本實(shí)用新型涉及覆銅板、電路板領(lǐng)域，尤其涉及一種高導(dǎo)熱率的埋銅塊電路板。

背景技術(shù)：

大功率電子元器件在工作時(shí)所消耗的電能，除部分作為有用功外，大部分轉(zhuǎn)化成熱量。這些熱量使元件內(nèi)部溫度迅速上升，如果不及時(shí)將熱量散發(fā)，電子元件會(huì)持續(xù)升溫，導(dǎo)致其品質(zhì)可靠性下降，嚴(yán)重者甚至導(dǎo)致電子元件因過(guò)熱而失效。據(jù)相關(guān)文獻(xiàn)的闡述，芯片的結(jié)溫過(guò)高會(huì)導(dǎo)致許多問(wèn)題，諸如量子效應(yīng)較低、使用周期較短，甚至是設(shè)備失效。尺寸輕薄且性能強(qiáng)大的電子設(shè)備從誕生起就面臨工作溫度過(guò)高的問(wèn)題。對(duì)于發(fā)熱量大的電子元件，單純通過(guò)PCB板載體散發(fā)熱量是不夠的，因此通常都有其相應(yīng)的散熱方法。傳統(tǒng)的散熱方法通常有如散熱風(fēng)扇、散熱硅膠、散熱片等，但缺點(diǎn)是產(chǎn)生噪音且需要增加額外空間，這與目前電子產(chǎn)品輕薄化的趨勢(shì)背道而馳。因此，通過(guò)改進(jìn)PCB板的散熱結(jié)構(gòu)從而降低芯片周?chē)鷾囟仁且粋€(gè)比較吸引人的解決方案。目前改進(jìn)PCB板散熱結(jié)構(gòu)的途徑有PCB底部附著金屬基(Bottom Bonding)、PCB中間嵌入導(dǎo)熱鋁層(Embedded Al Plate)和通過(guò)樹(shù)脂粘合在PCB內(nèi)部埋置銅塊(Buried I-Coin)。這些方法在很大程度上提高了PCB板的導(dǎo)熱效率。

如圖1所示，展示了一PCB板1’，PCB板1’上設(shè)有一芯片2’，PCB板1’包括一芯板20’，芯板20’的兩面均交替疊放有最少一組粘結(jié)層30’和銅層40’，圖1展示的芯板20’的每側(cè)面上均設(shè)有兩組粘結(jié)層30’和銅層40’，銅塊10’埋設(shè)于PCB板內(nèi)，具體地，銅塊10’延伸至靠外側(cè)的粘結(jié)層30’。芯片2’產(chǎn)生的熱量通過(guò)外側(cè)的一組銅層40’及粘結(jié)層30’傳遞至銅塊，從而起到散熱的作用。然而，該方法仍無(wú)法滿(mǎn)足電子元件的需求，很大程度上限制了其發(fā)展。

本專(zhuān)利針對(duì)內(nèi)部埋置銅塊的PCB板進(jìn)行結(jié)構(gòu)改進(jìn)，提供一種新的埋銅塊電路板，其具有高導(dǎo)熱率，以克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種高導(dǎo)熱率的埋銅塊電路板，提高了整體導(dǎo)熱率，散熱均勻，有利于降低芯片的溫度。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種高導(dǎo)熱率的埋銅塊電路板，所述高導(dǎo)熱率的埋銅塊電路板包括埋置有銅塊的一芯板；分別敷設(shè)于所述芯板的兩側(cè)的一第一粘結(jié)層及一第二粘結(jié)層；粘結(jié)于所述第一粘結(jié)層上的一第一銅層；以及粘結(jié)于所述第二粘結(jié)層上的一第二銅層；其中，所述第一銅層或/和第二銅層上設(shè)有一芯片，所述第一粘結(jié)層或/和所述第二粘結(jié)層上開(kāi)設(shè)有若干通孔，以提高所述芯片與所述銅塊之間的導(dǎo)熱率。

作為本實(shí)用新型的一較優(yōu)實(shí)施例，所述第一粘結(jié)層及所述第一銅層為一組且所述第二粘結(jié)層及所述第二銅層為一組時(shí)，所述銅塊貫穿所述芯板，且所述銅塊的兩端分別延伸至所述第一粘結(jié)層的內(nèi)側(cè)及所述第二粘結(jié)層的內(nèi)側(cè)。

作為本實(shí)用新型的另一較優(yōu)實(shí)施例，所述第一粘結(jié)層與所述第一銅層為交替疊放的若干組，所述銅塊延伸至最外面一層的第一粘結(jié)層的內(nèi)側(cè)，所述通孔開(kāi)設(shè)于最外面一層的第一粘結(jié)層。

同理，所述第二粘結(jié)層與所述第二銅層為交替疊放的若干組，所述銅塊延伸至最外面一層的第二粘結(jié)層的內(nèi)側(cè)，所述通孔開(kāi)設(shè)于最外面一層的第二粘結(jié)層。

