国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      振動片、振子、振蕩器、電子設(shè)備和移動體的制作方法

      文檔序號:7546260閱讀:158來源:國知局
      振動片、振子、振蕩器、電子設(shè)備和移動體的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明提供振動片、振子、振蕩器、電子設(shè)備和移動體,能夠進(jìn)一步提高壓電體的取向性。振動片(1)的特征在于,其具有:基部(10);從基部(10)延伸的振動臂(11a、11b、11c);設(shè)置在振動臂(11a、11b、11c)上的第1電極(12a1、12b1、12c1);設(shè)置在第1電極(12a1、12b1、12c1)的上方的第2電極(12a2、12b2、12c2);配置在第1電極(12a1、12b1、12c1)與第2電極(12a2、12b2、12c2)之間的壓電體(13);以及配置在第1電極(12a1、12b1、12c1)與壓電體(13)之間的絕緣膜(14),第1電極(12a1、12b1、12c1)的材料中含有TiN,絕緣膜(14)的材料中含有SiO2,壓電體(13)的材料中含有AlN。
      【專利說明】振動片、振子、振蕩器、電子設(shè)備和移動體

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及振動片、具有該振動片的振子、振蕩器、電子設(shè)備和移動體。

      【背景技術(shù)】
      [0002]以往,作為振動片,公知有如下結(jié)構(gòu)的振動片:其具有基部、從基部延伸的臂部、配置在臂部的主面上的壓電元件,該壓電元件具有壓電體層、設(shè)置在壓電體層的上述主面?zhèn)鹊牡贗電極層、設(shè)置在壓電體層的上述主面的相反側(cè)的第2電極層,上述第I電極層層疊了配置在上述主面?zhèn)鹊碾姌O層和配置在壓電體層側(cè)的氮化層,該氮化層是形成第I電極層的電極層的電極材料的氮化物(例如參照專利文獻(xiàn)I)。
      [0003]專利文獻(xiàn)1:日本特開2011-228922號公報
      [0004]關(guān)于上述振動片,在實施方式中,在第I電極層的電極層中使用Ti (鈦),在第I電極層的氮化層中使用TiN(氮化鈦)。
      [0005]根據(jù)專利文獻(xiàn)I,關(guān)于上述振動片,通過使用TiN的氮化層來提高氮化層上形成的壓電體層(AlN:氮化鋁)的取向性,同時,抑制了有效電場的減少,能夠使臂部高效地振動。
      [0006]但是,根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人的評價試驗,確認(rèn)了上述振動片在壓電體層的取向性(C軸取向性)方面存在改善的余地(詳細(xì)后述)。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0007]本發(fā)明是為了解決上述課題的至少一部分而完成的,能夠作為以下方式或應(yīng)用例而實現(xiàn)。
      [0008][應(yīng)用例I]本應(yīng)用例的振動片的特征在于,該振動片具有:基部;從所述基部延伸的振動臂;含有TiN且配置在所述振動臂上的第I電極;配置在所述第I電極的上方的第2電極;含有AlN且配置在所述第I電極與所述第2電極之間的壓電體;以及含有S12且配置在所述第I電極與所述壓電體之間的絕緣膜。
      [0009]由此,振動片具有設(shè)置在振動臂(相當(dāng)于臂部)上的第I電極(相當(dāng)于第I電極層)、設(shè)置在第I電極的上方的第2電極(相當(dāng)于第2電極層)、配置在第I電極與第2電極之間的壓電體(相當(dāng)于壓電體層)、配置在第I電極與壓電體之間的絕緣膜。
      [0010]而且,振動片在第I電極的材料中含有TiN,在絕緣膜的材料中含有S12 ( 二氧化硅),在壓電體的材料中含有A1N。
      [0011]由此,振動片通過在第I電極的材料中含有TiN,利用其特性(不容易使Q值劣化)而使振動特性良好。
      [0012]并且,由于振動片在壓電體的材料中含有A1N,所以,利用其取向性的高低而使電場施加時的伸縮性優(yōu)良,能夠使振動臂高效地振動。
      [0013]并且,在振動片中,例如含有非晶狀的S12的絕緣膜被薄膜化且平坦化而配置在通過含有TiN而薄膜化且平坦化(平滑化)的第I電極上。由此,振動片能夠使配置在平坦化的絕緣膜上的含有AlN的壓電體也平坦化。
