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      數(shù)模轉(zhuǎn)換器、電路板、電子部件和液晶顯示裝置的制作方法

      文檔序號(hào):7533628閱讀:223來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:數(shù)模轉(zhuǎn)換器、電路板、電子部件和液晶顯示裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及數(shù)模轉(zhuǎn)換器、電路板、電子器件和液晶顯示裝置。
      眾所周知的數(shù)模轉(zhuǎn)換器是一種分壓電路,它由串聯(lián)連接的電阻構(gòu)成,并且依照數(shù)字信號(hào)獲得模擬輸出信號(hào)。例如在用檢索公式((D/A+digitalanalog+(digital*analog))*(C+converter))+(drive*circuit)*resistor*(serial+parallel)*(potential+voltage)*liquid crystal來(lái)調(diào)查日本專利信息組織的PATIOS時(shí),檢索出98項(xiàng)。具體地說(shuō),是按串聯(lián)連接電阻來(lái)查找到日本未經(jīng)審查的專利公告No.5-181436的。
      根據(jù)象這樣的傳統(tǒng)數(shù)模轉(zhuǎn)換器,因?yàn)榉謮弘娐酚纱?lián)連接的電阻構(gòu)成,例如如

      圖11所示,需要提供的不只是多個(gè)電阻,還要為各個(gè)電阻提供多個(gè)開(kāi)關(guān)。此外,因?yàn)榱鬟^(guò)的電流總是流經(jīng)串聯(lián)連接的電阻,功耗很大。這些就是傳統(tǒng)數(shù)模轉(zhuǎn)換器存在的問(wèn)題。
      因此,本發(fā)明的目的是獲得這樣一種數(shù)模轉(zhuǎn)換器、電路板、電子器件和液晶顯示裝置,它們使得減少電阻和開(kāi)關(guān)的數(shù)目以及減小功耗成為可能。
      (1)為了達(dá)到上述的目的,根據(jù)本發(fā)明的把多位數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成模擬輸出信號(hào)的數(shù)模轉(zhuǎn)換器包括加有高電位的高電位線路;加有低電位的低電位線路;用于獲得模擬輸出信號(hào)的電位的輸出線路;設(shè)置在高電位線路與輸出線路之間的第一可變電阻裝置,它具有可改變其電阻值的特性;和設(shè)置在輸出線路與低電位線路之間的第二可變電阻裝置,它具有可改變其電阻值的特性。
      根據(jù)本發(fā)明,第一可變電阻裝置設(shè)置在高電位線路與輸出線路之間,而第二可變電阻裝置設(shè)置在輸出線路與低電位線路之間。因此,由第一和第二可變電阻裝置構(gòu)成分壓電路,并且根據(jù)在高電位線路和低電位線路上的電位以及第一和第二可變電阻裝置的電阻值,在輸出線路輸出從高電位線路的電位減去電位降所得的電位。這樣獲得的電位成為模擬輸出信號(hào)。
      (2)第一和第二可變電阻裝置的阻值間的比值最好用這樣的非負(fù)整數(shù)的自然數(shù)之間的比值來(lái)代表,構(gòu)成所述比值的兩非負(fù)整數(shù)的自然數(shù)的總和是恒定的,并且它們根據(jù)所述數(shù)字信號(hào)的值按照最小單位增加或減少而改變一。
      在此,可用這樣的自然數(shù)之間的比值的形式寫出第一和第二可變電阻裝置的每個(gè)電阻的值,盡管這些自然數(shù)在改變,但構(gòu)成比值的兩非負(fù)整數(shù)的自然數(shù)的總和恒定。這樣,可以用公式表示如下R1∶R2=N1∶N2,和N1+N2=C,其中R1第一可變電阻裝置的電阻值,R2第二可變電阻裝置的電阻值,N1變量(非負(fù)整數(shù)),N2變量(非負(fù)整數(shù)),C常數(shù)(自然數(shù))此外,有可能這樣來(lái)表示這些關(guān)系,使得每個(gè)非負(fù)整數(shù)這樣變化、以使所述整數(shù)令與其配對(duì)的數(shù)增加一或減小一。例如如果N1按順序變?yōu)?,2,3,則N2按順序變?yōu)?,2,1。
      如上所述,在第一和第二可變電阻裝置的每個(gè)電阻的值都改變的情況下,一側(cè)的電阻(one side of resistance)以兩個(gè)阻值的總和的自然數(shù)分之一增加,而另一側(cè)的電阻(other side of resistance)以兩個(gè)阻值的總和的自然數(shù)分之一減小。以這種方式,在第一可變電阻裝置上產(chǎn)生等分電壓降。因?yàn)殡妷航祻母唠娢话凑盏确指淖?,結(jié)果,有可能獲得以等間隔變化的模擬輸出信號(hào)。
      (3)下面的做法也很好,即第一和第二可變電阻裝置中的每一個(gè)都包括并聯(lián)連接的、與所述數(shù)字信號(hào)的各個(gè)位對(duì)應(yīng)的多個(gè)電阻塊,并且,這些電阻塊的每個(gè)電阻的值以二進(jìn)制加載率(binary-loaded ratio)從最高有效位到最低有效位增加。
      這樣,因?yàn)殡娮鑹K之間是并聯(lián)連接的,例如,以三個(gè)電阻塊為例,第一和第二可變電阻裝置的每個(gè)電阻的值如下1/R=(1/r1)+(1/r2)+(1/r3)其中R可變電阻裝置的電阻值,和r1,r2,和r3各電阻塊的電阻值。
      此外,因?yàn)槊總€(gè)電阻塊的電阻值以二進(jìn)制加載率(binary-loadedratio)從最高有效位到最低有效位增加,并且假定r1對(duì)應(yīng)于最高有效位,則r1∶r2∶r3=20∶21∶22。
      根據(jù)上面描述,就有可能獲得依照數(shù)字信號(hào)的改變而增加或減小的電阻值,因?yàn)榭勺冸娮柩b置有依照數(shù)字信號(hào)的對(duì)應(yīng)位而裝載的電阻。
      此外,根據(jù)本發(fā)明,有可能減少電阻的數(shù)目和控制電阻的開(kāi)關(guān)的數(shù)目。此外,能減小功耗。對(duì)此將在后面結(jié)合實(shí)施例來(lái)加以詳細(xì)描述。
      (4)下面這樣做也是好的,即在根據(jù)本發(fā)明的數(shù)模轉(zhuǎn)換器中,第一和第二可變電阻裝置中的每一個(gè)都包括對(duì)應(yīng)于數(shù)字信號(hào)的相應(yīng)的位的開(kāi)關(guān),并且這些開(kāi)關(guān)中的每一個(gè)隨著根據(jù)第一和第二可變電阻裝置的相同位顛倒接通和斷開(kāi)方式、轉(zhuǎn)換所述電阻塊中的每一塊的電氣連接和切斷。
      由于這樣做,如果第一和第二可變電阻裝置的一側(cè)的電阻值增加,則另一側(cè)的電阻值減小。這樣,第一和第二可變電阻裝置的每個(gè)電阻的值就這樣改變,使得電阻的值可以根據(jù)數(shù)字信號(hào)的值增加或減小而以相反方向增加或減小。
