本發(fā)明涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于LED照明裝置的高頻濾波電路、LED照明裝置。

背景技術(shù)：

LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)照明因具有高光效率、長壽和低成本等優(yōu)點，LED光源在越來越多的場景中被用于替換熒光燈。

在使用熒光燈光源時，電子鎮(zhèn)流器驅(qū)動熒光燈工作的電流波形平滑連續(xù)，這表明電子鎮(zhèn)流器內(nèi)部的半橋諧振電路工作良好。但是現(xiàn)有技術(shù)中在使用LED燈替換熒光燈時，存在電磁干擾、噪聲或輸出負載發(fā)光二極管閃爍等缺陷。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例解決的技術(shù)問題是使得LED光源替換熒光燈時電子鎮(zhèn)流器處于良好的工作狀態(tài)。

為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供一種用于LED照明裝置的高頻濾波電路，所述用于LED照明裝置的高頻濾波電路包括：

電感器件，適于抑制所述LED照明裝置的電子鎮(zhèn)流器輸出電流中的高頻紋波；其第一端耦接于所述LED照明裝置的整流單元，第二端作為所述高頻濾波電路的輸出端；

吸收電路，其第一端耦接于所述整流單元和所述電感器件的連接點，適于在所述整流單元開通時且在所述電感器件開始儲能前儲能。

可選地，所述吸收電路包括第一電阻和第一電容；

所述第一電阻的第一端與所述電感器件的第一端耦接；

所述第一電容的第一端與所述第一電阻的第二端耦接，所述第一電容的第二端適于接地。

可選地，所述電感器件的取值范圍在1毫亨到10毫亨之間；所述第一電阻的取值范圍在100歐姆和3.3千歐姆之間；所述第一電容的取值范圍在100皮法到22納法之間。

可選地，所述吸收電路包括第二電阻、第二電容和第一二極管；

所述第二電阻的第一端與所述電感器件的第一端耦接；

所述第二電容的第一端與所述第二電阻的第二端耦接，所述第二電容的第二端適于接地；

所述第一二極管的陽極與所述第二電容的第一端耦接，所述第一二極管的陰極與所述第二電阻的第一端耦接。

可選地，所述第二電阻的取值范圍在100歐姆和3.3千歐姆之間；所述第二電容的取值范圍在100皮法到22納法之間。

可選地，所述吸收電路包括第三電容和第三電阻；

所述第三電容的第一端與所述電感器件的第一端耦接；

所述第三電阻的第一端與所述第三電容的第二端耦接，所述第三電阻的第二端與所述電感器件的第二端耦接。

可選地，所述第三電阻的取值范圍在100歐姆和3.3千歐姆之間；所述第三電容的取值范圍在100皮法到22納法之間。

本發(fā)明實施例還提供一種LED照明裝置，所述裝置包括前述任一項所述的用于LED照明裝置的高頻濾波電路。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例的有益效果是：通過設(shè)置電感器件和吸收電路，當電子鎮(zhèn)流器輸出的交流電壓大于所述LED照明裝置的整流單元輸出端的電壓時儲存電能，當電子鎮(zhèn)流器輸出的交流電壓減小時，所述電感器件和吸收電路將儲存的能量釋放，從而使所述電子鎮(zhèn)流器的輸出電壓始終大于所述整流單元輸出端的電壓，使得所述整流單元中的二極管始終保持導(dǎo)通狀態(tài)，從而抑制所述電子鎮(zhèn)流器產(chǎn)生高頻紋波電流，保證所述電子鎮(zhèn)流器工作良好，避免產(chǎn)生電磁干擾、噪聲或輸出負載發(fā)光二極管閃爍的后果。

