二組電容器的第二端子的電荷 進(jìn)行放電，并在使第一組以及第二組晶體管內(nèi)的預(yù)定的晶體管斷開而使電壓控制振蕩器的 振蕩頻率被鎖定之后，使第一開關(guān)電路斷開，并使第二開關(guān)電路導(dǎo)通。此時(shí)，可以省略第一 組以及第二組電阻。
[0017] 另外，本發(fā)明的第二觀點(diǎn)所涉及的信號發(fā)生裝置具備：本發(fā)明的第二觀點(diǎn)所涉及 的電壓控制振蕩器；分頻電路，其對由電壓控制振蕩器所生成的振蕩信號進(jìn)行分頻，并輸出 分頻信號；誤差信號生成電路，其通過對從分頻電路所輸出的分頻信號的至少相位與基準(zhǔn) 信號的至少相位進(jìn)行比較，從而生成與它們的差相對應(yīng)的誤差信號；第一濾波器電路，其通 過對由誤差信號生成電路所生成的誤差信號實(shí)施低通濾波器處理，從而生成用于對電壓控 制振蕩器的振蕩頻率進(jìn)行控制的控制電壓；第一開關(guān)電路，其對向第一濾波器電路的誤差 信號的供給進(jìn)行接通或者斷開；第二濾波器電路，其通過對調(diào)制信號實(shí)施低通濾波器處理， 從而生成用于對電壓控制振蕩器的振蕩頻率進(jìn)行控制的控制電壓；第二開關(guān)電路，其對向 第二濾波器電路的調(diào)制信號的供給進(jìn)行接通或者斷開；控制電路，其在從電源電壓被供給 至電壓控制振蕩器起，經(jīng)過了通過第一組以及第二組電容器的電容值和所對應(yīng)的第一組以 及第二組電阻的電阻值而分別確定的時(shí)間常數(shù)的最大值以上的期間之后，使第一開關(guān)電路 斷開，并使第二開關(guān)電路導(dǎo)通。
[0018] 而且，本發(fā)明的一個(gè)觀點(diǎn)所涉及的電子設(shè)備具備上述任一種電壓控制振蕩器或者 上述任一種信號發(fā)生裝置。
[0019] 發(fā)明效果
[0020] 根據(jù)本發(fā)明的第一觀點(diǎn)，通過設(shè)置分別與第一組晶體管并聯(lián)連接的第一組電阻和 分別與第二組晶體管并聯(lián)連接的第二組電阻，或者通過在電源電壓被供給至電壓控制振蕩 器之后使第一組以及第二組晶體管暫時(shí)導(dǎo)通，從而在切斷PLL電路的控制環(huán)之后對振蕩信 號實(shí)施頻率調(diào)制時(shí)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠減少輸送頻率的漂移。
[0021] 另外，根據(jù)本發(fā)明的第二觀點(diǎn)，通過設(shè)置分別被連接于第一組電容器的第二端子 與基準(zhǔn)電位之間的第一組電阻和分別被連接于第二組電容器的第二端子與基準(zhǔn)電位之間 的第二組電阻，從而多個(gè)晶體管能夠可靠地實(shí)施導(dǎo)通或者截止的動作，并且，在切斷PLL電 路的控制環(huán)之后對振蕩信號實(shí)施頻率調(diào)制時(shí)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠減少輸送頻率的漂移。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022] 圖1為使用了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的信號發(fā)生裝置的電子設(shè)備的框圖。
[0023] 圖2為表示圖1所示的VC0的第一結(jié)構(gòu)示例的電路圖。
[0024] 圖3為表示圖2所示的電容器C13的兩端電位的隨時(shí)間的變化的圖。
[0025] 圖4為表示圖1所示的VC0的第二結(jié)構(gòu)示例的電路圖。

【具體實(shí)施方式】
[0026] 以下，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0027] 圖1為，表示使用了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的信號發(fā)生裝置的電子設(shè)備的 結(jié)構(gòu)示例的框圖。本發(fā)明能夠應(yīng)用于實(shí)施無線通信的無線鼠標(biāo)、無線鍵盤、個(gè)人計(jì)算機(jī)等電 子設(shè)備中。
[0028] 圖1所示的電子設(shè)備包括：振蕩電路10、PLL電路20、鎖定檢測電路30、控制電路 40、存儲部50、接收系統(tǒng)的電路60?68、發(fā)送系統(tǒng)的電路70?73。這些電路也可以被內(nèi)置 于半導(dǎo)體集成電路裝置中。在此，PLL電路20?控制電路40以及發(fā)送系統(tǒng)的電路70?73 構(gòu)成信號發(fā)生裝置，所述信號發(fā)送裝置根據(jù)基準(zhǔn)信號而產(chǎn)生具有所需的頻率的發(fā)送信號。
[0029] 振蕩電路10通過利用水晶振子等來實(shí)施振蕩動作，從而生成具有預(yù)定的頻率的 基準(zhǔn)信號。在利用水晶振子的情況下，水晶振子既可以被設(shè)置在半導(dǎo)體集成電路裝置的外 部，也可以被內(nèi)置于半導(dǎo)體集成電路裝置中?；蛘?，也可以省略振蕩電路10,而從半導(dǎo)體集 成電路裝置的外部供給基準(zhǔn)信號。