      此外,因?yàn)殡娮鑹K的電阻值是對(duì)應(yīng)于數(shù)字信號(hào)的位而被二進(jìn)制加載的,所以,有可能把第一和第二可變電阻裝置之間的比值用這樣的非負(fù)整數(shù)的自然數(shù)之間的比值來(lái)代表,構(gòu)成所述比值的兩非負(fù)整數(shù)的自然數(shù)的總和恒定、并且它們根據(jù)數(shù)字信號(hào)的值按照最小單位增加或減少而改變一。這將結(jié)合實(shí)施例來(lái)加以詳細(xì)描述。
      (5)每一個(gè)電阻塊包括具有寄生電阻的開(kāi)關(guān)元件的做法也是好的。
      用這種辦法,就沒(méi)必要以分開(kāi)的元件的形式提供電阻塊,因?yàn)槭褂昧碎_(kāi)關(guān)元件本身的電阻。
      (6)開(kāi)關(guān)元件是場(chǎng)效應(yīng)管,并且最好是N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管與所述數(shù)字信號(hào)的相應(yīng)的位對(duì)應(yīng)地在所述第一和第二可變電阻裝置中交換。
      以這種方式,通過(guò)交替地配置N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管,就有可能借助于顛倒第一和第二可變電阻裝置的接通和斷開(kāi)方式來(lái)接通和斷開(kāi)這些電阻塊,而無(wú)需例如反相器這樣的額外的電路。
      (7)下面的做法也是好的,以這樣的方式來(lái)形成所述場(chǎng)效應(yīng)管的溝道寬度和溝道長(zhǎng)度,以便能獲得與所述數(shù)字信號(hào)的每一位對(duì)應(yīng)的電阻值。
      這樣,通過(guò)調(diào)節(jié)溝道寬度和溝道長(zhǎng)度,就有可能改變場(chǎng)效應(yīng)管的阻值和獲得二進(jìn)制加載電阻。此外,溝道寬度越寬,阻值越小,而溝道長(zhǎng)度越長(zhǎng),阻值越大。
      (8)下面的做法也是好的,第一和第二可變電阻裝置中的一個(gè)有附加的電阻塊,它任何時(shí)間都導(dǎo)電,并且這附加的電阻塊的阻值等于與最低有效位對(duì)應(yīng)的電阻塊的電阻值。
      因此,因?yàn)榈谝缓偷诙勺冸娮柩b置中的一個(gè)有附加電阻塊的阻值,電阻值就不可能變成無(wú)窮大,也就是說(shuō),輸出線路不會(huì)浮動(dòng)。此外,就有可能在模擬輸出信號(hào)中獲得高電位線路或低電位線路的電位。這將結(jié)合實(shí)施例來(lái)加以詳細(xì)描述。
      (9)根據(jù)本發(fā)明的數(shù)模轉(zhuǎn)換器最好有預(yù)充電開(kāi)關(guān),它暫時(shí)把輸出線路連接到高電位線路和低電位線路中的任一個(gè),從而暫時(shí)把這輸出線路的電位設(shè)置為高電位或低電位。
      在此,在高電位線路與低電位線路的電位之間獲得模擬輸出信號(hào)。因此,就有可能用預(yù)充電開(kāi)關(guān)把模擬輸出信號(hào)瞬時(shí)地設(shè)置為此高電位或低電位。因此,就有可能減小把輸出線路改變到模擬輸出信號(hào)所需的時(shí)間。
      (10)下面的做法也是好的,根據(jù)本發(fā)明的數(shù)模轉(zhuǎn)換器具有電位調(diào)節(jié)裝置,用于改變所述高電位或所述低電位中起碼任一個(gè)的電位。
      因此,就有可能改變模擬輸出信號(hào)的電位范圍。此外,在本發(fā)明中即使模擬輸出信號(hào)的電位范圍改變、也有可能以等間隔對(duì)電位進(jìn)行調(diào)節(jié)。
      (11)根據(jù)本發(fā)明的電路板具有上述數(shù)模轉(zhuǎn)換器和其上形成了所希望圖案的印刷板。
      (12)根據(jù)本發(fā)明的電子器件具有上述的數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
      (13)根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置是這樣的液晶顯示裝置,它的液晶的光透射率可根據(jù)來(lái)自數(shù)模轉(zhuǎn)換器的模擬輸出信號(hào)而改變,所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器把多位數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成模擬信號(hào),其中數(shù)模轉(zhuǎn)換器包括加有高電位的高電位線路;加有低電位的低電位線路;用于獲得模擬輸出信號(hào)電位的輸出線路;設(shè)置在高電位線路與輸出線路之間的第一可變電阻裝置,它具有可改變其電阻值的特性;設(shè)置在輸出線路與低電位線路之間的第二可變電阻裝置,它具有可改變其電阻值的特性;和用于既改變高電位又改變低電位的電位調(diào)節(jié)裝置,第一和第二可變電阻裝置之間的電阻比值用這樣的非負(fù)整數(shù)的自然數(shù)之間的比值來(lái)代表,構(gòu)成所述比值的兩非負(fù)整數(shù)的自然數(shù)的總和是恒定的,并且它們根據(jù)所述數(shù)字信號(hào)的值按照最小單位增加或減少而改變一。
      第一和第二可變電阻裝置中的每一個(gè)包括多個(gè)電阻塊,它們并聯(lián)連接、與數(shù)字信號(hào)的相應(yīng)的位相對(duì)應(yīng),每一個(gè)電阻塊的電阻值按照二進(jìn)制加載率(binary-loaded ratio)從最高有效位到最低有效位增加。
      第一和第二可變電阻裝置中的每一個(gè)包括與數(shù)字信號(hào)的相應(yīng)的位對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān),所述開(kāi)關(guān)隨著與第一和第二可變電阻裝置的相同位對(duì)應(yīng)地顛倒接通和斷開(kāi)方式、轉(zhuǎn)換這些電阻塊中的每一塊的電氣連接和斷開(kāi)。
      所述電位調(diào)節(jié)裝置把在高電位線路和低電位線路上的電位都轉(zhuǎn)換成施加的電壓的電平,所述施加的電壓的電平對(duì)應(yīng)于按照所述光透射率的均分的變化范圍劃分的各分區(qū)中任何一個(gè)的最大值和最小值,并且在所述最小值與最大值范圍內(nèi)獲得所述模擬輸出信號(hào)。
      根據(jù)本發(fā)明,電位調(diào)節(jié)裝置把在高電位線路和低電位線路上的電位都轉(zhuǎn)換成施加的電壓的電平,所述施加的電壓的電平對(duì)應(yīng)于按照所述光透射率的均分的變化范圍劃分的各分區(qū)中任何一個(gè)的最大值和最小值。