      [0014]其結(jié)果,在振動片中,覆蓋第I電極的含有S12的絕緣膜作為結(jié)晶取向調(diào)整膜發(fā)揮功能,能夠抑制第I電極對壓電體的取向性造成不良影響,并且,由于絕緣膜上配置(形成)的壓電體的結(jié)晶的方向一致,所以,能夠進(jìn)一步提高壓電體的取向性。
      [0015]另外,這些基于發(fā)明人根據(jù)進(jìn)行實驗解析的結(jié)果等而得到的知識和見解。
      [0016]由此,振動片能夠進(jìn)行高效振動,能夠得到優(yōu)良的振動特性。
      [0017][應(yīng)用例2]在上述應(yīng)用例的振動片中,優(yōu)選在所述第2電極的材料中含有TiN。
      [0018]由此,由于振動片在第2電極的材料中含有與第I電極相同的TiN,所以,與含有其他材料的情況相比,容易制造,能夠提聞生廣性。
      [0019]而且,由于振動片在第2電極的材料中含有TiN,所以,利用其特性,使Q值與含有其他材料的情況相比更不容易劣化。
      [0020][應(yīng)用例3]在上述應(yīng)用例的振動片中,優(yōu)選基部和振動臂含有Si。
      [0021]由此,在振動片中,由于基部和振動臂含有Si,所以,利用其特性,例如與石英相t匕,能夠提高與Q值有關(guān)的潛在性能(例如基部和振動臂中的Q值)。
      [0022][應(yīng)用例4]在上述應(yīng)用例3的振動片中,優(yōu)選在所述振動臂與所述第I電極之間、或所述振動臂的與所述第I電極側(cè)相反的一側(cè)的表面配置有含有S12的膜。
      [0023]由此,在振動片中,由于在振動臂與第I電極之間、或振動臂的與第I電極側(cè)相反的一側(cè)的表面設(shè)有含有S12的膜,所以,利用含有S12的膜的頻率-溫度特性,對基材為Si的振動臂的頻率-溫度特性進(jìn)行校正,能夠抑制由于溫度變化而引起的頻率的變動,能夠提高頻率-溫度特性。
      [0024][應(yīng)用例5]本應(yīng)用例的振子的特征在于,該振子具有:上述應(yīng)用例中的任意一項所述的振動片;以及收納所述振動片的封裝。
      [0025]由此,由于本結(jié)構(gòu)的振子具有上述應(yīng)用例中的任意一項所述的振動片、以及收納振動片的封裝,所以,能夠提供發(fā)揮上述應(yīng)用例中的任意一項所述的效果的振子。
      [0026][應(yīng)用例6]本應(yīng)用例的振蕩器的特征在于,該振蕩器具有:上述應(yīng)用例中的任意一項所述的振動片;以及使所述振動片振蕩的振蕩電路。
      [0027]由此,由于本結(jié)構(gòu)的振蕩器具有上述應(yīng)用例中的任意一項所述的振動片、以及使振動片振蕩的振蕩電路,所以,能夠提供發(fā)揮上述應(yīng)用例中的任意一項所述的效果的振蕩器。
      [0028][應(yīng)用例7]本應(yīng)用例的電子設(shè)備的特征在于,該電子設(shè)備具有上述應(yīng)用例中的任意一項所述的振動片。
      [0029]由此,由于本結(jié)構(gòu)的電子設(shè)備具有上述應(yīng)用例中的任意一項所述的振動片,所以,能夠提供發(fā)揮上述應(yīng)用例中的任意一項所述的效果的電子設(shè)備。
      [0030][應(yīng)用例8]本應(yīng)用例的移動體的特征在于,該移動體具有上述應(yīng)用例中的任意一項所述的振動片。
      [0031]由此,由于本結(jié)構(gòu)的移動體具有上述應(yīng)用例中的任意一項所述的振動片,所以,能夠提供發(fā)揮上述應(yīng)用例中的任意一項所述的效果的移動體。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0032]圖1是示出第I實施方式的振動片的概略結(jié)構(gòu)的示意圖,(a)是平面圖,(b)是(a)的A-A線處的剖視圖。
      [0033]圖2是圖1的(a)的B_B線處的剖視圖和各激勵電極的布線圖。
      [0034]圖3是示出使用X線衍射裝置的壓電體的C軸取向性的調(diào)查結(jié)果的曲線圖,(a)是示出第I實施方式的樣品的調(diào)查結(jié)果的曲線圖,(b)是示出現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的樣品的調(diào)查結(jié)果的曲線圖。