較佳地，所述芯片的位置與所述銅塊的位置相對(duì)應(yīng)。

較佳地，所述通孔的位置與所述芯片的位置相對(duì)應(yīng)。

較佳地，所述通孔的孔徑為0.1mm～0.2mm。

較佳地，相鄰兩通孔的孔壁間距為0.2mm～0.3mm。

較佳地，所述通孔為鍍銅孔。通孔內(nèi)的鍍銅在長(zhǎng)度方向上是間斷的，以避免電導(dǎo)通銅塊及芯片。

較佳地，所述通孔內(nèi)填塞有導(dǎo)熱材料，以進(jìn)一步加快散熱的速率。

現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型在銅塊和芯片之間的粘結(jié)層之間開(kāi)設(shè)有若干通孔，芯片產(chǎn)生的熱直接通過(guò)通孔傳遞至銅塊，避免因?yàn)檎辰Y(jié)層的導(dǎo)熱率低、熱阻大而影響到整體的導(dǎo)熱率，從而提高了埋銅塊電路板的導(dǎo)熱率，導(dǎo)熱率可提高50％，且散熱均勻，有利于降低芯片的溫度，降低溫度可達(dá)3攝氏度。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)埋銅塊PCB板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型高導(dǎo)熱率的埋銅塊電路板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將參考附圖闡述本實(shí)用新型幾個(gè)不同的最佳實(shí)施例。

本實(shí)用新型旨在提供一種高導(dǎo)熱率的埋銅塊電路板1，可提高整體導(dǎo)熱率，散熱均勻，有利于降低芯片2的溫度。

如圖2所示，高導(dǎo)熱率的埋銅塊電路板1包括一芯板20，分別敷設(shè)于芯板20的兩側(cè)的至少一第一粘結(jié)層30及至少一第二粘結(jié)層50，粘結(jié)于至少一第一粘結(jié)層30上的至少一第一銅層40以及粘結(jié)于至少一第二粘結(jié)層50上的至少一第二銅層60。于本實(shí)施例中，第一粘結(jié)層30、第二粘結(jié)層50、第一銅層40、第二銅層60均具有兩層，第一粘結(jié)層30與第一銅層40交替疊放，第二粘結(jié)層50與第二銅層60交替疊放。當(dāng)然，于其他實(shí)施例中，第一粘結(jié)層30與第一銅層40，或第二粘結(jié)層50與第二銅層60的數(shù)量可根據(jù)需要改變，且第一粘結(jié)層30與第一銅層40的組數(shù)可與第二粘結(jié)層50與第二銅層60的組數(shù)不同。例如，第一粘結(jié)層30、第二粘結(jié)層50、第一銅層40及第二銅層60可均為一層。

其中，第一銅層40或/和第二銅層60上設(shè)有一芯片2，于本實(shí)施例中，第一銅層40上設(shè)有一芯片2。銅塊10埋設(shè)于芯板20內(nèi)且延伸至最外面一層的第一粘結(jié)層30及第二粘結(jié)層50的內(nèi)側(cè)，最外面一層的第一粘結(jié)層30或/和第二粘結(jié)層50上開(kāi)設(shè)有若干通孔70，于本實(shí)施例中，第一粘結(jié)層30及第二粘結(jié)層50上均開(kāi)設(shè)有通孔70。通孔70的開(kāi)設(shè)可提高芯片2與銅塊10之間的導(dǎo)熱率。當(dāng)?shù)谝徽辰Y(jié)層30、第二粘結(jié)層50、第一銅層40及第二銅層60均為一層時(shí)，銅塊10貫穿芯板20，且銅塊10的兩端延伸至第一粘結(jié)層30、第二粘結(jié)層50的內(nèi)側(cè)。

為了進(jìn)一步加快散熱速率，可在通孔70內(nèi)鍍銅，形成鍍銅孔；也可在通孔70內(nèi)填塞導(dǎo)熱材料。當(dāng)然，鍍銅孔在長(zhǎng)度方向上的鍍銅是間斷的，不導(dǎo)電的，以免電導(dǎo)通銅塊10和芯片2。

芯片2的位置、通孔70的位置、以及銅塊10的位置相對(duì)應(yīng)，更有利于熱量的傳遞，在不影響埋銅塊電路板1布線的情況下，通孔70開(kāi)設(shè)的范圍與芯片2的面積大小一致。通孔70的孔徑為0.1mm～0.2mm，相鄰兩通孔70的孔壁間距為0.2mm～0.3mm。

現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型在銅塊10和芯片2之間的第一、第二粘結(jié)層30、50之間開(kāi)設(shè)有若干通孔70，芯片2產(chǎn)生的熱直接通過(guò)通孔70傳遞至銅塊10，避免因?yàn)榈谝?、第二粘結(jié)層30、50的導(dǎo)熱率低、熱阻大而影響到整體的導(dǎo)熱率，從而提高了埋銅塊電路板1的導(dǎo)熱率，導(dǎo)熱率可提高50％，且散熱均勻，有利于降低芯片2的溫度，降低溫度可達(dá)3攝氏度。

以上所揭露的僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本實(shí)用新型之權(quán)利范圍，因此依本實(shí)用新型申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所作的等同變化，仍屬本實(shí)用新型所涵蓋的范圍。