本發(fā)明涉及陶瓷布線基板、電子電路模塊以及電子電路模塊的制造方法。特別是，涉及在側面露出有接地用圖案導體的陶瓷布線基板和使用了該陶瓷布線基板的電子電路模塊及其制造方法。
背景技術：
：陶瓷布線基板具備陶瓷絕緣體層、與陶瓷布線基板的主表面正交地形成的過孔導體和與陶瓷布線基板的主表面平行地形成的圖案導體、形成在陶瓷布線基板的兩個主表面的電極。圖案導體中包括接地用圖案導體，該接地用圖案導體在將電子部件連接到陶瓷布線基板并埋設于表面設置有導電性膜的埋設層而作為電子電路模塊時，與導電性膜和接地用電極連接，成為用于使電磁波噪聲流至接地用電極的路徑。在日本特開2006-332255號公報(專利文獻1)中提出了使用這種陶瓷布線基板的電子電路模塊的一個例子。圖14是專利文獻1記載的電子電路模塊300的剖視圖。用于電子電路模塊300的陶瓷布線基板301具備陶瓷絕緣體層、包括信號用圖案導體302和接地用圖案導體303的圖案導體PC。信號用圖案導體302設置在陶瓷布線基板301的上表面以及層疊層之間，并且具有設置在陶瓷布線基板301的下表面的多個端子部302a。端子部302a通過未圖示的過孔導體等與設置在陶瓷布線基板301的上表面以及層疊層之間的信號用圖案導體302連接。此外，接地用圖案導體303設置在陶瓷布線基板301的層疊層之間以及下表面，并且具有設置在陶瓷布線基板301的下表面的端子部303a。端子部303a通過未圖示的過孔導體等與設置在層疊層之間的接地用圖案導體303連接。進而，位于層疊層之間的接地用圖案導體303成為露出在陶瓷布線基板301的彼此相向的側面的狀態(tài)。為了形成所需的電子電路，電子部件304被搭載到陶瓷布線基板301的上表面。埋設層305覆蓋整個電子部件304，以埋設電子部件304的狀態(tài)設置在陶瓷布線基板301的上表面。埋設層305形成為其側面與陶瓷布線基板301的側面構成同一平面。導電性膜306設置在埋設層305的外表面和至少包括露出有接地用圖案導體303的位置的陶瓷布線基板301的側面。在具備上述結構的電子電路模塊300中，具有由導電性膜306實現(xiàn)的對電磁波噪聲的屏蔽效果高并且接地用圖案導體303與導電性膜306的連接良好的優(yōu)點?？墒?，具備上述結構的電子電路模塊300以陶瓷布線基板301為集合基板的狀態(tài)進行制造。即，在將電子部件304搭載到集合基板、形成集合狀態(tài)的埋設層305、形成用于使接地用圖案導體303露出的狹縫部、以及形成集合狀態(tài)的導電性膜306之后，切割集合基板而得到電子電路模塊300。在此，通常通過使用劃片機來切割集合狀態(tài)的埋設層305進而在處于其下方的集合基板形成使接地用圖案導體303露出且不到達下表面的切痕，從而形成狹縫部。在上述的方法中，存在集合狀態(tài)的埋設層305的切屑覆蓋接地用圖案導體303的露出位置，從而使導電性膜306與接地用圖案導體303的連接不充分的危險。為了避免上述問題，可考慮在對上述的集合基板形成切痕時限于不會露出接地用圖案導體303的程度，然后通過使用了比用于形成切痕的刀薄的刀的劃片機來切割集合基板。在該情況下，在集合基板的切割后形成導電性膜306。此外，還可考慮應用例如日本特開2012-84746號公報(專利文獻2)記載的方法，通過在利用激光器、金剛石刀在集合基板形成刻劃線之后對形成有刻劃線的位置施加應力而使其斷裂，從而進行集合基板的切割。在先技術文獻專利文獻[專利文獻1]日本特開2006-332255號公報[專利文獻2]日本特開2012-84746號公報以下，對發(fā)明人為完成本發(fā)明而研究的內(nèi)容進行說明。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在利用劃片機來切割集合基板時，有時接地用圖案導體303會被劃片機的刀扯斷。在該情況下，存在接地用圖案導體303的端部不能充分地露出在陶瓷布線基板301的側面，從而與導電性膜306的連接不充分的危險。此外，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，即使在集合基板形成刻劃線之后使其斷裂的方法中，接地用圖案導體303的斷裂位置也會存在偏差。即，已知接地用圖案導體303的端部既有從陶瓷布線基板301的側面突出較多的，相反也有在側面未充分露出的。在該情況下，也存在與導電性膜306的連接不充分的危險?？烧J為上述現(xiàn)象的原因在于，接地用圖案導體303是例如Cu粉末的燒結體，且充分燒結為能夠視為一塊金屬板的程度。即，接地用圖案導體303富于延展性，因此在用劃片機進行切割時，接地用圖案導體303會由于刀的移動而在稍微延展之后被扯斷，使得陶瓷布線基板301的側面的內(nèi)側成為斷裂位置。此外，在集合基板形成刻劃線之后使其斷裂時，陶瓷絕緣體層會沿著刻劃線斷裂，但是也可認為接地用圖案導體303會由于施加應力而在稍微延展后被扯斷，使得陶瓷布線基板301的側面的內(nèi)側成為斷裂位置。因此，接地用圖案導體303的端部既有從陶瓷布線基板301的側面突出較多的，相反也有在側面未充分露出的。