本發(fā)明屬于集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,具體的說(shuō)是一種全差分放大器。
背景技術(shù):
全差分運(yùn)算放大器的輸出信號(hào)和輸入信號(hào)均為差分信號(hào),由于其在噪聲、電壓擺幅、帶寬頻率和單位增益等方面都顯示出較好的優(yōu)越性,所以全差分的形式便經(jīng)常成為高性能的代名詞。傳統(tǒng)的差分放大器常見(jiàn)的有單級(jí)和兩級(jí)差分放大器,而單級(jí)全差分運(yùn)放還可以分成簡(jiǎn)單的全差分、套筒式共源-共柵和折疊式共源-共柵這三種結(jié)構(gòu)。
(1)如圖1所示為一個(gè)簡(jiǎn)單的單級(jí)差分放大器,vdd表示電源電壓,m1和m2構(gòu)成輸入差分對(duì),m3和m4構(gòu)成負(fù)載,這種放大器的增益表示為:
av≈gm1(ro1||ro3)
其中:gm1表示輸入管m1跨導(dǎo),ro1和ro3表示m1和m3管的輸出電阻。
(2)在模擬電路的設(shè)計(jì)過(guò)程中,共源-共柵結(jié)構(gòu)的運(yùn)算放大器是應(yīng)用最廣泛的一種,其能在保持頻率特性?xún)?yōu)秀的前提下,實(shí)現(xiàn)電壓增益的最大化。選擇這種結(jié)構(gòu)的目的,大多數(shù)都是為了盡可能大的提高增益。共源-共柵結(jié)構(gòu)的運(yùn)算放大器主要分為套筒式和折疊式兩種。套筒式共源-共柵運(yùn)算放大器的結(jié)構(gòu)如圖2所示,對(duì)比于簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)運(yùn)放,套筒式共源-共柵結(jié)構(gòu)增加了兩對(duì)nmos管,使得運(yùn)放增益得到相當(dāng)大的改善。該電路中輸入管的跨導(dǎo)仍為gm1,輸入阻抗約增大為(gm4ro4)ro2||(gm6ro6)ro8,由此可以得到該電路的增益為:av≈gm1[(gm4ro4)ro2||(gm6ro6)ro8],由此可見(jiàn)套筒式結(jié)構(gòu)要比簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的增益提高許多。
如果對(duì)單級(jí)套筒式結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)增益還是不夠的話(huà)就需要增加一級(jí)采用兩級(jí)運(yùn)放結(jié)構(gòu),對(duì)兩級(jí)運(yùn)放結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)其增益等于前后兩級(jí)運(yùn)放的增益乘積,這樣可以有效的提升運(yùn)放的增益,如圖3所示為一個(gè)簡(jiǎn)單的兩級(jí)運(yùn)放電路結(jié)構(gòu)。但兩級(jí)運(yùn)放通常穩(wěn)定性較差,即相位裕度較低,這時(shí)候通常需要使用穩(wěn)定性補(bǔ)償技術(shù)來(lái)使其穩(wěn)定,一般采用米勒補(bǔ)償技術(shù),即在運(yùn)放的第一級(jí)輸出和第二級(jí)輸出之間跨接一個(gè)電容從而調(diào)整整個(gè)電路的主極點(diǎn)和次級(jí)極點(diǎn)之間的位置起到提高相位裕度的效果,如圖3中的電容cc,但是這種補(bǔ)償會(huì)增加一個(gè)右半平面零點(diǎn),這是通過(guò)米勒電容的前饋路徑得到的,右半平面零點(diǎn)增加了相移,但是幅度是增加的,會(huì)導(dǎo)致相位裕度減小,要轉(zhuǎn)移或者抵消這個(gè)零點(diǎn)需要用到其他的技術(shù),如添加調(diào)零電阻等。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
鑒于此,本發(fā)明的目的是提供一種無(wú)需穩(wěn)定性補(bǔ)償?shù)膬杉?jí)全差分放大器。本發(fā)明不使用額外的補(bǔ)償技術(shù)來(lái)補(bǔ)償穩(wěn)定性,而是通過(guò)調(diào)節(jié)電路中的管子尺寸來(lái)提高電路的相位裕度,對(duì)電路的帶寬影響較小并且不引入額外的零極點(diǎn),相比傳統(tǒng)的密勒補(bǔ)償兩級(jí)運(yùn)放降低了電路復(fù)雜度并降低了功耗。