[0030] PLL電路20包括相位比較電路21、電荷泵（CP) 22、開關(guān)電路23、環(huán)路濾波器 (LF) 24、電壓控制振蕩器（VC0) 25和分頻電路26。
[0031] 相位比較電路21以及電荷泵22構(gòu)成誤差信號生成電路，所述誤差信號生成電路 通過對從分頻電路26被輸出的分頻信號的至少相位與從振蕩電路10被輸出的基準(zhǔn)信號的 至少相位進(jìn)行比較，從而生成與它們的差相對應(yīng)的誤差信號。
[0032] 相位比較電路21也可以通過對分頻信號的相位和基準(zhǔn)信號的相位進(jìn)行比較，從 而輸出與兩信號的相位之差相對應(yīng)的誤差信號。而且，相位比較電路21還可以通過對分頻 信號的頻率和基準(zhǔn)信號的頻率進(jìn)行比較，從而輸出與兩信號的相位以及頻率之差相對應(yīng)的 誤差信號。電荷泵22通過根據(jù)從相位比較電路21被輸出的誤差信號來實(shí)施電荷泵動作， 從而將誤差信號轉(zhuǎn)換為電流并輸出。
[0033] 開關(guān)電路 23 例如由一個(gè)或者多個(gè) MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor :金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）構(gòu)成，并根據(jù)從控制電路40 被輸出的控制信號，而使向環(huán)路濾波器24的誤差信號的供給接通或者斷開。并且，開關(guān)電 路23可以被設(shè)置于相位比較電路21和電荷泵22之間。
[0034] 環(huán)路濾波器24具有低通特性，并將從電荷泵22被輸出的電流轉(zhuǎn)換為電壓。即，環(huán) 路濾波器24通過對由誤差信號生成電路所生成的誤差信號實(shí)施低通濾波器處理，從而生 成用于對VC025的振蕩頻率進(jìn)行控制的控制電壓VC。
[0035] VC025在被施加了由環(huán)路濾波器24所生成的控制電壓VC時(shí)，以遵從控制電壓VC 的振蕩頻率來實(shí)施振蕩動作，從而生成振蕩信號。分頻電路26通過由控制電路40所設(shè)定 的分頻比來對由VC025所生成的振蕩信號進(jìn)行分頻，從而生成分頻信號。
[0036] 通過采用上述方式，PLL電路20通過對被分頻電路26實(shí)施了分頻的振蕩信號與基 準(zhǔn)信號進(jìn)行比較而生成控制電壓VC，并利用控制電壓VC來對VC025的振蕩頻率進(jìn)行控制， 從而生成具有將基準(zhǔn)信號的頻率倍增后的振蕩頻率的振蕩信號。
[0037] 接收系統(tǒng)的電路包括低噪聲放大器（LNA)60、混頻器61?63、分頻電路64、移相電 路65、兩個(gè)帶通濾波器（BPF) 66、兩個(gè)限幅器（UM) 67和解調(diào)電路68。
[0038] 低噪聲放大器60通過用低噪聲對接收到從外部發(fā)送來的電波（無線信號）的天 線（ANT)的輸出電壓進(jìn)行放大，從而輸出接收信號?；祛l器61通過將由低噪聲放大器60 輸出的接收信號與由PLL電路20輸出的振蕩信號（局部振蕩信號）相乘，而對接收信號進(jìn) 行降頻轉(zhuǎn)換，從而輸出中頻信號。
[0039] 分頻電路64對從PLL電路20所輸出的局部振蕩信號進(jìn)行分頻。而且，移相電路 65使分頻電路64的輸出信號的相位旋轉(zhuǎn)大致90度?；祛l器62將從混頻器61被輸出的中 頻信號與移相電路65的輸出信號相乘，而對中頻信號進(jìn)行降頻轉(zhuǎn)換，從而輸出I信號。另 一方面，混頻器63將從混頻器61被輸出的中頻信號與分頻電路64的輸出信號相乘，而對 中頻信號進(jìn)行降頻轉(zhuǎn)換，從而輸出Q信號。
[0040] I信號以及Q信號通過經(jīng)過各自的帶通濾波器66以及限幅器67,從而被實(shí)施頻帶 限制以及波形整形，并被供給至解調(diào)電路68。在以下，對作為圖1所示的電子設(shè)備與外部之 間的無線通信中的調(diào)制方式，利用了 GFSK(Gaussian filtered frequency shift keying: 高斯濾波移頻鍵控）的情況進(jìn)行說明。解調(diào)電路68通過對被供給的I信號以及Q信號實(shí) 施遵照GFSK的調(diào)制處理，從而對I信號以及Q信號進(jìn)行解調(diào)，并獲得接收數(shù)據(jù)。
[0041] 通過解調(diào)電路68而獲得的接收數(shù)據(jù)被輸出至控制電路40?？刂齐娐?0根據(jù)從解 調(diào)電路68所輸出的接收數(shù)據(jù)或操作者的操作等，而對圖1所示的電子設(shè)備的各個(gè)部分進(jìn)行 控制。另外，控制電路40向發(fā)送系統(tǒng)的電路輸出發(fā)送數(shù)據(jù)。存儲部50例如由寄存器等構(gòu) 成，并在控制電路40的控制下，存儲與VC025的校準(zhǔn)相關(guān)的信息等。
