專(zhuān)利名稱(chēng)：一種可補(bǔ)償由環(huán)境溫度變化所引起的失真的半導(dǎo)體電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體電路，尤其涉及一種適用于有線電視(CATV)的混合集成電路中的集成電路。
用于在CATV系統(tǒng)中放大和中繼信號(hào)的寬帶放大器必須既能提供非常低失真的放大以避免損壞圖像質(zhì)量又能在即使是非常惡劣的戶(hù)外條件下也可將性能維持在一預(yù)定水平上。因此通常用在CATV系統(tǒng)中的寬帶放大器都使用電路以補(bǔ)償因環(huán)境溫度變化而引起的增益特性的波動(dòng)。然而，環(huán)境溫度的變化不僅影響放大器電路的增益，而且也影響失真特性。形成半導(dǎo)體電路的每個(gè)元件的失真通常隨著溫度從某一固定值起上升或下降而增大或減小。雖然存在用補(bǔ)償因環(huán)境溫度變化增益變化的電路，但至今還沒(méi)有一種電路能補(bǔ)償伴隨環(huán)境溫度變化的失真特性的降低。
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種能在環(huán)境溫度變化情況下補(bǔ)償失真的半導(dǎo)體電路。
可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的電路包含可放大交流信號(hào)并輸出被放大信號(hào)的放大電路；可補(bǔ)償伴隨環(huán)境溫度的變化所引起的放大信號(hào)的失真的補(bǔ)償電路。
在本發(fā)明中，補(bǔ)償電路通常將電阻隨環(huán)境溫度成正溫度系數(shù)變化的一個(gè)熱敏電阻元件和電阻隨環(huán)境溫度成負(fù)溫度系數(shù)變化的另一個(gè)熱敏電阻元件結(jié)合起來(lái)用于補(bǔ)償從放大電路輸出的由于環(huán)境溫度變化引起的信號(hào)失真的變化。當(dāng)將這些具有正及負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電路元件結(jié)合起來(lái)時(shí)，如果將在標(biāo)準(zhǔn)溫度下流過(guò)的電流設(shè)定在最小值，則當(dāng)環(huán)境溫度下降到低于標(biāo)準(zhǔn)溫度時(shí)電路電流增大。此外，當(dāng)環(huán)境溫度上升到高于標(biāo)準(zhǔn)溫度時(shí)，電路電流上升。
這里，當(dāng)放大電路的電路電流上升時(shí)放大失真通常下降而當(dāng)電路電流下降時(shí)放大失真上升，如果忽略掉元件自身溫度變化引起的失真變化的話(huà)，由于電路電流上升引起的失真在環(huán)境溫度變化時(shí)下降。因此，如果將標(biāo)準(zhǔn)溫度設(shè)定在使構(gòu)成半導(dǎo)體電路的元件的失真為最小的值，元件自身由于環(huán)境溫度變化引起的失真增大可通過(guò)由于電路電路增大而導(dǎo)致失真下降予以抵消，由此可補(bǔ)償由于環(huán)境溫度變化而造成的失真。
在本發(fā)明中，熱變阻器可被用作熱敏電阻元件。
如果在放大電路的輸入側(cè)設(shè)置作為具有負(fù)溫度特性的熱敏電阻元件的熱變阻器，則Q因數(shù)(質(zhì)量因數(shù))下降到使熱變阻器的電阻上升的程度及增大到使電阻下降的程度，由此在環(huán)境溫度上升時(shí)放大電路的Q因數(shù)上升，在環(huán)境溫度下降時(shí)其也下降。這里，Q因數(shù)是表示諧振水平的因數(shù)。在半導(dǎo)體器件中，在環(huán)境溫度上升時(shí)增益斜率變緩而在環(huán)境溫度下降及增益上升時(shí)斜率變陡。在放大電路的輸入端上設(shè)置具有負(fù)溫度特性的熱變阻器可以通過(guò)增益特性相對(duì)于增益斜率的環(huán)境溫度的波動(dòng)抵消掉Q因數(shù)相對(duì)于環(huán)境溫度的波動(dòng)，從而增益斜率的斜度特性在與環(huán)境溫度無(wú)關(guān)的情況下而被固定。
通過(guò)下面結(jié)合相應(yīng)附圖對(duì)本發(fā)明最佳實(shí)施例的描述會(huì)使人們對(duì)本發(fā)明的上述及其它目的、特征及優(yōu)點(diǎn)有更清楚的了解。


圖1為本發(fā)明中用于控制失真相對(duì)于環(huán)境溫度升高的原理示意圖。