技術實現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的課題因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種接地用導體圖案的端部處于充分接近陶瓷布線基板的側面的位置而能夠與屏蔽用的導電體膜可靠地連接的陶瓷布線基板、以及使用了該陶瓷布線基板的電子電路模塊及其制造方法。用于解決課題的技術方案本發(fā)明的發(fā)明人重復進行了專心研究，結果發(fā)現(xiàn)能夠通過有意地降低陶瓷布線基板的側面附近的接地用導體圖案的延展性來解決上述的課題，從而最終完成了本發(fā)明。即，在本發(fā)明中，謀求對陶瓷布線基板的側面處的接地用導體圖案的露出狀態(tài)的改良，作為其結果，謀求改良導電性膜與接地用圖案導體的連接。首先，本發(fā)明面向陶瓷布線基板。本發(fā)明涉及的陶瓷布線基板具備陶瓷絕緣體層、接地用圖案導體、設置在一個主表面的連接用連接盤、設置在另一個主表面并與接地用圖案導體連接的接地用電極。接地用圖案導體包含金屬和陶瓷絕緣體層所包含的金屬元素中的至少一種的氧化物。并且，具備形成在陶瓷布線基板的內(nèi)部的圖案主要部和一端部與圖案主要部連接且另一端部露出在陶瓷布線基板的側面的引出部。而且，引出部的金屬含有率比圖案主要部的金屬含有率低。在上述的陶瓷布線基板中，因為引出部的金屬含有率低，所以引出部的延展性降低。因此，不會產(chǎn)生前述的問題，在制造陶瓷布線基板時通過切割集合狀態(tài)的引出部而形成的另一端部位于充分接近陶瓷布線基板的側面的位置。其結果是，在制造電子電路模塊時引出部的另一端部與屏蔽用的導電性膜可靠地連接，能夠充分提高對電磁波噪聲的屏蔽效果。另外，陶瓷布線基板的側面是指連接一個主表面與另一個主表面的面，其可以是曲面，此外也可以具有臺階。此外，接地用圖案導體包含陶瓷絕緣體層所包含的金屬元素中的至少一種的氧化物。因此，與陶瓷絕緣體層的接合性好，可有效地抑制接地用圖案導體與陶瓷絕緣體層的剝離(分層)。本發(fā)明涉及的陶瓷布線基板優(yōu)選具備以下特征。即，引出部的金屬含有率為30體積％以上60體積％以下，圖案主要部的金屬含有率為80體積％以上。在上述的陶瓷布線基板中，可靠地降低了引出部的延展性，引出部的另一端部成為充分接近陶瓷布線基板的側面的位置。其結果是，在制造電子電路模塊時引出部的另一端部可與屏蔽用的導電體膜更可靠地連接，能夠可靠地提高對電磁波噪聲的屏蔽效果。在本發(fā)明涉及的陶瓷布線基板及其優(yōu)選的實施方式中，可以將圖案主要部和引出部形成在同一面上，或者也可以形成在不同的面上并且通過過孔導體進行連接。在上述的任一種情況下，都能夠得到前述的效果。本發(fā)明涉及的陶瓷布線基板及其優(yōu)選的各種實施方式優(yōu)選具備以下特征。即，引出部的另一端部距陶瓷布線基板的側面的距離的絕對值為10μm以下。在上述的陶瓷布線基板中，接地用導體圖案的另一端部與陶瓷布線基板的側面的距離的絕對值為10μm以下，成為充分接近的位置。其結果是，能夠可靠地得到前述的效果。此外，本發(fā)明還面向電子電路模塊。本發(fā)明涉及的電子電路模塊具備陶瓷布線基板、電子部件、埋設層和導電性膜。陶瓷布線基板是本發(fā)明涉及的陶瓷布線基板。電子部件與設置在陶瓷布線基板的一個主表面的連接用連接盤連接。埋設層設置在陶瓷布線基板的一個主表面且埋設電子部件。而且，導電性膜形成在包括埋設層的外表面和陶瓷布線基板的側面的至少一部分的區(qū)域上，并且與接地用圖案導體的引出部的另一端部連接。在上述的電子電路模塊中，因為使用了本發(fā)明涉及的陶瓷布線基板，所以引出部的另一端部處于充分接近陶瓷布線基板的側面的位置，與屏蔽用的導電性膜可靠地連接。其結果是，對電磁波噪聲的屏蔽效果變得充分高。進而，本發(fā)明還面向電子電路模塊的制造方法。本發(fā)明涉及的電子電路模塊的制造方法是具備陶瓷布線基板、電子部件、埋設層、導電性膜的電子電路模塊的制造方法。而且，具備以下的第一至第十一工序。第一工序是制作生片的工序，該生片包含陶瓷布線基板所具備的陶瓷絕緣體層的原料粉末。第二工序是在生片中的至少一片形成集合狀態(tài)的燒成前接地用圖案導體的工序。集合狀態(tài)的燒成前接地用圖案導體包含金屬和陶瓷絕緣體層所包含的金屬元素中的至少一種的氧化物。而且，具備燒成前圖案主要部和燒成前引出部，所述燒成前引出部的一端部與燒成前圖案主要部連接，具有比燒成前圖案主要部的金屬含有率低的金屬含有率。第三工序是在生片中的至少一片形成貫通生片的燒成前過孔導體的工序。第四工序是將包括形成有集合狀態(tài)的燒成前接地用圖案導體的生片和形成有燒成前過孔導體的生片在內(nèi)的生片進行層疊而制作層疊體的工序。層疊體具備燒成前陶瓷絕緣體層、集合狀態(tài)的燒成前接地用圖案導體、燒成前過孔導體。第五工序是在層疊體的一個主表面形成燒成前連接用連接盤并在層疊體的另一個主表面形成燒成前接地用電極而作為集合狀態(tài)的燒成前陶瓷布線基板的工序。第六工序是對集合狀態(tài)的燒成前陶瓷布線基板進行燒成而作為集合狀態(tài)的陶瓷布線基板的工序。集合狀態(tài)的陶瓷布線基板具備陶瓷絕緣體層、集合狀態(tài)的接地用圖案導體、連接用連接盤以及接地用電極，所述集合狀態(tài)的接地用圖案導體具備圖案主要部和一端部與所述圖案主要部連接的引出部，所述連接用連接盤設置在一個主表面，接地用電極設置在另一個主表面并與接地用圖案導體連接。