本實用新型涉及電路技術(shù)領域,具體地,涉及一種開關(guān)驅(qū)動電路、控制電路和電磁爐。
背景技術(shù):
電器設備通過電源線連接至電網(wǎng),電器設備自身產(chǎn)生的干擾信號可以通過電源線傳到電網(wǎng)上,對網(wǎng)上其他設備構(gòu)成危害。為此,制定了家電EMC(Electro Magnetic compatibility電磁兼容性)測試法規(guī)規(guī)定了傳導測試頻率范圍,以保障電器設備接入電網(wǎng)不會對電網(wǎng)造成信號污染。EMC包括兩個方面的要求:其一是指設備在正常運行過程中對所在環(huán)境產(chǎn)生的電磁干擾不能超過一定的限值;其二是指器具對所在環(huán)境中存在的電磁干擾具有一定程度的抗擾度,即電磁敏感性。
一方面,為了通過家電EMC測試,家電產(chǎn)商需要為家電產(chǎn)品增設EMC濾波電路。現(xiàn)有技術(shù)中一般是通過在電源端增設多級低通濾波電路,并且該多級低通濾波電路多采用基于共模電感的二階濾波的方式,使得家電產(chǎn)品的能夠通過EMC測試;但是,單純采用多級低通濾波電路以提升家電的EMC余量,會導致生產(chǎn)成本增大,同時也增大了家電產(chǎn)品中電路設計的復雜程度。
另一方面,隨著2016年新家電EMC測試法規(guī)的修訂,將傳導測試的頻率范圍由150kHz~30MHz變更為9KHz~30MHz。顯然,針對舊家電EMC測試法規(guī)要求所設計的EMC濾波電路相對于家電產(chǎn)品的濾波效果已經(jīng)無法滿足EMC測試法規(guī)的要求。
由此可知,一款設計簡單、成本低廉且提升電路EMC余量的電路設計方案是目前業(yè)界的熱門研究方向。
需要說明的是,以上技術(shù)問題是本發(fā)明人在實踐本實用新型的過程中所發(fā)現(xiàn)的。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本實用新型的目的是提供一種開關(guān)驅(qū)動電路、控制電路和電磁爐,該開關(guān)驅(qū)動電路,用以根據(jù)控制信號驅(qū)動開關(guān)的導通或關(guān)斷,通過延長該開關(guān)驅(qū)動電路自接收到該控制信號到控制開關(guān)導通或關(guān)斷的時間,達到降低開關(guān)的導通或關(guān)斷速度的目的,降低電磁加熱電路的地線信號的抖動,降低對電網(wǎng)及電網(wǎng)中其他電路的干擾,改善電路的電磁兼容性EMC。
為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供一種開關(guān)驅(qū)動電路,該開關(guān)驅(qū)動電路的載體為PCB電路板,該開關(guān)連接電源和電磁加熱線圈的電路中,該開關(guān)用于控制電磁加熱線圈的通斷,該開關(guān)驅(qū)動電路用于接收控制信號,并根據(jù)該控制信號輸入一驅(qū)動電壓至所述開關(guān),從而控制所述開關(guān)的導通或關(guān)斷,該開關(guān)驅(qū)動電路包含:阻性元件,位于所述開關(guān)驅(qū)動電路內(nèi)和/或該所述開關(guān)驅(qū)動電路的驅(qū)動電壓輸出端,用于延長所述開關(guān)驅(qū)動電路自接收到所述控制信號至控制所述開關(guān)動作所需的時間。
