彈性波裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種不僅可以實(shí)現(xiàn)高聲速化，還不容易受到由成為亂真的其他模式而引起的響應(yīng)的影響的彈性波裝置。一種彈性波裝置(1)，其具有鈮酸鋰膜(5)，并利用SH型表面波，具備：支撐基板(2)；高聲速膜(3)，其形成在所述支撐基板(2)上，傳播的體波聲速比在所述鈮酸鋰膜(5)中傳播的彈性波聲速更高速；低聲速膜(4)，其層疊在所述高聲速膜(3)上，傳播的體波聲速比在所述鈮酸鋰膜(5)中傳播的體波聲速更低速；所述鈮酸鋰膜(5)，其層疊在所述低聲速膜(4)上；和IDT電極(6)，其形成在所述鈮酸鋰膜(5)的一面，在將鈮酸鋰膜(5)的歐拉角設(shè)為(0°±5°，θ，0°)時(shí)，θ處于0°～8°以及57°～180°的范圍內(nèi)。
【專利說明】彈性波裝置及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于諧振器或帶通濾波器等的彈性波裝置及其制造方法，更詳細(xì)來講，涉及一種具有在鈮酸鋰膜與支撐基板之間層疊了其他材料的結(jié)構(gòu)的彈性波裝置及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]以往，作為諧振器或帶通濾波器，彈性波裝置被廣泛使用。在下述的專利文獻(xiàn)I中，公開了一種在電介質(zhì)基板上，按順序?qū)盈B硬質(zhì)電介質(zhì)層、壓電膜以及IDT電極而成的聲表面波裝置。在該聲表面波裝置中，通過將硬質(zhì)電介質(zhì)層配置在電介質(zhì)基板與壓電膜之間，從而實(shí)現(xiàn)聲表面波的高聲速化。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)聲表面波裝置的高頻化。
[0003]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開2004-282232
[0006]發(fā)明要解決的課題
[0007]在專利文獻(xiàn)I所述的聲表面波裝置中，通過硬質(zhì)電介質(zhì)層的形成來實(shí)現(xiàn)高聲速化。也就是說，在壓電膜的下表面配置有高聲速的硬質(zhì)電介質(zhì)層。因此，在壓電膜中彈性波集中傳播。其結(jié)果，不僅利用的聲表面波，I)該聲表面波的高次模式、2)在壓電膜表面和壓電膜和硬質(zhì)電介質(zhì)層的邊界反射并傳播的類似于板波的彈性波、以及3)該高次模式等其他模式也容易產(chǎn)生。因此，存在除了利用的聲表面波的模式以外還出現(xiàn)較大的亂真(spur1us)的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于，提供一種不僅可以實(shí)現(xiàn)高聲速化，還不容易受到由成為亂真的其他模式引起的響應(yīng)的影響的彈性波裝置及其制造方法。
[0009]解決課題的手段
[0010]本發(fā)明所涉及的彈性波裝置具有鈮酸鋰膜，并利用SH型表面波。更詳細(xì)來講，本發(fā)明的彈性波裝置具備:支撐基板、高聲速膜、低聲速膜、鈮酸鋰膜。高聲速膜是形成在所述支撐基板上，傳播的體波聲速比在鈮酸鋰膜中傳播的彈性波的聲速更高速的膜。低聲速膜層疊在所述高聲速膜上。低聲速膜是傳播的體波聲速比在鈮酸鋰膜中傳播的體波聲速更低速的膜。鈮酸鋰膜層疊在上述低聲速膜上。在本發(fā)明中，具備形成在所述鈮酸鋰膜的一面的IDT電極，在將鈮酸鋰膜的歐拉(Euler)角設(shè)為(0° ±5°，Θ，0° )時(shí)，Θ處于0°?8°以及57°?180°的范圍內(nèi)。
[0011]優(yōu)選地，歐拉角的Θ處于83°?145°的范圍內(nèi)或者100°?160°的范圍內(nèi)。在Θ處于83°?145°的范圍內(nèi)的情況下，能夠使SH型表面波的機(jī)電耦合系數(shù)k2大到20%以上。在Θ處于100°?160°的范圍內(nèi)的情況下，能夠使成為亂真的瑞利(Rayleigh)波的機(jī)電耦合系數(shù)k2為1%以下，非常小。