第七工序是將電子部件連接到在陶瓷布線基板的一個主表面設置的連接用連接盤的工序。第八工序是在陶瓷布線基板的一個主表面形成集合狀態(tài)的埋設層而使得埋設電子部件的工序。第九工序是切割集合狀態(tài)的埋設層并且在集合狀態(tài)的陶瓷布線基板的一個主表面形成切痕的工序，該切痕具有不使集合狀態(tài)的接地用圖案導體露出的深度。第十工序是對形成有切痕的集合狀態(tài)的陶瓷布線基板進行切割而使得接地用圖案導體的引出部的另一端部露出，從而得到具備陶瓷布線基板、電子部件、埋設層的單片的工序。第十一工序是在包括單片的埋設層的外表面和陶瓷布線基板的側面的至少一部分的區(qū)域上形成導電性膜并使得導電性膜與接地用圖案導體的引出部的另一端部連接的工序。上述的電子電路模塊的制造方法具備上述的第一工序至第十一工序。即，因為有意地降低了引出部的金屬含有率，所以能夠降低引出部的延展性。因此，不會產(chǎn)生前述的問題，通過切割集合狀態(tài)的引出部而形成的引出部的另一端部成為充分接近陶瓷布線基板的側面的位置，進而引出部的另一端部可與屏蔽用的導電性膜可靠地連接。其結果是，能夠可靠且容易地得到對電磁波噪聲的屏蔽效果充分高的電子電路模塊。本發(fā)明涉及的電子電路模塊的制造方法優(yōu)選具備以下特征。即，在第二工序中，使用第一電極膏來形成燒成前圖案主要部，所述第一電極膏構成為，將Cu粉末的體積作為分母并將陶瓷絕緣體層所包含的金屬元素中的至少一種的氧化物粉末的體積作為分子時的比率為0/100以上20/80以下。而且，使用由Cu粉末構成的第二電極膏來形成燒成前引出部，該Cu粉末被Al2O3覆蓋，使得將Cu的重量作為分母并將Al2O3的重量作為分子時的比率為4/96以上6/94以下?；蛘?，使用第三電極膏來形成燒成前引出部，所述第三電極膏構成為，將Cu粉末的體積作為分母并將陶瓷絕緣體層所包含的金屬元素中的至少一種的氧化物粉末的體積作為分子時的比率為10/90以上20/80以下，該Cu粉末被Al2O3覆蓋，使得將Cu的重量作為分母并將Al2O3的重量作為分子時的比率為1/99以上3/97以下。上述的電子電路模塊的制造方法能夠可靠地降低引出部的延展性。因此，通過切割集合狀態(tài)的引出部而形成的引出部的另一端部成為充分接近陶瓷布線基板的側面的位置，進而引出部可與屏蔽用的導電體膜更可靠地連接。其結果是，能夠更可靠且更容易地得到對電磁波噪聲的屏蔽效果充分高的電子電路模塊。本發(fā)明涉及的電子電路模塊的制造方法優(yōu)選具備以下特征。即，在第二工序中，使用前述的第一電極膏來形成燒成前圖案主要部。此外，使用包含CuAl合金粉末的第四電極膏來形成燒成前引出部，在所述CuAl合金粉末中，將Cu的重量作為分母并將Al的重量作為分子時的比率為2/98以上5/95以下。在將用于形成燒成前引出部的電極膏的導電體粉末設為CuAl合金的情況下，因為與Cu相比Al在燒成中更容易氧化，所以成為導電體粉末的表面被薄的Al2O3層覆蓋的形態(tài)。因此，能夠降低導電體粉末的燒結性。即，上述的電子電路模塊的制造方法也能夠可靠地降低引出部的延展性。因此，通過切割集合狀態(tài)的引出部而形成的引出部的另一端部成為充分接近陶瓷布線基板的側面的位置，進而引出部的另一端部可與屏蔽用的導電體膜更可靠地連接。其結果是，能夠更可靠且更容易地得到對電磁波噪聲的屏蔽效果充分高的電子電路模塊。在本發(fā)明涉及的電子電路模塊的制造方法及其優(yōu)選的實施方式中，可以在集合狀態(tài)的陶瓷布線基板的另一個主表面的與形成在一個主表面的切痕相向的位置形成刻劃線，對形成有刻劃線的位置施加應力而使刻劃線延伸至切痕，由此進行第十工序。此外，也可以形成寬度比集合狀態(tài)的陶瓷布線基板的一個主表面上的切痕的寬度窄的切痕，并使得該窄的切痕從形成在集合狀態(tài)的陶瓷布線基板的切痕的底部到達另一個主表面，由此進行第十工序。在上述的任一種情況下，都能得到前述的效果。發(fā)明效果在本發(fā)明涉及的陶瓷布線基板中，因為引出部的金屬含有率低，所以引出部的延展性降低。因此，在制造陶瓷布線基板時通過切割引出部而形成的引出部的另一端部成為充分接近陶瓷布線基板的側面的位置。其結果是，在制造電子電路模塊時接地用導體圖案的另一端部與屏蔽用的導電體膜可靠地連接，能夠充分提高對電磁波噪聲的屏蔽效果。此外，在本發(fā)明涉及的電子電路模塊中，因為使用了本發(fā)明涉及的陶瓷布線基板，所以引出部的另一端部處于充分接近陶瓷布線基板的側面的位置，與屏蔽用的導電體膜可靠地連接。其結果是，對電磁波噪聲的屏蔽效果變得充分高。進而，在本發(fā)明涉及的電子電路模塊的制造方法中，因為有意地降低了引出部的金屬含有率，所以能夠降低引出部的延展性。因此，通過切割集合狀態(tài)的引出部而形成的引出部的另一端部成為充分接近陶瓷布線基板的側面的位置，進而，引出部的另一端部可與屏蔽用的導電體膜可靠地連接。其結果是，能夠可靠且容易地得到對電磁波噪聲的屏蔽效果充分高的電子電路模塊。附圖說明圖1是示意性地示出作為本發(fā)明涉及的陶瓷布線基板的第一實施方式的陶瓷布線基板1的剖面的圖。圖2是本發(fā)明涉及的陶瓷布線基板中的接地用導體圖案的圖案主要部和引出部的SEM觀察照片(附圖標記與圖1所示的陶瓷布線基板1對應)。圖3是示意性地示出作為本發(fā)明涉及的陶瓷布線基板的第二實施方式的陶瓷布線基板1A的剖面的圖。