[0042] 發(fā)送系統(tǒng)的電路包括功率放大器（PA) 70、數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換電路（DAC) 71、開關(guān)電路 72和高斯濾波器73。
[0043] DAC71通過對從控制電路40被輸出的發(fā)送數(shù)據(jù)實(shí)施數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換處理，從而生 成調(diào)制信號。開關(guān)電路72例如由一個(gè)或者多個(gè)M0SFET構(gòu)成，并根據(jù)從控制電路40輸出的 控制信號，而使向高斯濾波器73的調(diào)制信號的供給接通或者斷開。高斯濾波器73為具有 高斯特性的低通濾波器，通過對調(diào)制信號進(jìn)行頻帶限制，從而生成用于對載波進(jìn)行調(diào)制的 控制電壓（調(diào)制電壓）VM。
[0044] VC025在被施加了通過高斯濾波器73而生成的調(diào)制電壓VM時(shí)，以遵照調(diào)制電壓 VM的振蕩頻率來實(shí)施振蕩動作，從而對振蕩信號（載波）進(jìn)行調(diào)制。功率放大器70通過對 被VC025實(shí)施了調(diào)制的載波進(jìn)行功率放大，從而生成發(fā)送信號并供給至天線（ANT)。由此， 電波（無線信號）從天線向外部被發(fā)送。
[0045] 接下來，對圖1所示的電子設(shè)備的動作示例進(jìn)行說明。
[0046] 當(dāng)電子設(shè)備在接收模式下接收無線信號時(shí)，或者在發(fā)送模式下發(fā)送無線信號時(shí)， 控制電路40將開關(guān)電路23置于導(dǎo)通，并對分頻電路26設(shè)定預(yù)定的分頻比，從而起動PLL 電路20。由此，PLL電路20生成振蕩信號。
[0047] 在接收模式中，由于通過將分頻電路26中的分頻比設(shè)定為Μκ : 1，從而分頻電路 26將振蕩信號的頻率分頻為1/MK，因此，能夠獲得將基準(zhǔn)信號的頻率倍增為Μκ倍的振蕩信 號（局部振蕩信號）。另一方面，在發(fā)送模式中，由于通過將分頻電路26中的分頻比設(shè)定為 Μτ : 1，從而分頻電路26將局部振蕩信號的頻率分頻為1/MT，因此，能夠獲得將基準(zhǔn)信號的 頻率倍增為Μ τ倍的振蕩信號（載波）。
[0048] 而且，在發(fā)送模式中，控制電路40通過在VC025的振蕩頻率被鎖定之后，使開關(guān)電 路23斷開，并使開關(guān)電路72導(dǎo)通，從而使載波被進(jìn)行調(diào)制。如此，由于在發(fā)送模式中，通過 在將PLL電路20設(shè)為開環(huán)之后實(shí)施發(fā)送，從而能夠省去為了實(shí)施閉環(huán)動作所需要的電路的 電源電壓，因此，減少了消耗電力。
[0049] 圖2為，表示圖1所示的VC025的第一結(jié)構(gòu)示例的電路。圖2所示的VC025包括 電流源CS、P溝道M0S場效應(yīng)晶體管QP10以及QP20、N溝道M0S場效應(yīng)晶體管QN10以及 QN20。它們構(gòu)成了以與被連接在節(jié)點(diǎn)N1與節(jié)點(diǎn)N2之間的電感以及電容相對應(yīng)的頻率來實(shí) 施振蕩動作的振蕩電路。
[0050] 另外，VC025包括被連接在節(jié)點(diǎn)N1與節(jié)點(diǎn)N2之間的至少一個(gè)電感器（在圖2中圖 示了兩個(gè)電感器L1以及L2)、一對可變電容二極管（也可稱為可變電抗或者變?nèi)荻O管） D11以及D21和另一對可變電容二極管D12以及D22。
[0051] 而且，VC025還包括構(gòu)成第一電容器陣列的第一組電容器C11?C13、第一組N溝 道M0S場效應(yīng)晶體管QN11?QN13、第一組電阻R11?R13、構(gòu)成第二電容器陣列的第二組 電容器C21?C23、第二組N溝道M0S場效應(yīng)晶體管QN21?QN23、第二組電阻R21?R23。
[0052] 電流源CS例如由P溝道M0S場效應(yīng)晶體管或者電阻構(gòu)成，并具有與電源電位VDD 連接的一端。晶體管QP10具有與電流源CS的另一端連接的源極、與節(jié)點(diǎn)N1連接的漏極和 與節(jié)點(diǎn)N2連接的柵極。晶體管QP20具有與電流源CS的另一端連接的源極、與節(jié)點(diǎn)N2連 接的漏極和與節(jié)點(diǎn)N1連接的柵極。
[0053] 晶體管QN10具有與節(jié)點(diǎn)N1連接的漏極、與電源電位VSS連接的源極和與節(jié)點(diǎn)N2 連接的柵極。晶體管QN20具有與節(jié)點(diǎn)N2連接的漏極、與電源電位VSS連接的源極和與節(jié) 點(diǎn)N1連接的柵極。并且，可以將電源電位VDD以及VSS中的一方作為接地電位。