圖2為用于描述具有負(fù)溫度特性的熱變阻器的性能的示意圖。
圖3為用于描述具有正溫度特性的熱變阻器的性能的示意圖。
圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體電路結(jié)構(gòu)的電路圖；圖5為在將具有正溫度特性的熱變阻器與具有負(fù)溫度特性的熱變阻器相結(jié)合從而電路電流在標(biāo)準(zhǔn)溫度附近變?yōu)樽钚〉那闆r下，用于CATV系統(tǒng)的HIC放大器中電路電流的溫度特性的示意圖，圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體電路結(jié)構(gòu)的電路圖；圖7為本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
構(gòu)成半導(dǎo)體電路的元件通常具有這樣一種特性，即在溫度上升到高于或下降到低于某一特定溫度時(shí)其失真增大。同樣失真特性隨流過(guò)電路的電流而發(fā)生變化，當(dāng)流過(guò)電路的電流下降時(shí)失真增大，而當(dāng)流過(guò)電路的電流增大時(shí)失真下降，因此通過(guò)控制電路的電流能夠控制相對(duì)于環(huán)境溫度的失真程度。
如圖1所示，其針對(duì)這樣一種情況，即流過(guò)電路的電流IDD在一特定的固定標(biāo)準(zhǔn)溫度Tref時(shí)被設(shè)定到最小，并當(dāng)環(huán)境溫度上升或下降超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)溫度時(shí)，該電流值上升。在此情況下，當(dāng)溫度相對(duì)于某一特定固定溫度上升或下降時(shí)，元件特性會(huì)帶來(lái)失真的增大，但當(dāng)溫度相對(duì)于某一特定的固定溫度上升或下降而流過(guò)電路的電流增大時(shí)，失真也會(huì)下降，因此失真的變化被抵消。因此可以控制在環(huán)境溫度相對(duì)于某一特定固定溫度上升或下降時(shí)失真的增大。
在此情況下，將熱變阻器用作熱敏電路元件以根據(jù)環(huán)境溫度控制流過(guò)電路的電流。
圖2示出具有負(fù)溫度特性的熱變阻器的溫度-電阻特性的示意圖。如此圖中所示，當(dāng)環(huán)境溫度上升時(shí)具有負(fù)溫度特性的熱變阻器的電阻下降，因此流過(guò)的電流增大。因此在具有上述失真特性的半導(dǎo)體電路中，使用具有負(fù)溫度特性的熱變阻器會(huì)由于在高于最小失真溫度的溫度下電流的增大而造成失真減小，但還會(huì)由于在低于最小失真溫度的溫度下的流過(guò)的電流的下降而導(dǎo)致失真的增大。
圖3示出具有正溫度特性的熱變阻器的溫度-電阻特性示意圖。如此圖中所示，具有正溫度特性的熱變阻器的電阻在環(huán)境溫度升高時(shí)增大，因此流過(guò)的電流減小。在具有上述失真特性的半導(dǎo)體電路中使用具有正溫度特性的熱變阻器由于流過(guò)電流的增大在低于最小失真溫度的溫度下會(huì)導(dǎo)致失真減小，但同樣在高于最小失真溫度的溫度下由于流過(guò)電流的減少而導(dǎo)致失真增大。
本發(fā)明的發(fā)明人已認(rèn)識(shí)到通過(guò)將具有正溫度系數(shù)的熱敏電阻元件與另一個(gè)具有負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻元件相結(jié)合從而獲得環(huán)境溫度與圖1中電路電流間的關(guān)系。第一實(shí)施例圖4示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體電路的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4只示出半導(dǎo)體電路的交流電路部分，并示出采用單一FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的放大電路。
FET Q1的柵極G與輸入端1相連，而漏極D與輸出端2相連。電阻R1被插在FET Q1的柵極G與柵偏壓VGG的供電端3之間，高阻抗電路10被插在FET Q1的漏極D與漏電壓VDD的供電端4之間。高阻抗電路10是具有高阻抗作為交流電路但相對(duì)于直流電流具有低電阻的電路以提供漏電流IDD。在FET Q1的源極S與接地點(diǎn)間并聯(lián)設(shè)置電阻R3及電容C1。另外，電阻R2及熱變阻器Rt1及Rt2串聯(lián)連接在FET Q1的柵極G與接地點(diǎn)之間。