圖4是將作為本發(fā)明涉及的電子電路模塊的第一實施方式的電子電路模塊100的剖面、以及接地用圖案導體GP和導電性膜6的連接部分進行放大而示意性地示出的圖。圖5是用于說明圖4所示的電子電路模塊100的制造方法的一個例子的圖，是示意性地示出第一工序(生片制作工序)至第六工序(燒成工序)的圖。圖6是用于在圖5之后繼續(xù)說明圖4所示的電子電路模塊100的制造方法的一個例子的圖，是示意性地示出第七工序(電子部件連接工序)至第九工序(切痕形成工序)的圖。圖7是用于在圖6之后繼續(xù)說明圖4所示的電子電路模塊100的制造方法的一個例子的圖，是示意性地示出第十工序(切割工序)至第十一工序(導電性膜形成工序)的圖。圖8是示意性地示出作為本發(fā)明涉及的電子電路模塊的第二實施方式的電子電路模塊100A的剖面的圖。圖9是用于以圖5至7為基準說明圖8所示的電子電路模塊100A的制造方法的一個例子的圖，是示意性地示出第九工序(切痕形成工序)至第十一工序(導電性膜形成工序)的圖。圖10是示意性地示出為了評價本發(fā)明涉及的電子電路模塊的各種特性而簡化結構進行制作的評價試驗用電子電路模塊200的剖面的圖。圖11是示意性地示出測定圖10所示的評價試驗用電子電路模塊200中的接地用圖案導體GP的引出部LP距陶瓷布線基板1T的側面的距離(電極凹凸量a)的方法的圖。圖12是示意性地示出測定圖10所示的評價試驗用電子電路模塊200中的接地用圖案導體GP的圖案主要部MP的電極厚度t的方法的圖。圖13是示意性地示出評價圖10所示的評價試驗用電子電路模塊200中的接地用圖案導體GP與導電性膜6的連接性的方法的圖。圖14是示意性地示出
背景技術：
的電子電路模塊300的剖面的圖。圖中：100-電子電路模塊，1-陶瓷布線基板，2、3、4-電子部件，5-埋設層，6-導電性膜，C-陶瓷電介質(zhì)層，PC-圖案導體，VC-過孔導體，GP-接地用圖案導體，MP-圖案主要部，LP-引出部。具體實施方式以下示出本發(fā)明的實施方式，更詳細地說明作為本發(fā)明的特征的地方。-陶瓷布線基板的第一實施方式-使用圖1對作為本發(fā)明涉及的陶瓷布線基板的第一實施方式的陶瓷布線基板1進行說明。陶瓷布線基板1用作布線基板，該布線基板用于連接包括IC芯片等有源部件和電容器等無源部件的電子部件，并對它們彼此進行布線而使其模塊化。<<陶瓷布線基板的結構>>圖1是示意性地示出陶瓷布線基板1的剖面的圖。陶瓷布線基板1具備陶瓷絕緣體層C、包括圖案導體PC和過孔導體VC的內(nèi)部導體、設置在一個主表面1F的連接用連接盤L1至L9、設置在另一個主表面1S的接地用電極GE1、GE2和信號用電極SE1、SE2。圖案導體PC包括與接地用電極GE1、GE2連接的接地用圖案導體GP。接地用圖案導體GP包含金屬和陶瓷絕緣體層C所包含的金屬元素中的至少一種的氧化物，并具備圖案主要部MP和引出部LP。圖案主要部MP形成在陶瓷布線基板的內(nèi)部，引出部LP的一端部LP1在同一面上與圖案主要部MP連接，另一端部LP2露出在陶瓷布線基板1的側面1P。而且，引出部LP的金屬含有率比圖案主要部MP的金屬含有率低。像后述的那樣，陶瓷絕緣體層C例如包含作為Ba-Al-Si-Mn類氧化物的陶瓷材料。內(nèi)部導體例如可使用Cu來形成。連接用連接盤L1至L9以及接地用電極GE1、GE2和信號用電極SE1、SE2例如可使用Cu來形成。此外，也可以用包含Ni和Sn等的鍍層來覆蓋Cu層的外表面。作為圖案導體PC的金屬，例如可使用Cu。另外，在圖1中，在陶瓷布線基板1的內(nèi)部標注了虛線，這表示陶瓷布線基板1是將陶瓷生片進行層疊并進行燒結而成的，并不表示實際的陶瓷布線基板1中存在這樣的界面。圖2是陶瓷布線基板1中的接地用圖案導體GP的圖案主要部MP和引出部LP的SEM觀察照片。圖案主要部MP充分燒結為可視為一塊金屬板的程度，該部分富于延展性。另一方面，引出部LP包含的陶瓷絕緣體層C所包含的金屬元素中的至少一種的氧化物比圖案主要部MP多。即，引出部LP的金屬含有率比圖案主要部MP的金屬含有率低。因此，引出部的延展性降低。其結果是，在制造陶瓷布線基板1時通過切割集合狀態(tài)的接地用圖案導體GP而形成的引出部LP的另一端部LP2成為充分接近陶瓷布線基板1的側面1P的位置。具體地，能夠使引出部LP的另一端部LP2距陶瓷布線基板1的側面1P的距離的絕對值為10μm以下。另外，在接地用圖案導體GP中，引出部LP的金屬含有率優(yōu)選為30體積％以上60體積％以下，圖案主要部MP的金屬含有率優(yōu)選為80體積％以上。此外，接地用圖案導體GP所包含的氧化物優(yōu)選與構成陶瓷絕緣體層C的氧化物為相同的氧化物，即，所謂的同質(zhì)地。在該情況下，因為接地用圖案導體GP與陶瓷絕緣體層C的接合性好，所以可有效地抑制接地用圖案導體GP與陶瓷絕緣體層C的剝離(分層)。-陶瓷布線基板的第二實施方式-使用圖3對作為本發(fā)明涉及的陶瓷布線基板的第二實施方式的陶瓷布線基板1A進行說明。陶瓷布線基板1A與陶瓷布線基板1同樣地使用。<<陶瓷布線基板的結構>>圖3是示意性地示出陶瓷布線基板1A的剖面的圖。在陶瓷布線基板1中，引出部LP的一端部LP1在同一面上與圖案主要部MP連接。