[0012]在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的其他特定的方面中，低聲速膜由氧化硅構(gòu)成。在該情況下，能夠減小頻率溫度系數(shù)的絕對(duì)值。
[0013]在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的其他特定的方面中，在將氧化硅的膜厚設(shè)為X，將鈮酸鋰膜的膜厚設(shè)為y，將SH型表面波的基本模式的波長設(shè)為λ時(shí)，在xy坐標(biāo)系中，(x，y)處于按順序?qū)?0.023 λ，0.3 λ )、(0.05 λ，0.20 λ )、(0.10 λ，0.14 λ )、(0.20 λ，0.125 λ )、(0.44 λ，0.14 λ )、(0.47 λ，0.20 λ )、(0.435 λ，0.25 λ )、(0.3 λ，0.36 λ )、(0.15 λ，0.42 λ )、(0.08 λ，0.42 λ )、(0.05 λ，0.40 λ )以及(0.23 λ，0.3 λ )的各點(diǎn)連結(jié)而成的區(qū)域內(nèi)。在該情況下，能夠使SH型表面波的機(jī)電耦合系數(shù)k2大到26%以上。
[0014]在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的進(jìn)一步其它特定的方面中，所述高聲速膜由從由氮化鋁、氮化硅以及氧化鋁構(gòu)成的群中選擇的I種或者這些材料構(gòu)成的膜的層疊膜構(gòu)成。在該情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)SH型表面波的高聲速化。更優(yōu)選地，在將SH型表面波的基本模式的波長設(shè)為λ時(shí)，所述高聲速膜的膜厚處于0.3 λ?1λ的范圍內(nèi)。在該情況下，能夠使反共振頻率側(cè)的傳播損失小到0.0lNp/λ以下，并且能夠更有效地抑制由高次模式引起的亂真。
[0015]在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的進(jìn)一步其它特定的方面中，所述IDT電極由Au構(gòu)成，在將SH型表面波的基本模式的波長設(shè)為λ時(shí)，該由Au構(gòu)成的IDT電極的厚度處于0.01 λ?0.03 λ的范圍。在該情況下，能夠增大機(jī)電耦合系數(shù)k2，并進(jìn)一步減小成為亂真的瑞利波的機(jī)電耦合系數(shù)k2。
[0016]在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的進(jìn)一步其他特定的方面中，所述支撐基板的線膨脹系數(shù)比所述鈮酸鋰膜的線膨脹系數(shù)小。在該情況下，能夠進(jìn)一步改善溫度特性。
[0017]在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的進(jìn)一步其它的特定的方面中，所述低聲速膜的固有聲阻抗比銀酸鋰膜的固有聲阻抗小。在該情況下，能夠進(jìn)一步擴(kuò)大帶寬比(band widthrat1)。
[0018]本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的制造方法具備:準(zhǔn)備支撐基板的工序；在所述支撐基板上，形成傳播的體波聲速比在鈮酸鋰中傳播的彈性波聲速更高速的高聲速膜的工序；在所述高聲速膜上，形成傳播的體波聲速比在鈮酸鋰中傳播的體波聲速更低速的低聲速膜的工序；在所述低聲速膜上，形成歐拉角(0° ±5°，θ，0° )中的Θ處于0°?8°或者57°?180°的范圍內(nèi)的鈮酸鋰膜的工序；和在所述鈮酸鋰膜的一面形成IDT電極的工序。