[0054] 可變電容二極管D11具有與節(jié)點(diǎn)N1連接的陽極和被施加控制電壓VC的陰極。另 夕卜，可變電容二極管D21具有與節(jié)點(diǎn)N2連接的陽極和被施加控制電壓VC的陰極。可變電 容二極管Dl 1以及D21通過根據(jù)控制電壓VC而對振蕩電路的振蕩頻率進(jìn)行控制，從而對振 蕩信號的頻率進(jìn)行設(shè)定。
[0055] 可變電容二極管D12具有與節(jié)點(diǎn)N1連接的陽極和被施加調(diào)制電壓VM的陰極。另 夕卜，可變電容二極管D22具有與節(jié)點(diǎn)N2連接的陽極和被施加調(diào)制電壓VM的陰極?？勺冸?容二極管D12以及D22通過根據(jù)調(diào)制電壓VM而對振蕩電路的振蕩頻率進(jìn)行控制，從而對振 蕩信號實(shí)施頻率調(diào)制。并且，通過將調(diào)制電壓VM與控制電壓VC -起施加于可變電容二極 管D11以及D21的陰極，從而可以省略可變電容二極管D12以及D22。
[0056] 構(gòu)成第一電容器陣列的第一組電容器C11?C13具有與節(jié)點(diǎn)N1連接的第一端子。 第一組晶體管QN11?QN13具有：分別與第一組電容器C11?C13的第二端子連接的漏極； 與作為交流的接地電位的基準(zhǔn)電位（在圖2中，為電源電位VSS)連接的源極；和分別被供 給控制信號S11?S13的柵極。晶體管QN11?QN13根據(jù)控制信號S11?S13而導(dǎo)通或者 截止。
[0057] 另外，構(gòu)成第二電容器陣列的第二組電容器C21?C23具有與節(jié)點(diǎn)N2連接的第一 端子。第二組晶體管QN21?QN23具有：分別與第二組電容器C21?C23的第二端子連接的 漏極；與基準(zhǔn)電位（在圖2中，為電源電位VSS)連接的源極；和分別被供給控制信號S21? S23的柵極。晶體管QN21?QN23根據(jù)控制信號S21?S23而導(dǎo)通或者截止。
[0058] 通過所對應(yīng)的晶體管導(dǎo)通從而被連接在節(jié)點(diǎn)N1或者N2與電源電位VSS之間的電 容器，與電感器L1以及L2、可變電容二極管D11?D22-起構(gòu)成諧振電路。在被連接于節(jié) 點(diǎn)N1或者N2與電源電位VSS之間的電容器的數(shù)量較少的情況下，VC025的振蕩頻率變高， 而在被連接于節(jié)點(diǎn)N1或者N2與電源電位VSS之間的電容器的數(shù)量較多的情況下，VC025的 振蕩頻率變低。
[0059] 由于在圖2所示的結(jié)構(gòu)示例中使用了差動放大型的VC0,因此，第一組電容器 C11?C13的電容值被設(shè)定為，與第二組電容器C21?C23的電容值分別相同。另外，第一 組晶體管QN11?QN13以與第二組晶體管QN21?QN23分別同時(shí)導(dǎo)通/截止的方式而被控 制。
[0060] 在N個(gè)電容器C11?C13(C21?C23)的電容值互不相同的情況下，通過控制電路 40對晶體管QN11?QN13 (QN21?QN23)的導(dǎo)通/截止進(jìn)行控制，從而能夠?qū)崿F(xiàn)2N的振蕩 頻率。因此，能夠?qū)?yīng)于多個(gè)無線通信頻道的輸送頻率，而實(shí)施對VC025的振蕩頻率進(jìn)行修 正的校準(zhǔn)。
[0061] 例如，圖1所示的控制電路40在先于無線通信的校準(zhǔn)模式中，針對在無線通信中 所使用的多個(gè)無線通信頻道，通過在使被連接在節(jié)點(diǎn)N1或者N2與電源電位VSS之間的電 容器發(fā)生變化的同時(shí)對PLL電路20的控制環(huán)特性進(jìn)行測定，從而將用于對VC025的振蕩頻 率進(jìn)行修正的與電容器相關(guān)的信息存儲于存儲部50中。
[0062] 另外，控制電路40在實(shí)際實(shí)施無線通信的接收模式或者發(fā)送模式下，讀取被存儲 于存儲部50中的信息，并根據(jù)該信息而生成控制信號S11?S13以及S21?S23,并且以向 包括VC025在內(nèi)的PLL電路20供給電源電壓（VDD-VSS)的方式對電源電路進(jìn)行控制。
[0063] 在電源電壓被供給至VC025從而電容器C11?C13以及C21?C23的第一端子處 的電位上升時(shí)，如果晶體管QN11?QN13以及QN21?QN23中的任意一個(gè)處于截止時(shí)，則處 于截止的晶體管的漏極電位也將上升。之后，雖然漏極電位下降，但由于晶體管的斷態(tài)電阻 例如為10ΜΩ左右的非常高的值，因此，僅通過由晶體管的斷態(tài)電阻實(shí)施的放電，到漏極電 位恢復(fù)至電源電位VSS為止將需要較長的時(shí)間。
[0064] 一般而言，在N溝道晶體管的情況下，在N型的漏極與P型的半導(dǎo)體基板或者P阱 之間存在有寄生電容（耗盡層電容），耗盡層電容的電容值依賴于被施加在PN結(jié)上的電壓 而發(fā)生變化（參照谷口研二、宇野重康、"從圖中學(xué)習(xí)的半導(dǎo)體裝置工學(xué)"（「絵々6學(xué)工半 導(dǎo)體r/sM 7工學(xué)」）、昭晃堂、第49頁）。并且，在P型的半導(dǎo)體基板或者P阱上被供給電 源電位VSS。因此，當(dāng)處于截止的晶體管的漏極電位下降時(shí)，漏極與電源電位VSS之間的寄 生電容的值將增加。