附圖說明

圖1是一種LED光源替換熒光燈時電子鎮(zhèn)流器輸出電流的波形圖；

圖2是本發(fā)明實施例中的一種用于LED照明裝置的高頻濾波電路；

圖3是本發(fā)明實施例中的一種用于LED照明裝置的高頻濾波電路；

圖4是本發(fā)明實施例中的一種用于LED照明裝置的高頻濾波電路；

圖5是本發(fā)明實施例中的一種用于LED照明裝置的高頻濾波電路；

圖6是本發(fā)明實施例中的一種LED光源替換熒光燈時電子鎮(zhèn)流器輸出電流的波形圖；

圖7是本發(fā)明實施例中的一種LED照明裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

如前所述，將LED燈替換熒光燈時，存在電磁干擾、噪聲或者輸出負載發(fā)光二極管閃爍的缺陷。

本申請的發(fā)明人通過研究發(fā)現(xiàn)，上述缺陷的產(chǎn)生可能是由于電子鎮(zhèn)流器輸出電流的問題導(dǎo)致。為此，發(fā)明人檢測了電子鎮(zhèn)流器的輸出電流的波形。

如圖1所示，電子鎮(zhèn)流器輸出的波形中出現(xiàn)不少高頻紋波(具體見圖1虛線框內(nèi))，這是由于電子鎮(zhèn)流器內(nèi)部的漏電感和限流電容產(chǎn)生振蕩，電子鎮(zhèn)流器的輸出電流中出現(xiàn)了高頻次的諧波電流成分，電子鎮(zhèn)流器沒有工作在良好的諧振狀態(tài)。

所述高頻紋波是指電子鎮(zhèn)流器輸出的波形中，頻次相對于電子鎮(zhèn)流器工作良好時的正常電流波形頻次較高的部分。

進一步研究發(fā)現(xiàn)，電子鎮(zhèn)流器輸出的電流波形中之所以出現(xiàn)高次諧波成分，是由于當電子鎮(zhèn)流器的輸出電壓低于LED裝置的濾波控制單元的輸入端電壓時，整流單元中的二極管關(guān)斷造成的。

本發(fā)明實施例通過在LED照明裝置中設(shè)置電感器件和吸收電路，當電子鎮(zhèn)流器輸出的交流電壓大于整流單元輸出端的電壓時的儲存電能，當電子鎮(zhèn)流器輸出的交流電壓減小時，所述電感器件和所述吸收電路將儲存的電能釋放，從而使所述電子鎮(zhèn)流器的輸出電壓始終大于整流單元輸出端的電壓，使得整 流單元的二極管保持導(dǎo)通狀態(tài)，從而抑制所述電子鎮(zhèn)流器產(chǎn)生高頻紋波電流，保證所述電子鎮(zhèn)流器工作良好，以避免產(chǎn)生電磁干擾、噪聲或輸出負載發(fā)光二極管閃爍的后果。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細的說明。

圖2是本發(fā)明實施例中的一種用于LED照明裝置的高頻濾波電路。所述高頻濾波電路可以包括電感器件L和吸收電路31；

所述電感器件L，適于抑制所述LED照明裝置的電子鎮(zhèn)流器1輸出電流中的高頻紋波；其第一端耦接于所述LED照明裝置的整流單元2，第二端作為所述高頻濾波電路的輸出端；

所述吸收電路31，其第一端耦接于所述整流單元2和電感器件L的連接點，適于在所述整流單元2開通時且在所述電感器件L開始儲能前儲能。

所述吸收電路31在所述電感器件L開始儲能前儲能，具體指在整流單元2開通瞬間，所述吸收電路31快速儲能，且提前于所述電感器件L開始儲能。

現(xiàn)有技術(shù)中，當所述電子鎮(zhèn)流器1在驅(qū)動熒光燈工作時，所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流波形平滑干凈，這表明所述電子鎮(zhèn)流器1內(nèi)部的半橋諧振電路工作良好，然而，當熒光燈被LED光源替換時，所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流波形卻出現(xiàn)了高頻紋波，這意味著電子鎮(zhèn)流器1內(nèi)部的半橋諧振電路沒有工作在良好的諧振狀態(tài)，所述電子鎮(zhèn)流器1的這種輸出電流會導(dǎo)致電磁干擾、噪聲或者輸出負載發(fā)光二極管的閃爍。

本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有技術(shù)中所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流波形中出現(xiàn)高頻紋波，是因為要使所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的高頻交流轉(zhuǎn)換為直流需加入整流單元2，然而當電子鎮(zhèn)流器1的輸出電壓低于整流單元2的輸出電壓時，所述整流單元2中的二極管會關(guān)斷，在所述整流單元2的二極管從關(guān)斷狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時，所述電子鎮(zhèn)流器1內(nèi)部的漏電感和限流電容產(chǎn)生振蕩，從而使所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流波形中出現(xiàn)高頻紋波。

