專利名稱：振動片、振子以及振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種振動片、具備該振動片的振子、以及具備該振動片的振蕩器。
背景技術(shù)：
一直以來，作為振動片，例如廣泛地應(yīng)用如下這種音叉型壓電振動片(以下，稱為振動片)，即，一對振動臂在相互接近的方向以及相互遠離的方向上以交替的方式進行彎曲振動。使這種振動片進行彎曲振動時的振動能量的損耗，導(dǎo)致CI (晶體阻抗)值(其為振動的難易程度的基準(zhǔn)值，且該值越低越易于振動)的增加和Q值(其為表示振動的狀態(tài)的無因次數(shù)，且該值越大表示振動越穩(wěn)定)的下降，從而成為使性能惡化的原因。作為該振動能量的損耗的一個原因，考慮到了熱傳導(dǎo)。圖4(a)為，振動片的熱傳導(dǎo)的說明圖。如圖4(a)所示，振動片151具有從基部 152起延伸的、相互平行的兩個振動臂153、154。如果在該狀態(tài)下向未圖示的電極施加預(yù)定的電壓，則當(dāng)振動臂153、154處于在相互遠離的方向上的振動狀態(tài)時，在斜線區(qū)域A(振動臂153、巧4的外側(cè)的根部附近)處將作用有壓縮應(yīng)力，而在斜線區(qū)域B(振動臂153、154的內(nèi)側(cè)的根部附近)處將作用有拉伸應(yīng)力。另一方面，當(dāng)振動臂153、巧4處于相互接近的振動狀態(tài)時，在斜線區(qū)域A處將作用有拉伸應(yīng)力，而在斜線區(qū)域B處將作用有壓縮應(yīng)力。此時，在作用有壓縮應(yīng)力的區(qū)域中溫度將上升，而在作用有拉伸應(yīng)力的區(qū)域中溫度將下降。在振動片151中，由于在進行彎曲振動的振動臂153、154的、受到壓縮應(yīng)力的壓縮部和受到拉伸應(yīng)力的拉伸部之間，為了溫度的平衡化而產(chǎn)生的熱量的移動(熱傳導(dǎo))，從而會產(chǎn)生振動能量的損耗。這種由于熱傳導(dǎo)而導(dǎo)致的Q值的下降被稱為熱彈性損耗。一般情況下，根據(jù)在由于溫度差而產(chǎn)生固體的內(nèi)部摩擦的情況下所熟知的、變形與應(yīng)力的關(guān)系式，對熱彈性損耗進行了如下的說明，即，在彎曲振動模式的振動片中，當(dāng)頻率發(fā)生變化時，弛張頻率fm= 1/2π τ (這里τ為弛張時間)的情況下Q值成為極小。通常將該Q值和頻率之間的關(guān)系表示為，如圖4(b)中的曲線F所示。在該圖中， Q值成為極小QO時的頻率為熱弛張頻率f0 ( = 1/2 π τ )。而且，以f/fO = 1為界線，頻率較高的區(qū)域(1 < f/fO)為絕熱區(qū)域，頻率較低的區(qū)域(f/fO < 1)為等溫區(qū)域。圖5為表示現(xiàn)有的振動片的概要結(jié)構(gòu)的模式圖。圖5(a)為俯視圖，圖5 (b)為沿圖5(a)中的C-C線的剖視圖。如圖5所示，振動片100具有音叉臂(以下，稱為振動臂)102和音叉基部(以下， 稱為基部)104，在振動臂102的上下表面上設(shè)置有槽106，在該槽106的側(cè)面上配置有電極110、112。而且，振動片100在振動臂102的側(cè)面上以與電極110、112對置的方式而配置有極性不同的電極114、116(例如，參照專利文獻1)。如圖5(b)所示，在上述專利文獻1中的振動片100中，振動臂102的壓縮部和拉伸部之間的熱傳導(dǎo)路徑由于槽106而在中途被縮窄。其結(jié)果為，振動片100在壓縮部和拉伸部之間的溫度達到平衡狀態(tài)之前的弛張時間τ變長。由此，振動片100在圖4 (b)所示的絕熱區(qū)域中，通過形成槽106，從而在曲線F本身的形狀未發(fā)生變化的條件下，隨著熱弛張頻率f0的下降，從而曲線F向頻率的下降方向移動至曲線Fl的位置。