優(yōu)選地,該開關(guān)驅(qū)動電路包含:第一晶體管,該第一晶體管的柵極接收所述控制信號,集電極接電壓源,發(fā)射極接地;以及第二晶體管及第三晶體管,該第二晶體管的集電極接電壓源,發(fā)射極與所述第三晶體管的發(fā)射極相連,所述第三晶體管集電極接地,該第二晶體管及第三晶體管的柵極均連接至所述第一晶體管的集電極,其中所述驅(qū)動電壓輸出端位于所述第二晶體管的發(fā)射極與所述第三晶體管的發(fā)射極的連接點處。
優(yōu)選地,所述阻性元件包含以下一者或多者:第一阻性元件,串聯(lián)在所述驅(qū)動電壓輸出端與所述開關(guān)之間;第二阻性元件,串聯(lián)在所述電壓源與所述第二晶體管的集電極之間;以及第三阻性元件,串聯(lián)在所述驅(qū)動電壓輸出端與所述第三晶體管的發(fā)射極之間。
優(yōu)選地,所述阻性元件為電阻。
優(yōu)選地,所述第一阻性元件的阻值為10歐姆-100歐姆。
優(yōu)選地,所述第二阻性元件的阻值為10歐姆-100歐姆。
優(yōu)選地,所述第三阻性元件的阻值為30歐姆-100歐姆。
優(yōu)選地,所述開關(guān)為IGBT管、三極管或場效應管中的一種。
本實用新型還提供一種電磁加熱家電控制電路,包括如上所述的驅(qū)動電路。
本實用新型還提供一種包含如上所述驅(qū)動電路的電磁爐。
優(yōu)選地,所述開關(guān)為IGBT管,所述IGBT管發(fā)射極和集電極連接在電磁爐線圈和電源的回路中。
通過上述技術(shù)方案,開關(guān)用于控制電磁加熱線圈的通斷,開關(guān)驅(qū)動電路用于接收控制信號,并根據(jù)該控制信號輸入驅(qū)動電壓到所述開關(guān),從而控制該開關(guān)的導通或關(guān)斷,該開關(guān)驅(qū)動電路包含阻性元件,用于延長開關(guān)驅(qū)動電路自接收到所述控制信號到控制開關(guān)導通或關(guān)斷所需的時間,以減小開關(guān)開通或關(guān)斷的動作時間,降低電磁加熱電路的地線信號的抖動,降低對電網(wǎng)及電網(wǎng)中其他電路的干擾,改善電路的電磁兼容性EMC。
本實用新型的其它特征和優(yōu)點將在隨后的具體實施方式部分予以詳細說明。
附圖說明
附圖是用來提供對本實用新型實施例的進一步理解,并且構(gòu)成說明書的一部分,與下面的具體實施方式一起用于解釋本實用新型實施例,但并不構(gòu)成對本實用新型實施例的限制。在附圖中:
圖1是本實用新型一實施例的電磁加熱系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本實用新型另一實施例的電磁加熱系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3A-3C是在開關(guān)驅(qū)動電路不同位置設置阻性元件的電路連接圖;
圖4A是本實用新型一種實施方式的開關(guān)驅(qū)動電路連接圖;
圖4B-4E是對在圖4A中不同位置設置阻性元件的開關(guān)驅(qū)動電路連接圖;
圖5是本實用新型另一種實施方式的開關(guān)驅(qū)動電路連接圖;
圖6是本實用新型一種實施方式的電磁加熱家電控制電路連接圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型的具體實施方式進行詳細說明。應當理解的是,此處所描述的具體實施方式僅用于說明和解釋本實用新型,并不用于限制本實用新型。
本技術(shù)領域技術(shù)人員可以理解,本實用新型的說明書中使用的措辭“包括”是指存在上述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件,但是并不排除存在或添加一個或多個其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。應該理解,當我們稱元件被“連接”或“耦接”到另一元件時,它可以直接連接或耦接到其他元件,或者也可以存在中間元件。此外,這里使用的“連接”或“耦接”可以包括無線連接或無線耦接。這里使用的措辭“和/或”包括一個或更多個相關(guān)聯(lián)的列出項的全部或任一單元和全部組合。