[0065] 此時(shí)，由于只要圖1所示的開關(guān)電路23導(dǎo)通，那么VC025的振蕩頻率便會通過PLL 電路20中的控制環(huán)而被控制，因此，VC025的振蕩頻率不會發(fā)生漂移?？墒牵诎l(fā)送模式下， 在寄生電容的值發(fā)生變化的期間，如果開關(guān)電路23斷開從而PLL電路20中的控制環(huán)被切 斷時(shí)，振蕩信號（載波）的頻率將會發(fā)生漂移。
[0066] 因此，在本實(shí)施方式中，設(shè)置有分別與第一組晶體管QN11?QN13并聯(lián)連接的第一 組電阻R11?R13和分別與第二組晶體管QN21?QN23并聯(lián)連接的第二組電阻R21?R23。 為了使對被積蓄在電容器的第二端子中的電荷進(jìn)行放電時(shí)的時(shí)間常數(shù)減小，電阻R11? R13以及R21?R23的電阻值被設(shè)為充分小于晶體管的斷態(tài)電阻的值，例如設(shè)為100kΩ以 下，優(yōu)選設(shè)為20k Ω以下。
[0067] 圖1所示的控制電路40在從電源電壓被供給至VC025起，經(jīng)過了通過電容器 C11?C13以及C21?C23的電容值和所對應(yīng)的電阻R11?R13以及R21?R23的電阻值 而分別確定的時(shí)間常數(shù)的最大值以上的期間之后，使開關(guān)電路23斷開，并使開關(guān)電路72導(dǎo) 通。
[0068] 例如，可以將電容器C11、C12、......、C13的電容值之比設(shè)為1 : 2 : 4 : 8 :......。 此時(shí)，如果電阻R11?R13的電阻值相同，則通過電容器C13和電阻R13而確定的時(shí)間常數(shù) 成為最大值。因此，控制電路40在從電源電壓被供給至VC025起，經(jīng)過了通過電容器C13和 電阻R13而確定的時(shí)間常數(shù)以上的期間之后，使開關(guān)電路23斷開，并使開關(guān)電路72導(dǎo)通。
[0069] 另外，也可以將第一組晶體管QN11、QN12、......、QN13的通態(tài)電阻值之比與所對 應(yīng)的電容器C11、C12、……、C13的電容值的倒數(shù)之比設(shè)為大致相等。例如，在電容器C11、 C12、……、C13的電容值之比為1 : 2 : 4 : 8 :……的情況下，將晶體管QN1UQN12、……、 QN13的通態(tài)電阻值之比設(shè)為1 : 1/2 : 1/4 : 1/8 :……。
[0070] 同樣地，可以將第二組晶體管QN21、QN21、......、QN23的通態(tài)電阻值之比與所對 應(yīng)的電容器C21、C22、……、C23的電容值的倒數(shù)之比設(shè)為大致相等。例如，在電容器C21、 C22、……、C23的電容值之比為1 : 2 : 4 : 8 :……的情況下，將晶體管QN2UQN22、……、 QN23的通態(tài)電阻值之比設(shè)為1 : 1/2 : 1/4 : 1/8 :……。
[0071] 此時(shí)，能夠以與電容器的電容值匹配的方式對晶體管的驅(qū)動能力進(jìn)行設(shè)定。晶體 管的通態(tài)電阻值的設(shè)定例如通過將柵極長度設(shè)為固定，對柵極寬度進(jìn)行變更，從而被實(shí)施。
[0072] 圖3為，表示圖2所示的電容器C13的兩端電位的隨時(shí)間的變化的圖。圖3(a)圖 示了節(jié)點(diǎn)N1 (電容器C13的第一端子）處的直流電位的隨時(shí)間的變化，圖3 (b)圖示了節(jié)點(diǎn) N3(電容器C13的第二端子）處的直流電位的隨時(shí)間的變化。另外，在圖3(b)中，虛線表示 未連接有電阻R13的情況，實(shí)線表示連接有電阻R13的情況。
[0073] 當(dāng)在時(shí)刻t0電源電壓被供給至VC025時(shí)，如圖3(a)所示，節(jié)點(diǎn)N1的電位上升。另 夕卜，當(dāng)晶體管QN13處于截止時(shí)，如圖3(b)所示，節(jié)點(diǎn)N3的電位也上升。如圖3(b)中的虛 線所示，在未連接有電阻R13的情況下，到節(jié)點(diǎn)N3的電位恢復(fù)為電源電位VSS為止需要較 長的時(shí)間。另一方面，如圖3(b)中的實(shí)線所示，在連接有電阻R13的情況下，到節(jié)點(diǎn)N3的 電位恢復(fù)為電源電位VSS為止所需的時(shí)間被縮短。
[0074] 圖1所示的控制電路40在從電源電壓被供給至VC025起，經(jīng)過了通過電容器C13 和電阻R13而確定的時(shí)間常數(shù)以上的期間，從而VC025的振蕩頻率被鎖定在預(yù)定的頻率的 附近的時(shí)刻tl，使開關(guān)電路23斷開。由于在時(shí)刻tl，節(jié)點(diǎn)N3的電位充分接近電源電位VSS， 因此，即使將開關(guān)電路23斷開，VC025中的輸送頻率的漂移也會被抑制在狹窄的范圍內(nèi)。