      在此,因?yàn)楣獾耐干渎逝c所加的電壓有非線性關(guān)系,所以,即使所加的電壓等間隔增加,光的透射率也不等間隔增加。那么,在本發(fā)明中,與此相反,因?yàn)橐怨獾耐干渎首鳛閰⒖紒?lái)改變高電位線路和低電位線路的電位,所以,就有可能等間隔地改變光的透射率。
      此外,與此相似,也有可能獲得不總是等間隔的所希望的光的透射率。
      (14)下面的做法也是好的,即電阻塊中的每一個(gè)都包括具有寄生電阻的開(kāi)關(guān)元件。
      (15)下面的做法也是好的,即開(kāi)關(guān)元件是場(chǎng)效應(yīng)管,并且N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管與所述數(shù)字信號(hào)的相應(yīng)的位對(duì)應(yīng)地在所述第一和第二可變電阻裝置中交換。
      (16)下面的做法也是好的,即以這樣的方式來(lái)形成場(chǎng)效應(yīng)管的溝道寬度和溝道長(zhǎng)度,以便能獲得與數(shù)字信號(hào)的每一位對(duì)應(yīng)的電阻值。
      (17)下面的做法也是好的,即電位調(diào)節(jié)裝置根據(jù)判斷與數(shù)字信號(hào)對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)對(duì)應(yīng)于所述各分區(qū)中的什么電位而決定所述高電位線路和所述低電位線路的電位。
      因此,就有可能獲得這樣的模擬信號(hào),在這樣的模擬信號(hào)的情況下、所述液晶的光透射率對(duì)應(yīng)于數(shù)字信號(hào)。
      (18)下面的做法也是好的,即第一和第二可變電阻裝置中的一個(gè)有任何時(shí)間都導(dǎo)通的附加電阻塊,并且這附加電阻塊的阻值等于與最低有效位對(duì)應(yīng)的電阻塊的電阻值。
      此后,將參考附圖,描述本發(fā)明的實(shí)施例。
      圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖;圖2表示根據(jù)第一實(shí)施例的液晶顯示裝置的分解的透視圖;圖3是表示第一實(shí)施例中數(shù)字信號(hào)、第一和第二可變電阻塊R1和R2的阻值、這兩個(gè)阻值的和、和模擬輸出信號(hào)的電位之間的關(guān)系的表格;圖4是第一實(shí)施例中,按比例給出可變電阻塊阻值的表格;圖5是表示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路的電路圖。
      圖6是表示根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路的電路圖。
      圖7是表示根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。
      圖8是給出用第四實(shí)施例中的電位調(diào)節(jié)塊改變電位的例子的表格。
      圖9是解釋根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法的曲線圖。
      圖10是表示根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路的電路圖。
      圖11是表示傳統(tǒng)的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路的電路圖。
      (實(shí)施例1)圖1表示根據(jù)第一實(shí)施例的液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路。此外,圖2表示液晶顯示裝置的分解的透視圖。如圖2所示,這液晶顯示裝置具有有源矩陣類型的液晶屏40。通過(guò)把液晶46密封在具有薄膜晶體管42的TFT襯底43與具有反電極44的濾色襯底45之間而形成液晶屏40,每個(gè)薄膜晶體管42控制著象素電極的電位的電源。此外,偏轉(zhuǎn)板47和48安裝在液晶屏40的兩個(gè)表面上,而背景燈49安裝在偏轉(zhuǎn)板48的一側(cè)。此外,在TFT襯底43上形成驅(qū)動(dòng)電路50。
      如圖1所示,驅(qū)動(dòng)電路50包括一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路100。數(shù)模轉(zhuǎn)換電路100能夠把三位數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成模擬電壓。雖然在這實(shí)施例中,使用三位已備數(shù)模轉(zhuǎn)換電路100來(lái)作簡(jiǎn)單解釋,但是為顯示清晰的圖象,需要三位或多位已備數(shù)模轉(zhuǎn)換電路。
      此外,TFT襯底43上的電路由低溫工藝過(guò)程生成的多晶硅形成。
      在圖1,數(shù)字信號(hào)D0到D2被分別輸入到三條數(shù)字線10。數(shù)字信號(hào)D0到D2根據(jù)時(shí)鐘CL1和反相時(shí)鐘nCL1被保持在鎖存電路A0到A2上。
      移位寄存器20有寄存器21,22,....,其各級(jí)與液晶顯示裝置的信號(hào)線數(shù)目對(duì)應(yīng),每個(gè)級(jí)把取樣脈沖SP作為時(shí)鐘CL1輸出。取樣脈沖SP的信號(hào)電平被反相器12反相,從而產(chǎn)生反相時(shí)鐘nCL1。
      每個(gè)寄存器21,22,....,都有對(duì)應(yīng)的鎖存電路A0到A2。如果信號(hào)保持在鎖存電路A0到A2,所有的信號(hào)被移到下一級(jí)鎖存電路B0到B2。因此,時(shí)鐘CL2和反相時(shí)鐘nCL2被輸入到鎖存電路B0到B2。
      鎖存脈沖LP被作為時(shí)鐘CL2輸入到鎖存脈沖線30。鎖存脈沖LP的信號(hào)電平被反相器14反相,從而產(chǎn)生反相時(shí)鐘nCL2。
      如果所述信號(hào)被移到下一級(jí)鎖存電路B0到B2,則依據(jù)這些信號(hào)進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換。在這處理過(guò)程中,下一個(gè)信號(hào)可以相繼地輸入到對(duì)應(yīng)于每個(gè)寄存器21,22,....的鎖存電路A0到A2。
      保持在鎖存電路B0到B2的信號(hào)被輸入到數(shù)模轉(zhuǎn)換電路100。
      數(shù)模轉(zhuǎn)換電路100包括有電位VH的高電位線路102,有電位VL的低電位線路104,和有電位VS的輸出線路106。電位VH和電位VL有下面的關(guān)系VL<VH。
      高電位線路102和低電位線路104的電位都分別保持電位VH和電位VL。在這實(shí)施例中,電位VH為8V而電位VL為0V。
      然后,根據(jù)數(shù)字信號(hào)D0到D2轉(zhuǎn)換而成的電位VS出現(xiàn)在輸出線路106上。為了進(jìn)行這數(shù)模轉(zhuǎn)換,數(shù)模轉(zhuǎn)換電路100有可變電阻塊R1和R2,它們的電阻值可以改變。