本發(fā)明實施例通過設(shè)置電感器件L和吸收電路31，抑制所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流波形中出現(xiàn)的高頻紋波。

下面對如何通過電感器件L和吸收電路31，實現(xiàn)抑制所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流波形中出現(xiàn)的高頻紋波進行詳細的說明。

具體實施中，所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的交流電流周期性變大或變小，當所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流增大時，所述高頻濾波電路3中的所述電感器件L使得電子鎮(zhèn)流器1輸出電流中的基波電流成分容易通過，并同時在電感器件L中儲存磁能，而基于電感感抗的頻率特征，高頻成分電流被電感器件L阻擋。

具體實施中，所述第一電容C1和所述第一電阻R1組成的吸收電路31相對于高頻成分電流為低阻抗，被電感器件L阻擋下來的高頻成分電流流入所述吸收電路31并轉(zhuǎn)化為電勢能。

在具體實施中，所述吸收電路較所述電感器件L而言，能在所述整流單元2開通瞬間快速地儲存部分能量，以避免所述高頻濾波電路3輸入端的電壓過高而產(chǎn)生尖峰電壓，從而避免所述整流單元2輸入端和輸出端的電壓為負電壓差導(dǎo)致關(guān)斷。

上述所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流增大時，所述電感器件L和所述吸收電路31儲能的過程中，整流單元2輸入端的電壓大于整流單元2輸出端的電壓。

在具體實施中，當所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流減小時，所述電感器件L開始釋放能量并轉(zhuǎn)換為電流流向濾波及控制單元4，所述吸收電路31儲存的能量也釋放并產(chǎn)生電流，所述吸收電路31釋放的電流不會流向所述整流單元2而是流經(jīng)電感器件L再流向所述濾波及控制單元4，在上述釋放能量的過程中，當所述整流單元2輸出的電流小于所述吸收電路31釋放能量產(chǎn)生的電流時，所述高頻濾波電路3輸入端的電壓開始下降，對于所述整流單元2而言，其輸出端的電壓跟隨電子鎮(zhèn)流器1的輸出電壓下降，使得所述整流單元2輸入端電壓大于所述整流單元2輸出端的電壓，從而使所述整流單元2不會出現(xiàn)關(guān)斷狀態(tài)。

綜上，無論所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電路增大或是減小，所述整流單元2中的二極管都不會出現(xiàn)關(guān)斷，從而避免整流單元2中的二極管從關(guān)斷狀態(tài)變?yōu)? 導(dǎo)通狀態(tài)時，所述電子鎮(zhèn)流器1內(nèi)部的漏電感和限流電容產(chǎn)生振蕩，也就抑制了所述電子鎮(zhèn)流器1的輸出電流中的高頻紋波。

圖3是本發(fā)明實施例中的一種用于LED照明裝置的高頻濾波電路。所述高頻濾波電路3可以包括電感器件L和吸收電路31；

所述電感器件L，適于抑制所述LED照明裝置的電子鎮(zhèn)流器1輸出電流中的高頻紋波；其第一端耦接于所述LED照明裝置的整流單元2，第二端作為所述高頻濾波電路的輸出端；

所述吸收電路31，其第一端耦接于所述整流單元2和電感器件L的連接點，適于在所述整流單元2開通時所述電感器件L開始儲能前儲能。

所述吸收電路31在所述電感器件L開始儲能前儲能，具體指在整流單元2開通瞬間，所述吸收電路31快速儲能，且提前于所述電感器件L開始儲能。

在具體實施中，所述吸收電路31可以包括第一電阻R1和第一電容C1；

所述第一電阻R1的第一端與所述電感器件L的第一端耦接；

所述第一電容C1的第一端與所述第一電阻R1的第二端耦接，所述第一電容C1的第二端適于接地。

在具體實施中，所述電感器件L的取值范圍在1毫亨到10毫亨之間；所述第一電阻R1的取值范圍在100歐姆和3.3千歐姆之間；所述第一電容C1的取值范圍在100皮法到22納法之間。