另一方面，陶瓷布線基板1A與陶瓷布線基板1的不同在于，圖案主要部MP與引出部LP形成在不同的面上，并且圖案主要部MP與引出部LP的一端部LP1通過過孔導體VC進行連接。除此以外的構成要素是與陶瓷布線基板1通用的，因此省略說明。在該陶瓷布線基板1A中，引出部的延展性也降低，因此引出部LP的另一端部LP2成為充分接近陶瓷布線基板1A的側面1P的位置。-電子電路模塊的第一實施方式-使用圖4對作為本發(fā)明涉及的電子電路模塊的第一實施方式的電子電路模塊100進行說明。<<電子電路模塊的結構>>圖4(A)是示意性地示出電子電路模塊100的剖面的圖。圖4(B)是在用包含圖4(A)所示的A-A線的面(用單點劃線圖示)將電子電路模塊100剖開的箭頭所示方向的剖視圖中將陶瓷布線基板1的接地用圖案導體GP和導電性膜6的連接部分放大而示意性地示出的圖。電子電路模塊100具備陶瓷布線基板1、電子部件2至4、埋設層5、導電性膜6。陶瓷布線基板1是本發(fā)明涉及的陶瓷布線基板。電子部件2的外部電極2E1至2E4使用焊料S分別與設置在陶瓷布線基板1的一個主表面1F的對應的連接用連接盤L1至L4連接。電子部件3的外部電極3E1和3E2同樣地分別與對應的連接用連接盤L5至L6連接。電子部件4的外部電極4E1至4E3同樣地分別與對應的連接用連接盤L7至L9連接。埋設層5設置在陶瓷布線基板1的一個主表面1F且埋設電子部件2至4。導電性膜6形成在包含埋設層5的外表面即上表面和與上表面相連的側面、以及陶瓷布線基板1的側面1P的至少一部分的區(qū)域上。而且，如圖4(B)的放大圖所示，導電性膜6與接地用圖案導體GP的引出部LP的另一端部LP2連接。引出部LP的一端部LP1與圖案主要部MP連接，如圖4(A)所示，該圖案主要部經(jīng)由圖案導體PC和過孔導體VC與接地用電極GE1、GE2連接。因此，導電性膜6與接地用電極GE1、GE2連接，對電磁波噪聲進行屏蔽。如前所述，電子電路模塊100所具備的陶瓷布線基板1是本發(fā)明涉及的陶瓷布線基板。因此，接地用圖案導體GP的另一端部LP2處于充分接近陶瓷布線基板1的側面1P的位置，與屏蔽用的導電性膜6可靠地連接。其結果是，對電磁波噪聲的屏蔽效果變得充分高。<<電子電路模塊的制造方法>>使用圖5至7對圖4所示的電子電路模塊100的制造方法的一個例子進行說明。<第一工序(生片制作工序)>第一工序是制作生片GS的工序，該生片GS包含陶瓷布線基板1所具備的陶瓷絕緣體層C的原料粉末。圖5(A)是示意性地示出通過第一工序準備的生片GS的圖。另外，虛線表示成為一個電子電路模塊100的區(qū)域。<第二工序(燒成前接地用圖案導體形成工序)>第二工序是在生片中的至少一片形成集合狀態(tài)的燒成前接地用圖案導體GGP的工序。此外，在該工序中還形成燒成前圖案導體GPC。集合狀態(tài)的燒成前接地用圖案導體GGP具備燒成前圖案主要部GMP和一端部與燒成前圖案主要部GMP連接的集合狀態(tài)的燒成前引出部GLP。在該實施例中，在一個集合狀態(tài)的燒成前引出部GLP的兩端配置有兩個燒成前圖案主要部GMP。集合狀態(tài)的燒成前接地用圖案導體GGP包含金屬和陶瓷絕緣體層C所包含的金屬元素中的至少一種的氧化物。集合狀態(tài)的燒成前引出部GLP形成為具有比燒成前圖案主要部GMP的金屬含有率低的金屬含有率。在第二工序中，優(yōu)選使用第一電極膏來形成燒成前圖案主要部GMP，所述第一電極膏構成為，將Cu粉末的體積作為分母并將陶瓷絕緣體層C所包含的金屬元素中的至少一種的氧化物粉末的體積作為分子時的比率為0/100以上20/80以下。此外，優(yōu)選使用由Cu粉末構成的第二電極膏來形成集合狀態(tài)的燒成前引出部GLP，該Cu粉末被Al2O3覆蓋，使得將Cu的重量作為分母并將Al2O3的重量作為分子時的比率為4/96以上6/94以下?；蛘?，還優(yōu)選使用第三電極膏來形成集合狀態(tài)的燒成前引出部GLP，所述第三電極膏構成為，將Cu粉末的體積作為分母并將陶瓷絕緣體層所包含的金屬元素中的至少一種的氧化物粉末的體積作為分子時的比率為10/90以上20/80以下，該Cu粉末被Al2O3覆蓋，使得將Cu的重量作為分母并將Al2O3的重量作為分子時的比率為1/99以上3/97以下。進而作為其它方法，在第二工序中，優(yōu)選使用前述的第一電極膏來形成燒成前圖案主要部GMP，使用包含CuAl合金粉末的第四電極膏來形成集合狀態(tài)的燒成前引出部GLP，在所述CuAl合金粉末中，將Cu的重量作為分母并將Al的重量作為分子時的比率為2/98以上5/95以下。<第三工序(燒成前過孔導體形成工序)>第三工序是在生片GS中的至少一片形成貫通生片GS的燒成前過孔導體GVC的工序。圖5(B)是示意性地示出通過第二工序和第三工序形成有集合狀態(tài)的燒成前接地用圖案導體GGP、燒成前圖案導體GPC、以及燒成前過孔導體GVC的生片GS的圖。<第四工序(層疊體制作工序)>第四工序是將形成有集合狀態(tài)的燒成前接地用圖案導體GGP、燒成前圖案導體GPC、以及燒成前過孔導體GVC的生片GS進行層疊而制作層疊體1LB的工序。圖5(C)是示意性地示出通過第四工序制作的層疊體1LB的圖。另外，也可以在第四工序中制作層疊體1LB，使其包含未形成各導體的生片GS。層疊體1LB具備燒成前陶瓷絕緣體層GC、集合狀態(tài)的燒成前接地用圖案導體GGP、燒成前圖案導體GPC、燒成前過孔導體GVC。