      可變電阻塊R1連接在高電位線路102和輸出線路106之間,并有電阻r10到r12和開(kāi)關(guān)T10到T12。電阻r10到r12并聯(lián)連接在高電位線路102和輸出線路106之間。此外,電阻r10到r12這樣連接到開(kāi)關(guān)T10到T12,使得能夠在高電位線路102和輸出線路106之間進(jìn)行電接通和斷開(kāi)。這樣,串聯(lián)連接的電阻r10和開(kāi)關(guān)T10,串聯(lián)連接的電阻r11和開(kāi)關(guān)T11,和串聯(lián)連接的電阻r12和開(kāi)關(guān)T12并聯(lián)連接在高電位線路102和輸出線路106之間。此外,開(kāi)關(guān)T10到T12的寄生電阻值小到可以忽略。
      開(kāi)關(guān)T10到T12的每一個(gè)都由N溝道MOS FET(場(chǎng)效應(yīng)管)構(gòu)成,并且場(chǎng)效應(yīng)管的柵極都分別連接到鎖存電路B0到B2。因此,開(kāi)關(guān)T10到T12根據(jù)數(shù)字信號(hào)D0到D2控制流過(guò)電阻r10到r12的電流。此外,構(gòu)成開(kāi)關(guān)T10到T12的MOS FET是薄膜晶體管。
      可變電阻塊R2并聯(lián)連接在輸出線路106和低電位線路104之間,并且除了有電阻r20到r22和開(kāi)關(guān)T20到T22之外,還有附加電阻rx。
      電阻r20到r22并聯(lián)連接在輸出線路106和低電位線路104之間。此外,電阻r20到r22這樣連接到開(kāi)關(guān)T20到T22,使得能夠在輸出線路106和低電位線路104之間進(jìn)行電接通和斷開(kāi)。這樣,串聯(lián)連接的電阻r20和開(kāi)關(guān)T20,串聯(lián)連接的電阻r21和開(kāi)關(guān)T21,以及串聯(lián)連接的電阻r22和開(kāi)關(guān)T22并聯(lián)連接在輸出線路106和低電位線路104之間。此外,開(kāi)關(guān)T20到T22的寄生電阻小到可以忽略。
      與上述的開(kāi)關(guān)T10到T12相似,開(kāi)關(guān)T20到T22的每一個(gè)都由MOS FET(場(chǎng)效應(yīng)管)構(gòu)成,并且場(chǎng)效應(yīng)管的柵極都分別連接到鎖存電路B0到B2。因此,開(kāi)關(guān)T20到T22根據(jù)數(shù)字信號(hào)D0到D2控制流過(guò)電阻r20到r22的電流。
      可是,開(kāi)關(guān)T20到T22的每一個(gè)都由P溝道MOS FET(場(chǎng)效應(yīng)管)構(gòu)成,而與開(kāi)關(guān)T10到T12相比,N溝道MOS FET更換成P溝道MOSFET。因此,開(kāi)關(guān)T10到T12與開(kāi)關(guān)T20到T22是在具有顛倒的接通和斷開(kāi)方式的情況下進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作的。此外,構(gòu)成開(kāi)關(guān)T20到T22的MOS FET也是薄膜晶體管。
      此外,這樣做也是好的,即開(kāi)關(guān)T10到T12是P溝道MOS FET而開(kāi)關(guān)T20到T22是N溝道MOS FET。除了數(shù)字信號(hào)的邏輯是顛倒外,它們的工作非常相似。此外,這樣做也是好的,即電阻r10到r12和開(kāi)關(guān)T10到T12,或電阻r20到r22和開(kāi)關(guān)T20到T22彼此互換。
      根據(jù)這結(jié)構(gòu),就有可能減小開(kāi)關(guān)接通時(shí)的寄生電阻,并進(jìn)行更精確的數(shù)模轉(zhuǎn)換。
      附加電阻rx不帶開(kāi)關(guān),連接在輸出線路106和低電位線路104之間,故電阻總是導(dǎo)通的。
      在數(shù)模轉(zhuǎn)換電路100中,電阻r10到r12,r20到r22,和rx的阻值有下面的特征。
      首先,電阻r10到r12的阻值有二進(jìn)制加載率。此外,阻值從對(duì)應(yīng)于最高有效位的數(shù)字信號(hào)D2的電阻r12向?qū)?yīng)于最低有效位的數(shù)字信號(hào)D0的電阻r10以如下方式增加r10∶r11∶r12=22∶21∶20。
      此外,在考慮阻值的倒數(shù)時(shí),阻值從對(duì)應(yīng)于最低有效位的數(shù)字信號(hào)D0的電阻r10向?qū)?yīng)于最高有效位的數(shù)字信號(hào)D2的電阻r12以如下方式增加1/r10∶1/r11∶1/r12=20∶21∶22。
      電阻r20到r22的阻值有如下的二進(jìn)制加載率r20∶r21∶r22=22∶21∶20,和1/r20∶1/r21∶1/r22=20∶21∶22。
      具體地說(shuō),在本實(shí)施例中,阻值如下r10=r20=1Ω,r11=r21=1/2Ω,和r12=r22=1/4Ω。
      其次,附加電阻rx有與最低有效位的數(shù)字信號(hào)D0對(duì)應(yīng)的電阻r10和r20的阻值相同的阻值,即1Ω。
      因?yàn)閿?shù)模轉(zhuǎn)換電路100以如上所述的方法構(gòu)成,可變電阻塊R1與可變電阻塊R2的比值有預(yù)先確定的的關(guān)系。這一點(diǎn)將參考圖3加以描述。圖3表示可變電阻塊R1的阻值、可變電阻塊R2的阻值、這兩個(gè)可變電阻塊具有的總阻值、和模擬輸出信號(hào)的電位VS之間的關(guān)系。
      在圖3,例如假定數(shù)字信號(hào)是000,T10到T12的所有開(kāi)關(guān)都斷開(kāi),因此包括這些開(kāi)關(guān)的總和的可變電阻塊R1的阻值為無(wú)窮大。
      此外,假定數(shù)字信號(hào)是001,開(kāi)關(guān)T10接通,而開(kāi)關(guān)T11和T12斷開(kāi),因此,包括這些開(kāi)關(guān)的總和的可變電阻塊R1的阻值可以用下面的方程求出。
      1/R1=1/r10。
      在此,以r10=1代入,得R1=1。
      在另一方面,如果數(shù)字信號(hào)是001,開(kāi)關(guān)T20到T22以與開(kāi)關(guān)T10到T12顛倒的方式來(lái)開(kāi)關(guān),因此,開(kāi)關(guān)T20斷開(kāi),而開(kāi)關(guān)T21和T22接通??梢酝ㄟ^(guò)把附加電阻rx的阻值加到它們的總的阻值,來(lái)求出可變電阻塊R2的阻值如下1/R2=(1/r21)+(1/r22)+(1/rx)。
      因此,代入r21=1/2,r22=1/4,和rx=1,得R2=1/7。