具體實施中，所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的交流電流周期性變大或變小，當所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流增大時，所述高頻濾波電路3中的所述電感器件L使得電子鎮(zhèn)流器1輸出電流中的基波電流成分容易通過，并同時在電感器件L中儲存磁能，而基于電感感抗的頻率特征，高頻成分電流被電感器件L阻擋。

具體實施中，所述第一電容C1和所述第一電阻R1組成的吸收電路31相對于高頻成分電流為低阻抗，被電感器件L阻擋下來的高頻成分電流流入所述吸收電路31并轉(zhuǎn)化為電勢能。

在具體實施中，所述第一電容C1較所述電感器件L而言，能在所述整流 單元2開通瞬間快速的儲存部分能量，以避免所述高頻濾波電路3輸入端的電壓因過高而產(chǎn)生尖峰電壓，從而避免所述整流單元2輸入端和輸出端的電壓為負電壓差而產(chǎn)生關(guān)斷。

上述所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流增大時，所述電感器件L和所述吸收電路31儲能的過程中，整流單元2輸入端的電壓大于整流單元2輸出端的電壓。

在具體實施中，當所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流減小時，所述電感器件L開始釋放能量并轉(zhuǎn)換為電流流向濾波及控制單元4，所述第一電容C1儲存的能量也釋放并產(chǎn)生電流，所述第一電容C1釋放的電流不會流向所述整流單元2而是流經(jīng)電感器件L再流向所述濾波及控制單元4，在上述釋放能量的過程中，當所述整流單元2輸出的電流小于所述第一電容釋放能量產(chǎn)生的電流時，所述高頻濾波電路3輸入端的電壓開始下降，對于所述整流單元2而言，其輸出端的電壓跟隨電子鎮(zhèn)流器1的輸出電壓下降，使得所述整流單元2輸入端的電壓大于所述整流單元2輸出端的電壓，所述整流單元2不會出現(xiàn)關(guān)斷狀態(tài)。

綜上，無論所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電路增大或是減小，所述整流單元2中的二極管都不會出現(xiàn)關(guān)斷，從而避免整流單元2中的二極管從關(guān)斷狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時，所述電子鎮(zhèn)流器1內(nèi)部的漏電感和限流電容產(chǎn)生振蕩，也就抑制了所述電子鎮(zhèn)流器1的輸出電流中的高頻紋波。

在具體實施中，所述第一電阻R1適于擴展所述高頻濾波電路3的帶寬，從而使所述高頻濾波電路3的頻率區(qū)間覆蓋所述電子鎮(zhèn)流器1輸出電流中的高頻紋波的頻率區(qū)間，與此同時，所述第一電阻R1還適于控制第一電容C1的充電時間。

圖4是本發(fā)明實施例中的一種用于LED照明裝置的高頻濾波電路。所述高頻濾波電路3可以包括電感器件L和吸收電路31；

所述電感器件L，適于抑制所述LED照明裝置的電子鎮(zhèn)流器1輸出電流中的高頻紋波；其第一端耦接于所述LED照明裝置的整流單元2，第二端作為所述高頻濾波電路3的輸出端；

所述吸收電路31，其第一端耦接于所述整流單元2和電感器件L的連接點，適于在所述整流單元2開通時所述電感器件L開始儲能前儲能。

所述吸收電路31在所述電感器件L開始儲能前儲能，具體指在整流單元2開通瞬間，所述吸收電路31快速儲能，且提前于所述電感器件L開始儲能。

在具體實施中，所述吸收電路31可以包括第二電阻R2、第二電容C2和第一二極管D1；

所述第二電阻R2的第一端與所述電感器件L的第一端耦接；

所述第二電容C2的第一端與所述第二電阻R2的第二端耦接，所述第二電容C2的第二端適于接地；

所述第一二極管D1的陽極與所述第二電容C2的第一端耦接，所述第一二極管D1的陰極與所述第二電阻R2的第一端耦接。

在具體實施中，所述電感器件L的取值范圍在1毫亨到10毫亨之間；所述第二電阻R2的取值范圍在100歐姆和3.3千歐姆之間；所述第二電容C2的取值范圍在100皮法到22納法之間。

