1.一種用于D類放大器的功率級的驅動器電路，其特征在于，所述驅動器電路包括：
串聯(lián)連接的晶體管器件，其與所述D類放大器的所述功率級的功率晶體管的柵極端連接；
電壓發(fā)生器，其連接在所述串聯(lián)連接的晶體管器件中的第一晶體管器件的柵極端和所述功率晶體管的源極端之間；以及
電流倍增器，其連接在所述功率晶體管的所述柵極端與所述第一晶體管器件的源極端和漏極端中的一者之間，其中，所述電流倍增器被配置成產生與在所述第一晶體管器件的所述源極端和所述漏極端中的一者的電流成比例的輸出電流。
2.根據權利要求1所述的驅動器電路，其特征在于，在所述電流倍增器的所述輸出電流與在所述第一晶體管器件的所述源極端和所述漏極端中的一者的所述電流之間的比率為大于1的值。
3.根據權利要求1所述的驅動器電路，其特征在于，所述電流倍增器包括多個電流鏡。
4.根據權利要求1所述的驅動器電路，其特征在于，所述串聯(lián)連接的晶體管器件另外包括第二晶體管器件，所述第二晶體管器件的源極端或漏極端中的一者與所述功率晶體管的所述柵極端連接。
5.根據權利要求4所述的驅動器電路，其特征在于，所述串聯(lián)連接的晶體管器件另外包括第三晶體管器件，其連接在所述功率晶體管的所述柵極端和所述功率晶體管的所述源極端之間。
6.根據權利要求5所述的驅動器電路，其特征在于，所述第二晶體管器件的柵極端和所述第三晶體管器件的柵極端彼此連接。
7.根據權利要求5所述的驅動器電路，其特征在于，所述第二晶體管器件和所述第三晶體管器件為不同類型的晶體管。
8.根據權利要求5所述的驅動器電路，其特征在于，另外包括第一電流源，所述第一電流源連接至所述電流倍增器并連接至所述第一晶體管器件的所述源極端和所述漏極端中的一者。
9.根據權利要求8所述的驅動器電路，其特征在于，另外包括第二電流源和第四晶體管器件，所述第二電流源連接至所述電流倍增器，所述第四晶體管器件的柵極端連接至所述第一晶體管器件的柵極端并連接至所述第二電流源。
10.根據權利要求9所述的驅動器電路，其特征在于，另外包括：
第五晶體管器件，其串聯(lián)連接至所述第四晶體管器件；
電阻器，其串聯(lián)連接至所述第五晶體管器件；
第六晶體管器件，其連接至所述第五晶體管器件的柵極端并連接至所述功率晶體管的所述源極端；以及
第七晶體管器件，其連接至所述電阻器器件并連接至所述功率晶體管的所述源極端。
11.根據權利要求1所述的驅動器電路，其特征在于，所述功率晶體管為NMOS晶體管，并且其中，所述功率晶體管的所述源極端為所述NMOS晶體管的源極端。
12.根據權利要求1所述的驅動器電路，其特征在于，所述第一晶體管器件為NMOS晶體管，并且其中，所述第一晶體管器件的所述源極端和所述漏極端中的所述一者為所述NMOS晶體管的漏極端。
13.一種D類放大器，其特征在于，包括根據權利要求1所述的驅動器電路和功率級的。
14.根據權利要求13所述的D類放大器，其特征在于，另外包括調制器，所述調制器被配置成將輸入信號轉換為用于所述功率級的經過調制的信號。
15.一種用于D類放大器的功率級的驅動器電路，其特征在于，所述驅動器電路包括：
串聯(lián)連接的晶體管器件，其與所述功率級的NMOS功率晶體管的柵極端連接；
電壓發(fā)生器，其在所述串聯(lián)連接的晶體管器件中的第一NMOS晶體管器件的柵極端和所述NMOS功率晶體管的源極端之間連接；以及
電流倍增器，其連接在所述NMOS功率晶體管的所述柵極端和所述第一NMOS晶體管器件的漏極端之間，其中，所述電流倍增器被配置成產生與在所述第一NMOS晶體管器件的所述漏極端的電流成比例的輸出電流。
16.根據權利要求15所述的驅動器電路，其特征在于，在所述電流倍增器的所述輸出電流與在所述第一晶體管器件的所述源極端和所述漏極端中的所述一者的所述電流之間的比率為大于1的值。
17.根據權利要求16所述的驅動器電路，其特征在于，所述電流倍增器包括多個電流鏡。
18.根據權利要求15所述的驅動器電路，其特征在于，所述串聯(lián)連接的晶體管器件另外包括：
PMOS晶體管器件，其漏極端與所述NMOS功率晶體管的所述柵極端連接；以及
第二NMOS晶體管器件，其中，所述PMOS晶體管器件和所述第二NMOS晶體管器件的所述漏極端與所述NMOS功率晶體管的所述柵極端連接。
19.一種D類放大器，其特征在于，包括：
調制器，其被配置成將輸入信號轉換為經過調制的信號；以及
功率級，其被配置成放大所述經過調制的信號以生成用于驅動負載的經過放大的信號，其中，所述功率級包括第一驅動器電路、可操作地連接至所述第一驅動器電路的第一功率晶體管、第二驅動器電路和可操作地連接至所述第二驅動器電路的第二功率晶體管，其中，所述第一驅動器電路包括：
串聯(lián)連接的晶體管器件，其與所述功率級的所述第一功率晶體管的柵極端連接；
電壓發(fā)生器，其在所述串聯(lián)連接的晶體管器件中的第一晶體管器件的柵極端和所述第一功率晶體管的源極端之間連接；以及
電流倍增器，其在所述第一功率晶體管的所述柵極端與所述第一晶體管器件的源極端和漏極端中的一者之間連接，其中，所述電流倍增器被配置成產生與在所述第一晶體管器件的所述源極端和所述漏極端中的所述一者的電流成比例的輸出電流。
20.根據權利要求19所述的D類放大器，其特征在于，所述串聯(lián)連接的晶體管器件另外包括第二晶體管器件，所述第二晶體管器件的源極端或漏極端中的一者與所述第一功率晶體管的所述柵極端連接。