[0075] 或者，控制電路40也可以在電源電壓被供給至VC025之后，暫時(shí)使晶體管QN11? QN13以及QN21?QN23導(dǎo)通，而使電容器C11?C13以及C21?C23的第二端子的電荷放 電。而且，控制電路40可以在使晶體管QN11?QN13以及QN21?QN23中的預(yù)定的晶體管 截止而使VC025的振蕩頻率被鎖定之后，使開關(guān)電路23斷開，并使開關(guān)電路72導(dǎo)通。此時(shí)， 能夠省略圖2所示的電阻R11?R13以及R21?R23。
[0076] 在此，對于VC025的振蕩頻率是否被鎖定，既可以由控制電路40根據(jù)從電源電壓 被供給至PLL電路20起經(jīng)過的時(shí)間進(jìn)行判斷，也可以由鎖定檢測電路30進(jìn)行判斷。鎖定 檢測電路30通過對從振蕩電路10輸出的基準(zhǔn)信號與從PLL電路20輸出的分頻信號進(jìn)行 比較，從而根據(jù)它們的相位差，對PLL電路是否鎖定進(jìn)行檢測。例如，鎖定檢測電路30在基 準(zhǔn)信號與分頻信號之間的相位差在預(yù)定的期間內(nèi)處于預(yù)定值以下的情況下，檢測出PLL電 路20已鎖定的情況。
[0077] 圖4為表示圖1所示的VC025的第二結(jié)構(gòu)示例的電路圖。與由電流源CS以及晶 體管QP10、QP20、QN10、QN20構(gòu)成的振蕩電路、電感器L1以及L2和可變電容二極管D11? D22相關(guān)的連接，與圖2所示的第一結(jié)構(gòu)示例中的連接相同。并且，在第二結(jié)構(gòu)示例中，將電 源電位VSS設(shè)為接地電位。
[0078] 而且，VC025包括構(gòu)成第一電容器陣列的第一組電容器C11?C13、構(gòu)成第二電容 器陣列的第二組電容器C21?C23、多個(gè)N溝道M0S場效應(yīng)晶體管QN1?QN3、第一組電阻 R11?R13、第二組電阻R21?R23。
[0079] 構(gòu)成第一電容器陣列的第一組電容器C11?C13具有與節(jié)點(diǎn)N1連接的第一端子。 另外，構(gòu)成第二電容器陣列的第二組電容器C21?C23具有與節(jié)點(diǎn)N2連接的第一端子。
[0080] 多個(gè)晶體管QN1?QN3具有：分別與第一組電容器C11?C13的第二端子連接的 漏極或者源極；分別與第二組電容器C21?C23的第二端子連接的源極或者漏極；分別被 供給控制信號S1?S3的柵極。晶體管QN1?QN3根據(jù)控制信號S1?S3而導(dǎo)通或者截止。
[0081] 通過所對應(yīng)的晶體管導(dǎo)通從而被連接在節(jié)點(diǎn)N1與節(jié)點(diǎn)N2之間的電容器，與電感 器L1以及L2、可變電容二極管D11?D22 -起構(gòu)成諧振電路。在被連接于節(jié)點(diǎn)N1與節(jié)點(diǎn) N2之間的電容器的數(shù)量較少時(shí)，VC025的振蕩頻率變高，而在被連接于節(jié)點(diǎn)N1與節(jié)點(diǎn)N2之 間的電容器的數(shù)量較多時(shí)，VC025的振蕩頻率變低。
[0082] 由于在圖4所示的結(jié)構(gòu)示例中，使用了差動放大型的VC0,因此，第一組電容器 C11?C13的電容值被設(shè)定為與第二組電容器C21?C23的電容值分別相同。
[0083] 在此，當(dāng)將晶體管QN1?QN3的漏極以及源極設(shè)為浮置時(shí)，有可能無法可靠地實(shí)施 導(dǎo)通或者截止的動作。因此，在本實(shí)施方式中，設(shè)置了分別被連接于第一組電容器C11? C13的第二端子（晶體管QN1?QN3的漏極或者源極）與基準(zhǔn)電位（在圖4中，為電源電位 VSS)之間的第一組電阻R11?R13。
[0084] 而且，優(yōu)選分別具有與第一組電阻R11?R13的電阻值相同的電阻值的第二組電 阻R21?R23分別被連接于第二組電容器C21?C23的第二端子（晶體管QN1?QN3的源 極或者漏極）與基準(zhǔn)電位之間，以使在晶體管QN1?QN3中的任意一個(gè)截止時(shí)，在處于截止 的晶體管中不會流通有漏電流。
[0085] 為了減小對被積蓄在電容器的第二端子中的電荷進(jìn)行放電時(shí)的時(shí)間常數(shù)，電阻 R11?R13以及R21?R23的電阻值，例如，設(shè)為lOOkQ以下，優(yōu)選設(shè)為20kQ以下。
[0086] 在電源電壓被供給至VC025從而電容器C11?C13以及C21?C23的第一端子處 的電位上升時(shí)，晶體管QN1?QN3的漏極電位以及源極電位也上升。之后，雖然漏極電位 以及源極電位下降，但是，隨之，漏極與電源電位VSS之間的寄生電容以及源極與電源電位 VSS之間的寄生電容的值將增加。