具體實施中，所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的交流電流周期性變大或變小，當所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流增大時，所述高頻濾波電路3中的所述電感器件L使得電子鎮(zhèn)流器1輸出電流中的基波電流成分容易通過，并同時在電感器件L中儲存磁能，而基于電感感抗的頻率特征，高頻成分電流被電感器件L阻擋。

具體實施中，所述第二電容C2和所述第二電阻R2組成的吸收電路31相對于高頻成分電流為低阻抗，被電感器件L阻擋下來的高頻成分電流流入所述吸收電路31并轉(zhuǎn)化為電勢能。

在具體實施中，所述第二電容C2較所述電感器件L而言，能在所述整流單元2開通瞬間快速儲存部分能量，避免所述高頻濾波電路3輸入端的電壓因過高而產(chǎn)生尖峰電壓，從而避免所述整流單元2輸入端和輸出端的電壓為負電壓差產(chǎn)生關(guān)斷。

上述所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流增大時，所述電感器件L和所述吸收 電路31儲能的過程中，整流單元2輸入端的電壓大于整流單元2輸出端的電壓。

在具體實施中，當所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流減小時，所述電感器件L開始釋放能量并轉(zhuǎn)換為電流流向濾波及控制單元4，所述第二電容C2儲存的能量也釋放并產(chǎn)生電流，所述第二電容C2釋放的電流不會流向所述整流單元2而是流經(jīng)電感器件L再流向所述濾波及控制單元4，在上述釋放能量的過程中，當所述整流單元2輸出的電流小于所述第二電容C2釋放能量產(chǎn)生的電流時，所述高頻濾波電路3輸入端的電壓開始下降，對于所述整流單元2而言，其輸出端的電壓跟隨電子鎮(zhèn)流器1的輸出電壓下降，使得所述整流單元2輸入端和輸出端的電壓差大于零，即為正電壓差，所述整流單元2不會出現(xiàn)關(guān)斷狀態(tài)。

綜上，無論所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電路增大或是減小，所述整流單元2中的二極管都不會出現(xiàn)關(guān)斷，從而避免整流單元2中的二極管從關(guān)斷狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時，所述電子鎮(zhèn)流器1內(nèi)部的漏電感和限流電容產(chǎn)生振蕩，也就抑制了所述電子鎮(zhèn)流器1的輸出電流中的高頻紋波。

在具體實施中，所述第二電阻R2適于擴展所述高頻濾波電路3的帶寬，從而使所述高頻濾波電路3的頻率區(qū)間覆蓋所述電子鎮(zhèn)流器1輸出電流中的高頻紋波的頻率區(qū)間。并且，所述第二電阻R2還適于控制所述第二電容C2的充電時間。

在具體實施中，所述第一二極管D1使得所述第二電容C2放電時的電流不流經(jīng)第二電阻R2，所述第二電容C2放電電流流經(jīng)第一二極管從而降低了所述高頻濾波電路的功耗。

圖5是本發(fā)明實施例中的一種用于LED照明裝置的高頻濾波電路。所述高頻濾波電路3可以包括電感器件L和吸收電路31；

所述電感器件L，適于抑制所述LED照明裝置的電子鎮(zhèn)流器1輸出電流中的高頻紋波；其第一端耦接于所述LED照明裝置的整流單元2，第二端作為所述高頻濾波電路的輸出端；

所述吸收電路31，其第一端耦接于所述整流單元2和所述電感器件L的 連接點，適于在所述整流單元2開通時且在所述電感器件開始儲能前儲能。

所述吸收電路31在所述電感器件L開始儲能前儲能，具體指在整流單元2開通瞬間，所述吸收電路31快速儲能，且提前于所述電感器件L開始儲能。

在具體實施中，所述吸收電路31可以包括：第三電容C3和第三電阻R3；

所述第三電容C3的第一端與所述電感器件L的第一端耦接；

所述第三電阻R3的第一端與所述第三電容C3的第二端耦接，所述第三電阻R3的第二端與所述電感器件L的第二端耦接。

在具體實施中，所述電感器件L的取值范圍在1毫亨到10毫亨之間；所述第三電阻R3的取值范圍在100歐姆和3.3千歐姆之間；所述第三電容C3的取值范圍在100皮法到22納法之間。