另外，曲線Fl圖示的是在槽106上完全沒有形成電極時的狀態(tài)。其結(jié)果為，如箭頭標(biāo)記a所示，振動片100的Q值升高。但是，當(dāng)振動片100中在槽106上形成有電極110、112時，曲線F將移動至曲線F2 的位置，從而如箭頭標(biāo)記b所示，Q值將下降。作為其原因，認(rèn)為是電極110、112形成了熱傳導(dǎo)路徑的緣故。S卩，如電極材料這種具有導(dǎo)電性的材料的熱傳導(dǎo)率，大于作為振動片100的基材的壓電體、即水晶的熱傳導(dǎo)率。在這種具有導(dǎo)電性的材料中，除了金屬的聲子之外電子也輸送熱量。也就是說，可以認(rèn)為在振動片100中，如圖5(b)中的箭頭標(biāo)記所示，熱傳遞除了通過水晶之外，還通過電極110、112來進行，從而弛張時間τ變短，隨著熱弛張頻率f0的上升，曲線F朝向頻率的上升方向移動至曲線F2處。作為該問題的對策，考慮到如下方法，即，去除槽的底部的電極，從而避免出現(xiàn)由該部分的電極所進行的熱傳導(dǎo)，由此來增加弛張時間τ。但是，隨著振動片的小型化的發(fā)展等，僅通過去除槽的底部的電極，存在對弛張時間τ的改善不充分，從而無法充分地實現(xiàn)Q值的提高的現(xiàn)象。在先技術(shù)文獻專利文獻1 日本特開2005-39767號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述課題中的至少一部分而完成的，其能夠作為以下的形式或應(yīng)用例而實現(xiàn)。應(yīng)用例1本應(yīng)用例所涉及的振動片的特征在于，具有基部；至少一個振動臂，其從所述基部起延伸，所述振動臂的機械性的共振頻率大于熱弛張頻率，所述振動臂具有槽部，所述槽部沿著所述振動臂的長度方向而被形成在相互對置的主面中的至少一個上，并且，所述槽部具有底部；第1側(cè)面部，所述第1側(cè)面部沿著所述振動臂的長度方向形成，并與被開口的所述主面、和所述底部相接；第2側(cè)面部，所述第2側(cè)面部隔著所述底部而與所述第1側(cè)面部對置，并與被開口的所述主面、和所述底部相接，而且，所述槽部具有無電極區(qū)域，所述無電極區(qū)域為，在從所述第1側(cè)面部的所述底部側(cè)的一部分起，包括所述底部在內(nèi)直至所述第2側(cè)面部的所述底部側(cè)的一部分為止的范圍內(nèi)，未設(shè)置電極的區(qū)域。
由此，由于振動片的槽部(與槽的含義相同)具有無電極區(qū)域，從而能夠避免出現(xiàn)由這些部分的電極所進行的熱傳導(dǎo)，其中，所述無電極區(qū)域為，在從第1側(cè)面部的底部側(cè)的一部分起，包括底部在內(nèi)直至第2側(cè)面部的底部側(cè)的一部分為止的范圍內(nèi)，未設(shè)置電極的區(qū)域。其結(jié)果為，振動片與例如僅槽部中的底部的電極被去除的情況相比較，由于在更廣的范圍內(nèi)，彎曲振動時的從壓縮部向拉伸部的熱量的移動變得緩慢，因此能夠使弛張時間τ更長，從而使熱弛張頻率 進一步降低。由于該熱弛張頻率f0的降低，從而在圖4 (b)中，振動片的曲線F向頻率的下降方向移動至曲線Fl的附近，從而能夠在絕熱區(qū)域內(nèi)使Q值提高。應(yīng)用例2在上述應(yīng)用例所涉及的振動片中，優(yōu)選為，所述振動臂具有臂部，其位于所述基部側(cè)；錘頭部，其位于所述臂部的前端側(cè)，且寬度寬于臂部。由此，由于振動片的振動臂具有位于基部側(cè)的臂部、和位于臂部的前端側(cè)且寬度寬于臂部的錘頭部，從而通過由于錘頭部的慣性質(zhì)量的增加而產(chǎn)生的Q值的提高效果，例如能夠在維持Q值的同時將振動臂設(shè)定得較短。因此，振動片能夠在維持Q值的同時實現(xiàn)進一步的小型化。