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      基于大數(shù)據(jù)的排污網(wǎng)監(jiān)測裝置用混合調(diào)整型信號處理系統(tǒng)的制作方法

      文檔序號:12750515閱讀:309來源:國知局
      基于大數(shù)據(jù)的排污網(wǎng)監(jiān)測裝置用混合調(diào)整型信號處理系統(tǒng)的制作方法

      本發(fā)明涉及一種處理系統(tǒng),具體是指一種基于大數(shù)據(jù)的排污網(wǎng)監(jiān)測裝置用混合調(diào)整型信號處理系統(tǒng)。



      背景技術(shù):

      現(xiàn)在的社會是一個高速發(fā)展的社會,科技發(fā)達(dá),信息流通,人們之間的交流越來越密切,生活也越來越方便,大數(shù)據(jù)就是這個高科技時代的產(chǎn)物。大數(shù)據(jù)是指以多元形式,自許多來源搜集而來的龐大數(shù)據(jù)組,具有較強的實時性。隨著信息科技的不斷發(fā)展,大數(shù)據(jù)被廣泛的用于排污網(wǎng)監(jiān)測裝置。目前的基于大數(shù)據(jù)的排污網(wǎng)監(jiān)測裝置主要由大數(shù)據(jù)處理中心、監(jiān)測點采集盒、區(qū)域信號收發(fā)系統(tǒng)、區(qū)域信號處理系統(tǒng)和區(qū)域數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)組成;而大數(shù)據(jù)處理中心得到的污水?dāng)?shù)據(jù)信息是否準(zhǔn)確則主要取決于區(qū)域信號處理系統(tǒng)對信號處理是否準(zhǔn)確。

      然而,現(xiàn)有的基于大數(shù)據(jù)的排污網(wǎng)監(jiān)測裝置的區(qū)域信號處理系統(tǒng)存在信號處理效果差,導(dǎo)致數(shù)據(jù)處理中心得到的污水?dāng)?shù)據(jù)信息準(zhǔn)確度不高,致使排污網(wǎng)監(jiān)控人員不能準(zhǔn)確的了解污水管內(nèi)的污水信息,不能對污水進(jìn)行有效的治理,從而使人們的生活環(huán)境受到嚴(yán)重的影響。

      因此,提供一種能提高信號處理效果的基于大數(shù)據(jù)的排污網(wǎng)監(jiān)測裝置用信號處理系統(tǒng)則顯得優(yōu)為重要。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有的基于大數(shù)據(jù)的排污網(wǎng)監(jiān)測裝置的區(qū)域信號處理系統(tǒng)存在信號處理效果差的缺陷,本發(fā)明提供一種基于大數(shù)據(jù)的排污網(wǎng)監(jiān)測裝置用混合調(diào)整型信號處理系統(tǒng)。

      本發(fā)明通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn):基于大數(shù)據(jù)的排污網(wǎng)監(jiān)測裝置用混合調(diào)整型信號處理系統(tǒng),主要由處理芯片U,三極管VT2,正極經(jīng)電阻R8后與處理芯片U的IN管腳相連接、負(fù)極經(jīng)電感L1后與處理芯片U的COMP管腳相連接的極性電容C6,一端與三極管VT2的基極相連接、另一端與處理芯片U的COMP管腳相連接的電阻R11,N極與三極管VT2的基極相連接、P極經(jīng)電阻R9后與處理芯片U的B管腳相連接的二極管D5,正極與處理芯片U的B管腳相連接、負(fù)極經(jīng)可調(diào)電阻R10后與三極管VT2的基極相連接的極性電容C7,串接在三極管VT2的發(fā)射極與處理芯片U的OUT管腳之間的電磁干擾濾波電路,與處理芯片U的VC管腳相連接的二階低通濾波電路,串接在二階低通濾波電路與處理芯片U的IN管腳之間的信號帶寬調(diào)整電路,以及分別與處理芯片U的CS管腳、G管腳、CLK管腳和OUT管腳相連接的頻率誤差校正電路組成;所述三極管VT2的集電極接地;所述處理芯片U的GND管腳接地;所述處理芯片U的VC管腳與外部12V直流電源相連接。