參見圖1示出的是本實用新型一實施例的電磁加熱系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖,該電磁加熱系統(tǒng)10包含線圈盤101、控制電路102和電源電路103,該線圈盤101包含內(nèi)圈端子1011和外圈端子1012,電源電路103包含濾波器1031;其中外圈端子1011連接至濾波器1031,線圈盤的外圈端子1012連接至控制電路103。由于線圈盤在工作時,外圈端子的輸出端子的輸出電壓高于內(nèi)圈端子,例如:當將該電磁加熱系統(tǒng)20接入市電網(wǎng)路時,在線圈盤201的內(nèi)圈端子2011的輸出電壓為310V,以及線圈盤201的外圈端子2012的輸出電壓為1000V,而將本技術(shù)方案通過限定將線圈盤的高壓輸出端子連接至濾波器,相比于將濾波器連接至內(nèi)圈端子,能夠更加充分利用濾波器的濾波性能,大大減少線圈盤直接耦合到電源線上的干擾信號,提升電路的EMC余量;利用本實施例中限定線圈盤的端子接法以解決提升EMC余量的技術(shù)問題是目前業(yè)界沒有公開的,而是本實用新型的發(fā)明人在實踐本實用新型的過程中所發(fā)現(xiàn)的。
更具體地,參見圖2示出的是電磁加熱系統(tǒng)在一種具體實施例下的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖2所示,該電磁加熱系統(tǒng)20包含有線圈盤201、直流電源電路203和控制電路202,在直流電源電路203中包含整流橋2032和濾波器2031,濾波器2031的輸出端連接至線圈盤201的外圈端子2012,濾波器2031的輸入端連接至整流橋2032,能夠?qū)崿F(xiàn)在直流電源203側(cè)通過充分設置在線圈盤201的高壓輸出端子側(cè)的濾波器,充分利用濾波器的濾波性能以改善電路的電磁濾波性能;控制電路202中包含連接至線圈盤201的內(nèi)段端子的開關(guān)2021和與開關(guān)2021連接的開關(guān)驅(qū)動電路2022,其中開關(guān)驅(qū)動電路2022用于接收控制信號,并根據(jù)該控制信號輸入一驅(qū)動電壓至開關(guān)2021,從而控制該開關(guān)2021的導通或關(guān)斷;由此實現(xiàn)基于控制電路202完成對線圈盤201的控制工作。
在本實用新型中,在未作相反說明的情況下,當下文中提及時,術(shù)語“開關(guān)”指的是可以通過電信號實現(xiàn)通斷控制或者根據(jù)元器件自身的特性實現(xiàn)通斷控制的開關(guān),例如MOSFET、三極管或IGBT,或帶有反并聯(lián)續(xù)流二極管的IGBT;當下文中提及時,術(shù)語“阻尼元件”指任意通過對電流的流動起阻礙作用以降低電荷聚集速度、延長開關(guān)的控制端/柵極達到設定電壓的裝置,例如可以為電阻等。
這里需要特別說明的是,本實用新型的開關(guān)除可用于控制電磁加熱線圈的通斷,還可用于控制其他元器件或電路的通斷。
