晶體振蕩器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及晶振技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種小型化、低功耗的晶體振蕩器。
【背景技術(shù)】
[0002]晶體振蕩器(Crystal Oscillator)目前廣泛的運(yùn)用在不同系統(tǒng)中，其主要的目的是提供系統(tǒng)振蕩頻率的基準(zhǔn)。恒溫控制晶體振蕩器為時(shí)鐘、通信等領(lǐng)域的核心部件。圖1顯示了傳統(tǒng)恒溫晶體振蕩器的一種結(jié)構(gòu)，如圖1所示，晶體振蕩器包括:殼體4’，以及封裝于殼體4’內(nèi)的線路板I’和設(shè)置在線路板I’上的晶體2’和加熱管3’，加熱方式是加熱管或發(fā)熱絲通過(guò)恒溫槽或PCB對(duì)石英晶體外殼加熱，使石英晶體內(nèi)部溫度達(dá)到平衡。而今時(shí)鐘、通信等設(shè)備飛速向小型化、節(jié)能方面發(fā)展，內(nèi)部空間越來(lái)越緊張，傳統(tǒng)的恒溫控制晶體振蕩器已逐步不能滿足需求，因此，開(kāi)發(fā)出小型化低功耗快穩(wěn)定的恒溫控制晶體振蕩器顯得非常急迫。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種晶體振蕩器，以解決上述技術(shù)問(wèn)題。
[0004]為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0005]一種晶體振蕩器，包括晶片、加熱器件以及殼體，所述晶片與所述加熱器件真空封裝于所述殼體內(nèi)。
[0006]特別地，所述晶片與所述加熱器件間隔設(shè)置，所述殼體具有與所述加熱器件相平行的安裝面，所述晶片設(shè)置在所述加熱器件背離所述安裝面的一側(cè)。
[0007]特別地，所述加熱器件固定在基板上，所述基板與所述安裝面平行。
[0008]特別地，所述晶片平行設(shè)置在所述加熱器件背離所述安裝面的一側(cè)。
[0009]特別地，所述晶片垂直設(shè)置在所述加熱器件背離所述安裝面的一側(cè)。
[0010]特別地，所述晶片的電極與引腳連接，所述引腳遠(yuǎn)離所述晶片的一端延伸至所述殼體的外部。
[0011]特別地，所述引腳與所述基板連接。
[0012]優(yōu)選的，所述殼體采用金屬或者非金屬制成。
[0013]更加優(yōu)選的，所述殼體為陶瓷殼體。
[0014]特別地，所述殼體的內(nèi)壁朝向其中心凸設(shè)有兩相互平行的第一臺(tái)階和第二臺(tái)階，所述晶片設(shè)置在所述第一臺(tái)階上，所述加熱器件設(shè)置在所述第二臺(tái)階上，所述殼體外設(shè)置有焊盤。
[0015]特別地，所述加熱器件與所述第二臺(tái)階之間設(shè)置基板，所述加熱器件固定在所述基板靠近所述晶片的一側(cè)。
[0016]優(yōu)選的，所述殼體采用金屬制成。
[0017]特別地，所述加熱器件為三極管、MOS管、電阻、發(fā)熱絲或集成電路中的任意一種。
[0018]本發(fā)明的有益效果為:通過(guò)將加熱器件和晶片封裝在真空的殼體內(nèi)，使得殼體內(nèi)的溫度穩(wěn)定所需要的熱量遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)的對(duì)石英晶體殼體外壁加熱所需要的熱量，降低了晶體振蕩器的功耗，同時(shí)也利于了晶體振蕩器的小型化設(shè)計(jì)。
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一種晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為本發(fā)明的第一實(shí)施例所述的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3為本發(fā)明的第二實(shí)施例所述的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4為本發(fā)明的第三實(shí)施例所述的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖5為本發(fā)明的第四實(shí)施例所述的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖中:
[0025]I，、線路板；2’、晶體；3’、加熱管；4’、殼體；
[0026]1、殼體；2、晶片；3、加熱器件；4、基板；5、引腳；6、第一臺(tái)階；7、第二臺(tái)階；8、焊盤。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面結(jié)合附圖并通過(guò)【具體實(shí)施方式】來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0028]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種晶體振蕩器，包括晶片、加熱器件以及殼體，所述晶片與所述加熱器件真空封裝于所述殼體內(nèi)。通過(guò)將加熱器件和晶片封裝在真空的殼體內(nèi)，使得殼體內(nèi)的溫度穩(wěn)定所需要的熱量遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)的對(duì)石英晶體殼體外壁加熱所需要的熱量，降低了晶體振蕩器的功耗，同時(shí)也利于了晶體振蕩器的小型化設(shè)計(jì)。
