本技術(shù)涉及顯示領(lǐng)域,具體涉及一種制備顯示面板的方法、顯示面板和顯示裝置。
背景技術(shù):
1、有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light?emitting?diode,oled)以及基于發(fā)光二極管(light?emitting?diode,led)等技術(shù)的平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn),而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、筆記本電腦、臺(tái)式電腦等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品,成為顯示裝置中的主流。
2、但目前的oled顯示產(chǎn)品的使用性能有待提升。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本技術(shù)實(shí)施例提供一種制備顯示面板的方法、顯示面板和顯示裝置,旨在提高顯示面板的使用性能。
2、本技術(shù)第一方面實(shí)施例提供一種制備顯示面板的方法,方法包括:
3、在基板上依次層疊設(shè)置像素定義材料層和第一材料層;
4、對(duì)像素定義材料層和第一材料層進(jìn)行圖案化處理,形成依次層疊的像素定義層和第一子層,像素定義層包括像素限定部和由像素限定部圍合形成的多個(gè)像素開口,多個(gè)像素開口包括第一像素開口和第二像素開口;
5、在第一子層和多個(gè)像素開口背離基板的一側(cè)制備第二材料層,并對(duì)第二材料層進(jìn)行圖案化處理,獲得具有第一鏤空部的第二子層,第一鏤空部與第一像素開口連通,具有第一鏤空部的第二子層在基板的正投影覆蓋第二像素開口在基板的正投影;
6、通過第一鏤空部刻蝕第一子層,形成第一隔離開口,并得到具有第一凹陷面的第一子層,第一凹陷面在基板的正投影與具有第一鏤空部的第二子層在基板的正投影相交疊。
7、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在得到具有第一凹陷面的第一子層的步驟之后,方法還包括:
8、在第一隔離開口內(nèi)和具有第一鏤空部的第二子層背離基板的一側(cè),依次制備第一發(fā)光材料層、第一電極材料層和第一封裝材料層;
9、去除位于具有第一鏤空部的第二子層背離基板的一側(cè)的第一發(fā)光材料層、第一電極材料層和第一封裝材料層,得到位于第一隔離開口內(nèi)的第一發(fā)光單元、第一子電極和第一封裝部。
10、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實(shí)施方式,在得到位于第一隔離開口內(nèi)的第一發(fā)光單元、第一子電極和第一封裝部的步驟之后,方法還包括:
11、對(duì)具有第一鏤空部的第二子層進(jìn)行圖案化處理,獲得具有第二鏤空部的和第一鏤空部第二子層,第二鏤空部與第二像素開口連通;
12、通過第二鏤空部刻蝕具有第一凹陷面的第一子層,形成第二隔離開口,并得到具有第二凹陷面和第一凹陷面的第一子層,第二凹陷面在基板的正投影與具有第一鏤空部和第二鏤空部的第二子層在基板的正投影相交疊。
13、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實(shí)施方式,在得到具有第二凹陷面和第一凹陷面的第一子層的步驟之后,方法還包括:
14、在第二隔離開口內(nèi)、具有第一鏤空部和第二鏤空部的第二子層背離基板的一側(cè)和第一封裝部背離基板的一側(cè),依次制備第二發(fā)光材料層、第二電極材料層和第二封裝材料層;
15、去除位于具有第一鏤空部和第二鏤空部的第二子層背離基板的一側(cè)和位于第一封裝部背離基板的一側(cè)的第二發(fā)光材料層、第二電極材料層和第二封裝材料層,得到位于第二隔離開口內(nèi)的第二發(fā)光單元、第二子電極和第二封裝部。
16、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實(shí)施方式,多個(gè)像素開口還包括第三像素開口,在得到位于第二隔離開口內(nèi)的第二發(fā)光單元、第二子電極和第二封裝部的步驟之后,方法還包括:
17、對(duì)具有第一鏤空部和第二鏤空部的第二子層進(jìn)行圖案化處理,獲得具有第三鏤空部、第一鏤空部和第二鏤空部的第二層,第三鏤空部與第三像素開口連通;
18、通過第三鏤空部刻蝕具有第一凹陷面和第二凹陷面的第一子層,形成第三隔離開口,并得到具有第三凹陷面、第一凹陷面和第二凹陷面的第一層,第三凹陷面在基板的正投影與第二層相交疊。
19、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實(shí)施方式,具有第一鏤空部的第二子層在基板的正投影覆蓋第二像素開口和第三像素開口在基板的正投影。
20、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實(shí)施方式,具有第一鏤空部和第二鏤空部的第二子層在基板的正投影覆蓋第三像素開口在基板的正投影。