對于接入電網(wǎng)的電路,在開關(guān)導通/關(guān)斷的瞬間會對電網(wǎng)的其他負載的電流造成干擾。電磁加熱家電通常采用控制開關(guān)導通/關(guān)斷將直流電逆變?yōu)楦哳l電流,將該高頻電流通入電磁加熱線圈的方式加熱,開關(guān)的頻繁通斷使電網(wǎng)產(chǎn)生明顯抖動,本實用新型繼續(xù)公開的開關(guān)驅(qū)動電路可以進一步地改善電路電磁兼容性EMC,以減小電路對電網(wǎng)的干擾。
圖3A-3C是本實用新型不同實施方式的開關(guān)驅(qū)動電路的連接圖。如圖3A-3C所示的本實用新型三種實施方式的開關(guān)驅(qū)動電路,該開關(guān)驅(qū)動電路的載體為PCB電路板,所述開關(guān)K用于控制電磁加熱線圈的通斷,該開關(guān)驅(qū)動電路用于接收控制信號,并根據(jù)該控制信號輸入一驅(qū)動電壓Ud至所述開關(guān)K,從而控制所述開關(guān)K的導通或關(guān)斷,該開關(guān)驅(qū)動電路包含:阻性元件,位于所述開關(guān)驅(qū)動電路內(nèi)和/或該所述開關(guān)驅(qū)動電路的驅(qū)動電壓輸出端,用于延長所述開關(guān)驅(qū)動電路自接收到所述控制信號至控制所述開關(guān)動作所需的時間。由此,本實用新型所提供的電磁加熱系統(tǒng)創(chuàng)造性地將阻性元件應用在與開關(guān)驅(qū)動電路中,能夠?qū)崿F(xiàn)在一定程度上改善電路電磁兼容性,并結(jié)合本實用新型實施例上文所述的在線圈盤高壓端一側(cè)的濾波器,實現(xiàn)在線圈盤的兩側(cè)同時改善電路電磁兼容性,有效改善本實用新型實施例所提供的電磁兼容系統(tǒng)的電磁兼容性,并且本實用新型實施例中的EMC改善方案的實施也不需要投入較多的附加成本,有助于本實用新型技術(shù)方案的推廣。
上述方案中,開關(guān)用于控制電磁加熱線圈或其他元件與控制電源VCC連接,開關(guān)驅(qū)動電路接收控制信號PPG,并根據(jù)控制信號PPG將驅(qū)動電壓VCC輸入到開關(guān)K,以使開關(guān)K導通,實現(xiàn)控制電磁加熱線圈或其他元件接入電源;開關(guān)驅(qū)動電路或根據(jù)控制信號PPG將驅(qū)動電壓從開關(guān)K斷開,以使開關(guān)K關(guān)斷,實現(xiàn)控制電磁加熱線圈或其他元件從電源斷開。
為延遲開關(guān)的導通或關(guān)斷,在所述開關(guān)驅(qū)動電路內(nèi)或在所述驅(qū)動電路的驅(qū)動電壓輸出端Ud設置阻性元件,以對電流產(chǎn)生阻礙作用,使從開關(guān)驅(qū)動電路接收所述控制信號PPG到控制開關(guān)K導通/關(guān)斷的時間延長,降低開關(guān)K的動作速度,減小對電網(wǎng)中其他電路/電器的干擾,改善電路的電磁兼容性。
圖3A為在開關(guān)驅(qū)動電路的驅(qū)動電壓輸出端Ud設置阻性元件的電路連接圖,圖3B為在開關(guān)驅(qū)動電路內(nèi)設置阻性元件的電路連接圖,圖3C為在開關(guān)驅(qū)動電路的驅(qū)動電壓輸出端Ud設置和開關(guān)驅(qū)動電路內(nèi)設置阻性元件的電路連接圖。
如圖3A-3C所示,阻尼元件的設置,旨在減小驅(qū)動電路的電流,降低電路中電荷的聚集速度,使達到開關(guān)導通的電壓的時間延長;以及在開關(guān)關(guān)斷的瞬間,降低電路放電的速度,延長開關(guān)的關(guān)斷時間。