      所述信號帶寬調(diào)整電路由放大器P4,放大器P5,三極管VT7,三極管VT8,負(fù)極與放大器P4的正極相連接、正極與二階低通濾波電路相連接的極性電容C17,P極經(jīng)電阻R26后與放大器P4的負(fù)極相連接、N極與三極管VT7的集電極相連接的二極管D12,正極與三極管VT7的發(fā)射極相連接、負(fù)極電阻R30后與放大器P5的正極相連接的極性電容C18,P極與放大器P5的負(fù)極相連接后接地、N極經(jīng)電阻R31后與放大器P5的輸出端相連接的二極管D14,正極與放大器P5的輸出端相連接、負(fù)極與處理芯片U的IN管腳相連接的極性電容C21,負(fù)極與放大器P5的正極相連接、正極經(jīng)電感L4后與三極管VT7的基極相連接的極性電容C19,一端與極性電容C19的正極相連接、另一端與三極管VT8的基極相連接的可調(diào)電阻R28,P極與放大器P4的輸出端相連接、N極三極管VT8的發(fā)射極相連接的二極管D13,以及正極經(jīng)電阻R27后與放大器P4的輸出端相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R29后與三極管VT8的集電極相連接的極性電容C20組成;所述極性電容C18的負(fù)極接地;所述極性電容C19的正極還與放大器P4的負(fù)極相連接;所述三極管VT8的集電極還與放大器P5的輸出端相連接。

      進(jìn)一步的,所述電磁干擾濾波電路由放大器P3,正極經(jīng)電感L2后與放大器P3的正極相連接、負(fù)極與三極管VT2的發(fā)射極相連接的極性電容C12,一端與極性電容C12的正極相連接、另一端接地的電阻R19,P極經(jīng)電阻R18后與極性電容C12的正極相連接、N極與放大器P3的輸出端相連接的二極管D9,正極與放大器P3的負(fù)極相連接、負(fù)極接地的極性電容C13,P極與放大器P3的輸出端相連接、N極經(jīng)電感L3后與極性電容C13的負(fù)極相連接的二極管D10,負(fù)極與三極管VT6的基極相連接、正極經(jīng)電阻R20后與極性電容C13的負(fù)極相連接的極性電容C14,負(fù)極與三極管VT5的集電極相連接、正極經(jīng)電阻R21后與放大器P3的輸出端相連接的極性電容C15,一端與三極管VT6的集電極相連接、另一端與三極管VT5的基極相連接的可調(diào)電阻R25,P極經(jīng)電阻R24后與三極管VT5的發(fā)射極相連接、N極與三極管VT5的基極相連接后接地的二極管D11,以及正極電阻R22后與接收15的正極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R23后與二極管D11的P極相連接的極性電容C16組成;所述三極管VT6的發(fā)射極接地、其集電極與極性電容C15的正極相連接;所述三極管VT5的基極還與處理芯片U的OUT管腳相連接。

      所述二階低通濾波電路由放大器P1,三極管VT1,場效應(yīng)管MOS,正極經(jīng)電阻R4后與三極管VT1的基極相連接、負(fù)極作為二階低通濾波電路的輸入端的極性電容C3,負(fù)極與放大器P1的正極相連接、正極經(jīng)電阻R3后與三極管VT1的集電極相連接的極性電容C2,P極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、N極與極性電容C2的負(fù)極相連接的二極管D2,正極與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R2后與三極管VT1的集電極相連接的極性電容C1,N極與場效應(yīng)管MOS的源極相連接、P極與處理芯片U的VC管腳相連接的穩(wěn)壓二極管D1,一端與穩(wěn)壓二極管D1的P極相連接、另一端與接地的電阻R1,P極與三極管VT1的集電極相連接、N極與三極管VT1的發(fā)射極相連接的二極管D3,P極與放大器P1的負(fù)極相連接、N極經(jīng)電阻R5后與放大器P1的輸出端相連接的二極管D4,正極經(jīng)電阻R6后與放大器P1的負(fù)極相連接、負(fù)極與放大器P1的輸出端相連接的極性電容C4,以及正極電阻R7后與放大器P1的輸出端相連接、負(fù)極接地的極性電容C5組成;所述極性電容C2的負(fù)極接地;所述放大器P1的正極還與極性電容C3的正極相連接、其輸出端還分別與三極管VT1的發(fā)射極和極性電容C17的正極相連接、其負(fù)極接地。