<第五工序(燒成前陶瓷布線基板制作工序)>第五工序是在層疊體1LB的一個主表面形成燒成前連接用連接盤GL并在層疊體的另一個主表面形成燒成前接地用電極GGE和燒成前信號用電極GSE而作為集合狀態(tài)的燒成前陶瓷布線基板1GM的工序。圖5(D)是示意性地示出通過第五工序制作的集合狀態(tài)的燒成前陶瓷布線基板1GM的圖。<第六工序(燒成工序)>第六工序是對集合狀態(tài)的燒成前陶瓷布線基板1GM進行燒成而作為集合狀態(tài)的陶瓷布線基板1M的工序。圖5(E)是示意性地示出通過第六工序制作的集合狀態(tài)的陶瓷布線基板1M的圖。集合狀態(tài)的陶瓷布線基板1M具備陶瓷絕緣體層C、集合狀態(tài)的接地用圖案導體MGP、圖案導體PC、過孔導體VC、設置在一個主表面的連接用連接盤L1至L9、設置在另一個主表面且與集合狀態(tài)的接地用圖案導體MGP連接的接地用電極GE1、GE2和信號用電極SE1、SE2。<第七工序(電子部件連接工序)>第七工序是將電子部件2至4連接到設置在集合狀態(tài)的陶瓷布線基板1M的一個主表面的連接用連接盤L1至L9的工序。圖6(A)是示意性地示出通過第七工序連接有電子部件2至4的集合狀態(tài)的陶瓷布線基板1M的圖。電子部件2的外部電極2E1至2E4使用焊料S分別與對應的連接用連接盤L1至L4連接。電子部件3的外部電極3E1和3E2同樣地分別與對應的連接用連接盤L5至L6連接。電子部件4的外部電極4E1至4E3同樣地分別與對應的連接用連接盤L7至L9連接。<第八工序(埋設層形成工序)>第八工序是在集合狀態(tài)的陶瓷布線基板1M的一個主表面形成集合狀態(tài)的埋設層5M而使得埋設電子部件2至4的工序。圖6(B)是示意性地示出通過第八工序在一個主表面形成有集合狀態(tài)的埋設層5M而使得埋設電子部件2至4的集合狀態(tài)的陶瓷布線基板1M的圖。<第九工序(切痕形成工序)>第九工序是切割集合狀態(tài)的埋設層5M并且在集合狀態(tài)的陶瓷布線基板1M的一個主表面形成切痕T的工序，該切痕T具有不使集合狀態(tài)的接地用圖案導體MGP露出的深度。圖6(C)是示意性地示出通過第九工序使形成在一個主表面的集合狀態(tài)的埋設層5M成為單片化的埋設層5且形成有切痕T的集合狀態(tài)的陶瓷布線基板1M的圖。例如能夠使用劃片機來切割集合狀態(tài)的埋設層5M以及形成切痕T。<第十工序(切割工序)>第十工序是對形成有切痕T的集合狀態(tài)的陶瓷布線基板1M進行切割而使得接地用圖案導體GP的引出部LP的另一端部LP2露出，從而得到具備陶瓷布線基板1、電子部件2至4、埋設層5的單片(piece)的工序。作為切割方法的一個例子，可舉出通過對形成有刻劃線的位置施加應力而使刻劃線延伸至切痕，從而使集合狀態(tài)的陶瓷布線基板1M斷裂的方法。圖7(A)是示意性地示出在集合狀態(tài)的陶瓷布線基板1M的另一個主表面的與在第九工序中形成在一個主表面的切痕相向的位置形成有刻劃線SL的狀態(tài)的圖。此外，圖7(B)是示意性地示出通過對形成有刻劃線SL的位置施加應力而使刻劃線SL延伸至切痕，從而使集合狀態(tài)的陶瓷布線基板1M斷裂的狀態(tài)的圖。<第十一工序(導電性膜形成工序)>第十一工序是在單片的埋設層5的外表面和包括陶瓷布線基板1的側面1P的至少一部分的區(qū)域上形成導電性膜6而使得導電性膜6與接地用圖案導體GP的引出部LP的另一端部LP2連接的工序。圖7(C)是示意性地示出在通過第十工序得到的單片的上述位置形成導電性膜6而得到本發(fā)明涉及的電子電路模塊100的狀態(tài)的圖。通過具備以上說明的第一至第十一工序的制造方法，能夠可靠且容易地得到對電磁波噪聲的屏蔽效果充分高的電子電路模塊。-電子電路模塊的第二實施方式-使用圖8對作為本發(fā)明涉及的電子電路模塊的第二實施方式的電子電路模塊100A進行說明。<<電子電路模塊的結構>>圖8是示意性地示出電子電路模塊100A的剖面的圖。電子電路模塊100A的基本結構與電子電路模塊100相同。電子電路模塊100的制造方法如前所述地采用了作為第十工序(切割工序)而形成刻劃線的方法。另一方面，電子電路模塊100A的制造方法中的第十工序與電子電路模塊100的制造方法不同。以下對該制造方法進行說明。<<電子電路模塊的制造方法>>如上所述，電子電路模塊100A的制造方法只有第十工序與電子電路模塊100的制造方法不同。因此，省略第一至第九工序以及第十一工序的說明，只對第十工序進行說明。<第十工序(切割工序)>電子電路模塊100A的制造方法代替作為第十工序而形成刻劃線的方法采用了形成其它切痕的方法。圖9(A)是示意性地示出與電子電路模塊100的制造方法同樣地通過第九工序使形成在一個主表面的集合狀態(tài)的埋設層5M成為單片化的埋設層5且形成有切痕T的集合狀態(tài)的陶瓷布線基板1M的圖。圖9(B)是示意性地示出通過第十工序形成有寬度比集合狀態(tài)的陶瓷布線基板1M的一個主表面的切痕的寬度窄的切痕并使得該切痕從形成在集合狀態(tài)的陶瓷布線基板1M的切痕T的底部到達另一個主表面的狀態(tài)的圖。能夠使用具有寬度比在前面用于形成切痕的劃片機的刀的寬度窄的刀的劃片機來形成寬度比該集合狀態(tài)的陶瓷布線基板1M的一個主表面的切痕的寬度窄的切痕。