      [0035]圖4是示出使用X線衍射裝置的第I實施方式的樣品的壓電體的C軸取向性的調(diào)查結(jié)果的另一個曲線圖。
      [0036]圖5是示出第I實施方式的變形例的振動片的概略結(jié)構(gòu)的示意圖,(a)是平面圖,(b)是(a)的A-A線處的剖視圖。
      [0037]圖6是示出第2實施方式的振子的概略結(jié)構(gòu)的示意圖,(a)是從蓋(蓋體)側(cè)俯視的平面圖,(b)是(a)的C-C線處的剖視圖。
      [0038]圖7是示出第3實施方式的振蕩器的概略結(jié)構(gòu)的示意圖,(a)是從蓋側(cè)俯視的平面圖,(b)是(a)的C-C線處的剖視圖。
      [0039]圖8是示出第4實施方式的便攜電話的示意立體圖。
      [0040]圖9是示出第5實施方式的汽車的示意立體圖。
      [0041]標(biāo)號說明
      [0042]1、2:振動片;5:振子;6:振湯器;10:基部;10a、10b:王面;10c、10d:固定部;IlaUlbUlc:振動臂;12a、12b、12c:激勵電極;12al、12bl、12cl:第 I 電極;12a2、12b2、12c2:第2電極;13:壓電體;14:絕緣膜;15:含有S12的膜;18a、18b:連接電極;20:封裝;21:封裝底座;22:蓋;23:內(nèi)底面;23a:內(nèi)部連接端子;24、25:內(nèi)部端子;26:外底面;27,28:外部端子;29:接合部件;30:粘接劑;31:金屬線;40:作為振蕩電路的IC芯片;41:金屬線;700:作為電子設(shè)備的便攜電話;701:液晶顯示裝置;702:操作按鈕;703:受話口 ;704:送話口 ;800:作為移動體的汽車。

      【具體實施方式】
      [0043]下面,參照附圖來說明實現(xiàn)本發(fā)明的實施方式。
      [0044](第I實施方式)
      [0045]這里,作為振動片的一例,對在基材中使用Si(硅)的振動片進(jìn)行說明。
      [0046]圖1是示出第I實施方式的振動片的概略結(jié)構(gòu)的示意圖,圖1的(a)是平面圖,圖1的(b)是圖1的(a)的A-A線處的剖視圖。另外,省略了各布線,各結(jié)構(gòu)要素的尺寸比率與實際不同。
      [0047]圖2是圖1的(a)的B_B線處的剖視圖和各激勵電極的布線圖。
      [0048]另外,各圖中的X軸、Y軸、Z軸是相互正交的坐標(biāo)軸。
      [0049]如圖1所示,作為基材,振動片I具有基部10以及從基部10沿Y軸方向延伸的3條振動臂lla、llb、llc。在本實施方式中,在3條振動臂11a、lib、Ilc和基部10中使用Si基板(例如對SO1、Poly-Si進(jìn)行成膜后的基板)。
      [0050]振動臂11a、lib、Ilc形成為大致角柱狀,在俯視時,排列在與Y軸方向正交的X軸方向上,并且,在沿著由X軸和Y軸確定的平面(XY平面)的主面10a、10b中的至少一方(這里為主面1a)設(shè)有激勵電極12a、12b、12c。
      [0051]振動臂I la、I lb、I Ic借助于激勵電極12a、12b、12c而在與主面1a正交的Z軸方向(圖1的(b)的箭頭方向)上彎曲振動(面外振動:不沿著主面1a的方向的振動)。
      [0052]例如使用濺射技術(shù)、光刻技術(shù)、蝕刻技術(shù)等,高精度地形成基部10和振動臂11a、llb、llc、激勵電極 12a、12b、12c。
      [0053]激勵電極12a、12b、12c為層疊構(gòu)造,具有設(shè)置在主面1a側(cè)的第I電極12al、12bl、12cl、設(shè)置在第I電極12al、12bl、12cl的上方的第2電極12a2、12b2、12c2、配置在第I電極12al、12bl、12cl與第2電極12a2、12b2、12c2之間的壓電體13、配置在第I電極12al、12bl、12cl與壓電體13之間的絕緣膜14。
      [0054]在激勵電極12a、12b、12c 的第 I 電極 12al、12bl、12cl、第 2 電極 12a2、12b2、12c2中使用含有TiN(氮化鈦)的膜,在壓電體13中使用含有AlN(氮化鋁)的膜。并且,在絕緣膜14中使用含有非晶狀態(tài)的S12 (二氧化硅)的膜。
      [0055]在振動片I中,從得到良好振動特性的觀點來看,優(yōu)選激勵電極12a、12b、12c的第I電極12al、12bl、12cl、第2電極12a2、12b2、12c2的厚度為15nm左右,優(yōu)選壓電體13的厚度為200nm?400nm左右,優(yōu)選絕緣膜14的厚度為1nm左右。