[0019]在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的制造方法的某一特定的方面中，在支撐基板上，形成高聲速膜、低聲速膜以及鈮酸鋰膜的工序具備下述的(a)?(e)的工序。
[0020](a)從厚度比所述鈮酸鋰膜厚的鈮酸鋰基板的一面進(jìn)行離子注入的工序。
[0021](b)在進(jìn)行了所述離子注入的鈮酸鋰基板的所述一面形成低聲速膜的工序。
[0022](c)在所述低聲速膜的與所述鈮酸鋰基板相反的一側(cè)的面形成高聲速膜的工序。
[0023](d)在所述高聲速膜的與層疊了所述低聲速膜的一側(cè)的面相反側(cè)的面接合支撐基板的工序。
[0024](e)對(duì)所述鈮酸鋰基板進(jìn)行加熱，同時(shí)在所述鈮酸鋰基板的注入離子濃度最高的高濃度離子注入部分，對(duì)所述鈮酸鋰膜與剩余的鈮酸鋰基板部分進(jìn)行分離，使所述低聲速膜側(cè)殘留所述鈮酸鋰膜的工序。
[0025]在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的制造方法的進(jìn)一步其它特定的方面中，還具備:在分離了所述剩余的鈮酸鋰基板部分后，對(duì)層疊在所述低聲速膜上的所述鈮酸鋰膜進(jìn)行加熱，使壓電性恢復(fù)的工序。在該情況下，由于通過加熱，能夠使鈮酸鋰膜的壓電性恢復(fù)，因此能夠更可靠地提供具有良好的諧振特性和濾波器特性的彈性波裝置。
[0026]在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的制造方法的進(jìn)一步其它特定的方面中，具備:在接合所述支撐基板之前，對(duì)所述高聲速膜的與所述低聲速膜相反的一側(cè)的面進(jìn)行鏡面加工的工序。在該情況下，能夠提高高聲速膜與支撐基板的接合強(qiáng)度。
[0027]發(fā)明效果
[0028]在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置中，由于在支撐基板與鈮酸鋰膜之間層疊有高聲速膜以及低聲速膜，因此SH型表面波的聲速足夠遠(yuǎn)離成為亂真的瑞利波的聲速。并且，由于鈮酸鋰膜的歐拉角在上述特定的范圍內(nèi)，因此與作為亂真的瑞利波的機(jī)電耦合系數(shù)k2相t匕，能夠提高利用的SH型表面波的機(jī)電耦合系數(shù)k2。
[0029]因此，能夠提供一種不容易受到亂真的影響的彈性波裝置。
[0030]根據(jù)本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的制造方法，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種不容易受到由瑞利波引起的亂真的影響的、利用了 SH型表面波的彈性波裝置。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1 (a)以及圖1 (b)是表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式所涉及的彈性波裝置的示意性主視剖面圖以及表示其電極結(jié)構(gòu)的示意性俯視圖。
[0032]圖2是表示在由鋁構(gòu)成的支撐基板上形成氮化硅膜、氧化硅膜、鈮酸鋰膜，在其上形成由Al構(gòu)成的電極的結(jié)構(gòu)中的鈮酸鋰的歐拉角的Θ與U2-VF、U2-VM、U3-VF以及U3-VM模式的聲速的關(guān)系的圖。
[0033]圖3是表示在鋁基板上形成氮化鋁膜、氧化硅膜、鈮酸鋰膜以及由Al構(gòu)成的IDT電極的結(jié)構(gòu)中的歐拉角的Θ與SH波以及瑞利波的機(jī)電耦合系數(shù)k2的關(guān)系的圖。
[0034]圖4是表示在鋁基板上形成氮化鋁膜、氧化硅膜、鈮酸鋰膜以及由Al構(gòu)成的IDT電極的結(jié)構(gòu)中的歐拉角的Θ與SH波的TCV的關(guān)系的圖。