另一方面，當(dāng)振動片具有錘頭部時，例如與無錘頭部時的情況相比，彎曲振動時的變形變得較大(產(chǎn)生的壓縮應(yīng)力、拉伸應(yīng)力較大)。但是，由于振動片能夠在槽部的無電極區(qū)域上避免由電極所進行的熱傳導(dǎo)，因而從壓縮部向拉伸部的熱量的移動變得緩慢，而在具有錘頭部的情況下，能夠進一步有效地抑制熱彈性損耗。應(yīng)用例3在上述應(yīng)用例所涉及的振動片中，優(yōu)選為，具有多個所述振動臂，并以包括多個所述振動臂、和所述基部的方式而構(gòu)成音叉。由此，由于振動片以包括多個振動臂和基部的方式而構(gòu)成音叉，因而能夠提供一種提高了 Q值的音叉型振動片。應(yīng)用例4本應(yīng)用例所涉及的振子的特征在于，具備應(yīng)用例1至應(yīng)用例3中任一例所述的振動片；用于收納所述振動片的封裝件。由此，由于振子具備應(yīng)用例1至應(yīng)用例3中任一例所述的振動片，從而能夠提供一種例如由于Q值的提高而具有優(yōu)異的振動特性的振子。應(yīng)用例5本應(yīng)用例所涉及的振蕩器的特征在于，具備應(yīng)用例1至應(yīng)用例3中任一例所述的振動片；具有使所述振動片進行振蕩的振蕩電路的電路元件；用于收納所述振動片以及所述電路元件的封裝件。由此，由于振蕩器具備應(yīng)用例1至應(yīng)用例3中任一例所述的振動片，從而能夠提供一種例如由于Q值的提高而具有優(yōu)異的振動特性的振蕩器。


圖1為表示第1實施方式中的振動片的概要結(jié)構(gòu)的模式圖，其中，(a)為俯視圖， (b)為(a)的剖視圖。圖2為表示第2實施方式中的振子的概要結(jié)構(gòu)的模式圖，其中，(a)為俯視圖，(b) 為(a)的剖視圖。圖3為表示第 3實施方式中的振蕩器的概要結(jié)構(gòu)的模式圖，其中，(a)為俯視圖， (b)為(a)的剖視圖。圖4中，(a)為振動片的熱傳導(dǎo)的說明圖，(b)為表示振動片的弛張頻率和Q值的極小值之間的關(guān)系的圖。圖5為表示現(xiàn)有的振動片的概要結(jié)構(gòu)的模式圖，其中，(a)為俯視圖，(b)為(a)的剖視圖。符號說明1…作為振動片的水晶振動片；5…作為振子的水晶振子；6…作為振蕩器的水晶振蕩器；10a、10b···主面；11、104、152...基部；12、13、102、153、154…振動臂；12a、12b、13a、13b…側(cè)面；14 …缺口部；15…支承部；16…臂部；17…錘頭部；18…槽部；18a…第1側(cè)面部；18b…第2側(cè)面部；18c…底部；20、21…作為電極的激勵電極；20a、21a…貼裝電極；22、23…連接電極；80…封裝件；81…封裝件基座；82…接縫圈；83…外部連接端子；84…導(dǎo)電性粘合劑；85…蓋體；86…貫穿孔；87…密封材料；88…連接襯墊；91…作為電路元件的IC芯片；
92…金屬導(dǎo)線；100、151 …振動片；106…槽； 110、112、114、116 …電極。
具體實施例方式以下，參照附圖對將本發(fā)明具體化了的實施方式進行說明。第1實施方式圖1為，表示第1實施方式中的振動片的概要結(jié)構(gòu)的模式圖，其中，圖1 (a)為俯視圖，圖1(b)為沿圖1(a)中的D-D線的剖視圖。另外，在圖1(a)中，為了便于說明，在電極部分上畫上了剖面線、陰影，且為了避免雜亂而將電極部分簡化并省略了一部分。如圖1所示，作為振動片的水晶振動片1將從水晶的原礦石等以預(yù)定的角度切割出的晶片狀的水晶基板作為基材，并且其外形形狀通過使用了光刻技術(shù)的濕蝕刻等而形成。水晶振動片1具有基部11 ；從基部11起延伸的、相互大致平行的一對振動臂12、 13;在與振動臂12、13的延伸方向交叉的方向(紙面左右方向)上，從兩側(cè)切割基部11而成的一對缺口部14 ；從基部11起向紙面左右方向突出，并向振動臂12、13 —側(cè)折曲成大致直角，且沿著振動臂12、13延伸的一對支承部15。