      通過(guò)進(jìn)行類似的計(jì)算,可變電阻塊R1和R2的比值如圖3所示。
      然后,圖4是給出可變電阻塊R1和R2的比值的表格。如圖所示,在數(shù)字信號(hào)001到111的范圍內(nèi),可變電阻塊R1和R2的比值可以用其總和保持8的兩個(gè)自然數(shù)的比值來(lái)表示。
      此外,如果數(shù)字信號(hào)的值增加或減小一,則可變電阻塊R1和R2的阻值的比值就分別相反地增加或減小一。
      例如,如果數(shù)字信號(hào)從001變到010,可變電阻塊R1和R2的電阻比值從7∶1變?yōu)?∶2。這樣,可變電阻塊R1減小一,而可變電阻塊R2增加一。
      在此,可變電阻塊R1和R2之間的電阻比的極端值和平均值(anextreme and a mean of the resistance ratio)的總值8是分壓電路的分壓差的數(shù)目。這樣,可變電阻塊R1和R2就構(gòu)成把高電位線路102的電位VH與低電位線路104的電位VL之間的電位差劃分成八份的分壓電路。
      在此,把所述比值的極端值和平均值的總值設(shè)置為8,是因?yàn)楦唠娢痪€路102的電位VH與低電位線路104的電位VL之間的電位差是8V。因?yàn)?V電位差被分成八份,就有可能獲得使輸出電壓按照1V增加或減小的分壓電路。
      此外,根據(jù)本實(shí)施例,如圖3所示,當(dāng)模擬輸出信號(hào)VS從最大或最小變到中間值時(shí),可變電阻塊R1和R2的總電阻(R1+R2)減小。這樣,當(dāng)模擬輸出信號(hào)VS=4V,總電阻變成R1+R2=1/2Ω,也就是最小,并且,當(dāng)數(shù)字信號(hào)(模擬信號(hào))增加或減小時(shí),總電阻增加。
      因此,根據(jù)本實(shí)施例,因?yàn)楫?dāng)獲得模擬輸出信號(hào)VS時(shí),通過(guò)用于獲得最大或最小電位的高電阻來(lái)進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換,所以可減小功耗。此外,因?yàn)楫?dāng)離開(kāi)最大或最小電位時(shí),通過(guò)低阻來(lái)進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換,能夠很快地進(jìn)行充分的充電。
      此外,在本實(shí)施例中,電阻的數(shù)目是7,而TFT的數(shù)目是6。在另一方面,來(lái)考慮電阻串聯(lián)連接的情況,如日本未經(jīng)審查的專利公告No.5-181436所公開(kāi)的那樣,如圖11所示,電阻的數(shù)目是8,而TFT的數(shù)目是14。很顯然,本發(fā)明能減少電阻和開(kāi)關(guān)的數(shù)目。
      當(dāng)數(shù)字信號(hào)的位數(shù)變大時(shí),減少電阻和開(kāi)關(guān)的數(shù)目的效果變得顯著。例如,如果位數(shù)是六位,根據(jù)本發(fā)明,電阻的數(shù)目是13,而TFT的數(shù)目是12。可是,根據(jù)串聯(lián)連接電阻的方法,電阻的數(shù)目是64,而TFT的數(shù)目是126。
      (實(shí)施例2)圖5是表示根據(jù)第二實(shí)施例的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路的電路圖。這數(shù)模轉(zhuǎn)換電路200通過(guò)在數(shù)模轉(zhuǎn)換電路100上加進(jìn)電位鑒別塊210和預(yù)充電開(kāi)關(guān)TC1和TC2構(gòu)成。
      預(yù)充電開(kāi)關(guān)TC1在高電位線路102與輸出線路106之間,而預(yù)充電開(kāi)關(guān)TC2在輸出線路106與低電位線路104之間。
      如果預(yù)充電開(kāi)關(guān)TC1接通,而預(yù)充電開(kāi)關(guān)TC2關(guān)斷,輸出線路106的模擬輸出信號(hào)VS變成與高電位線路102的電位VH相同的電位。因此,如果對(duì)應(yīng)于數(shù)字信號(hào)的模擬輸出信號(hào)VS接近等于電位VH,則就以這種方式將模擬輸出信號(hào)VS設(shè)置為電位VH。然后,有可能通過(guò)使用可變電阻塊R1和R2,獲得適當(dāng)?shù)哪M輸出信號(hào)VS。以這種方式,就有可能迅速地應(yīng)付模擬輸出信號(hào)VS的激烈改變的需要。
      與此相反,如果預(yù)充電開(kāi)關(guān)TC1斷開(kāi),而預(yù)充電開(kāi)關(guān)TC2接通,則輸出線路106的模擬輸出信號(hào)VS變成與低電位線路104的電位VL相同的電位。因此,如果對(duì)應(yīng)于數(shù)字信號(hào)的模擬輸出信號(hào)VS接近等于電位VL,則就以這種方式將模擬輸出信號(hào)VS設(shè)置為電位VL。然后,有可能通過(guò)使用可變電阻塊R1和R2,獲得適當(dāng)?shù)哪M輸出信號(hào)VS。以這種方式,就有可能迅速地應(yīng)付模擬輸出信號(hào)VS的激烈改變的需要。
      此外,在這實(shí)施例中,為了判斷對(duì)應(yīng)于數(shù)字信號(hào)的模擬輸出信號(hào)VS接近電位VH和VL中的哪一個(gè),設(shè)置了電位鑒別塊210。
      電位鑒別塊210存儲(chǔ)著對(duì)應(yīng)于數(shù)字信號(hào)的模擬輸出信號(hào)VS。例如,如果采用類似于第一實(shí)施例中的數(shù),如圖3所示,即存儲(chǔ)著數(shù)字信號(hào)000,001,.....111對(duì)應(yīng)于模擬輸出信號(hào)VS0,1,....7V。
      此外,電位鑒別塊210判斷對(duì)應(yīng)于數(shù)字信號(hào)的模擬輸出信號(hào)VS接近電位VH和VL中的哪一個(gè)。為此,數(shù)字信號(hào)D0到D2從鎖存電路B0到B2輸入到電位鑒別塊210。
      具體地說(shuō),計(jì)算出模擬輸出信號(hào)VS與電位VH的差的絕對(duì)值A(chǔ)和計(jì)算出模擬輸出信號(hào)VS與電位VL的差的絕對(duì)值B。如果A<B,就獲得高電平,而如果B<A,就獲得低電平。如果A=B,則獲得這兩電平中的任一個(gè)。
      例如,如果加上類似于第一實(shí)施例中的數(shù),在數(shù)字信號(hào)000和001的情況下,獲得低電平信號(hào),而在數(shù)字信號(hào)100到111的情況下,獲得高電平信號(hào)。在這情況下,電位鑒別塊只利用最高有效位來(lái)進(jìn)行鑒別。
      此外,如果獲得高電平信號(hào),預(yù)充電開(kāi)關(guān)TC1接通,預(yù)充電開(kāi)關(guān)TC2斷開(kāi),模擬輸出信號(hào)VS變成處在電位VH。