[0035]圖5是表示圖1所示的彈性波裝置中的氧化硅膜的膜厚X以及鈮酸鋰膜的膜厚y、與機(jī)電耦合系數(shù)k2的關(guān)系的圖。
[0036]圖6(a)?圖6(c)分別是表示在玻璃基板上形成氧化硅膜、氮化鋁膜，在其上進(jìn)一步形成氧化硅膜以及歐拉角(0°，120°，0° )的鈮酸鋰膜，并在其上形成由Al構(gòu)成的IDT電極的彈性波裝置中的氮化鋁膜的膜厚與機(jī)電耦合系數(shù)k2(% )、TCV(ppm/°C )以及聲速V(m/秒)的關(guān)系的圖。
[0037]圖7是表示在玻璃基板上形成氧化硅膜、氮化鋁膜，在其上進(jìn)一步形成氧化硅膜以及歐拉角(0°，120°，0° )的鈮酸鋰膜，并在其上形成由Al構(gòu)成的IDT電極的彈性波裝置中的氮化鋁膜的膜厚與傳播損失α (Np/λ)的關(guān)系的圖。
[0038]圖8是表示SH型表面波的基本模式中的各振動(dòng)成分沿彈性波裝置厚度方向的能量位移分布的圖。
[0039]圖9是表示SH型表面波的高次模式中的各振動(dòng)成分沿彈性波裝置厚度方向的能量位移分布的圖。
[0040]圖10是在玻璃基板上層疊氮化鋁膜、氧化硅膜以及鈮酸鋰膜，進(jìn)一步形成由Au構(gòu)成的IDT電極而成的第2實(shí)施方式的彈性波裝置的主視剖面圖。
[0041]圖11是表示在將鈮酸鋰的歐拉角設(shè)為(0°，90°，0° )時(shí)的各模式的Au電極的厚度與聲速V的關(guān)系的圖。
[0042]圖12是表示在將鈮酸鋰的歐拉角設(shè)為(0°，90°，0° )時(shí)的各模式的Au電極的厚度與機(jī)電耦合系數(shù)k2的關(guān)系的圖。
[0043]圖13是表示在將鈮酸鋰的歐拉角設(shè)為(0°，105°，0° )時(shí)的各模式的Au電極的厚度與聲速V的關(guān)系的圖。
[0044]圖14是表示在將鈮酸鋰的歐拉角設(shè)為(0°，105°，0° )時(shí)的各模式的Au電極的厚度與機(jī)電耦合系數(shù)k2的關(guān)系的圖。
[0045]圖15是表示在將鈮酸鋰的歐拉角設(shè)為(0°，120°，0° )時(shí)的各模式的Au電極的厚度與聲速V的關(guān)系的圖。
[0046]圖16是表示在將鈮酸鋰的歐拉角設(shè)為(0°，120°，0° )時(shí)的各模式的Au電極的厚度與機(jī)電耦合系數(shù)k2的關(guān)系的圖。
[0047]圖17是本發(fā)明的第3實(shí)施方式所涉及的彈性波裝置的主視剖面圖。
[0048]圖18是表示在第3實(shí)施方式中，IDT電極為AlCu電極的情況下的阻抗頻率特性的圖。
[0049]圖19是表示在第3實(shí)施方式中，IDT電極為Pt電極的情況下的阻抗頻率特性的圖。
[0050]圖20是表示比較例的彈性波裝置的阻抗頻率特性的圖。
[0051]圖21是表示比較例的彈性波裝置中的反共振頻率側(cè)以及共振頻率側(cè)中的歐拉角的Θ與傳播損失α的關(guān)系的圖。
[0052]圖22(a)?圖22(e)是用于對(duì)本發(fā)明的第I實(shí)施方式的彈性波裝置的制造方法進(jìn)行說明的各主視剖面圖。
[0053]圖23(a)?圖23(c)是用于對(duì)本發(fā)明的第I實(shí)施方式的彈性波裝置的制造方法進(jìn)行說明的各主視剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0054]下面，通過參照附圖，來對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行說明，從而使本發(fā)明清楚明了。
[0055]圖1 (a)是作為本發(fā)明的第I實(shí)施方式的聲表面波裝置的示意性主視剖面圖。
[0056]聲表面波裝置I具有支撐基板2。在支撐基板2上，層疊聲速相對(duì)高的高聲速膜
3。在高聲速膜3上，層疊聲速相對(duì)低的低聲速膜4。此外，在低聲速膜4上層疊鈮酸鋰膜5。在該鈮酸鋰膜5的上表面層疊IDT電極6。另外，也可以在鈮酸鋰膜5的下表面層疊IDT電極6。