      所述頻率誤差校正電路由放大器P2,三極管VT3,三極管VT4,P極與處理芯片U的CS管腳相連接、N極與三極管VT4的基極相連接的二極管D6,正極與處理芯片U的G管腳相連接、負(fù)極與三極管VT4的發(fā)射極相連接的極性電容C10,P極經(jīng)電阻R15后與三極管VT4的發(fā)射極相連接、N極與三極管VT3的集電極相連接的二極管D8,負(fù)極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、正極經(jīng)電阻R17后與三極管VT3的集電極相連接的極性電容C11,一端與三極管VT3的集電極相連接后接地、另一端與三極管VT3的基極相連接的可調(diào)電阻R16,P極與三極管VT3的基極相連接、N極經(jīng)電阻R14后與放大器P2的輸出端相連接的二極管D7,正極電阻R13后與放大器P2的負(fù)極相連接、負(fù)極與放大器P2的輸出端相連接的極性電容C9,以及正極與放大器P2的正極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R12后與放大器P2的輸出端相連接的極性電容C8組成;所述三極管VT4的集電極接地;所述三極管VT3的基極還與放大器P2的負(fù)極相連接、其發(fā)射極與處理芯片U的CLK管腳相連接;所述放大器P2的正極與處理芯片U的OUT管腳相連接、其輸出端則作為頻率誤差校正電路的輸出端。

      為了本發(fā)明的實際使用效果,所述處理芯片U則優(yōu)先采用了MB40978集成芯片來實現(xiàn)。

      本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點及有益效果:

      (1)本發(fā)明的能對信號中的低頻干擾信號進(jìn)行消除或抑制,并能對抗干擾處理后的信號的頻點進(jìn)行放大,使信號更平穩(wěn);并且本發(fā)明還能對數(shù)據(jù)信號中的多栽波信號的相位和頻率誤差進(jìn)行校正,從而提高了本發(fā)明對信號處理的效果,有效的確保了數(shù)據(jù)處理中心得到的污水?dāng)?shù)據(jù)信息的準(zhǔn)確性,并且確保了排污網(wǎng)監(jiān)控人員能準(zhǔn)確的了解污水管內(nèi)的污水信息。

      (2)本發(fā)明能對信號的頻率帶寬進(jìn)行調(diào)整,能對信號中的微弱電流信號或電荷信號進(jìn)行放大,使信號更加穩(wěn)定,從而提高了本發(fā)明對信號處理的準(zhǔn)確性。

      (3)本發(fā)明能對信號在傳輸過程中驅(qū)動波形產(chǎn)生的偏磁和電路參數(shù)以及電磁波而產(chǎn)生的電磁干擾進(jìn)行抑制,使采樣信號波頻與輸入信號的波頻保持一致,從而確保了本發(fā)明對信號處理的準(zhǔn)確性。

      (4)本發(fā)明的處理芯片U則優(yōu)先采用了MB40978集成芯片來實現(xiàn),該芯片與外圍電路相結(jié)合,能有效的提高本發(fā)明的穩(wěn)定性和可靠性。

      附圖說明

      圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)框圖。

      圖2為本發(fā)明的電磁干擾濾波電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖3為本發(fā)明的信號帶寬調(diào)整電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

      具體實施方式

      下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明,但本發(fā)明的實施方式不限于此。

      如圖1所示,本發(fā)明主要由處理芯片U,三極管VT2,電阻R8,電阻R9,可調(diào)電阻R10,電阻R11,極性電容C6,極性電容C7,電感L1,二極管D5,信號帶寬調(diào)整電路,電磁干擾濾波電路,二階低通濾波電路,以及頻率誤差校正電路組成。

      連接時,極性電容C6的正極經(jīng)電阻R8后與處理芯片U的IN管腳相連接,負(fù)極經(jīng)電感L1后與處理芯片U的COMP管腳相連接。電阻R11的一端與三極管VT2的基極相連接,另一端與處理芯片U的COMP管腳相連接。二極管D5的N極與三極管VT2的基極相連接,P極經(jīng)電阻R9后與處理芯片U的B管腳相連接。極性電容C7的正極與處理芯片U的B管腳相連接,負(fù)極經(jīng)可調(diào)電阻R10后與三極管VT2的基極相連接。電磁干擾濾波電路串接在三極管VT2的發(fā)射極與處理芯片U的OUT管腳之間。二階低通濾波電路與處理芯片U的VC管腳相連接。信號帶寬調(diào)整電路串接在二階低通濾波電路與處理芯片U的IN管腳之間。頻率誤差校正電路分別與處理芯片U的CS管腳、G管腳、CLK管腳和OUT管腳相連接。