一對振動臂12、13具有臂部16，其位于基部11側(cè)；錘頭部17，其位于臂部16的前端側(cè)，且寬度寬于臂部16。而且，一對振動臂12、13具有槽部18，該槽部18沿著振動臂12、13的長度方向而被形成在相互對置的主面10a、IOb上，并且使沿著一對振動臂12、13的排列方向(紙面左右方向)所剖開的、振動臂12、13的截面形狀呈大致H字狀。槽部18具有底部18c，其包含最深部；第1側(cè)面部18a，其沿著振動臂12、13的長度方向而形成，并與被開口的主面10a、IOb和底部18c相接；第2側(cè)面部18b，其隔著底部 18c與第1側(cè)面部18a對置，并與被開口的主面10a、10b和底部18c相接。第1側(cè)面部18a以及第2側(cè)面部18b由于水晶的蝕刻各向異性，以隨著從主面10a、 IOb向底部18c的接近而從陡峭的傾斜變成平緩的傾斜的方式，由多個面構(gòu)成。另外，第1側(cè)面部18a以及第2側(cè)面部18b也可以分別由一個面構(gòu)成。而且，雖然在圖1(b)中，以底部18(c)不向第1側(cè)面部18a側(cè)以及第2側(cè)面部18b 側(cè)中的任意一側(cè)傾斜的方式而進行了圖示，但是并不限定于此，也可以向第1側(cè)面部18a側(cè)或者第2側(cè)面部18b側(cè)傾斜。水晶振動片1在一對振動臂12、13的槽部18，主面10a、10b以及一對振動臂12、 13中的相互對置的側(cè)面12a、12b、13a、13b等上，形成有作為電極的激勵電極20、21。這里，對形成于槽部18上的激勵電極20、21進行說明。如圖1(b)所示，槽部18具有無電極區(qū)域，該無電極區(qū)域為，在從第1側(cè)面部18a 的底部18c側(cè)的一部分起，包括底部18c在內(nèi)直至第2側(cè)面部18b的底部18c側(cè)的一部分為止的范圍內(nèi)，未設(shè)置激勵電極20、21的區(qū)域。
換言之，槽部18的激勵電極20、21被形成在第1側(cè)面部18a以及第2側(cè)面部18b 這兩者的主面10a、IOb側(cè)的一部分(從主面10a、IOb起至趨于底部18c的中途為止的范圍 L)上。另外， 槽部18中形成有激勵電極20、21的范圍L是根據(jù)所需的Q值和CI值之間的平衡等而被適當(dāng)?shù)卦O(shè)定的。另外，形成有激勵電極20、21的范圍L在第1側(cè)面部18a和第2側(cè)面部18b上的長度也可以互不相同。另外，激勵電極20、21在槽部18的長度方向上的形成范圍是根據(jù)所需的負載容量靈敏度(頻率和負載容量特性)等的要求規(guī)格而被適當(dāng)?shù)卦O(shè)定的。如圖1所示，水晶振動片1以包含基部11和一對振動臂12、13的方式而構(gòu)成音叉，從而成為作為音叉型振動片的音叉型水晶振動片，并在支承部15的預(yù)定位置處被固定在封裝件等的外部構(gòu)件上。而且，水晶振動片1通過從外部向被形成在一對振動臂12、13上的激勵電極20、 21施加驅(qū)動信號，從而一對振動臂12、13以預(yù)定的共振頻率(例如，32kHz)而在箭頭標(biāo)記 E方向以及箭頭標(biāo)記F方向上交替地進行彎曲振動(共振)。另外，水晶振動片1被設(shè)定為，其機械性的共振頻率f大于熱弛張頻率f0。換言之， 水晶振動片1被設(shè)定為，由熱弛張頻率f0除機械性的共振頻率f所得的值超過1 (1 < f/ f0)。由此，水晶振動片1在絕熱區(qū)域(參照圖4(b))內(nèi)進行彎曲振動。在此，對被形成在一對振動臂12、13等上的激勵電極20、21進行詳細說明。