      [0056]另外,在第2電極12a2、12b2、12c2中也可以使用含有與TiN不同的其他材料(例如 Mo、T1、N1、Pt、Au、W、WS1、Ta、ITO 等)的膜。
      [0057]另外,在得到高效的振動特性的方面,優(yōu)選激勵電極12a、12b、12c從振動臂11a、IlbUlc的根部(與基部10之間的邊界部分)朝前端部延伸,設(shè)置成振動臂lla、llb、llc的全長(從Y軸方向的根部到前端的長度)的一半左右的長度。
      [0058]另外,如圖1的(b)所示,基部10的Z軸方向的厚度形成為比振動臂lla、llb、llc
      的Z軸方向的厚度厚。
      [0059]并且,在圖1的(a)中,如雙點劃線所示,在基部10的X軸方向的兩端部的主面1b側(cè)設(shè)有固定部10c、10d,固定部10c、1d是固定于封裝等外部部件的固定區(qū)域。另外,優(yōu)選固定部10c、1d在Y軸方向上設(shè)置在基部10的與振動臂11a、lib、Ilc側(cè)相反的一側(cè)的端部。
      [0060]這里,對振動片I的動作進(jìn)行說明。
      [0061]如圖2所示,在振動片I的激勵電極12a、12b、12c中,第I電極12al、12bl、12cl和第2電極12a2、12b2、12c2通過交叉布線而與交流電源連接,被施加作為驅(qū)動電壓的交變電壓。
      [0062]具體而言,振動臂Ila的第I電極12al、振動臂Ilb的第2電極12b2、振動臂Ilc的第I電極12cl連接成相同電位,振動臂Ila的第2電極12a2、振動臂Ilb的第I電極12bl、振動臂Ilc的第2電極12c2連接成相同電位。
      [0063]在該狀態(tài)下,當(dāng)對第I電極12al、12bl、12cl與第2電極12a2、12b2、12c2之間施加交變電壓時,在第I電極12al、12bl、12cl與第2電極12a2、12b2、12c2之間產(chǎn)生電場,根據(jù)逆壓電效應(yīng),在壓電體13中產(chǎn)生變形,壓電體13在Y軸方向上伸縮。
      [0064]振動片I構(gòu)成為,通過上述交叉布線,使激勵電極12a、12c中產(chǎn)生的電場的方向和激勵電極12b中產(chǎn)生的電場的方向彼此成為相反方向,壓電體13的伸縮在振動臂IlaUlc與振動臂Ilb之間相反。
      [0065]具體而言,在振動臂IlaUlc的壓電體13伸長時,振動臂Ilb的壓電體13收縮,在振動臂IlaUlc的壓電體13收縮時,振動臂Ilb的壓電體13伸長。
      [0066]通過這種壓電體13的伸縮,在振動片I中,在交變電壓為一個電位時,振動臂11a、IlbUlc在黑色箭頭的方向上彎曲,在交變電壓為另一個電位時,振動臂lla、llb、llc在空心箭頭的方向上彎曲。
      [0067]通過反復(fù)進(jìn)行該動作,振動片I的振動臂lla、llb、llc在Z軸方向上彎曲振動(面外振動)。此時,相鄰的振動臂(這里為Ila與IlbUlb與lie)彼此在相反方向上(反相地)彎曲振動。
      [0068]另外,極化時的C軸取向性越好,則壓電體13的伸縮程度越大。
      [0069]如上所述,在本實施方式的振動片I中,在設(shè)于振動臂I la、I lb、I Ic中的激勵電極12a、12b、12c的第I電極12al、12bl、12cl的材料中含有TiN,在絕緣膜14的材料中含有S12,在壓電體13的材料中含有A1N。
      [0070]由此,振動片I通過在第I電極12al、12bl、12cl的材料中含有TiN,利用其特性(不容易使Q值劣化)使振動特性變得良好。
      [0071]并且,由于振動片I在壓電體13的材料中含有A1N,所以,利用其取向性的高低而使電場施加時的伸縮性優(yōu)良,能夠使振動臂lla、llb、llc高效地振動。
      [0072]并且,在振動片I中,含有非晶狀的S12的絕緣膜14被薄膜化且平坦化而配置在通過含有TiN而薄膜化且平坦化(平滑化)的第I電極12al、12bl、12cl上。
      [0073]由此,振動片I能夠使配置在平坦化的絕緣膜14上的含有AlN的壓電體13也平坦化。
      [0074]其結(jié)果,在振動片I中,覆蓋第I電極12al、12bl、12cl的含有S12的絕緣膜14作為結(jié)晶取向調(diào)整膜發(fā)揮功能,能夠抑制第I電極12al、12bl、12cl對壓電體13的取向性造成不良影響,并且,由于絕緣膜14上配置(形成)的壓電體13的結(jié)晶的方向一致,所以,能夠進(jìn)一步提高壓電體13的取向性。