21、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實(shí)施方式,在得到具有第三凹陷面、第一凹陷面和第二凹陷面的第一層的步驟之后,方法還包括:
22、在第三隔離開口內(nèi)、第二層背離基板的一側(cè)和第一封裝部和第二封裝部背離基板的一側(cè),依次制備第三發(fā)光材料層、第三電極材料層和第三封裝材料層;
23、去除位于第二層背離基板的一側(cè)和位于第一封裝部和第二封裝部背離基板的一側(cè)的第三發(fā)光材料層、第三電極材料層和第三封裝材料層,得到位于第三隔離開口內(nèi)的第三發(fā)光單元、第三子電極和第三封裝部。
24、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實(shí)施方式,對(duì)第二材料層進(jìn)行圖案化處理,獲得具有第一鏤空部的第二子層的步驟,包括:
25、在第二材料層背離基板的一側(cè)制備第一保護(hù)材料層,并對(duì)第一保護(hù)材料層進(jìn)行圖案化處理形成具有第一讓位開口、且位于第二像素開口對(duì)應(yīng)處的第一保護(hù)層;
26、通過第一讓位開口對(duì)第二材料層進(jìn)行圖案化處理,獲得具有第一鏤空部的第二子層;
27、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實(shí)施方式,在第一隔離開口內(nèi)和具有第一鏤空部的第二子層背離基板的一側(cè),依次制備第一發(fā)光材料層、第一電極材料層和第一封裝材料層的步驟之前,方法還包括:
28、去除第一保護(hù)層。
29、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實(shí)施方式,第一保護(hù)層的材料包括光刻膠。
30、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實(shí)施方式,對(duì)具有第一鏤空部的第二子層進(jìn)行圖案化處理,獲得具有第二鏤空部和第一鏤空部的第二子層的步驟,包括:
31、在具有第一鏤空部的第二子層背離基板的一側(cè)制備第二保護(hù)材料層,并對(duì)第二保護(hù)材料層進(jìn)行圖案化處理形成具有第二讓位開口、且位于第一像素開口對(duì)應(yīng)處的第二保護(hù)層;
32、通過第二讓位開口對(duì)具有第一鏤空部的第二子層進(jìn)行圖案化處理,形成具有第二鏤空部和第一鏤空部的第二子層;
33、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實(shí)施方式,在第二隔離開口內(nèi)、具有第一鏤空部和第二鏤空部的第二子層背離基板的一側(cè)和第一封裝部背離基板的一側(cè),依次制備第二發(fā)光材料層、第二電極材料層和第二封裝材料層的步驟之前,方法還包括:
34、去除第二保護(hù)層。
35、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實(shí)施方式,第二保護(hù)層的材料包括光刻膠。
36、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實(shí)施方式,對(duì)具有第一鏤空部和第二鏤空部的第二子層進(jìn)行圖案化處理,獲得具有第三鏤空部、第一鏤空部和第二鏤空部的第二層的步驟中,包括:
37、在具有第一鏤空部和第二鏤空部的第二子層背離基板的一側(cè)制備第三保護(hù)材料層,并對(duì)第三保護(hù)材料層進(jìn)行圖案化處理形成具有第三讓位開口、且位于第一像素開口和第二像素開口對(duì)應(yīng)處的第三保護(hù)層;
38、通過第三讓位開口對(duì)具有第一鏤空部和第二鏤空部的第二子層進(jìn)行圖案化處理,形成具有第三鏤空部、第一鏤空部和第二鏤空部的第二層;
39、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實(shí)施方式,在第三隔離開口內(nèi)、第二層背離基板的一側(cè)和第一封裝部和第二封裝部背離基板的一側(cè),依次制備第三發(fā)光材料層、第三電極材料層和第三封裝材料層的步驟之前,方法還包括:
40、去除第三保護(hù)層。
41、本技術(shù)第二方面實(shí)施例提供一種顯示面板,顯示面板包括:基板;隔離結(jié)構(gòu),位于基板上,隔離結(jié)構(gòu)圍合形成多個(gè)隔離開口,多個(gè)隔離開口包括第一隔離開口以及第二隔離開口,隔離結(jié)構(gòu)包括沿遠(yuǎn)離基板方向依次設(shè)置的第一層以及第二層,第一層靠近第二層的一側(cè)在基板的正投影位于第二層靠近第一層的一側(cè)在基板的正投影之內(nèi);其中,在第一隔離開口處,第一層靠近第二層的一側(cè)在基板的正投影與第二層靠近第一層的一側(cè)在基板的正投影之間的距離為第一延伸距離;在第二隔離開口處第一層靠近第二層的一側(cè)在基板的正投影與第二層靠近第一層的一側(cè)在基板的正投影之間的距離為第二延伸距離,第一延伸距離等于第二延伸距離。