[0087] 此時(shí)，由于只要圖1所示的開關(guān)電路23導(dǎo)通，VC025的振蕩頻率便會通過PLL電 路20中的控制環(huán)而被控制，因此，VC025的振蕩頻率不會發(fā)生漂移。可是，在發(fā)送模式中， 在寄生電容的值發(fā)生變化的期間，如果圖1所示的開關(guān)電路23斷開從而PLL電路20中的 控制環(huán)被切斷時(shí)，振蕩信號（載波）的頻率將會發(fā)生漂移。
[0088] 因此，圖1所示的控制電路40在從電源電壓被供給至VC025起，經(jīng)過了通過電容 器C11?C13以及C21?C23的電容值以及所對應(yīng)的電阻R11?R13以及R21?R23的電 阻值而分別確定的時(shí)間常數(shù)的最大值以上的期間之后，使開關(guān)電路23斷開，并使開關(guān)電路 72導(dǎo)通。
[0089] 例如，可以將電容器C11、C12、......、C13的電容值之比設(shè)為1 : 2 : 4 : 8 :......。 此時(shí)，如果電阻R11?R13的電阻值相同，則通過電容器C13和電阻R13而確定的時(shí)間常數(shù) 將成為最大值。因此，控制電路40在從電源電壓被供給至VC025起，經(jīng)過了通過電容器C13 和電阻R13而確定的時(shí)間常數(shù)以上的期間，從而VC025的振蕩頻率被鎖定在預(yù)定的頻率的 附近之后，使開關(guān)電路23斷開，并使開關(guān)電路72導(dǎo)通。
[0090] 另外，可以將晶體管QN1、QN2、......、QN3的通態(tài)電阻值之比、在第一電容器陣列中 所對應(yīng)的第一組電容器C11、C12、......、C13的電容值的倒數(shù)之比和在第二電容器陣列中所 對應(yīng)的第二組電容器C21、C22、……、C23的電容值的倒數(shù)之比設(shè)為大致相等。
[0091] 例如，在電容器Cll、C12、......、C13的電容值之比以及電容器C21、C22、......、 C23的電容值之比為1 : 2 : 4 : 8 :……時(shí)，將晶體管QN1、QN2、……、QN3的通態(tài)電阻 值之比設(shè)為1 : 1/2 : 1/4 : 1/8 :……。此時(shí)，能夠以與電容器的電容值匹配的方式對 晶體管的驅(qū)動能力進(jìn)行設(shè)定。
[0092] 雖然在以上的實(shí)施方式中，對使用M0SFET的情況進(jìn)行了說明，但是，也可以使用 其他場效應(yīng)晶體管或雙極型晶體管。在使用雙極型晶體管的情況下，雙極型晶體管的基極、 發(fā)射極、集電極相當(dāng)于場效應(yīng)晶體管的柵極、源極、漏極。另外，本發(fā)明并不限定于以上說明 的實(shí)施方式，通過在該【技術(shù)領(lǐng)域】具有常識的人士，能夠在本發(fā)明的技術(shù)思想內(nèi)實(shí)施較多的 變形。
[0093] 符號說明
[0094] 10…振蕩電路；20···ΡΙΧ電路；21…相位比較電路；22···電荷泵；23…開關(guān)電路； 24…環(huán)路濾波器；25…VC0 ;26…分頻電路；30…鎖定檢測電路；40…控制電路；50…存儲 部；60···低噪聲放大器；61?63…混頻器；64···分頻電路；65···移相電路；66···帶通濾波 器；67···限幅器；68···解調(diào)電路；70···功率放大器；71*"DAC ;72···開關(guān)電路；73···高斯濾波 器；CS…電流源；QP10、QP20…P溝道M0S場效應(yīng)晶體管；QN1?QN23…N溝道M0S場效應(yīng)晶 體管；LI、L2…電感器；D11?D22…可變電容二極管；C11?C23…電容器；R11?R23…電 阻。
【權(quán)利要求】
1. 一種信號發(fā)生裝置，具備： 電壓控制振蕩器，包括：振蕩電路，其以與被連接于第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電感以 及電容相對應(yīng)的頻率而進(jìn)行振蕩動作；第一組電容器，具有被連接于所述第一節(jié)點(diǎn)的第一 端子；第一組晶體管，分別被連接于所述第一組電容器的第二端子與基準(zhǔn)電位之間，并根據(jù) 各自的控制信號而導(dǎo)通或者截止；第一組電阻，分別與所述第一組晶體管并聯(lián)連接；第二 組電容器，具有被連接于所述第二節(jié)點(diǎn)的第一端子；第二組晶體管，分別被連接于所述第二 組電容器的第二端子與所述基準(zhǔn)電位之間，并根據(jù)各自的控制信號而導(dǎo)通或者截止；第二 組電阻，分別與所述第二組晶體管并聯(lián)連接； 分頻電路，其對由所述電壓控制振蕩器所生成的振蕩信號進(jìn)行分頻，并輸出分頻信 號； 誤差信號生成電路，其通過對從所述分頻電路被輸出的分頻信號的至少相位與基準(zhǔn)信 號的至少相位進(jìn)行比較，從而生成與它們的差相對應(yīng)的誤差信號； 第一濾波器電路，其通過對由所述誤差信號生成電路所生成的誤差信號實(shí)施低通濾波 器處理，從而生成用于對所述電壓控制振蕩器的振蕩頻率進(jìn)行控制的控制電壓； 第一開關(guān)電路，其對向所述第一濾波器電路的誤差信號的供給進(jìn)行接通或者斷開； 第二濾波器電路，其通過對調(diào)制信號實(shí)施低通濾波器處理，從而生成用于對所述電壓 控制振蕩器的振蕩頻率進(jìn)行控制的控制電壓； 第二開關(guān)電路，其對向所述第二濾波器電路的調(diào)制信號的供給進(jìn)行接通或者斷開； 控制電路，其對所述第一開關(guān)電路以及所述第二開關(guān)電路進(jìn)行控制。