熱變阻器Rt1為具有負(fù)溫度特性(如圖2中所示)的熱敏電阻元件，而熱變阻器Rt2為具有正溫度特性(如圖3中所示)的熱敏電阻元件。
如果具有負(fù)溫度特性的熱變阻器Rt1及具有正溫度特性的熱變阻器Rt2如圖4所示的串聯(lián)連接，此串聯(lián)電路的電阻表現(xiàn)出V-形的溫度特性，其中電阻在某一特定溫度為最小，并隨與此溫度之差的增大而增大。由此提供給FET Q1的柵極的偏壓也表現(xiàn)出在該溫度下具有最小值的V-形溫度特性，而FET Q1的漏電流IDD在該溫度下也表現(xiàn)出在該溫度下具有最小值的V-形溫度特性。
如果將熱變阻器Rt1及Rt2相結(jié)合，從而在一預(yù)定的標(biāo)準(zhǔn)溫度附近電路電流變?yōu)樽钚?，則在標(biāo)準(zhǔn)溫度流過(guò)電路的電流變?yōu)樽钚?，而如圖1中所示，當(dāng)溫度高于或低于標(biāo)準(zhǔn)溫度時(shí)，流過(guò)電路的電流增大。因此當(dāng)溫度高于或低于標(biāo)準(zhǔn)溫度時(shí)，失真也下降，從而防止了在當(dāng)環(huán)境溫度發(fā)生變化的情況下失真的增大。
對(duì)于CATV系統(tǒng)HIC放大器中的失真特性，在溫度從-30℃到100℃變化范圍內(nèi)，必須將失真的損壞相對(duì)于在30℃的失真抑制在2-3dB或更小的程度。失真特性與電路電流成正比例變化，但在現(xiàn)有技術(shù)的放大器中此電流與環(huán)境溫度成正比例變化，其結(jié)果是當(dāng)環(huán)境溫度上升時(shí)失真特性損壞量會(huì)高于2-3dB。
針對(duì)此問(wèn)題，將具有正溫度特性的熱變阻器與具有負(fù)溫度特性的熱變阻器相結(jié)合從而在電流在30℃的周?chē)_(dá)到最小，在環(huán)境溫度從30℃下降時(shí)電路電流上升，而且，在環(huán)境溫度從20℃上升時(shí)電路電流上升。由此，在環(huán)境溫度發(fā)生變化的情況下，失真特性的損壞量相對(duì)于30℃的環(huán)境溫度下的失真特性可被限制或抑制到最小。
圖5示出一種CATV系統(tǒng)的HIC放大器的電路電流的溫度特性，其中將具有正溫度特性的熱變阻器與具有負(fù)溫度特性的熱變阻器相結(jié)合從而電路電流在標(biāo)準(zhǔn)溫度的附近為最小。這里，將標(biāo)準(zhǔn)溫度設(shè)定為30℃。
如圖5中所示，電路電流在30℃為最小，同時(shí)其在環(huán)境溫度低于以及高于30℃時(shí)都上升。從而電路電流表現(xiàn)為以30℃為最低點(diǎn)的V-形特性。第二實(shí)施例圖6示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體電路的結(jié)構(gòu)圖。圖6只示出了半導(dǎo)體電路的交流電路部分，并示出了使用單個(gè)FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的放大電路。
在此放大電路中，電容C2被設(shè)置在輸入端1與電阻R1和R2間的連接點(diǎn)間，此外，具有負(fù)溫度特性的熱變阻器Rt3與電感L1串聯(lián)并被插在FET Q1的柵極與圖4中所示的電阻R1與R2的連接點(diǎn)之間。
在如上所述的半導(dǎo)體電路結(jié)構(gòu)中，當(dāng)環(huán)境溫度上升時(shí)熱變阻器Rt3的電阻上升，而當(dāng)環(huán)境溫度下降時(shí)熱變阻器Rt3的電阻上升。
表示典型諧振電路中的諧振點(diǎn)水平的Q因數(shù)降低到使熱變阻器Rt3的電阻上升的程度及上升到使熱變阻器Rt3的電阻下降的程度，因此，當(dāng)環(huán)境溫度上升時(shí)Q因數(shù)上升，而當(dāng)環(huán)境溫度下降時(shí)Q因數(shù)下降。另外，在具有增益斜率的電路中，當(dāng)環(huán)境溫度上升時(shí)增益斜率變緩，而當(dāng)環(huán)境溫度下降時(shí)增益上升而增益斜率變陡。因此，圖6中所示的電路的功能在于通過(guò)利用增益特性的增益斜率相對(duì)于環(huán)境溫度的波動(dòng)而消除掉Q因數(shù)相對(duì)于環(huán)境溫度的波動(dòng)，因此在不受環(huán)境溫度影響的情況下將增益斜率的斜率特性固定。