      [0075]這些基于發(fā)明人根據(jù)實驗解析的結(jié)果等而得到的知識和見解。
      [0076]使用附圖對上述內(nèi)容進(jìn)行說明。
      [0077]圖3、圖4是示出使用X線衍射裝置的壓電體的C軸取向性的調(diào)查結(jié)果的曲線圖。圖3的(a)、圖4是示出本實施方式的樣品的調(diào)查結(jié)果的曲線圖,圖3的(b)是示出現(xiàn)有結(jié)構(gòu)(專利文獻(xiàn)I)的樣品的調(diào)查結(jié)果的曲線圖。
      [0078]另外,曲線圖的橫軸表示X線相對于樣品的角度,縱軸表示從樣品反射的X線的強度。
      [0079]另外,為了對壓電體直接照射X線,樣品去除了第2電極。
      [0080]該狀態(tài)下的本實施方式的樣品的壓電體的表面粗糙度為Ra = 0.39nm,是良好的。
      [0081]如圖3的(a)所示,關(guān)于本實施方式的樣品,在X線衍射中的Θ-2Θ測定法中,明確表現(xiàn)出曲線圖的峰值(衍射強度的峰值),峰值時的角度(衍射角)為36度(2 Θ)。而且,如圖4所示,關(guān)于本實施方式的樣品,在X線衍射中的ω測定法中,峰值的半值寬度(FffHM)為3.966度,所以,能夠確認(rèn)到C軸取向性良好。
      [0082]另一方面,如圖3的(b)所示,關(guān)于現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的樣品,在Θ-2Θ測定法中,曲線圖的峰值不明確,其結(jié)果,不能說C軸取向性良好。
      [0083]這樣,在振動片I中,由于壓電體13的C軸取向性良好,所以,電場施加時的伸縮性優(yōu)良,能夠通過激勵電極12a、12b、12c實現(xiàn)高效振動,能夠得到優(yōu)良的振動特性。
      [0084]另外,X線衍射裝置中的Θ -2 Θ測定法是如下方法:在固定X線源而僅使樣本臺移動Θ時,使檢測器部移動2 Θ并進(jìn)行掃描,ω測定法是如下方法:固定X線源和檢測器部,僅在布拉格反射角附近(這里為18度附近)對樣本臺進(jìn)行掃描。
      [0085]并且,由于振動片I在第2電極12a2、12b2、12c2的材料中含有與第I電極相同的TiN,所以,與含有其他材料的情況相比,制造容易,能夠提高生產(chǎn)性。
      [0086]而且,由于振動片I在第2電極12a2、12b2、12c2的材料中含有TiN,所以,利用其特性,使Q值與含有其他材料的情況相比更不容易劣化。
      [0087]并且,在振動片I中,由于基材含有Si,所以,利用其特性,例如與石英相比,能夠提高與Q值有關(guān)的潛在性能(例如基材單體中的Q值)(例如能夠使基材單體中的Q值成為石英的10倍左右)。
      [0088]另外,在振動片I中,也可以代替Si而使基材含有石英。由此,在振動片I中,關(guān)于壓電體13的C軸取向性,能夠得到與基材含有Si的情況相同的效果。
      [0089]另外,在振動片I的基材中,也可以使用S1、石英以外的、Q值與S1、石英相同程度的材料。
      [0090](變形例)
      [0091]這里,對第I實施方式的變形例進(jìn)行說明。
      [0092]圖5是示出第I實施方式的變形例的振動片的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5的(a)是平面圖,圖5的(b)是圖5的(a)的A-A線處的剖視圖。另外,對與第I實施方式相同的部分標(biāo)注相同標(biāo)號并省略詳細(xì)說明,以與第I實施方式不同的部分為中心進(jìn)行說明。
      [0093]如圖5所示,變形例的振動片2與第I實施方式相比,激勵電極12a、12b、12c周圍的結(jié)構(gòu)不同。
      [0094]在振動片2中,在振動臂I la、I lb、I Ic的主面1a與激勵電極12a、12b、12c的第I電極12al、12bl、12cl之間設(shè)有含有S12的膜15。
      [0095]例如使用濺射技術(shù)、光刻技術(shù)、蝕刻技術(shù)等,高精度地形成含有S12的膜15。另外,優(yōu)選膜15的厚度為10nm?300nm左右。
      [0096]由此,由于振動片2在振動臂lla、llb、llc的主面1a與第I電極12al、12bl、12cl之間設(shè)有含有S12的膜15,所以,含有S12的膜15作為振動臂lla、llb、llc的溫度特性校正膜發(fā)揮功能。