本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的,一種無(wú)需穩(wěn)定性補(bǔ)償?shù)膬杉?jí)全差分放大器,包括具有兩個(gè)輸出端的第一級(jí)電路和具有兩個(gè)輸入端的第二級(jí)電路,第一級(jí)電路的輸出端分別與第二級(jí)電路的輸入端連接,所述第一級(jí)電路包括mos管m9~mos管m15;所述mos管m9的源極接地,mos管m9的漏極分別與mos管m10的源極、mos管m11的源極連接,mos管m10的漏極分別與mos管m12的漏極、mos管m15的源極連接,mos管m11的漏極分別與mos管m13的漏極、mos管m14的源極連接,mos管m12的源極、mos管m13的源極、mos管m14的漏極和mos管m15的漏極分別與電源vdd連接,mos管m12的柵極與mos管m13的柵極連接,mos管m10的漏極、mos管m11的漏極分別與第二級(jí)電路的輸入端連接,mos管m10的柵極與mos管m11的柵極分別作為第一級(jí)電路的兩個(gè)輸入端。
進(jìn)一步,所述第二級(jí)電路包括mos管m16~mos管m29,所述mos管m16的源極與電源vdd連接,mos管m16的漏極與mos管m18的源極連接,mos管m18的漏極與mos管m20的源極連接,mos管20的漏極與mos管m22的源極連接,mos管m22的源極與mos管m24的漏極連接,mos管m24的源極與mos管m26的漏極連接,mos管m26的源極與mos管m28的漏極連接,mos管m28的源極接地;所述mos管m17的源極與電源vdd連接,mos管m17的漏極與mos管m19的源極連接,mos管m19的漏極與mos管m21的源極連接,mos管21的漏極與mos管m23的漏極連接,mos管m23的源極與mos管m25的漏極連接,mos管m25的源極與mos管m27的漏極連接,mos管m27的源極與mos管m29的漏極連接,mos管m29的源極接地;所述mos管m16的柵極與mos管m17的柵極連接,mos管m18的柵極與mos管m19的柵極連接,mos管m20的柵極與mos管m21的柵極連接,mos管m22的柵極與mos管m23的柵極連接,mos管m24的柵極與mos管m25的柵極連接,mos管m26的柵極與mos管m27的柵極連接,mos管m28的柵極與mos管m29的柵極連接,所述mos管m26的柵極與mos管m2的源極連接,mos管m27的柵極與mos管m3的源極連接,mos管m20的源極、mos管m21的源極分別作為放大器的兩個(gè)輸出端。
由于采用了上述技術(shù)方案,本發(fā)明具有如下的優(yōu)點(diǎn):
與傳統(tǒng)的兩級(jí)全差分運(yùn)放相比,本發(fā)明沒(méi)有使用米勒補(bǔ)償技術(shù)進(jìn)行穩(wěn)定性補(bǔ)償,而是通過(guò)改變電路結(jié)構(gòu)和管子尺寸的方式直接改變極點(diǎn)位置來(lái)改善相位裕度,提高電路穩(wěn)定性,并且相對(duì)傳統(tǒng)電路來(lái)說(shuō),增益高電路復(fù)雜度低。
附圖說(shuō)明
為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述,其中:
圖1為簡(jiǎn)單的全差分運(yùn)放結(jié)構(gòu);
圖2為套筒式共源-共柵運(yùn)算放大器;
圖3為一個(gè)簡(jiǎn)單的兩級(jí)運(yùn)放結(jié)構(gòu);
圖4為本發(fā)明的兩級(jí)運(yùn)放電路結(jié)構(gòu)中的第一級(jí)電路的電路圖;
圖5為本發(fā)明的兩級(jí)運(yùn)放電路結(jié)構(gòu)中的第二級(jí)電路的電路圖。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合附圖,對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述;應(yīng)當(dāng)理解,優(yōu)選實(shí)施例僅為了說(shuō)明本發(fā)明,而不是為了限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
本發(fā)明的電路結(jié)構(gòu)如圖4、5所示,一種無(wú)需穩(wěn)定性補(bǔ)償?shù)膬杉?jí)全差分放大器,包括具有兩個(gè)輸出端的第一級(jí)電路和具有兩個(gè)輸入端的第二級(jí)電路,第一級(jí)電路的輸出端分別與第二級(jí)電路的輸入端連接,第一級(jí)的增益較低,第二級(jí)是一個(gè)兩級(jí)套筒,增益較高。
所述第一級(jí)電路包括mos管m9~mos管m15;所述mos管m9的源極接地,mos管m9的漏極分別與mos管m10的源極、mos管m11的源極連接,mos管m10的漏極分別與mos管m12的漏極、mos管m15的源極連接,mos管m11的漏極分別與mos管m13的漏極、mos管m14的源極連接,mos管m12的源極、mos管m13的源極、mos管m14的漏極和mos管m15的漏極分別與電源vdd連接,mos管m12的柵極與mos管m13的柵極連接,mos管m10的漏極、mos管m11的漏極分別與第二級(jí)電路的輸入端連接,mos管m10的柵極與mos管m11的柵極分別作為第一級(jí)電路的兩個(gè)輸入端。