2. 如權(quán)利要求1所述的信號發(fā)生電路，其中， 所述控制電路在從所述電源電壓被供給至所述電壓控制振蕩器起，經(jīng)過了通過所述 第一組電容器以及所述第二組電容器的電容值和所對應(yīng)的所述第一組電阻以及所述第二 組電阻的電阻值而分別確定的時(shí)間常數(shù)的最大值以上的期間之后，使所述第一開關(guān)電路斷 開，并使所述第二開關(guān)電路導(dǎo)通。
3. 如權(quán)利要求1所述的信號發(fā)生電路，其中， 所述控制電路在從電源電壓被供給至所述電壓控制振蕩器起，使所述第一組晶體管以 及所述第二組晶體管暫時(shí)導(dǎo)通而使所述第一組電容器以及所述第二組電容器的第二端子 的電荷進(jìn)行放電，并使所述第一組晶體管以及所述第二組晶體管內(nèi)的預(yù)定的晶體管截止而 使所述電壓控制振蕩器的振蕩頻率被鎖定之后，使所述第一開關(guān)電路斷開，并使所述第二 開關(guān)電路導(dǎo)通。
4. 一種電壓控制振蕩器，具備： 振蕩電路，其以與被連接于第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電感以及電容相對應(yīng)的頻率而 進(jìn)行振蕩動作； 第一組電容器，具有被連接于所述第一節(jié)點(diǎn)的第一端子； 第一組晶體管，分別被連接于所述第一組電容器的第二端子與基準(zhǔn)電位之間，并根據(jù) 各自的控制信號而導(dǎo)通或者截止； 第一組電阻，分別與所述第一組晶體管并聯(lián)連接； 第二組電容器，具有被連接于所述第二節(jié)點(diǎn)的第一端子； 第二組晶體管，分別被連接于所述第二組電容器的第二端子與所述基準(zhǔn)電位之間，并 根據(jù)各自的控制信號而導(dǎo)通或者截止； 第二組電阻，分別與所述第二組晶體管并聯(lián)連接。
5. 如權(quán)利要求4所述的電壓控制振蕩器，其中， 所述第一組晶體管的通態(tài)電阻值之比與所對應(yīng)的所述第一組電容器的電容值的倒數(shù) 之比大致相等， 所述第二組晶體管的通態(tài)電阻值之比與所對應(yīng)的所述第二組電容器的電容值的倒數(shù) 之比大致相等。
6. -種電壓控制振蕩器，具備： 振蕩電路，其以與被連接于第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電感以及電容相對應(yīng)的頻率而 進(jìn)行振蕩動作； 第一電容器，其具有被連接于所述第一節(jié)點(diǎn)的第一端子； 第二電容器，其具有被連接于所述第二節(jié)點(diǎn)的第一端子； 晶體管，其被連接于所述第一電容器的第二端子與所述第二電容器的第二端子之間， 并根據(jù)控制信號而導(dǎo)通或者截止； 第一電阻，其被連接于所述第一電容器的第二端子與基準(zhǔn)電位之間； 第二電阻，其被連接于所述第二電容器的第二端子與所述基準(zhǔn)電位之間。
7. 如權(quán)利要求6所述的電壓控制振蕩器，其中， 多個(gè)所述晶體管的通態(tài)電阻值之比、所對應(yīng)的所述第一組電容器的電容值的倒數(shù)之比 與所對應(yīng)的所述第二組電容器的電容值的倒數(shù)之比大致相等。
8. -種電壓控制振蕩器，具備： 振蕩電路，其以與被連接于第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電感以及電容相對應(yīng)的頻率而 進(jìn)行振蕩動作； 第一電容器，其具有被連接于所述第一節(jié)點(diǎn)的第一端子； 第一電阻，其被連接于所述第一電容器的第二端子與基準(zhǔn)電位之間； 晶體管，其具有與所述第一電容器的第二端子連接的源極端子或者漏極端子。
9. 一種電子設(shè)備，具備權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的信號發(fā)生裝置。
10. -種電子設(shè)備，具備權(quán)利要求4至8中任一項(xiàng)所述的電壓控制振蕩器。
【文檔編號】H03B5/12GK104160627SQ201380014143
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2013年3月11日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月12日
【發(fā)明者】津原康一, 內(nèi)野力一, 牧克彥 申請人:精工愛普生株式會社