      [0097]詳細(xì)地說,在振動片2中,利用含有S12的膜15的頻率-溫度特性的斜率對基材為Si的振動臂lla、llb、llc的頻率-溫度特性的斜率進(jìn)行校正(抵消),成為平緩的頻率-溫度特性。
      [0098]由此,振動片2能夠抑制由于溫度變化而引起的頻率的變動,能夠提高頻率-溫度特性。
      [0099]另外,振動片2也可以將含有S12的膜15設(shè)置在振動臂11a、lib、Ilc的與第I電極12al、12bl、12cl側(cè)(主面1a側(cè))相反的一側(cè)的表面(主面10b)。
      [0100]由此,振動片2能夠得到與上述同樣的效果。
      [0101](第2實施方式)
      [0102]接著,對具有上述第I實施方式(包含變形例、以下同樣)所述的振動片的振子進(jìn)行說明。
      [0103]圖6是示出第2實施方式的振子的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。圖6(a)是從蓋(蓋體)側(cè)俯視的平面圖,圖6的(b)是圖6(a)的C-C線處的剖視圖。另外,在平面圖中省略了蓋。并且,省略了各布線。
      [0104]另外,對與上述第I實施方式相同的部分標(biāo)注相同標(biāo)號并省略詳細(xì)說明,以與上述第I實施方式不同的部分為中心進(jìn)行說明。
      [0105]如圖6所示,振子5具有上述第I實施方式所述的振動片I或振動片2中的任意一方(這里為振動片I)以及收納有振動片I的封裝20。
      [0106]封裝20具有平面形狀為大致矩形且具有凹部的封裝底座21、以及覆蓋封裝底座21的凹部的、平面形狀為大致矩形的平板狀的蓋22,該封裝20形成為大致長方體形狀。
      [0107]在封裝底座21中使用對陶瓷生片進(jìn)行成形、層疊并燒制而得到的氧化鋁質(zhì)燒結(jié)體、石英、玻璃、Si等。
      [0108]在蓋22中使用與封裝底座21相同的材料、或可伐合金、42合金等金屬。
      [0109]在封裝底座21中,在內(nèi)底面(凹部的內(nèi)側(cè)底面)23上設(shè)有內(nèi)部端子24、25。
      [0110]內(nèi)部端子24、25在設(shè)于振動片I的基部10的連接電極18a、18b的附近的位置形成為大致矩形狀。連接電極18a、18b通過未圖示的布線而與振動片I的各激勵電極(12b等)的第I電極(12bl等)以及第2電極(12b2等)連接。
      [0111]例如,在圖2的布線中,交流電源的一側(cè)的布線與連接電極18a連接,另一側(cè)的布線與連接電極18b連接。
      [0112]在封裝底座21的外底面(內(nèi)底面23的相反側(cè)的表面、外側(cè)的底面)26上形成有一對外部端子27、28,在安裝到電子設(shè)備等外部部件時使用這一對外部端子27、28。
      [0113]外部端子27、28通過未圖示的內(nèi)部布線而與內(nèi)部端子24、25連接。例如,外部端子27與內(nèi)部端子24連接,外部端子28與內(nèi)部端子25連接。
      [0114]內(nèi)部端子24、25和外部端子27、28由金屬膜構(gòu)成,該金屬膜是通過鍍敷等方法在W、Mo等的金屬化層上層疊N1、Au等的各覆膜而成的。
      [0115]在振子5中,振動片I的基部10的固定部10c、10d借助于環(huán)氧類、硅酮類、聚酰亞胺類等的粘接劑30固定在封裝底座21的內(nèi)底面23上。
      [0116]而且,在振子5中,振動片I的連接電極18a、18b通過Au、Al等的金屬線31而與內(nèi)部端子24、25連接。
      [0117]在振子5中,在振動片I與封裝底座21的內(nèi)部端子24、25連接的狀態(tài)下,封裝底座21的凹部被蓋22覆蓋,封裝底座21和蓋22利用密封環(huán)、低熔點玻璃、粘接劑等接合部件29進(jìn)行接合,由此封裝20的內(nèi)部被氣密密封。
      [0118]封裝20的內(nèi)部成為減壓狀態(tài)(真空度高的狀態(tài))或填充有氮、氦、氬等惰性氣體的狀態(tài)。
      [0119]封裝也可以由平板狀的封裝底座和具有凹部的蓋等構(gòu)成。并且,封裝也可以在封裝底座和蓋的雙方中具有凹部。
      [0120]并且,也可以代替固定部10c、10d,而在固定部10c、10d以外的部分、例如包含連接固定部1c和固定部1d的直線的中心的部分的I個部位固定振動片I的基部10。