還可通過(guò)將FET Q1的柵極與熱變阻器Rt3相連的連線或?qū)щ姴季€構(gòu)成電感L1。第三實(shí)施例在圖7所示的本發(fā)明的第三實(shí)施例中，輸入到輸入端1的信號(hào)被分為兩個(gè)信號(hào)，兩個(gè)被分解的信號(hào)分別由放大電路12及13進(jìn)行放大，然后將在放大電路12和13放大的信號(hào)結(jié)合并輸出。
通過(guò)電容C34及C35接地的變壓器T1被作為分隔器用于將通過(guò)輸入端1輸入的信號(hào)分解為兩個(gè)不同相的信號(hào)。通過(guò)電容C37接地的變壓器T2被作為結(jié)合器用于將通過(guò)放大電路12及13放大的兩個(gè)信號(hào)結(jié)合為一個(gè)信號(hào)。
放大電路12包含多級(jí)連接的FET Q11-Q13。在放大電路12中，并聯(lián)連接的熱變阻器RT11及電阻R13被設(shè)置為作為第二級(jí)FET的FETQ11的柵極電阻，而電感L13被插在此柵極電阻與FET Q11的柵極之間。電阻R11、電容C11及熱變阻器Rt12串聯(lián)連接在作為放大電路12的第一級(jí)的FET Q12的柵極與漏極之間。FET Q12的漏極通過(guò)串聯(lián)連接在一起的電阻R12及電容C12與規(guī)定的電勢(shì)點(diǎn)相連，并進(jìn)而通過(guò)電容C13與FETQ11的柵電阻(即熱變阻器Rt11及電阻R13)相連，最后，通過(guò)串聯(lián)連接的電感L11及電阻R17與FET Q11的源極相連。電感L11及電阻R17間的連接點(diǎn)通過(guò)電容C15與規(guī)定的電勢(shì)點(diǎn)相連。
電阻R14、電容C14及熱變阻器Rt13，串聯(lián)連接在FET Q12的漏極與FET Q13的漏極之間。電阻R16與FET Q13的柵極相連。電阻R15、電感L12及電容C16一起并聯(lián)連接在FET Q13的漏極與放大電路12的輸出端之間。FET Q13的源極與FET Q11的漏極相連。
放大電路13與放大電路12的結(jié)構(gòu)相同，設(shè)置有多級(jí)相連的FET Q21-Q23、電阻R21-R27、熱變阻器Rt21-Rt23、電容C21-C26及電感L21-L24，它們分別與放大電路12的電阻R11-R17、熱變阻器Rt11-Rt13、電容C11-C16及電感L11-L14相對(duì)應(yīng)。FET Q21-Q23分別與放大電路12的FET Q11-Q13對(duì)應(yīng)。
放大電路12的FET Q13的柵極通過(guò)電阻R16及R26與放大電路13的FETQ23的柵極相連。
在變壓器T1的輸入端，串聯(lián)連接的電容C33及電感L31設(shè)置在變壓器T1與輸入端1之間，電容C33與電感L31間的連接點(diǎn)通過(guò)串聯(lián)連接的電容C31及電阻R31與規(guī)定電勢(shì)點(diǎn)相連。電容C33與電感L31間的連接點(diǎn)通過(guò)電容C32與規(guī)定電勢(shì)點(diǎn)相連。
在變壓器T2的輸出端，串聯(lián)連接的電感L32及電容C39設(shè)置在變壓器T2與輸出端2之間，而電感L32與電容C39間的連接點(diǎn)與通過(guò)電容C39與規(guī)定的電勢(shì)點(diǎn)相連。
放大電路12的FET Q11的源極與放大電路13的FET Q13的源極通過(guò)電阻R41相連，而FET Q11的柵極通過(guò)串聯(lián)連接的電阻R39及R40與FET Q21的柵極相連。電阻R33及R34串聯(lián)連接并被插接在變壓器T1與電阻R39及R40間的中點(diǎn)之間。將電源電壓Vdd施加在R33及R34間的連接點(diǎn)。電阻R33與變壓器T1間的連接點(diǎn)通過(guò)電阻R32及串聯(lián)的熱變阻器Rt32及Rt31與規(guī)定的電勢(shì)點(diǎn)相連。電阻R39及1R40間的中點(diǎn)通過(guò)電阻R35與規(guī)定的電勢(shì)點(diǎn)相連。