在一對振動臂12、13等上，形成有從外部所施加的驅(qū)動信號的施加電位的極性互不相同的激勵電極20和激勵電極21。由此，激勵電極20和激勵電極21為了不發(fā)生短路而以相互隔開間隔的方式形成。如圖1(b)所示，在振動臂12的槽部18上形成有激勵電極20，而在振動臂12的兩側(cè)面12a、12b上形成有激勵電極21。另外，振動臂12的兩側(cè)面12a、12b上的激勵電極21通過形成在錘頭部17上的連接電極22 (參照圖1(a))而被相互連接。另一方面，在振動臂13的槽部18上形成有激勵電極21，而在振動臂13的兩側(cè)面 13a、13b上形成有激勵電極20。另外，振動臂13的兩側(cè)面13a、13b上的激勵電極20通過形成在錘頭部17上的連接電極23 (參照圖1(a))而被相互連接。而且，振動臂12的槽部18的、主面IOa側(cè)的激勵電極20和主面IOb側(cè)的激勵電極20，通過形成在振動臂13的兩側(cè)面13a、13b上的激勵電極20而被連接在一起。另一方面，振動臂13的槽部18的、主面IOa側(cè)的激勵電極21和主面IOb側(cè)的激勵電極21，通過形成在振動臂12的兩側(cè)面12a、12b上的激勵電極21而被連接在一起。如圖1(a)所示，激勵電極20、21經(jīng)由基部11而被引出至支承部15，且所引出的部分成為，被固定在封裝件等的外部構(gòu)件上時所使用的貼裝電極20a、21a。另外，貼裝電極 20a、21a被形成在主面IOa以及主面IOb的雙方上。在此，對激勵電極20、21的形成方法的概要進行說明。
激勵電極20、21通過如下方式被形成，S卩，Ni、Cr、Au、Ag、Al、Cu等的電極材料，通過蒸鍍、陰極真空噴鍍等的方法而在水晶振動片1的大致整個面上成膜，且涂布感光性的抗蝕劑以覆蓋被成膜的電極材料，通過在使用光刻技術(shù)等而使抗蝕劑根據(jù)所需的電極布線形狀曝光、形成圖案之后，電極材料所露出的不需要部分通過蝕刻(濕蝕刻)而被去除，從而形成所需的電極布線形狀。
因此，上述的槽部18的無電極區(qū)域是通過利用蝕刻去除不需要部分的電極材料而形成的。另外，水晶的熱傳導(dǎo)率為約6. 2 約10. 4ff/(m *k)，作為激勵電極20、21的電極材料的、例如Au的熱傳導(dǎo)率為，約315W/(m *k)，從而Au —方特別大。上述情況也適用于其它的電極材料(附、0等)。如上文所述，第1實施方式中的水晶振動片1的槽部18具有無電極區(qū)域，該無電極區(qū)域為，在從第1側(cè)面部18a的底部18c側(cè)的一部分起，包括底部18c在內(nèi)直至第2側(cè)面部18b的底部18c側(cè)的一部分為止的范圍內(nèi)，未設(shè)置激勵電極20、21的區(qū)域。由此，水晶振動片1能夠避免出現(xiàn)在這些部分(無電極區(qū)域)中的由激勵電極20、 21所進行的熱傳導(dǎo)。其結(jié)果為，水晶振動片1與例如僅槽部18的底部18c的激勵電極20、21被去除的情況相比，由于在更廣的范圍內(nèi)，彎曲振動時的從壓縮部向拉伸部的熱量的移動變得緩慢， 因此能夠使弛張時間τ更長，從而使熱弛張頻率f0進一步降低。由于該熱弛張頻率f0的降低，因而在圖4(b)中，水晶振動片1的曲線F向頻率的下降方向移動至曲線Fl的附近，從而能夠在絕熱區(qū)域內(nèi)提高Q值。而且，由于水晶振動片1的振動臂12、13具有位于基部11側(cè)的臂部16、和位于臂部16的前端側(cè)且寬度寬于臂部16的錘頭部17，從而通過由于錘頭部17的慣性質(zhì)量的增加而產(chǎn)生的Q值的提高效果，例如能夠在維持Q值的同時將振動臂12、13設(shè)定得較短。因此，水晶振動片1能夠在維持Q值的同時實現(xiàn)進一步的小型化。另一方面，當(dāng)水晶振動片1具有錘頭部17時，例如與無錘頭部17的情況相比，彎曲振動時的變形會增大(產(chǎn)生的壓縮應(yīng)力、拉伸應(yīng)力會增大)。