圖3A為本實用新型一種實施方式的開關(guān)驅(qū)動電路連接圖。如圖5所示的本實用新型一種實施方式的開關(guān)驅(qū)動電路,包括:第一晶體管T1,該第一晶體管T1的柵極接收所述控制信號PPG,集電極接電壓源(+18V),發(fā)射極接地;以及第二晶體管T2及第三晶體管T3,該第二晶體管T2的集電極接電壓源(+18V),發(fā)射極與所述第三晶體管T3的發(fā)射極相連,所述第三晶體管T2集電極接地,該第二晶體管T2及第三晶體管T3的柵極均連接至所述第一晶體管T1的集電極,其中所述驅(qū)動電壓即電壓源(+18V)輸出端Ud位于所述第二晶體管T2的發(fā)射極與所述第三晶體管T3的發(fā)射極的連接點處。
上述方案中,由第一晶體管T1的柵極接收控制信號PPG,其發(fā)射極接地,集電極接電壓源,電壓源作為驅(qū)動電壓,電壓源例如可為18V的電源,第一晶體管T1柵極所接控制信號PPG例如可為高電平為5V、低電平為0V的方波;在控制信號PPG為低電平即0V時,第一晶體管T1關(guān)斷時,第二晶體管T2導通,驅(qū)動電壓(+18V)經(jīng)第二晶體管T2輸入到開關(guān)K,使開關(guān)導通;在控制信號PPG為高電平時,第一晶體管T1導通,第二晶體管T2柵極被拉至近地電壓,第二晶體管T2關(guān)斷,第三晶體管T3瞬時導通,開關(guān)經(jīng)第三晶體管T3放電,放電結(jié)束后,開關(guān)K關(guān)斷,第三晶體管T3關(guān)斷。
圖4B-4D是對在圖4A的實施例的基礎上設置阻性元件的電路連接圖。如圖4B所示的一種實施方式的開關(guān)驅(qū)動電路,包括第一阻性元件R1,串聯(lián)在所述驅(qū)動電壓輸出端與所述開關(guān)K之間。即在第二晶體管T2和第三晶體管T3的發(fā)射極共接處和開關(guān)之間設置阻性元件R1,在控制信號PPG為低電平,第一晶體管T1關(guān)斷而第二晶體管T2導通時,驅(qū)動電壓經(jīng)第二晶體管T2和第一阻性元件R1接入開關(guān),驅(qū)動電壓經(jīng)第二晶體管T2到開關(guān)的電流減小,電荷積聚得到開關(guān)K導通所需電壓的時間延長,從而延長開關(guān)K導通的時間;在控制信號PPG為高電平時,第一晶體管T1導通而第二晶體管T2關(guān)斷時,第三晶體管T3瞬時導通,開關(guān)K經(jīng)第一阻性元件R1和第三晶體管T3向地放電,因設置第一阻性元件R1,放電電流減小,放電速度減慢,從而延長放電結(jié)束的時間,使開關(guān)關(guān)斷的時間延長。
上述實施例中,第一阻性元件R1設置為同時連接第二晶體管T2所在的導通支路和第三晶體管T3所在的關(guān)斷支路,在導通支路和關(guān)斷支路分別工作時,均接入兩者,實現(xiàn)開關(guān)的導通和關(guān)斷均被延遲,降低開關(guān)的導通和關(guān)斷速度。
如圖4C所示的一種實施方式的開關(guān)驅(qū)動電路,包括第二阻性元件R2,串聯(lián)在所述電壓源與所述第二晶體管T2的集電極之間。本實施例的開關(guān)驅(qū)動電路在導通支路上設置第二阻性元件,連接在第二晶體管T2的集電極和驅(qū)動電壓之間,則在控制信號PPG為低電平,第一晶體管T1關(guān)斷而第二晶體管T2導通時,驅(qū)動電壓經(jīng)第二阻性元件R2和第二晶體管T2接入開關(guān),驅(qū)動電壓經(jīng)第二晶體管T2到開關(guān)的電流減小,電荷積聚達到開關(guān)導通所需電壓的時間延長,從而延長開關(guān)K導通的時間。