FET Q12的源極通過(guò)電阻R36與規(guī)定的電勢(shì)點(diǎn)相連，F(xiàn)ET Q22的源極通過(guò)電阻R38與規(guī)定的電勢(shì)點(diǎn)相連，F(xiàn)ET Q12及Q22的源極通過(guò)電阻R37連在一起。作為FET Q13柵極電阻的電阻R16與作為FET Q23柵極電阻R26在點(diǎn)A連在一起，而串聯(lián)連接的電阻R42及R43設(shè)置在點(diǎn)A與變壓器T2之間。并聯(lián)連接的電阻R44與電容C40設(shè)置在規(guī)定的電勢(shì)點(diǎn)與電阻R42和電阻R43間的連接點(diǎn)之間。將電源電壓Vdd施加在給電阻R42與變壓器T2間的連接點(diǎn)，而電容C36設(shè)置在此連接點(diǎn)與規(guī)定電熱點(diǎn)之間。
這里，熱變阻器Rt11、Rt21及Rt31為熱敏電阻元件，其中電阻根據(jù)環(huán)境溫度以負(fù)溫度特性進(jìn)行變化；而熱變阻器Rt12、Rt13、Rt23及Rt32全部為熱敏電阻元件，其中，電阻根據(jù)環(huán)境溫度以正溫度特性變化。
在根據(jù)上述的半導(dǎo)體電路結(jié)構(gòu)中，具有負(fù)溫度特性的熱變阻器Rt31與具有正溫度特性的熱變阻器Rt32相結(jié)合，且這些熱變阻器Rt31及Rt32被提供用于作為控制FET Q11及Q12的柵極電勢(shì)的電阻，從而流過(guò)電路的電流在預(yù)定的標(biāo)準(zhǔn)溫度下為最小，且當(dāng)溫度高于或低于標(biāo)準(zhǔn)溫度時(shí)，流過(guò)電路的電流增大。這里，“流過(guò)電路的電流”是指FET Q11及Q12的漏電流。
因此當(dāng)溫度高于或低于標(biāo)準(zhǔn)溫度時(shí)，失真下降，從而可以補(bǔ)償在環(huán)境溫度變化情況下的失真。
在此半導(dǎo)體電路中，具有負(fù)溫度特性的熱變阻器Rt11及Rt12被分別設(shè)置作為FET Q11及Q12的柵極電阻。在放大電路12中，由諧振電路(由電感L12及電容C16構(gòu)成)產(chǎn)生的相對(duì)于環(huán)境溫度的增益特性的增益斜率波動(dòng)可通過(guò)在由電容C13、熱變阻器Rt11及電感L13構(gòu)成的電路中的Q因數(shù)相對(duì)于環(huán)境溫度的波動(dòng)加以抵消。因此從放大電路12輸出的增益斜率的增益特性不會(huì)受環(huán)境溫度影響而被固定。
這里構(gòu)成產(chǎn)生增益斜率的諧振電路的電感L12及電容C16和電感L22及電容C26都設(shè)置在反饋環(huán)路的外部。由此阻抗的變化只發(fā)生在輸出端從而可很容易地進(jìn)行阻抗校正。
在上述的半導(dǎo)體電路中，具有阻值為10-100Ω的電阻R43被設(shè)置在電阻R42與電阻R16和電阻R26間的連接點(diǎn)之間，而電容C40被設(shè)置在規(guī)定的電勢(shì)點(diǎn)與電阻R42和R43間的連接點(diǎn)之間，這些元件的電路常數(shù)根據(jù)端接條件進(jìn)行設(shè)定。在圖中點(diǎn)A處不產(chǎn)生電勢(shì)波動(dòng)及駐波的情況下，電勢(shì)的波動(dòng)可被電阻R43吸收，由此即使在由駐波生成偶次失真(尤其是CSO(復(fù)合第二級(jí))失真)的情況下也可防止失真損壞。
雖然已用具體術(shù)語(yǔ)對(duì)本發(fā)明的最佳實(shí)施例進(jìn)行了描述，此類(lèi)描述只是用于闡述的目的，需明確的是所做的各種變化及修改都不脫離下面權(quán)利要求的實(shí)質(zhì)或范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體電路，其特征在于包含一放大電路，用于放大交流信號(hào)并輸出放大的信號(hào)；及一補(bǔ)償電路，用于在環(huán)境溫度變化的情況下補(bǔ)償被放大信號(hào)的失真。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于所述補(bǔ)償電路控制電路電流從而在預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)溫度下電路電流為最小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于所述補(bǔ)償電路含有第一熱敏電路元件及第二熱敏電阻元件，其中，第一熱敏電阻元件中的電阻以正溫度特性隨環(huán)境溫度而發(fā)生變化，而第二熱敏電阻元件中的電阻以負(fù)溫度特性隨環(huán)境溫度而發(fā)生變化，所述第一及第二熱敏電阻元件串聯(lián)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于每個(gè)所述的熱敏電阻元件為熱變阻器。