42、根據(jù)本技術(shù)第二方面的實(shí)施方式,多個(gè)隔離開口還包括第三隔離開口,在第三隔離開口處,第一層靠近第二層的一側(cè)在基板的正投影與第二層靠近第一層的一側(cè)在基板的正投影之間的距離為第三延伸距離,第一延伸距離等于第三延伸距離。
43、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實(shí)施方式,顯示面板還包括:發(fā)光層,位于基板上,發(fā)光層包括位于隔離開口內(nèi)的發(fā)光單元。
44、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實(shí)施方式,至少兩個(gè)發(fā)光單元周側(cè)的隔離結(jié)構(gòu)在基板的正投影沿第一方向和/或第二方向的尺寸相同。
45、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實(shí)施方式,各發(fā)光單元周側(cè)的隔離結(jié)構(gòu)在基板的正投影沿第一方向和/或第二方向的尺寸相同。
46、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實(shí)施方式,發(fā)光單元周側(cè)的第二層在基板的正投影沿第一方向和/或第二方向的尺寸相同。
47、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實(shí)施方式,發(fā)光單元周側(cè)的第一層在基板的正投影沿第一方向和/或第二方向的尺寸相同。
48、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實(shí)施方式,第一層靠近第二層的一側(cè)在基板的正投影與第二層靠近第一層的一側(cè)在基板的正投影之間的距離為延伸距離,靠近顏色相同的各發(fā)光單元的延伸距離相同。
49、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實(shí)施方式,顯示面板還包括:第一電極層,位于發(fā)光層背離基板的一側(cè)。
50、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實(shí)施方式,第一電極層包括間隔設(shè)置的多個(gè)第一電極,第一電極與隔離結(jié)構(gòu)電連接。
51、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實(shí)施方式,各發(fā)光單元在基板的正投影位于各第一電極在基板的正投影之內(nèi)。
52、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實(shí)施方式,第一電極與隔離結(jié)構(gòu)的接觸部分具有遠(yuǎn)離基板的端部,隔離結(jié)構(gòu)具有靠近基板的下表面,端部與下表面的延伸面之間的距離為爬坡高度,顏色相同的發(fā)光單元對(duì)應(yīng)的第一電極的爬坡高度相同。
53、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實(shí)施方式,顯示面板還包括:像素定義層,位于基板上,像素定義層包括像素限定部和由像素限定部圍合形成的像素開口,像素開口和隔離開口連通。
54、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實(shí)施方式,顯示面板還包括像素電極,像素電極位于像素限定部靠近基板的一側(cè),像素電極在基板的正投影和像素開口在基板的正投影至少部分交疊。
55、本技術(shù)第三方面的實(shí)施例提供一種顯示裝置,其包括上述任一實(shí)施方式的顯示面板。
56、根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的制備顯示面板的方法,在制備第一像素開口內(nèi)的第一發(fā)光單元之前,對(duì)第一材料層在第一像素開口對(duì)應(yīng)的位置進(jìn)行圖案化處理形成第一子層。然后在第一子層背離基板的一側(cè)制備第二材料層,并對(duì)第二材料層在第一像素開口對(duì)應(yīng)的位置進(jìn)行圖案化處理形成具有第一鏤空部的第二子層。再對(duì)第一子層朝向第一像素開口的內(nèi)壁面進(jìn)行刻蝕,形成具有第一凹陷面的第一子層,第一凹陷面相對(duì)第二子層遠(yuǎn)離第一像素開口凹陷設(shè)置,當(dāng)后續(xù)制備第一發(fā)光材料層時(shí),第一發(fā)光材料層在具有第一凹陷面的第一子層和具有第一鏤空部的第二子層靠近第一開口的位置斷開,以形成位于第一像素開口的第一發(fā)光單元,該制備方法可以無需采用精密掩模板,能夠減少精密掩模板的開發(fā)和使用,降低制備成本。且第一像素開口周側(cè)的第一子層和第二子層獨(dú)立制備,便于控制第一像素開口周側(cè)的第一子層和第二子層的尺寸,從而實(shí)現(xiàn)后續(xù)制備的第一子電極時(shí),第一子電極在第一子層的第一凹陷面上的爬坡高度可控,以調(diào)整第一子電極與第一子層的搭接電阻,從而提高顯示面板的使用性能。