如圖4D所示的一種實施方式的開關(guān)驅(qū)動電路,包括第三阻性元件R3,串聯(lián)在所述驅(qū)動電壓輸出端與所述第三晶體管T3的發(fā)射極之間。該實施例的開關(guān)驅(qū)動電路在關(guān)斷支路設置阻性元件R3,在控制信號為高電平時,第一晶體管T1導通而第二晶體管T2關(guān)斷時,第三晶體管T3瞬時導通,開關(guān)經(jīng)第三阻性元件R3和第三晶體管T3向地放電,因設置第三阻性元件R3R3,放電電流減小,放電速度減慢,從而延長放電結(jié)束的時間,使開關(guān)關(guān)斷的時間延長。
圖4B-4D的針對阻性元件不同設置位置的實施例,三種阻性元件可單獨設置,也可根據(jù)設計需要進行組合設置,例如同時設置第一阻性元件R1和第二阻性元件R2、同時設置第一阻性元件R1和第三阻性元件R3、同時設置第二阻性元件R2和第三阻性元件R3,或同時設置第一阻性元件R1、第二阻性元件R2和第三阻性元件R3。
圖4E是本實用新型一種實施方式的開關(guān)驅(qū)動電路連接圖,該實施例的開關(guān)驅(qū)動電路,同時設置第一阻性元件R1、第二阻性元件R2和第三阻性元件R3。該實施例的開關(guān)驅(qū)動電路,在控制信號為低電平,第一晶體管T1關(guān)斷而第二晶體管T2導通時,驅(qū)動電壓經(jīng)第二阻性元件R2、第二晶體管T2和第一阻性元件R1接入開關(guān),驅(qū)動電壓經(jīng)第二晶體管T2到開關(guān)的電流減小,電荷積聚得到開關(guān)導通所需電壓的時間延長,從而延長開關(guān)K導通的時間;在控制信號為高電平時,第一晶體管T1導通而第二晶體管T2關(guān)斷時,第三晶體管T3瞬時導通,開關(guān)K經(jīng)第一阻性元件R1、第三阻性元件R3和第三晶體管T3向地放電,因設置第一阻性元件R1和第三阻性元件R3,放電電流減小,放電速度減慢,從而延長放電結(jié)束的時間,使開關(guān)關(guān)斷的時間延長。
根據(jù)本實用新型一種實施方式,所述阻性元件為電阻。
根據(jù)本實用新型一種實施方式,所述開關(guān)可以為IGBT管、三極管或場效應管中的一種。
圖4B-4E所示的實施例中,開關(guān)驅(qū)動電路驅(qū)動的開關(guān)采用IGBT。驅(qū)動電壓輸出端Ud輸入到控制IGBT的柵極,以控制IGBT的導通或關(guān)斷,上述方案中,設置R1、R2、R3以優(yōu)化電路,改善電路的電磁兼容性。R3用于調(diào)節(jié)IGBT的關(guān)斷速度,阻值越大,IGBT的關(guān)斷速度越慢,改善EMC的效果越好。當R3小于30歐姆,對于EMC的改善效果不明顯;大于100歐姆,IGBT的關(guān)斷損耗會非常大,容易造成IGBT溫度過高,所以,R3阻值選擇范圍30歐姆-100歐姆。
R2用于調(diào)節(jié)IGBT的導通速度,阻值越大,IGBT的導通速度越慢,EMC效果越好。當R2小于10歐姆,對于EMC的改善效果不明顯;大于100歐姆,IGBT的關(guān)斷損耗會非常大,容易造成IGBT溫度過高,所以,R2阻值選擇范圍10歐姆~100歐姆。
R1用于調(diào)節(jié)IGBT的導通和關(guān)斷速度,R1會同時調(diào)節(jié)導通和關(guān)斷速度,阻值越大,IGBT的導通和關(guān)斷速度越慢,EMC效果越好。當R1小于10歐姆,對于EMC的改善效果不明顯;大于100歐姆,IGBT的導通和關(guān)斷損耗會非常大,容易造成IGBT溫度過高,所以,R1阻值選擇范圍10歐姆~100歐姆。
在實際調(diào)試時,R1、R2、R3根據(jù)測試結(jié)果在上述選值范圍內(nèi)時為最優(yōu)值,兼顧對EMC的改善效果并不會對電路中開關(guān)IGBT溫升造成較大的影響。