在該情況下，不會在陶瓷布線基板1的另一個主表面留下刻劃線的痕跡。圖9(C)是示意性地示出與電子電路模塊100的制造方法同樣地通過第十一工序在通過第十工序得到的單片形成導電性膜6而得到本發(fā)明涉及的電子電路模塊100A的狀態(tài)的圖。通過以上說明的制造方法也能夠可靠且容易地得到對電磁波噪聲的屏蔽效果充分高的電子電路模塊。-實驗例-接著，基于實驗例對本發(fā)明進行更具體的說明。這些實驗例是用于提供規(guī)定本發(fā)明涉及的陶瓷布線基板、電子電路模塊、以及電子電路模塊的制造方法的優(yōu)選的條件的依據(jù)的實驗例。在以下的實驗例中，為了評價本發(fā)明涉及的電子電路模塊的各種特性，制作圖10(A)、(B)所示的具備以陶瓷布線基板1為基準簡化了結構的陶瓷布線基板1T、埋設層5、導電性膜6的評價試驗用電子電路模塊200，并進行了各種實驗。圖10(B)是用包含圖10(A)所示的B-B線的面(用單點劃線圖示)將評價試驗用電子電路模塊200剖開的箭頭所示方向的剖視圖。另外，陶瓷布線基板1T的各要素的尺寸如圖10(A)、(B)所示。為了容易進行后述的接地用圖案導體GP(引出部LP)與導電性膜6的連接性的評價，該評價試驗用電子電路模塊200具備兩個接地用圖案導體GP，它們分別與導電性膜6連接。以下對該制造方法、實驗方法及其結果進行說明。<生片的制作>稱量起始原料粉末，使得成為表1的組成比，在進行濕式混合粉碎之后，進行干燥而得到混合物。對得到的混合物進行熱處理而得到陶瓷絕緣體的生片用的原料粉末。添加有機粘合劑、分散劑以及可塑劑，進行混合粉碎而得到陶瓷漿料。接著，通過刮片法將陶瓷漿料呈片狀成型在基材膜上并使其干燥，從而得到調(diào)整了厚度的生片，使得燒成后的厚度為所需的厚度。[表1]絕緣體原料粉末SiO2Al2O3BaCO3ZrO2TiO2Mg(OH)2MnCO3重量比/10055.012.026.00.52.00.54.0<導體膏的制作>調(diào)配起始原料，使得成為所需的組成比，用三輥研磨機進行分散處理。作為原料，使用了表2至表4所示的Cu粉末、氧化物粉末、有機賦形劑(organicvehicle)。其結果是，得到了金屬與氧化物具有各種體積比的導體膏。在表5至表7示出通過上述方式得到的導體膏。導體膏大致可分為金屬含有率高的導體膏(HP1～HP10)和金屬含有率低的導體膏(LP-C-1～LP-C-25、LP-A-1～LP-A-4)。[表2]*：表示是本發(fā)明的范圍之外。[表3][表4][表5]＊：表示是本發(fā)明的范圍之外。[表6]*：表示是本發(fā)明的范圍之外。[表7]*：表示是本發(fā)明的范圍之外。<在生片印刷導體膏>將通過上述方式得到的導體膏印刷在生片。印刷通過絲網(wǎng)印刷法進行。此時，制作了將通過上述方式得到的各導體膏對接地用圖案導體GP的整個面進行印刷的生片和用表8所示的組合的導體膏分別對成為圖案主要部MP的位置和成為引出部LP的位置進行印刷的生片。[表8]*：表示是本發(fā)明的范圍之外。<生片的過孔導體的形成>在生片的規(guī)定的位置在生片的厚度方向上照射激光，從而形成貫通生片的過孔。然后，在形成的過孔中填充將Cu作為導電體的導體膏，使用熱風干燥機以80℃進行5分鐘的干燥，由此得到形成有燒成前過孔導體的生片。<生片的層疊、壓接>將規(guī)定的片數(shù)的印刷有成為接地用圖案導體GP的導體膏的生片和形成有燒成前過孔導體的生片進行層疊，以溫度在60℃以上80℃以下的范圍且壓力在1000kg/cm2以上1500kg/cm2以下的范圍的條件進行熱壓接，從而得到層疊體。<燒成前接地用電極的形成>在層疊體的下表面利用將Cu作為導電體的導體膏形成燒成前接地用電極，從而得到燒成前陶瓷布線基板。<燒成前陶瓷布線基板的燒成>將燒成前陶瓷布線基板以包括除去有機粘合劑的脫脂工序的燒成條件進行燒成，由此得到集合狀態(tài)的陶瓷布線基板。<埋設層的形成>在該評價試驗用電子電路模塊200中，為了簡化結構而未連接電子部件。因此，只是在集合狀態(tài)的陶瓷布線基板的一個主表面形成了集合狀態(tài)的埋設層。埋設層是絕緣性的樹脂材料或在絕緣性的樹脂材料中作為填充料而分散有例如玻璃材料、硅石等的材料。另外，也可以是不包含填充料的單一的絕緣性的樹脂材料。<埋設層的切割和陶瓷布線基板的切痕的形成>切割以上形成的集合狀態(tài)的埋設層，并且在集合狀態(tài)的陶瓷布線基板的一個主表面形成切痕，使該切痕具有不使集合狀態(tài)的接地用圖案導體露出的深度。<集合狀態(tài)的陶瓷布線基板的切割>利用金剛石刀等在集合狀態(tài)的陶瓷布線基板的另一個主表面形成刻劃線。然后，對形成有刻劃線的位置施加應力，使刻劃線延伸至上述的切痕，由此使集合狀態(tài)的陶瓷布線基板斷裂而進行單片化。由此，接地用圖案導體GP的引出部LP的另一端部LP2露出。<導電性膜的形成>在包括埋設層5的外表面和陶瓷布線基板1T的側面的至少一部分的區(qū)域上形成導電性膜6，并使得導電性膜6與接地用圖案導體GP的引出部LP的另一端部LP2連接。導電性膜6優(yōu)選使用選自濺射、鍍敷、蒸鍍以及CVD的至少一種方法來形成。另外，導電性膜6也可以使用在樹脂母材中分散有金屬填充料的導電性樹脂膜。由此，接地用電極GE1與導電性膜6經(jīng)由接地用圖案導體GP和過孔導體VC進行連接。對像上述那樣得到的各評價試驗用電子電路模塊200評價了接地用圖案導體厚度(以下，稱為電極厚度t)、引出部的另一端部距陶瓷布線基板的側面的距離的絕對值(以下，稱為電極凹凸量a)、接地用導體圖案的各部分的金屬含有率(以下，稱為金屬部分覆蓋率)、以及接地用圖案導體GP(引出部LP)與導電性膜6的連接性(以下，稱為連接電阻值)。電極厚度t用圖11所示的方法進行測定。首先，對評價試驗用電子電路模塊200的剖面進行拋光，利用WDX(波長色散型X射線分析裝置)進行元素分布分析，從而對接地用圖案導體GP所包含的元素的高濃度區(qū)域進行二值化。由此，明示了金屬部分。然后，對明示的金屬部分進行測定。求出接地用圖案導體GP的引出部LP與露出在陶瓷布線基板1T的側面的陶瓷絕緣體層C的界面CP1、CP2，引出連接兩者的直線L。從剖面拋光后的陶瓷布線基板1T的側面向陶瓷布線基板1T的內(nèi)部方向引出直線VSL，使得直線VSL與該直線L正交。接著，以10μm的間隔從直線VSL引出與直線VSL正交的20條直線VL1至VL20，分別求出從直線VSL至與圖案主要部MP的上表面的交點的距離X1至X20和直線VSL至與圖案主要部MP的下表面的交點的距離Y1至Y20。然后，將距離X1至X20中的最大值Xmax與距離Y1至Y20中的最小值Ymin之差作為電極厚度t。此外，將被通過最大值Xmax且與直線VSL平行的直線、和通過最小值Ymin且與直線VSL平行的直線、直線VL1、直線VL20包圍的區(qū)域規(guī)定為圖案主要部MP。以上對圖案主要部MP的測定方法進行了說明，對于引出部LP也用同樣的測定方法進行了測定。此外，整個面由同種導體膏形成的接地用圖案導體GP也用同樣的測定方法進行了測定。金屬部分覆蓋率用以下方法進行測定。將檢測出金屬的面積相對于在測定電極厚度t時定義的圖案主要部MP和引出部LP的面積的比率(百分率)作為金屬部分覆蓋率。此外，整個面由同種導體膏形成的接地用圖案導體也用同樣的測定方法進行測定。電極凹凸量a用圖12所示的方法進行測定。與電極厚度t的測定同樣地，求出接地用圖案導體GP的引出部LP與露出在陶瓷布線基板1T的側面的陶瓷絕緣體層C的界面CP1、CP2，引出連接兩者的直線L。將該直線L與引出部LP的最頂端的距離作為電極凹凸量a。即，無論是在引出部LP如圖12所示地從陶瓷布線基板1T的側面突出的情況下，還是在引出部LP處于陶瓷布線基板1T的側面的內(nèi)部的情況下，電極凹凸量a均表示為距離的絕對值。在20個位置進行電極凹凸量a的測定并求出它們的平均值。連接電阻值用圖13所示的直流四端子法進行測定。即，使連接在電阻測定機MM的直流電流端子MI1、MI2的探針和連接在直流電壓端子MV1、MV2的探針，與評價試驗用電子電路模塊200的接地用電極GE1和導電性膜6抵接，使得形成直流四端子法的測定電路，從而測定接地用圖案導體GP(引出部LP)與導電性膜6之間的電阻。將像上述那樣得到的測定結果示于表9至表12。另外，將連接電阻值為0.1Ω以下的情況判定為連接性良好而表示為○，將電極凹凸量a為10μm以下的情況判定為切割性良好而表示為○。表9示出使用金屬含有率高的導體膏(HP1～HP10)制作的評價試驗用電子電路模塊200的評價結果。在金屬部分覆蓋率為80％以上的情況下，連接電阻為0.1Ω以下。在氧化物與金屬的體積比為0/100以上至20/80以下時，連接電阻為0.1Ω以下，但電極凹凸量a為10μm以上。在氧化物與金屬的體積比為30/70時，電阻為0.1Ω以上。[表9]*：表示是本發(fā)明的范圍之外。表10示出使用金屬含有率低的導體膏(LP-C-1～LP-C-25)制作的評價試驗用電子電路模塊200的評價結果。通過覆蓋氧化鋁和添加氧化物，降低了金屬部分覆蓋率。在金屬部分覆蓋率為30％以上60％以下的情況下，電極凹凸量a為10μm以下。連接電阻全都為0.1Ω以下。另一方面，在金屬部分覆蓋率為20％以下的情況下，連接電阻增大。[表10]*：表示是本發(fā)明的范圍之外。表11示出使用其它金屬含有率低的導體膏(LP-A-1～LP-A-4)制作的評價試驗用電子電路模塊200的評價結果。CuAl合金中的Al量越多，金屬部分覆蓋率越降低，電極凹凸量a均為10μm以下。連接電阻均為0.1Ω以上，在Al量為7wt％以上時，連接電阻尤其增大。[表11]＊：表示是本發(fā)明的范圍之外。表12示出將金屬含有率高的導體膏和金屬含有率低的導體膏進行組合而制作的評價試驗用電子電路模塊200的評價結果。在使用金屬覆蓋率降低(金屬部分覆蓋率為30％以上60％以下)的導體膏形成引出部LP并且使用金屬覆蓋率增高(金屬部分覆蓋率為80％以上)的導體膏形成圖案主要部MP的情況下，連接電阻為0.1Ω以下，電極凹凸量a為10μm以下，滿足連接電阻和電極凹凸量a雙方的要求。關于除此以外的組合，未能滿足連接電阻和電極凹凸量a雙方的要求。[表12]*：表示是本發(fā)明的范圍之外。另外，本發(fā)明不限定于上述的實施方式，能夠在本發(fā)明的范圍內(nèi)添加各種應用、變形。此外，需要指出的是，本說明書記載的作用是推定的，本發(fā)明并不只基于該作用才成立。進而，需要一并指出的是，本說明書記載的各實施方式是例示性的，能夠在不同的實施方式間對結構進行部分的置換或組合。當前第1頁1 2 3