      在另一方面,如果獲得低電平信號(hào),預(yù)充電開(kāi)關(guān)TC1斷開(kāi),預(yù)充電開(kāi)關(guān)TC2接通,模擬輸出信號(hào)VS變成處在電位VL。
      以這種方式,如果模擬輸出信號(hào)VS一旦變成電位VH或VL,預(yù)充電開(kāi)關(guān)TC1和TC2都斷開(kāi),用可變電阻塊R1和R2進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換。
      根據(jù)本實(shí)施例,模擬輸出信號(hào)VS被有高驅(qū)動(dòng)能力的預(yù)充電開(kāi)關(guān)TC1和TC2瞬時(shí)地設(shè)置為最高電位VH或最低電位VL中的任一個(gè)。然后,變到對(duì)應(yīng)于數(shù)字信號(hào)的值的模擬輸出信號(hào)VS。因此,就有可能瞬時(shí)地獲得所希望的模擬輸出信號(hào)VS。
      此外,如在第一實(shí)施例中所描述的那樣,因?yàn)楫?dāng)獲得模擬輸出信號(hào)VS時(shí),是用高電阻來(lái)獲得最大和最小電位,來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)模轉(zhuǎn)換,故可降低功耗。這時(shí),因?yàn)檩敵鼍€路106被預(yù)充電到最大或最小電位,要充的電位差小,因此能夠很快地進(jìn)行充電。還有,隨著模擬輸出信號(hào)VS離開(kāi)最大或最小電位,使用低電阻來(lái)進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換,因此能很快地進(jìn)行充分的充電。
      (實(shí)施例3)圖6是表示根據(jù)第三實(shí)施例的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路的電路圖。這數(shù)模轉(zhuǎn)換電路300通過(guò)在數(shù)模轉(zhuǎn)換電路100上加進(jìn)電位調(diào)節(jié)塊310構(gòu)成。
      電位調(diào)節(jié)塊310控制高電位線路102和低電位線路104的各自電位VH和VL的變化。因此,模擬輸出信號(hào)VS的范圍可被改變。
      例如,在第一實(shí)施例中,把電位VH設(shè)為8V,VL設(shè)為0V,因此,模擬輸出信號(hào)VS在0到7V的范圍內(nèi)變化。如果電位VH變?yōu)?6V,VL變?yōu)?V,因此,模擬輸出信號(hào)VS變?yōu)樵?到15V的范圍內(nèi)變化。那么,在不改變可變電阻塊R1和R2結(jié)構(gòu)的情況下,就有可能獲得在0到16V范圍的模擬輸出信號(hào)VS。
      (實(shí)施例4)圖7是表示根據(jù)第四實(shí)施例的液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。這驅(qū)動(dòng)電路包括數(shù)模轉(zhuǎn)換電路400。五位數(shù)字信號(hào)被輸入到數(shù)模轉(zhuǎn)換電路400。具有相應(yīng)的各個(gè)位的數(shù)字信號(hào)D0到D4通過(guò)鎖存電路A0到A4和B0到B4被輸入到數(shù)模轉(zhuǎn)換電路400。因?yàn)殒i存電路A0到A4和B0到B4的每一個(gè)的結(jié)構(gòu)與鎖存電路A0到A2和B0到B2的相同,將不再詳細(xì)描述。
      此外,數(shù)模轉(zhuǎn)換電路400通過(guò)在圖1所示的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路100上加進(jìn)電位調(diào)節(jié)塊410構(gòu)成。還有,數(shù)字信號(hào)的低位的三位D0到D2被輸入到數(shù)模轉(zhuǎn)換電路100這一做法也與圖1所示的實(shí)施例相同。
      在這實(shí)施例中,數(shù)字信號(hào)的高位的兩位D3和D4被輸入到電位調(diào)節(jié)塊410。這電位調(diào)節(jié)塊410根據(jù)數(shù)字信號(hào)D3和D4來(lái)改變高電位線路102的電位VH和低電位線路104的電位VL。
      圖8是給出用電位調(diào)節(jié)塊410改變電位VH和VL的例子的表格。如圖所示,在這實(shí)施例中,如果數(shù)字信號(hào)的高位的兩位是00,則VH=8和VL=0,而如果高位的兩位是01,則VH=16和VL=8。還有,如果數(shù)字信號(hào)的高位的兩位是10,則VH=24和VL=16,而如果高位的兩位是11,則VH=32和VL=24。
      詳細(xì)地說(shuō),電位調(diào)節(jié)塊410判斷輸入數(shù)字信號(hào)D3和D4是否為00,如果是,把8V加到高電位線路102,并把低電位線路104設(shè)為0V。如果不是,電位調(diào)節(jié)塊410判斷數(shù)字信號(hào)D3和D4是否為01,如果是,把16V加到高電位線路102,并把8V加到低電位線路104。如果不是,電位調(diào)節(jié)塊410判斷數(shù)字信號(hào)D3和D4是否為10,如果是,把24V加到高電位線路102,并把16V加到低電位線路104。如果不是,把32V加到高電位線路102,并把24V加到低電位線路104,因?yàn)镈3和D4是11。
      因此,如圖8所示,按照1V增加或減小的0到31V的電位作為模擬輸出信號(hào)VS出現(xiàn)??梢杂眠@電位來(lái)驅(qū)動(dòng)液晶顯示裝置。
      根據(jù)這實(shí)施例,就有可能只是通過(guò)改變電位調(diào)節(jié)塊410的結(jié)構(gòu),就能獲得對(duì)應(yīng)于所希望位數(shù)的數(shù)字信號(hào)的模擬輸出信號(hào)VS。因?yàn)檐浖捎糜陔娢徽{(diào)節(jié)塊410,故很容易改變它的結(jié)構(gòu)。
      此外,也有可能使用應(yīng)用了本發(fā)明的數(shù)模轉(zhuǎn)換器作為電位調(diào)節(jié)塊。
      (實(shí)施例5)圖9是解釋根據(jù)第五實(shí)施例的液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法的曲線圖。此外,圖9是在液晶顯示裝置中,表示加到液晶上的電壓與液晶的光透射率之間關(guān)系的曲線。如從曲線所看到的那樣,所加的電壓與液晶的光透射率之間的關(guān)系是非線性的。此外,如果所加的電壓以相等的變化率增加或減小,光透射率并不以相等的變化率增加或減小,因此,在液晶顯示裝置中,不能獲得適當(dāng)?shù)幕叶取?br> 那么,在這實(shí)施例中,可進(jìn)行γ校正,以便以相等的變化率增加或減小光透射率。