      所述三極管VT2的集電極接地;所述處理芯片U的GND管腳接地;所述處理芯片U的VC管腳與外部12V直流電源相連接。

      實施時,為了本發(fā)明的實際使用效果,所述處理芯片U則優(yōu)先采用了性能穩(wěn)定,并且具有過熱保護(hù)、過流保護(hù)和處理準(zhǔn)確的MB40978集成芯片來實現(xiàn)。同時,所述的極性電容C6、電感L1、可調(diào)電阻R10、二極管D5和三極管VT2共同形成了抗電磁干擾濾波器,該抗電磁干擾濾波器能對處理芯片U外圍的電磁波干擾信號進(jìn)行消除或抑制,使處理芯片U在比對信號進(jìn)行處理時不會受到外界電磁波信號的干擾,能有效的提高處理芯片U對信號處理的準(zhǔn)確性。所述的二階低通濾波電路的輸入端在運行時則通過數(shù)據(jù)線與大數(shù)據(jù)的排污網(wǎng)監(jiān)測裝置中的區(qū)域信號收發(fā)系統(tǒng)的信號輸出端相連接;而所述的頻率誤差校正電路的輸出端則通過數(shù)據(jù)線與大數(shù)據(jù)的排污網(wǎng)監(jiān)測裝置中的大數(shù)據(jù)處理中心相連接。

      進(jìn)一步的,所述二階低通濾波電路由放大器P1,三極管VT1,場效應(yīng)管MOS,電阻R1,電阻R2,電阻R3,電阻R4,電阻R5,電阻R6,電阻R7,極性電容C1,極性電容C2,極性電容C3,極性電容C4,極性電容C5,穩(wěn)壓二極管D1,二極管D2,二極管D3,以及二極管D4組成。

      連接時,極性電容C3的正極經(jīng)電阻R4后與三極管VT1的基極相連接,負(fù)極作為二階低通濾波電路的輸入端并與區(qū)域信號收發(fā)系統(tǒng)相連接。極性電容C2的負(fù)極與放大器P1的正極相連接,正極經(jīng)電阻R3后與三極管VT1的集電極相連接。二極管D2的P極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接,N極與極性電容C2的負(fù)極相連接。

      其中,極性電容C1的正極與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接,負(fù)極經(jīng)電阻R2后與三極管VT1的集電極相連接。穩(wěn)壓二極管D1的N極與場效應(yīng)管MOS的源極相連接,P極與處理芯片U的VC管腳相連接。電阻R1的一端與穩(wěn)壓二極管D1的P極相連接,另一端與接地。二極管D3的P極與三極管VT1的集電極相連接,N極與三極管VT1的發(fā)射極相連接。

      同時,二極管D4的P極與放大器P1的負(fù)極相連接,N極經(jīng)電阻R5后與放大器P1的輸出端相連接。極性電容C4的正極經(jīng)電阻R6后與放大器P1的負(fù)極相連接,負(fù)極與放大器P1的輸出端相連接。極性電容C5的正極電阻R7后與放大器P1的輸出端相連接,負(fù)極接地。

      所述極性電容C2的負(fù)極接地;所述放大器P1的正極還與極性電容C3的正極相連接,其輸出端還分別與三極管VT1的發(fā)射極和極性電容C17的正極相連接,其負(fù)極接地。

      運行時,該二階低通濾波電路的極性電容C3,極性電容C2,電阻R3和電阻R4共同形成了雙階濾波器,該雙階濾波器對信號過濾性能穩(wěn)定,能對信號中的低頻干擾信號進(jìn)行有效的消除或抑制。同時,二階低通濾波電路中的放大器P1,二極管D4,極性電容C4,電阻R5和電阻R6形成了信號放大器,該信號放大器能對抗干擾處理后的信號的頻點進(jìn)行放大,使信號更平穩(wěn),從而該二階低通濾波電路能實現(xiàn)對信號進(jìn)的有效過濾波和放大,能有效的提高本發(fā)明對信號處理的效果。