圖5是本實用新型另一種實施方式的開關(guān)驅(qū)動電路連接圖。如圖5所示的一種實施方式的開關(guān)驅(qū)動電路,其中,開關(guān)K為帶有反并聯(lián)續(xù)流二極管VD的IGBT管。
根據(jù)本實用新型一種實施方式,還包括限流電阻R4、R5和R6,R4連接+18V電壓源和第一晶體管T1的集電極,用以在第一晶體管T1導通時對第一晶體管T1所在的導通支路限流,對其進行過流保護,R5連接控制信號PPG和第一晶體管T1的柵極,對輸入控制信號電流進行限制,R6一端連接開關(guān)的柵極,另一端和IGBT開關(guān)的發(fā)射極共接后接地。
圖6是本實用新型一種實施方式的電磁加熱家電控制電路,包含如上一種實施方式的開關(guān)驅(qū)動電路,開關(guān)為IGBT管,IGBT管的集電極連接至線圈盤的內(nèi)圈端子,發(fā)射機連接至電源電路。單相交流電源經(jīng)過整流后輸出直流電(V+,V-),經(jīng)過π型濾波電路濾除諧波后,經(jīng)開關(guān)IGBT輸入到電磁線圈。通過控制信號經(jīng)開關(guān)驅(qū)動電路控制開關(guān)IGBT的導通或關(guān)斷,將直流電(V+,V-)逆變?yōu)楦哳l電流,如20kHz以上的高頻電流,通入電磁線圈將電信號轉(zhuǎn)變成交變的電磁信號,被加熱體上在交變的電磁信號中產(chǎn)生渦流及磁滯運動,因而產(chǎn)生熱量。
上述實施方式中,將π型濾波電路與通過阻性元件延遲開關(guān)IGBT導通/關(guān)斷的時間相結(jié)合的方式,能滿足EMC要求且大大優(yōu)化成本。
根據(jù)本實用新型一種實施方式,電磁加熱家電為電磁爐。例如可以為其他電磁加熱家電,如電飯煲、電壓力鍋或電水壺等。
開關(guān)IGBT是電磁爐的核心部件,單片機等處理單元輸入控制信號PPG控制IGBT的開關(guān),使得電磁爐線圈盤跟諧振電容形成諧振,讓磁能轉(zhuǎn)換成電能,在鍋具底部產(chǎn)生渦流,轉(zhuǎn)換成熱能,使得鍋具發(fā)熱。IGBT的開關(guān)頻率大概在20KHz~30KHz,如此高的開關(guān)頻率,會對系統(tǒng)產(chǎn)生很大的電磁干擾。為了滿足EMC要求,目前的做法是增加濾波電路,吸收IGBT產(chǎn)生的電磁干擾。
本實施方式的電磁爐的加熱控制電路采用上述任一種實施方式的開關(guān)驅(qū)動電路,控制IGBT的導通/關(guān)斷,通過延遲自接收到控制信號到IGBT導通/關(guān)斷的時間,降低IGBT的開關(guān)速度,降低對系統(tǒng)產(chǎn)生的電磁干擾和造成的電網(wǎng)抖動,改善電路的電磁兼容性。
上述方案通過在開關(guān)電路設置阻性元件,設置方式較靈活、電路結(jié)構(gòu)簡單,改進成本較低。
以上結(jié)合附圖詳細描述了本實用新型的優(yōu)選實施方式,但是,本實用新型并不限于上述實施方式中的具體細節(jié),在本實用新型的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi),可以對本實用新型的技術(shù)方案進行多種簡單變型,這些簡單變型均屬于本實用新型的保護范圍。
另外需要說明的是,在上述具體實施方式中所描述的各個具體技術(shù)特征,在不矛盾的情況下,可以通過任何合適的方式進行組合。為了避免不必要的重復,本實用新型對各種可能的組合方式不再另行說明。
此外,本實用新型的各種不同的實施方式之間也可以進行任意組合,只要其不違背本實用新型的思想,其同樣應當視為本實用新型所公開的內(nèi)容。