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于它還包含第三熱敏電阻元件，其中的電阻隨所述放大電路的輸入端的環(huán)境溫度而發(fā)生變化。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于所述第三熱敏電阻元件中的電阻以負(fù)溫度特性隨環(huán)境溫度而發(fā)生變化。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于所述第三熱敏電阻元件為熱變阻器。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于所述放大電路包括源極接地的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述補(bǔ)償電路設(shè)置在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極與接地點(diǎn)之間，而所述電路電流為所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于每個(gè)所述熱敏電阻元件為熱變阻器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于它還包括第三熱敏電阻元件，其中電阻以負(fù)溫度特性環(huán)境溫度而發(fā)生變化，且其被設(shè)置在所述柵極及所述補(bǔ)償電路之間，其中的輸入信號(hào)被施加到所述第三熱敏電阻元件與所述補(bǔ)償電路之間的連接點(diǎn)上。
11.一種半導(dǎo)體電路，其特征在于包含一分隔器，其將由輸入端輸入的信號(hào)分隔為兩個(gè)不同相位的信號(hào)；第一及第二放大電路，每個(gè)都設(shè)置有反饋環(huán)路、多個(gè)電阻元件及多級(jí)相連的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，并用于放大由所述分隔器分隔開(kāi)的每個(gè)信號(hào)；一結(jié)合器，其用于將由所述第一和第二放大電路放大的兩個(gè)信號(hào)結(jié)合為一個(gè)信號(hào)并輸出所得信號(hào)；及一補(bǔ)償電路，其用于補(bǔ)償由所述第一和第二放大電路輸出的環(huán)境溫度引起的失真。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于所述補(bǔ)償電路控制電路電流，從而電路電流在預(yù)定的標(biāo)準(zhǔn)溫度為最小。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于所述補(bǔ)償電路包括第一熱敏電阻元件及第二熱敏電阻元件，第一熱敏電阻元件中的電阻隨環(huán)境溫度以正溫度特性發(fā)生變化，而第二熱敏電阻元件中的電阻隨環(huán)境溫度以負(fù)溫度特性發(fā)生變化，所述第一和第二熱敏電阻元件串聯(lián)連接。
全文摘要
一種半導(dǎo)體電路,其包括一放大電路并補(bǔ)償由于環(huán)境溫度變化引起的失真。如果放大電路為具有接地源極的場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路,則將補(bǔ)償電路連在接地點(diǎn)與FET的源極之間用以補(bǔ)償由于環(huán)境溫度引起的從FET輸出的信號(hào)的失真。將失真最小的溫度作為標(biāo)準(zhǔn)溫度,在溫度下的漏電流為最小從而在環(huán)境溫度偏離標(biāo)準(zhǔn)溫度時(shí)漏電流上升,從而抑制了在環(huán)境溫度變化時(shí)失真的增大。
文檔編號(hào)H03F1/30GK1219024SQ9812513
公開(kāi)日1999年6月9日 申請(qǐng)日期1998年11月26日 優(yōu)先權(quán)日1997年11月27日
發(fā)明者角田雄二, 深澤善亮, 田口雄一 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社