      更進(jìn)一步地,所述頻率誤差校正電路由放大器P2,三極管VT3,三極管VT4,電阻R12,電阻R13,電阻R14,電阻R15,可調(diào)電阻R16,電阻R17,極性電容C8,極性電容C9,極性電容C10,極性電容C11,二極管D6,二極管D7,以及二極管D8組成。

      連接時,二極管D6的P極與處理芯片U的CS管腳相連接,N極與三極管VT4的基極相連接。極性電容C10的正極與處理芯片U的G管腳相連接,負(fù)極與三極管VT4的發(fā)射極相連接。二極管D8的P極經(jīng)電阻R15后與三極管VT4的發(fā)射極相連接,N極與三極管VT3的集電極相連接。極性電容C11的負(fù)極與三極管VT4的發(fā)射極相連接,正極經(jīng)電阻R17后與三極管VT3的集電極相連接。

      其中,可調(diào)電阻R16的一端與三極管VT3的集電極相連接后接地,另一端與三極管VT3的基極相連接。二極管D7的P極與三極管VT3的基極相連接,N極經(jīng)電阻R14后與放大器P2的輸出端相連接。極性電容C9的正極電阻R13后與放大器P2的負(fù)極相連接,負(fù)極與放大器P2的輸出端相連接。極性電容C8的正極與放大器P2的正極相連接,負(fù)極經(jīng)電阻R12后與放大器P2的輸出端相連接。

      所述三極管VT4的集電極接地;所述三極管VT3的基極還與放大器P2的負(fù)極相連接,其發(fā)射極與處理芯片U的CLK管腳相連接;所述放大器P2的正極與處理芯片U的OUT管腳相連接,其輸出端則作為頻率誤差校正電路的輸出端并與大數(shù)據(jù)的排污網(wǎng)監(jiān)測裝置中的大數(shù)據(jù)處理中心相連接。

      運行時,該頻率誤差校正電路的二極管D6,二極管D8,極性電容C10,極性電容C11,電阻R15,電阻R17和三極管VT3形成了信號檢波電路,該電路能對處理芯片U所輸出的數(shù)據(jù)信號中的多栽波的相位和頻率進(jìn)行檢測,當(dāng)其檢測的多栽波的相位和頻率的電波值與基準(zhǔn)多栽波的相位和頻率的電波值不一致使,該頻率誤差校正電路的放大器P2,可調(diào)電阻R16,極性電容C8,極性電容C9和二極管D7形成的協(xié)調(diào)電路則對多栽波的相位和頻率進(jìn)行調(diào)整使采樣多栽波的相位和頻率與基準(zhǔn)多栽波的相位和頻率相同,使處理芯片U輸出端數(shù)據(jù)信號能穩(wěn)定和準(zhǔn)確的傳輸給大數(shù)據(jù)處理中心,從而該頻率誤差校正電路能有效的提高處理芯片U輸出的數(shù)據(jù)信號的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。

      如圖2所示,所述電磁干擾濾波電路由放大器P3,電阻R18,電阻R19,電阻R20,電阻R21,電阻R22,電阻R23,電阻R24,可調(diào)電阻R25,極性電容C12,極性電容C13,極性電容C14,極性電容C15,極性電容C16,二極管D9,二極管D10,二極管D11,電感L2,以及電感L3組成。

      連接時,極性電容C12的正極經(jīng)電感L2后與放大器P3的正極相連接,負(fù)極與三極管VT2的發(fā)射極相連接。電阻R19的一端與極性電容C12的正極相連接,另一端接地。二極管D9的P極經(jīng)電阻R18后與極性電容C12的正極相連接,N極與放大器P3的輸出端相連接。極性電容C13的正極與放大器P3的負(fù)極相連接,負(fù)極接地。

      其中,二極管D10的P極與放大器P3的輸出端相連接,N極經(jīng)電感L3后與極性電容C13的負(fù)極相連接。極性電容C14的負(fù)極與三極管VT6的基極相連接,正極經(jīng)電阻R20后與極性電容C13的負(fù)極相連接。極性電容C15的負(fù)極與三極管VT5的集電極相連接,正極經(jīng)電阻R21后與放大器P3的輸出端相連接。可調(diào)電阻R25的一端與三極管VT6的集電極相連接,另一端與三極管VT5的基極相連接。