但是，由于水晶振動片1在槽部18的無電極區(qū)域上能夠避免由激勵電極20、21所進行的熱傳導(dǎo)，因此從壓縮部向拉伸部的熱量的移動變得緩慢，從而在具有錘頭部17的結(jié)構(gòu)中，能夠進一步有效地抑制熱彈性損耗。而且，由于水晶振動片1以包含一對(兩個)振動臂12、13和基部11的方式而構(gòu)成音叉，從而能夠提供一種獲得提高Q值等的上述效果的音叉型水晶振動片。第2實施方式接下來，作為第2實施方式，對具備上文中所說明的水晶振動片的振子進行說明。圖2為，表示第2實施方式中的振子的概要結(jié)構(gòu)的模式圖，其中，圖2(a)為俯視圖，圖2(b)為沿圖2(a)中的G-G線的剖視圖。另外，為了避免雜亂，省略了水晶振動片的電極。如圖2所示，作為振子的水晶振子5具有第1實施方式中的水晶振動片1、和收納水晶振動片1的封裝件80。封裝件80由封裝件基座81、接縫圈82、蓋體85等構(gòu)成。
封裝件基座81形成有凹部從而能夠收納水晶振動片1，在該凹部中設(shè)置有連接襯墊88，該連接襯墊88與水晶振動片1中的未圖示的貼裝電極20a、21a(參照圖1)相連接。
連接襯墊88被構(gòu)成為，與封裝件基座81內(nèi)的布線相連接，并能夠與設(shè)置在封裝件基座81的外周部的外部連接端子83導(dǎo)通。在封裝件基座81的凹部的周圍設(shè)置有接縫圈82。而且，在封裝件基座81的底部上設(shè)置有貫穿孔86。水晶振動片1通過導(dǎo)電性粘合劑84而被粘結(jié)并固定在封裝件基座81的連接襯墊 88上。而且，封裝件80中的覆蓋封裝件基座81的凹部的蓋體85與接縫圈82被縫焊。在封裝件基座81的貫穿孔86中，填充有由金屬材料等構(gòu)成的密封材料87。該密封材料87在減壓氣體環(huán)境內(nèi)被熔化后凝固，從而以氣密的方式對貫穿孔86進行密封，以使封裝件基座81內(nèi)能夠保持減壓狀態(tài)。水晶振子5通過經(jīng)由外部連接端子83的、來自外部的驅(qū)動信號而激勵水晶振動片 1，從而以預(yù)定的共振頻率(例如，32kHz)進行振蕩(共振)。如上文所述，由于水晶振子5具有水晶振動片1，因而能夠提供一種例如通過Q值的提高而具有優(yōu)異的振動特性的水晶振子。第3實施方式接下來，作為第3實施方式，對具備上文中所說明的水晶振動片的振蕩器進行說明。圖3為，表示第3實施方式中的振蕩器的概要結(jié)構(gòu)的模式圖，其中，圖3(a)為俯視圖，圖3(b)為沿圖3(a)中的H-H線的剖視圖。另外，為了避免雜亂，省略了水晶振動片的電極之類的圖示。作為振蕩器的水晶振蕩器6，采用了在上述水晶振子5的結(jié)構(gòu)中還具備電路元件的結(jié)構(gòu)。另外，關(guān)于與水晶振子5的共通部分，標(biāo)記相同的符號并省略其詳細的說明。如圖3所示，水晶振蕩器6具有第1實施方式中的水晶振動片1 ；作為電路元件的IC芯片91，其具有使水晶振動片1進行振蕩的振蕩電路；封裝件80，其收納水晶振動片 1以及IC芯片91。IC芯片91被固定在封裝件基座81的底部上，并通過Au、Al等的金屬導(dǎo)線92而與其它的布線相連接。水晶振蕩器6通過來自IC芯片91的振蕩電路的驅(qū)動信號而激勵水晶振動片1，從而以預(yù)定的共振頻率(例如，32kHz)進行振蕩(共振)。如上文所述，由于水晶振蕩器6具有水晶振動片1，因而能夠提供一種例如通過Q 值的提高而具有優(yōu)異的振動特性的水晶振蕩器。另外，在上述各個實施方式中，也可以不具備水晶振動片1的支承部15、錘頭部 17。而且，支承部15并不限定于一對，也可以是只有一個。另外，雖然在上述各實施方式中，將槽部18設(shè)置在振動臂12、13的雙方的主面 10a、10b上，但并不限定于此，也可以僅設(shè)置在某一方的主面(IOa或者IOb)上。而且，雖然在上述各實施方式中，將振動臂12、13的數(shù)量設(shè)定為一對(兩個)，但并不限定于此，也可以設(shè)定為一個或者三個以上。