      為此,在這實(shí)施例中,使用圖7所示的液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路,并且用電位調(diào)節(jié)塊410調(diào)節(jié)電位VH和電位VL,來(lái)進(jìn)行γ修正。
      詳細(xì)地說(shuō),電位調(diào)節(jié)塊410改變電位VH和電位VL,以便能把光透射率的變化范圍等分成四份,并在施加的電壓的范圍內(nèi)輸出模擬輸出信號(hào),此施加的電壓范圍對(duì)應(yīng)于每個(gè)分區(qū)的最小值和最大值。此外,把光透射率的變化范圍等分成四份的原因是與電位調(diào)節(jié)塊410對(duì)應(yīng)的數(shù)字信號(hào)是高位的兩位。如果數(shù)字信號(hào)的高位的n位對(duì)應(yīng)于電位調(diào)節(jié)塊410,那么,光透射率的變化范圍就等分成2n份。
      以這種方式,決定電位VH和電位VL,并且,與它們對(duì)應(yīng)的模擬輸出信號(hào)VS是所施加的電壓。
      此外,最好是,當(dāng)增加或減小數(shù)字信號(hào)的高位2位時(shí),不出現(xiàn)重復(fù)的模擬輸出信號(hào)VS。
      這樣,如圖9所示,最好是,當(dāng)數(shù)字信號(hào)的高位2位是00時(shí),施加的電壓(模擬輸出信號(hào)VS)如下0≤VS<V1,和如果數(shù)字信號(hào)的高位2位是01時(shí),施加的電壓如下V1≤VS<V2。
      此外,也最好是,如果數(shù)字信號(hào)的高位2位是10時(shí),施加的電壓如下V2≤VS<V3,和如果數(shù)字信號(hào)的高位2位是11時(shí),施加的電壓如下V3≤VS<VSmax。
      以這樣的方式,就有可能消除重復(fù)的模擬輸出信號(hào)VS,并在液晶顯示裝置中獲得適當(dāng)?shù)幕叶取?br> (實(shí)施例6)
      圖10是表示根據(jù)第六實(shí)施例的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路的電路圖。這數(shù)模轉(zhuǎn)換電路500能取代數(shù)模轉(zhuǎn)換電路100用在根據(jù)第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路50中。
      數(shù)模轉(zhuǎn)換電路500與數(shù)模轉(zhuǎn)換電路100不同點(diǎn)在于可變電阻塊R51包括開(kāi)關(guān)T50到T52,而可變電阻塊R2包括開(kāi)關(guān)T60到T62。因?yàn)槌酥獾慕Y(jié)構(gòu)與數(shù)模轉(zhuǎn)換電路100的相同,故將指定相同的標(biāo)號(hào),并將省去對(duì)它們的描述。
      開(kāi)關(guān)T50到T52中的每一個(gè)都由N溝道MOS FET(場(chǎng)效應(yīng)管)構(gòu)成,并且各個(gè)柵極連接到鎖存電路B0到B2。此外,在開(kāi)關(guān)T50到T52中的每一個(gè)的源和漏之間的寄生電阻值等于電阻r10到r12中的每個(gè)的阻值。這樣,T501Ω,T511/2Ω,和T521/4Ω。
      因此,開(kāi)關(guān)T50到T52滿足在功能上等效于圖1的開(kāi)關(guān)T10到T12與電阻r10到r12。
      在另一方面,開(kāi)關(guān)T60到T62中的每一個(gè)都由P溝道MOS FET(場(chǎng)效應(yīng)管)構(gòu)成,并且各個(gè)柵極連接到鎖存電路B0到B2。此外,在開(kāi)關(guān)T60到T62中的每一個(gè)的源和漏之間的寄生電阻值等于電阻r20到r22中的每個(gè)的阻值。這樣,T601Ω,T611/2Ω,和T621/4Ω。
      因此,開(kāi)關(guān)T60到T62滿足在功能上等效于圖1的開(kāi)關(guān)T20到T22與電阻r20到r22。
      此外,在開(kāi)關(guān)T50到T52和開(kāi)關(guān)T60到T62中的每一個(gè)的源和漏之間的寄生電阻值都可以用改變電流通道(溝道)的寬度和長(zhǎng)度的辦法來(lái)調(diào)節(jié)。這樣,如果增加溝道寬度,則電阻值減小,而如果增加溝道長(zhǎng)度,則電阻值增加。
      以這種方法,在本實(shí)施例中,就有可能省去作為可變電阻塊R1和R2的獨(dú)立組成部分的電阻。
      權(quán)利要求
      1.一種數(shù)模轉(zhuǎn)換器,用于把多位數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成模擬輸出信號(hào),其特征在于它包括加有高電位的高電位線路;加有低電位的低電位線路;用于獲得所述模擬輸出信號(hào)的電位的輸出線路;設(shè)置在所述高電位線路與所述輸出線路之間的第一可變電阻裝置,它具有可改變其電阻值的特性;和設(shè)置在所述輸出線路與所述低電位線路之間的第二可變電阻裝置,它具有可改變其電阻值的特性。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1的數(shù)模轉(zhuǎn)換器,其特征在于所述第一和第二可變電阻裝置的阻值間的比值用這樣的非負(fù)整數(shù)的自然數(shù)之間的比值來(lái)代表,構(gòu)成所述比值的兩非負(fù)整數(shù)的自然數(shù)的總和是恒定的,并且它們根據(jù)所述數(shù)字信號(hào)的值按照最小單位增加或減少而改變一。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的數(shù)模轉(zhuǎn)換器,其特征在于所述第一和第二可變電阻裝置中的每一個(gè)都包括多個(gè)電阻塊,各個(gè)電阻塊之間并聯(lián)連接,與所述數(shù)字信號(hào)的相應(yīng)的位相對(duì)應(yīng),并且,這些電阻塊的每個(gè)電阻的值按照二進(jìn)制裝入率從最高有效位到最低有效位增加。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3的數(shù)模轉(zhuǎn)換器,其特征在于所述第一和第二可變電阻裝置中的每一個(gè)都包括與所述數(shù)字信號(hào)的相應(yīng)的位相對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān),并且,這些開(kāi)關(guān)中的每一個(gè)隨著根據(jù)所述第一和第二可變電阻裝置的相同位顛倒接通和斷開(kāi)方式、轉(zhuǎn)換所述電阻塊中的每一塊的電氣連接和切斷。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4的數(shù)模轉(zhuǎn)換器,其特征在于這些電阻塊中的每一塊都包括開(kāi)關(guān)元件,每個(gè)開(kāi)關(guān)元件都包括寄生電阻。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5的數(shù)模轉(zhuǎn)換器,其特征在于所述開(kāi)關(guān)元件是場(chǎng)效應(yīng)管,并且N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管與所述數(shù)字信號(hào)的相應(yīng)的位對(duì)應(yīng)地在所述第一和第二可變電阻裝置中交換。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6的數(shù)模轉(zhuǎn)換器,其特征在于以這樣的方式來(lái)形成所述場(chǎng)效應(yīng)管的溝道寬度和溝道長(zhǎng)度,以便能獲得與所述數(shù)字信號(hào)的每一位對(duì)應(yīng)的電阻值。
