本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電平轉(zhuǎn)換電路。

背景技術(shù)：

電平轉(zhuǎn)換電路，即為具有低電壓工作范圍的電路與具有高電壓工作范圍的電路之間的轉(zhuǎn)換接口，是集成電路中非常重要的一種接口電路。通過電平轉(zhuǎn)換電路，可以將信號從一個電源域轉(zhuǎn)換到另一個電源域，方便信號在各自的電源域里進行各自的信號處理。

傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路如圖1所示，反相器inv1、第一pmos晶體管p1、第二pmos晶體管p2、第一nmos晶體管n1和第二nmos晶體管n2；反相器inv1的輸入端接電平轉(zhuǎn)換電路的輸入端uin，輸出接第一nmos晶體管n1的柵極；第一nmos晶體管n1的源極接地，漏極接第一pmos晶體管p1的漏極和第二pmos晶體管p2的柵極；第一pmos晶體管p1的源級接電源，柵極接輸出端uout；第二nmos晶體管n2的柵極接電平轉(zhuǎn)換電路的輸入uin，柵極接第二pmos晶體管p2的漏極，源極接地；第二pmos晶體管p2的源級接電源，漏極接輸出uout。

這種傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路，存在nmos晶體管和pmos晶體管同時導(dǎo)通導(dǎo)致電平轉(zhuǎn)換不正確的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為解決現(xiàn)有電平轉(zhuǎn)換電路中存在nmos晶體管和pmos晶體管同時導(dǎo)通導(dǎo)致電平轉(zhuǎn)換不正確的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種電平轉(zhuǎn)換正確的電平轉(zhuǎn)換電路。

一種電平轉(zhuǎn)換電路，包括：反相器inv1、第一pmos晶體管p1、第二pmos晶體管p2、第三pmos晶體管p3、第四pmos晶體管p4、第一nmos晶體管n1和第二nmos晶體管n2；反相器inv1的輸入端接電平轉(zhuǎn)換電路的輸入端uin，輸出接第一pmos晶體管p1的柵極和第一nmos晶體管n1的柵極；第一nmos晶體管n1的源極接地，漏極接第一pmos晶體管p1的漏極和第四pmos晶體管p4的柵極；第一pmos晶體管p1的源極接第三pmos晶體管p3的漏極；第三pmos晶體管p3的源級接電源，柵極接輸出端uout；第二nmos晶體管n2的柵極接電平轉(zhuǎn)換電路的輸入uin，源極接地，漏極接輸出uout；第二pmos晶體管p2的柵極接電平轉(zhuǎn)換電路的輸入端uin，漏極接輸出uout，源極接第四pmos晶體管p4的漏極；第四pmos晶體管p4的源級接電源。

本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)換電路中，通過增加兩個pmos晶體管，解決了傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路存在nmos晶體管和pmos晶體管同時導(dǎo)通導(dǎo)致電平轉(zhuǎn)換不正確的問題，大大提高了電平轉(zhuǎn)換電路的穩(wěn)定性。

附圖說明

圖1是傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明了，下面結(jié)合具體實施方式并參照附圖，對本發(fā)明進一步詳細說明。應(yīng)該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本發(fā)明的范圍。此外，在以下說明中，省略了對公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述，以避免不必要地混淆本發(fā)明的概念。

如圖2所示，為本發(fā)明提供的一種電平轉(zhuǎn)換電路，包括：反相器inv1、第一pmos晶體管p1、第二pmos晶體管p2、第三pmos晶體管p3、第四pmos晶體管p4、第一nmos晶體管n1和第二nmos晶體管n2；反相器inv1的輸入端接電平轉(zhuǎn)換電路的輸入端uin，輸出接第一pmos晶體管p1的柵極和第一nmos晶體管n1的柵極；第一nmos晶體管n1的源極接地，漏極接第一pmos晶體管p1的漏極和第四pmos晶體管p4的柵極；第一pmos晶體管p1的源極接第三pmos晶體管p3的漏極；第三pmos晶體管p3的源級接電源，柵極接輸出端uout；第二nmos晶體管n2的柵極接電平轉(zhuǎn)換電路的輸入uin，源極接地，漏極接輸出uout；第二pmos晶體管p2的柵極接電平轉(zhuǎn)換電路的輸入端uin，漏極接輸出uout，源極接第四pmos晶體管p4的漏極；第四pmos晶體管p4的源級接電源。

與傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路相比，本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)換電路中，通過增加兩個pmos晶體管，解決了傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路存在nmos晶體管和pmos晶體管同時導(dǎo)通導(dǎo)致電平轉(zhuǎn)換不正確的問題，大大提高了電平轉(zhuǎn)換電路的穩(wěn)定性。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的上述具體實施方式僅僅用于示例性說明或解釋本發(fā)明的原理，而不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。因此，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。此外，本發(fā)明所附權(quán)利要求旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內(nèi)的全部變化和修改例。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種電平轉(zhuǎn)換電路，屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域。該電路包括：反相器INV1、四個PMOS晶體管和兩個NMOS晶體管。本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)換電路中，通過增加兩個PMOS晶體管，解決了傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路存在NMOS晶體管和PMOS晶體管同時導(dǎo)通導(dǎo)致電平轉(zhuǎn)換不正確的問題，大大提高了電平轉(zhuǎn)換電路的穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：不公告發(fā)明人
受保護的技術(shù)使用者：長沙方星騰電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.30
技術(shù)公布日：2017.09.22