另外，雖然在上述各實施方式中，將振動片設(shè)定為水晶，但并不限定于此，也可以采用如下材料，例如，鉭酸鋰(LiTaO3)、四硼酸鋰(Li2B4O7)、鈮酸鋰(LiNbO3)、鋯鈦酸鉛 (PZT)、氧化鋅(ZnO)、氮化鋁(AlN)等的壓電體，或者以氧化鋅 (ZnO)、氮化鋁(AlN)等的壓電體作為覆膜而具備的硅等。
權(quán)利要求
1.一種振動片，其特征在于，具有基部；至少一個振動臂，其從所述基部起延伸，所述振動臂的機械性的共振頻率大于熱弛張頻率，所述振動臂具有槽部，所述槽部沿著所述振動臂的長度方向而形成在相互對置的主面中的至少一個上，所述槽部具有底部；第1側(cè)面部，所述第1側(cè)面部沿著所述振動臂的長度方向而形成，并與被開口的所述主面、和所述底部相接；第2側(cè)面部，所述第2側(cè)面部隔著所述底部而與所述第1側(cè)面部對置，并與被開口的所述主面、和所述底部相接，所述槽部具有無電極區(qū)域，所述無電極區(qū)域為，在從所述第1側(cè)面部的所述底部側(cè)的一部分起，包括所述底部在內(nèi)直至所述第2側(cè)面部的所述底部側(cè)的一部分為止的范圍內(nèi)， 未設(shè)置電極的區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的振動片，其特征在于，所述振動臂具有臂部，其位于所述基部側(cè)；錘頭部，其位于所述臂部的前端側(cè)，且寬度寬于所述臂部。
3.如權(quán)利要求1或者權(quán)利要求2所述的振動片，其特征在于，具有多個所述振動臂，并以包含多個所述振動臂、和所述基部的方式而構(gòu)成音叉。
4.一種振子，其特征在于，具備權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的振動片；封裝件，其用于收納所述振動片。
5.一種振蕩器，其特征在于，具備權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的振動片；電路元件，其具有使所述振動片進行振蕩的振蕩電路；封裝件，其用于收納所述振動片以及所述電路元件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠提高Q值的振動片、具備該振動片的振子以及振蕩器。水晶振動片(1)具備基部(11)；從基部起延伸的一對振動臂(12、13)，振動臂(12、13)的機械性的共振頻率f大于熱弛張頻率f0，振動臂(12、13)具有沿著振動臂(12、13)的長度方向而形成在相互對置的主面(10a、10b)上的槽部(18)，槽部(18)具有底部(18c)；第1側(cè)面部(18a)，其沿著振動臂(12、13)的長度方向形成，并與主面(10a、10b)和底部(18c)相接；第2側(cè)面部(18b)，其隔著底部(18c)而與第1側(cè)面部(18a)對置，并與主面(10a、10b)和底部(18c)相接，槽部(18)具有無電極區(qū)域，所述無電極區(qū)域為，在從第1側(cè)面部(18a)的底部(18c)側(cè)的一部分起，包括底部(18c)在內(nèi)直至第2側(cè)面部(18b)的底部(18c)側(cè)的一部分為止的范圍內(nèi)，未設(shè)置激勵電極(20、21)的區(qū)域。
文檔編號H03H9/215GK102332889SQ20111019210
公開日2012年1月25日 申請日期2011年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月9日
發(fā)明者山田明法 申請人:精工愛普生株式會社