      [0121]由此,振動片I通過在I個部位進(jìn)行固定,能夠抑制由于固定部中產(chǎn)生的熱應(yīng)力而引起的基部10的變形。
      [0122]在振子5中,通過經(jīng)由外部端子27、28、內(nèi)部端子24、25、金屬線31、連接電極18a、18b而施加給激勵電極(12b等)的驅(qū)動信號(交變電壓),振動片I的各振動臂(Ilb等)以規(guī)定頻率(作為一例,大約為32.768kHz)在厚度方向(圖6的(b)的箭頭方向)上振蕩(諧振)。
      [0123]如上所述,由于第2實施方式的振子5具有振動片1,所以,能夠提供發(fā)揮上述第I實施方式所記載的效果的振子。
      [0124]另外,在振子5具有變形例的振動片2而代替振動片I的情況下,也能夠提供發(fā)揮與上述相同的效果和振動片2特有的效果的振子。
      [0125](第3實施方式)
      [0126]接著,對具有上述第I實施方式所述的振動片的振蕩器進(jìn)行說明。
      [0127]圖7是示出第3實施方式的振蕩器的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。圖7(a)是從蓋側(cè)俯視的平面圖,圖7的(b)是圖7(a)的C-C線處的剖視圖。另外,在平面圖中省略了蓋和一部分結(jié)構(gòu)要素。并且,省略了各布線。
      [0128]另外,對與上述第I實施方式以及第2實施方式相同的部分標(biāo)注相同標(biāo)號并省略詳細(xì)說明,以與上述第I實施方式以及第2實施方式不同的部分為中心進(jìn)行說明。
      [0129]如圖7所示,振蕩器6具有上述第I實施方式所述的振動片I或振動片2中的任意一方(這里為振動片I)、作為使振動片I振蕩的振蕩電路的IC芯片40、以及收納振動片I和IC芯片40的封裝20。
      [0130]在封裝底座21的內(nèi)底面23設(shè)有內(nèi)部連接端子23a。
      [0131]內(nèi)置有振蕩電路的IC芯片40使用未圖不的粘接劑等固定在封裝底座21的內(nèi)底面23上。
      [0132]IC芯片40的未圖示的連接焊盤通過Au、Al等的金屬線41而與內(nèi)部連接端子23a連接。
      [0133]內(nèi)部連接端子23a由金屬膜構(gòu)成,該金屬膜是通過鍍敷等在W、Mo等的金屬化層上層疊N1、Au等的各覆膜而成的,內(nèi)部連接端子23a經(jīng)由未圖示的內(nèi)部布線而與封裝20的外部端子27、28、內(nèi)部端子24、25等連接。
      [0134]另外,在IC芯片40的連接焊盤與內(nèi)部連接端子23a的連接中,除了基于使用金屬線41的線接合的連接方法以外,也可以使用基于使IC芯片40反轉(zhuǎn)的倒裝片(flip chip)安裝的連接方法等。
      [0135]在振蕩器6中,通過從IC芯片40經(jīng)由內(nèi)部連接端子23a、內(nèi)部端子24、25、金屬線31、連接電極18a、18b施加給激勵電極(12b等)的驅(qū)動信號,振動片I的各振動臂(Ilb等)以規(guī)定頻率(作為一例,大約為32.768kHz)振蕩(諧振)。
      [0136]然后,振蕩器6將伴隨該振蕩而產(chǎn)生的振蕩信號經(jīng)由IC芯片40、內(nèi)部連接端子23a、外部端子27、28等輸出到外部。
      [0137]如上所述,由于第3實施方式的振蕩器6具有振動片I,所以,能夠提供發(fā)揮上述第I實施方式所記載的效果的振蕩器。
      [0138]另外,在振蕩器6具有振動片2而代替振動片I的情況下,也能夠提供發(fā)揮與上述相同的效果和振動片2特有的效果的振蕩器。
      [0139]另外,振蕩器6也可以不將IC芯片40內(nèi)置在封裝20內(nèi),而采用外置結(jié)構(gòu)的模塊構(gòu)造(例如在I個基板上單獨安裝振子和IC芯片的構(gòu)造)。
      [0140](第4實施方式)
      [0141]接著,對具有上述第I實施方式所述的振動片的作為電子設(shè)備的便攜電話進(jìn)行說明。
      [0142]圖8是示出第4實施方式的便攜電話的示意立體圖。
      [0143]圖8所示的便攜電話700具有上述第I實施方式所述的振動片I作為基準(zhǔn)時鐘振蕩源等,還具有液晶顯示裝置701、多個操作按鈕702、受話口 703和送話口 704。另外,便攜電話700也可以具有振動片2而代替振動片I。