具體實施中，所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的交流電流周期性變大或變小，當所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流增大時，所述高頻濾波電路3中的所述電感器件L使得電子鎮(zhèn)流器1輸出電流中的基波電流成分容易通過，并同時在電感器件L中儲存磁能，而基于電感感抗的頻率特征，高頻成分電流被電感器件L阻擋。

具體實施中，所述第三電容C3和所述第三電阻R3組成的吸收電路31相對于高頻成分電流為低阻抗，被電感器件L阻擋下來的高頻成分電流流入所述吸收電路31并轉(zhuǎn)化為電勢能。

在具體實施中，所述第三電容C3較所述電感器件L而言，能在所述電子鎮(zhèn)流器1輸出電流增高時快速的儲存部分能量，以使所述高頻濾波電路3輸入端的電壓不會過高，避免所述整流單元2輸入端和輸出端的電壓為負電壓差從而關(guān)斷。

上述所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流增大時，所述電感器件L和所述吸收電路31儲能的過程，整流單元2輸入端的電壓大于整流單元2輸出端的電壓。

在具體實施中，當所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電流減小時，所述電感器件L開始釋放能量并轉(zhuǎn)換為電流流向濾波及控制單元4，所述第三電容C3儲存的能量也釋放并產(chǎn)生電流，所述第三電容C3釋放的電流不會流向所述整流單元 2而是流經(jīng)電感器件L再流向所述濾波及控制單元4，在上述釋放能量的過程中，當所述整流單元2輸出的電流小于所述第三電容C3釋放能量產(chǎn)生的電流時，所述高頻濾波電路3輸入端的電壓開始下降，對于所述整流單元2而言，其輸出端的電壓跟隨電子鎮(zhèn)流器1的輸出電壓下降，使得所述整流單元2輸入端和輸出端的電壓差大于零，即為正電壓差，所述整流單元2不會出現(xiàn)關(guān)斷狀態(tài)。

綜上，無論所述電子鎮(zhèn)流器1輸出的電路增大或是減小，所述整流單元2中的二極管都不會出現(xiàn)關(guān)斷，從而避免整流單元2中的二極管從關(guān)斷狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時，所述電子鎮(zhèn)流器1內(nèi)部的漏電感和限流電容產(chǎn)生振蕩，也就抑制了所述電子鎮(zhèn)流器1的輸出電流中的高頻紋波。

在具體實施中，所述第三電阻R3適于擴展所述高頻濾波電路3的帶寬，從而使所述高頻濾波電路3的頻率區(qū)間覆蓋所述電子鎮(zhèn)流器1輸出電流中的高頻紋波的頻率區(qū)間。并且，所述第三電阻R3還適于控制所述第三電容C3的充電時間。

圖6是本發(fā)明實施例中的一種LED光源替換熒光燈時電子鎮(zhèn)流器輸出電流的波形圖。

如圖6所示，電子鎮(zhèn)流器輸出的電流波形比較平滑，相比圖2中的波形，圖6中的波形沒有出現(xiàn)圖2中虛線框中高頻紋波。

本發(fā)明實施例通過設(shè)置電感器件和吸收電路，抑制電子鎮(zhèn)流器輸出的電流中的高頻成分，使得電子鎮(zhèn)流器輸出的電流波形比較平滑，從而表明所述電子鎮(zhèn)流器工作在良好的狀態(tài)，也就不會出現(xiàn)電磁干擾、噪聲或者輸出負載二極管的閃爍。

圖7是本發(fā)明實施例中的一種LED照明裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。所述LED照明裝置70可以包括：電子鎮(zhèn)流器701、整流單元702、高頻濾波電路703和LED負載704。

本發(fā)明實施例中的所述高頻濾波電路703采用了圖2至圖5中任一所述的高頻濾波電路，抑制電子鎮(zhèn)流器701輸出電流中的高頻紋波，使所述電子鎮(zhèn)流器701工作在良好的狀態(tài)，避免出現(xiàn)電磁干擾、噪聲或者輸出負載二極 管閃爍。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以權(quán)利要求所限定的范圍為準。