      同時,二極管D11的P極經(jīng)電阻R24后與三極管VT5的發(fā)射極相連接,N極與三極管VT5的基極相連接后接地。極性電容C16的正極電阻R22后與接收15的正極相連接,負(fù)極經(jīng)電阻R23后與二極管D11的P極相連接。所述三極管VT6的發(fā)射極接地,其集電極與極性電容C15的正極相連接;所述三極管VT5的基極還與處理芯片U的OUT管腳相連接。

      實施時,該電磁干擾濾波電路的放大器P3,電感L2,極性電容C12,極性電容C13和二極管D9形成的消磁電路,該消磁電路能對信號在傳輸過程中驅(qū)動波形產(chǎn)生的偏磁和電路參數(shù)以及電磁波而產(chǎn)生的電磁干擾進(jìn)行抑制;而該電磁干擾濾波電路的三極管VT5,三極管VT6可調(diào)電阻R25,二極管D11,極性電容C15和電阻R24形成的頻率調(diào)節(jié)電路,該頻率調(diào)節(jié)電路能對采樣信號的波頻進(jìn)行調(diào)整,使使采樣信號波頻與輸入信號的波頻保持一致,從而確保了本發(fā)明對信號處理的準(zhǔn)確性。

      如圖3所示,所述信號帶寬調(diào)整電路由放大器P4,放大器P5,三極管VT7,三極管VT8,電阻R26,電阻R27,可調(diào)電阻R28,電阻R29,電阻R30,電阻R31,極性電容C17,極性電容C18,極性電容C19,極性電容C20,極性電容C21,電感L4,二極管D12,二極管D13,以及二極管D14組成。

      連接時,極性電容C17的負(fù)極與放大器P4的正極相連接,正極與二階低通濾波電路相連接。二極管D12的P極經(jīng)電阻R26后與放大器P4的負(fù)極相連接,N極與三極管VT7的集電極相連接。極性電容C18的正極與三極管VT7的發(fā)射極相連接,負(fù)極電阻R30后與放大器P5的正極相連接。二極管D14的P極與放大器P5的負(fù)極相連接后接地,N極經(jīng)電阻R31后與放大器P5的輸出端相連接。

      其中,極性電容C21的正極與放大器P5的輸出端相連接,負(fù)極與處理芯片U的IN管腳相連接。極性電容C19的負(fù)極與放大器P5的正極相連接,正極經(jīng)電感L4后與三極管VT7的基極相連接??烧{(diào)電阻R28的一端與極性電容C19的正極相連接,另一端與三極管VT8的基極相連接。

      同時,二極管D13的P極與放大器P4的輸出端相連接,N極三極管VT8的發(fā)射極相連接。極性電容C20的正極經(jīng)電阻R27后與放大器P4的輸出端相連接,負(fù)極經(jīng)電阻R29后與三極管VT8的集電極相連接。所述極性電容C18的負(fù)極接地;所述極性電容C19的正極還與放大器P4的負(fù)極相連接;所述三極管VT8的集電極還與放大器P5的輸出端相連接。

      運行時,本發(fā)明為了對信號的頻率帶寬進(jìn)行調(diào)整,能對信號中的微弱電流信號或電荷信號進(jìn)行放大,使信號更加穩(wěn)定,因此在二階低通濾波電路與處理芯片U的IN管腳之間設(shè)置了信號帶寬調(diào)整電路。該信號帶寬調(diào)整電路的極性電容C17,放大器P4,電感L4,電阻R26,電阻R30,二極管D12和極性電容C18形成了一個放大電路,該放大電路能地信號的頻點進(jìn)行放大,使頻率的帶寬更寬,使采樣信號與輸入信號的頻率保持一致;該信號帶寬調(diào)整電路的放大器P5,可調(diào)電阻R28和極性電容C21形成的濾波調(diào)整電路,該濾波調(diào)整電路對信號的微弱電流信號或電荷信號進(jìn)行調(diào)整,使電流信號或電荷信號更平穩(wěn),并對通過電荷和電流調(diào)整后的信號進(jìn)行過濾,有效的濾出調(diào)整后的信號中高頻干擾信號,使信號更干凈,從而該信號帶寬調(diào)整電路能有效的對輸入信號進(jìn)行調(diào)整,能有效的提高本發(fā)明對信號處理的準(zhǔn)確性。

      如上所述,便可以很好的實現(xiàn)本發(fā)明。

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