      [0144]上述振動片不限于上述便攜電話,還能夠良好地用作電子書、個人計算機(jī)、電視機(jī)、數(shù)字照相機(jī)、攝像機(jī)、錄像機(jī)、導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)、電子記事本、計算器、文字處理器、工作站、視頻電話、POS終端、具有觸摸面板的設(shè)備等的基準(zhǔn)時鐘振蕩源等,在任意情況下,均能夠提供發(fā)揮上述第I實施方式中說明的效果的電子設(shè)備。
      [0145](第5實施方式)
      [0146]接著,對具有上述第I實施方式所述的振動片的作為移動體的汽車進(jìn)行說明。
      [0147]圖9是示出第5實施方式的汽車的示意立體圖。
      [0148]汽車800使用上述第I實施方式所述的振動片I作為例如所搭載的各種電子控制式裝置(例如電子控制式燃料噴射裝置、電子控制式ABS裝置、電子控制式定速行駛裝置等)的基準(zhǔn)時鐘振蕩源等。另外,汽車800也可以具有振動片2而代替振動片I。
      [0149]由此,由于汽車800具有振動片(I或2),所以,能夠發(fā)揮上述第I實施方式中說明的效果,能夠發(fā)揮優(yōu)良的性能。
      [0150]上述振動片不限于上述汽車800,還能夠良好地用作包含自行走式機(jī)器人、自行走式輸送設(shè)備、列車、船舶、飛機(jī)、人造衛(wèi)星等在內(nèi)的移動體的基準(zhǔn)時鐘振蕩源等,在任意情況下,均能夠提供發(fā)揮上述第I實施方式中說明的效果的移動體。
      [0151]另外,在振動片的基材中使用石英的情況下,能夠使用從石英的原石等以規(guī)定角度切出的例如Z切板、X切板等。在使用Z切板的情況下,由于其特性,容易進(jìn)行蝕刻加工。
      [0152]并且,振動片的振動方向不限于Z軸方向(厚度方向),例如,通過將激勵電極設(shè)置在振動臂的側(cè)面(連接主面彼此的表面),也可以設(shè)為X軸方向(沿著主面的方向)(該方向的彎曲振動被稱為面內(nèi)振動)。
      [0153]并且,振動片的振動臂的數(shù)量不限于3條,也可以是I條、2條、4條、5條、η條(η為6以上的自然數(shù))。
      [0154]另外,振動片的基部的厚度也可以是與振動臂相同的厚度。由此,振動片成為平板狀,所以容易制造。
      【權(quán)利要求】
      1.一種振動片,其特征在于,該振動片具有: 基部; 從所述基部延伸的振動臂; 含有TiN且配置在所述振動臂上的第I電極; 配置在所述第I電極的上方的第2電極; 含有AlN且配置在所述第I電極與所述第2電極之間的壓電體;以及 含有S12且配置在所述第I電極與所述壓電體之間的絕緣膜。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振動片,其特征在于, 在所述第2電極的材料中含有TiN。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振動片,其特征在于, 所述基部和所述振動臂含有Si。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的振動片,其特征在于, 在所述振動臂與所述第I電極之間、或所述振動臂的與所述第I電極側(cè)相反的一側(cè)的表面配置有含有S12的膜。
      5.—種振子,其特征在于,該振子具有: 權(quán)利要求1所述的振動片;以及 收納所述振動片的封裝。
      6.—種振蕩器,其特征在于,該振蕩器具有: 權(quán)利要求1所述的振動片;以及 使所述振動片振蕩的振蕩電路。
      7.一種電子設(shè)備,其特征在于,該電子設(shè)備具有權(quán)利要求1所述的振動片。
      8.一種移動體,其特征在于,該移動體具有權(quán)利要求1所述的振動片。
      【文檔編號】H03H9/02GK104300935SQ201410344675
      【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年7月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月19日
      【發(fā)明者】山崎隆, 蝦名昭彥, 田端強詩, 柳澤秀和 申請人:精工愛普生株式會社
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1