      8.根據(jù)權(quán)利要求3到7中的任一項(xiàng)的數(shù)模轉(zhuǎn)換器,其特征在于所述第一和第二可變電阻裝置中的一個(gè)有任何時(shí)間都導(dǎo)電的附加電阻塊,并且這附加電阻塊的電阻值等于所述電阻塊的與最低有效位對(duì)應(yīng)的電阻值。
      9.根據(jù)權(quán)利要求3到8中的任一項(xiàng)的數(shù)模轉(zhuǎn)換器,其特征在于具有預(yù)充電開(kāi)關(guān),它暫時(shí)把所述輸出線路連接到所述高電位線路和所述低電位線路中的任一個(gè),從而暫時(shí)把這輸出線路的電位設(shè)置為所述高電位或所述低電位。
      10.根據(jù)權(quán)利要求3到9中的任一項(xiàng)的數(shù)模轉(zhuǎn)換器,其特征在于具有電位調(diào)節(jié)裝置,用于改變所述高電位或所述低電位中起碼任一個(gè)的電位。
      11.一種電路板,其特征在于具有根據(jù)權(quán)利要求1到10中的任一項(xiàng)的數(shù)模轉(zhuǎn)換器和其上形成了所需要的圖案的襯底。
      12.一種電子器件,其特征在于具有根據(jù)權(quán)利要求1到10中的任一項(xiàng)的所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
      13.一種液晶顯示裝置,其液晶的光透射率可根據(jù)來(lái)自數(shù)模轉(zhuǎn)換器的模擬輸出信號(hào)而改變,所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器把多位數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成模擬信號(hào),其特征在于所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器包括加有高電位的高電位線路;加有低電位的低電位線路;用于獲得所述模擬輸出信號(hào)的電位的輸出線路;設(shè)置在所述高電位線路與所述輸出線路之間的第一可變電阻裝置,它具有可改變其電阻值的特性;設(shè)置在所述輸出線路與所述低電位線路之間的第二可變電阻裝置,它具有可改變其電阻值的特性;用于既改變所述高電位又改變所述低電位的電位調(diào)節(jié)裝置;所述第一和第二可變電阻裝置之間的電阻比值能夠用這樣的非負(fù)整數(shù)的自然數(shù)之間的比值來(lái)代表,構(gòu)成所述比值的兩非負(fù)整數(shù)的自然數(shù)的總和是恒定的,并且它們根據(jù)所述數(shù)字信號(hào)的值按照最小單位增加或減少而改變一;所述第一和第二可變電阻裝置中的每一個(gè)包括多個(gè)電阻塊,它們并聯(lián)連接,與所述數(shù)字信號(hào)的相應(yīng)的位相對(duì)應(yīng);每一個(gè)電阻塊的電阻值按照二進(jìn)制加載率從最高有效位到最低有效位增加;所述第一和第二可變電阻裝置中的每一個(gè)包括與所述數(shù)字信號(hào)的相應(yīng)的位相對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān);所述開(kāi)關(guān)隨著根據(jù)所述第一和第二可變電阻裝置的相同位,顛倒接通和斷開(kāi)方式、轉(zhuǎn)換所述電阻塊中每一塊的電氣連接和切斷;以及所述電位調(diào)節(jié)裝置把在所述高電位線路和所述低電位線路上的電位都轉(zhuǎn)換成施加的電壓的電平,所述施加的電壓的電平對(duì)應(yīng)于按照所述光透射率的均分的變化范圍劃分的各分區(qū)中的任何一個(gè)的最大值和最小值,并且在所述最小值與最大值范圍內(nèi)獲得所述模擬輸出信號(hào)。
      14.根據(jù)權(quán)利要求13的液晶顯示裝置,其特征在于所述電阻塊中的每一塊都包括具有寄生電阻的開(kāi)關(guān)元件。
      15.根據(jù)權(quán)利要求14的液晶顯示裝置,其特征在于所述開(kāi)關(guān)元件是場(chǎng)效應(yīng)管,并且N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管與所述數(shù)據(jù)信號(hào)的相應(yīng)的位對(duì)應(yīng)地在所述第一和第二可變電阻裝置中交換。
      16.根據(jù)權(quán)利要求15的液晶顯示裝置,其特征在于以這樣的方式來(lái)形成所述場(chǎng)效應(yīng)管的溝道寬度和溝道長(zhǎng)度,以便能獲得與所述數(shù)字信號(hào)的每一位對(duì)應(yīng)的電阻值。
      17.根據(jù)權(quán)利要求13到16中的任一項(xiàng)的液晶顯示裝置,其特征在于所述電位調(diào)節(jié)裝置根據(jù)判斷與所述數(shù)字信號(hào)對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)對(duì)應(yīng)于所述分區(qū)中的什么電位而決定所述高電位線路和所述低電線路的電位。
      18.根據(jù)權(quán)利要求13到17中的任一項(xiàng)的液晶顯示裝置,其特征在于所述第一和第二可變電阻裝置中的一個(gè)有任何時(shí)間都導(dǎo)電的附加電阻塊,并且這附加電阻塊的電阻值等于與最低有效位對(duì)應(yīng)的所述電阻塊的電阻值。
      全文摘要
      把多位數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成模擬輸出信號(hào)的數(shù)模轉(zhuǎn)換器包括:加有高電位V
      文檔編號(hào)H03M1/06GK1201969SQ9810967
      公開(kāi)日1998年12月16日 申請(qǐng)日期1998年6月1日 優(yōu)先權(quán)日1997年6月2日
      發(fā)明者木村睦 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社
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