[0057]上述支撐基板2只要能夠?qū)哂懈呗曀倌?、低聲速膜4、鈮酸鋰膜5以及IDT電極6的層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行支撐，就能夠由適當(dāng)?shù)牟牧蠘?gòu)成。作為這種材料，能夠使用壓電體、電介質(zhì)或者半導(dǎo)體等。在本實(shí)施方式中，支撐基板2由鋁構(gòu)成。
[0058]上述高聲速膜3按照將聲表面波限制在鈮酸鋰膜5以及低聲速膜4層疊的部分的方式而起作用。在本實(shí)施方式中，高聲速膜3由氮化鋁構(gòu)成。并且，只要能夠限制上述彈性波，就能夠使用氮化招、氧化招、炭化娃、氮化娃或者金剛石(diamond)等各種高聲速材料。
[0059]為了將彈性波限制在鈮酸鋰膜5以及低聲速膜4層疊的部分，高聲速膜3的膜厚優(yōu)選彈性波的波長λ的0.5倍以上，甚至1.5倍以上。
[0060]另外，在本說明書中，所謂高聲速膜，是指與在鈮酸鋰膜5中傳播的彈性波相比，該高聲速膜中慢的橫波的聲速為高速的膜。此外，所謂低聲速膜，是指與在鈮酸鋰膜5中傳播的慢的橫波相比，該低聲速膜中的慢的橫波的聲速為低速的膜。另外，此時(shí)的聲速為彈性波的傳播方向上的聲速。對(duì)在媒質(zhì)中傳播的體波的聲速進(jìn)行決定的體波的模式根據(jù)在鈮酸鋰膜5中傳播的彈性波的使用模式而定義。在高聲速膜3以及低聲速膜4關(guān)于體波的傳播方向各向同性的情況下，如下述的表1所示。也就是說，對(duì)于下述的表1的左軸的彈性波的主模式，根據(jù)下述的表1的右軸的體波的模式，決定上述高聲速以及低聲速。P波是縱波，S波是橫波。
[0061]另外，在下述的表1中，意味著Ul以P波為主成分，U2以SH波為主成分，U3以SV波為主成分的彈性波。
[0062][表 I]
[0063]壓電膜的彈性波模式與電介質(zhì)膜的體波模式的對(duì)應(yīng)(電介質(zhì)膜是各向同性材質(zhì)的情況)
[0064]

【權(quán)利要求】
1.一種彈性波裝置，其具有鈮酸鋰膜，并利用SH型表面波，具備: 支撐基板； 高聲速膜，其形成在所述支撐基板上，傳播的體波聲速比在所述鈮酸鋰膜中傳播的彈性波的聲速更高速； 低聲速膜，其層疊在所述高聲速膜上，傳播的體波聲速比在所述鈮酸鋰膜中傳播的體波聲速更低速； 所述鈮酸鋰膜，其層疊在所述低聲速膜上；和 IDT電極，其形成在所述鈮酸鋰膜的一面， 在將所述鈮酸鋰膜的歐拉角設(shè)為(O?！?°，θ，0° )時(shí)，Θ處于O。?8°以及57°?180°的范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其特征在于， 所述鈮酸鋰膜的歐拉角的Θ處于83°?145°的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其特征在于， 所述鈮酸鋰膜的歐拉角的Θ處于100°?160°的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3的任意一項(xiàng)所述的彈性波裝置，其特征在于， 所述低聲速膜由氧化娃構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的彈性波裝置，其特征在于， 在將所述氧化硅的膜厚設(shè)為X，將所述鈮酸鋰膜的膜厚設(shè)為y，將SH型表面波的基本模式的波長設(shè)為λ時(shí)，xy坐標(biāo)系中，(X，y)處于按順序?qū)?0.023λ，0.3λ)、(0.05 λ，0.20 λ )、(0.10 λ，0.14 λ )、(0.20 λ，0.125 λ )、(0.44 λ，0.14 λ )、(0.47 λ，0.20 λ )、(0.435 λ，0.25 λ )、(0.3 λ，0.36 λ )、(0.15 λ，0.42 λ )、(0.08 λ，0.42 λ )、(0.05 λ，0.40 λ )以及(0.23λ ,0.3λ)的各點(diǎn)連結(jié)的區(qū)域內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?5的任意一項(xiàng)所述的彈性波裝置，其特征在于， 所述高聲速膜由從氮化鋁、氮化硅以及氧化鋁所構(gòu)成的群中選擇的I種或者這些材料所構(gòu)成的膜的層疊膜構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的彈性波裝置，其特征在于， 在將SH型表面波的基本模式的波長設(shè)為λ時(shí),所述高聲速膜的膜厚處于0.3 λ?1λ的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的彈性波裝置，其特征在于， 所述IDT電極由Au構(gòu)成，在將SH型表面波的基本模式的波長設(shè)為λ時(shí)，由Au構(gòu)成的該IDT電極的厚度處于0.01 λ?0.03 λ的范圍。
9.根據(jù)權(quán)利要求1?8的任意一項(xiàng)所述的彈性波裝置，其特征在于， 所述支撐基板的線膨脹系數(shù)比所述鈮酸鋰膜的線膨脹系數(shù)小。
10.根據(jù)權(quán)利要求1?9的任意一項(xiàng)所述的彈性波裝置，其特征在于， 所述低聲速膜的固有聲阻抗比所述鈮酸鋰膜的固有聲阻抗小。
11.一種彈性波裝置的制造方法，具備: 準(zhǔn)備支撐基板的工序； 在所述支撐基板上，形成傳播的體波聲速比在鈮酸鋰中傳播的彈性波聲速更高速的高聲速膜的工序； 在所述高聲速膜上，形成傳播的體波聲速比在鈮酸鋰中傳播的體波聲速更低速的低聲速膜的工序； 在所述低聲速膜上，形成歐拉角(0° ±5°，θ，0° )中的0處于0°?8°或者57°?180°的范圍內(nèi)的鈮酸鋰膜的工序；和在所述鈮酸鋰膜的一面形成IDT電極的工序。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的彈性波裝置的制造方法，其特征在于， 在所述支撐基板上，形成所述高聲速膜、所述低聲速膜以及所述鈮酸鋰膜的工序具備: (a)從厚度比所述鈮酸鋰膜厚的鈮酸鋰基板的一面進(jìn)行離子注入的工序； (b)在進(jìn)行了所述離子注入的鈮酸鋰基板的所述一面形成低聲速膜的工序； (c)在所述低聲速膜的與所述鈮酸鋰基板相反的一側(cè)的面形成高聲速膜的工序； (d)在所述高聲速膜的與層疊了所述低聲速膜的一側(cè)的面相反側(cè)的面接合支撐基板的工序；和 (e)對(duì)所述鈮酸鋰基板進(jìn)行加熱，同時(shí)在所述鈮酸鋰基板的注入離子濃度最高的高濃度離子注入部分，將所述鈮酸鋰膜與剩余的鈮酸鋰基板部分分離，使所述低聲速膜側(cè)殘留所述鈮酸鋰膜的工序。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的彈性波裝置的制造方法，其特征在于， 還具備:在分離了所述剩余的鈮酸鋰基板部分后，對(duì)層疊在所述低聲速膜上的所述鈮酸鋰膜進(jìn)行加熱，使壓電性恢復(fù)的工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求11?13的任意一項(xiàng)所述的彈性波裝置的制造方法，其特征在于， 具備:在接合所述支撐基板之前，對(duì)所述高聲速膜的與所述低聲速膜相反的一側(cè)的面進(jìn)行鏡面加工的工序。
【文檔編號(hào)】H03H9/25GK104205629SQ201380015669
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2013年3月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月23日
【發(fā)明者】神藤始 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所