所述第二級(jí)電路包括mos管m16~mos管m29,所述mos管m16的源極與電源vdd連接,mos管m16的漏極與mos管m18的源極連接,mos管m18的漏極與mos管m20的源極連接,mos管20的漏極與mos管m22的源極連接,mos管m22的源極與mos管m24的漏極連接,mos管m24的源極與mos管m26的漏極連接,mos管m26的源極與mos管m28的漏極連接,mos管m28的源極接地;所述mos管m17的源極與電源vdd連接,mos管m17的漏極與mos管m19的源極連接,mos管m19的漏極與mos管m21的源極連接,mos管21的漏極與mos管m23的漏極連接,mos管m23的源極與mos管m25的漏極連接,mos管m25的源極與mos管m27的漏極連接,mos管m27的源極與mos管m29的漏極連接,mos管m29的源極接地;所述mos管m16的柵極與mos管m17的柵極連接,mos管m18的柵極與mos管m19的柵極連接,mos管m20的柵極與mos管m21的柵極連接,mos管m22的柵極與mos管m23的柵極連接,mos管m24的柵極與mos管m25的柵極連接,mos管m26的柵極與mos管m27的柵極連接,mos管m28的柵極與mos管m29的柵極連接,所述mos管m26的柵極與mos管m2的源極連接,mos管m27的柵極與mos管m3的源極連接,mos管m20的源極、mos管m21的源極分別作為放大器的兩個(gè)輸出端。
圖4中,m1和m2是輸入對(duì)管,m3到m6是第一級(jí)的負(fù)載,其中m3和m6并聯(lián),m4和m5并聯(lián),因?yàn)楸景l(fā)明的兩級(jí)電路為全差分電路,所以電路兩端是完全對(duì)稱(chēng)等效的,從第一級(jí)的輸出端看進(jìn)去可以知道第一級(jí)的輸出阻抗約為1/gm5(或1/gm6),在靜態(tài)電流一定的情況下,可以通過(guò)調(diào)節(jié)m3和m4的管子尺寸大小來(lái)調(diào)節(jié)流過(guò)m5和m6的電流從而調(diào)節(jié)gm5和gm6,從而調(diào)節(jié)輸出阻抗,我們可以在保持主極點(diǎn)即第二級(jí)輸出端的極點(diǎn)穩(wěn)定的情況下通過(guò)調(diào)節(jié)次級(jí)極點(diǎn)的位置來(lái)調(diào)節(jié)相位裕度從而提高電路穩(wěn)定性。
以適當(dāng)?shù)南辔辉6全@得“好的穩(wěn)定度”的重要性可以通過(guò)研究時(shí)域閉環(huán)系統(tǒng)響應(yīng)得到最好理解,相位裕量越大,引起的輸出信號(hào)振鈴越小,所以有足夠的相位裕量保證振鈴在可以接受的范圍內(nèi)是很重要的,相位裕量至少要45°,最好是60°。而與相位裕度直接相關(guān)的是電路極點(diǎn)之間的距離,對(duì)一個(gè)兩級(jí)運(yùn)放電路來(lái)說(shuō),它的主極點(diǎn)和次級(jí)極點(diǎn)分別存在于第二級(jí)輸出端和第一級(jí)輸出端,主極點(diǎn)為p1=-1/r1cl,其中cl為輸出負(fù)載電容,r1為從第二級(jí)輸出端看進(jìn)去的對(duì)地電阻,次級(jí)極點(diǎn)為p2=-1/r2c2,r2為從第一級(jí)輸出端看進(jìn)去的對(duì)地電阻,c2為從第一級(jí)輸出端看進(jìn)去的對(duì)地電容。對(duì)本次設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),從第一級(jí)輸出端看進(jìn)去的對(duì)地電阻為1/gm5(或1/gm6),而對(duì)地電容則為第二級(jí)的輸入對(duì)管的寄生電容,因此我們可以在保證主極點(diǎn)不動(dòng)的情況下,通過(guò)調(diào)節(jié)1/gm5(或1/gm6)的大小改變次級(jí)極點(diǎn)的位置來(lái)改善總電路的相位裕度。
本發(fā)明通過(guò)調(diào)節(jié)電路中管子尺寸的方式來(lái)調(diào)節(jié)電路中主極點(diǎn)和次級(jí)極點(diǎn)的位置從而調(diào)節(jié)相位裕度。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,并不用于限制本發(fā)明,顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。