[0029]所述晶片與所述加熱器件間隔設(shè)置，所述殼體具有與所述加熱器件相平行的安裝面，所述晶片設(shè)置在所述加熱器件背離所述安裝面的一側(cè)。通過(guò)將晶片設(shè)置在所述加熱器件背離安裝面的一側(cè)，這樣加熱器件可以直接給晶片加熱，能快速的使晶片處于穩(wěn)定的溫度下，實(shí)現(xiàn)晶體振蕩器快速達(dá)到頻率穩(wěn)定的目的。
[0030]所述晶片平行設(shè)置在所述加熱器件背離所述安裝面的一側(cè)。通過(guò)將晶片平行設(shè)置在加熱器件背離安裝面的一側(cè)，使得晶片與加熱器件平行，進(jìn)而使加熱器件加熱時(shí)，熱量能快速并大面積的傳輸給晶片，加快晶片的升溫速度，使晶片的溫度能在更短時(shí)間能穩(wěn)定。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述晶片也可垂直設(shè)置在所述加熱器件背離所述安裝面的一側(cè)。
[0031]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，在殼體內(nèi)設(shè)置基板，加熱器件固定在基板上，所述基板與所述安裝面平行。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述殼體的內(nèi)壁朝向其中心凸設(shè)有兩相互平行的第一臺(tái)階和第二臺(tái)階，所述晶片設(shè)置在所述第一臺(tái)階上，所述加熱器件設(shè)置在所述第二臺(tái)階上。
[0032]本發(fā)明的晶體振蕩器可以采用插件的方式與外部連接，即提供插接用的引腳，弓丨腳由殼體內(nèi)向外伸出，引腳的一端在殼體內(nèi)于晶片的電極連接，另一端延伸至殼體外部與電路板等實(shí)現(xiàn)插接。優(yōu)選的，用于固定加熱器件的基板可以與引腳固定連接。當(dāng)然，本發(fā)明的晶體振蕩器還可以采用表貼的方式與外部連接，也即在殼體的底部設(shè)置焊盤，通過(guò)焊盤與電路板等實(shí)現(xiàn)連接。
[0033]本發(fā)明的殼體采用金屬或者非金屬制成。優(yōu)選的，所述殼體為陶瓷殼體。加熱器件為三極管、MOS管、電阻、發(fā)熱絲或集成電路中的任意一種。
[0034]圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例提供的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，于本實(shí)施例中，晶體振蕩器包括殼體1，以及真空封裝于殼體I內(nèi)部的石英晶片2，殼體I內(nèi)向外伸出引腳5，通過(guò)引腳5與外部實(shí)現(xiàn)插接。
[0035]本實(shí)施例的殼體I具有與外部連接的安裝面，即圖2中所示的殼體底面，當(dāng)采用引腳5插入外部電路板上時(shí)，該安裝面與電路板接觸。殼體I內(nèi)部的晶片2平行于所述安裝面，晶片2的兩端分別與兩引腳5固定連接，從而通過(guò)引腳5將晶片2支撐。
[0036]于兩引腳5之間，并位于晶片2靠近所述安裝面的一側(cè)設(shè)置一平行于所述安裝面的基板4，于基板4上靠近晶片2的表面設(shè)置加熱器件3，即圖2中所示的基板4的上表面設(shè)置加熱器件3。
[0037]圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例提供的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，本實(shí)施例與第一實(shí)施例的區(qū)別僅僅在于:本實(shí)施例的晶片2垂直于殼體I的底部安裝面，也即晶片2垂直于基板4，其余部分均相同。
[0038]圖4是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例提供的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，于本實(shí)施例中，晶體振蕩器包括殼體1，以及真空封裝于殼體I內(nèi)部的石英晶片2，殼體I的底部安裝面設(shè)置有焊盤8，通過(guò)焊盤8與外部實(shí)現(xiàn)連接。
[0039]于殼體I內(nèi)依次設(shè)置兩臺(tái)階，分別為第一臺(tái)階6和第二臺(tái)階7，第一臺(tái)階6用于安裝晶片2，第二臺(tái)階7用于安裝加熱器件3。具體的，第一臺(tái)階6和第二臺(tái)階7分別具有與所述安裝面相平行的臺(tái)階面，晶片2固定于第一臺(tái)階6的臺(tái)階面上，于第二臺(tái)階7的臺(tái)階面上固定設(shè)置基板4，于基板4上設(shè)置加熱器件3。
[0040]圖5是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例提供的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，本實(shí)施例與第三實(shí)施例的區(qū)別僅僅在于:加熱器件3直接固定于第二臺(tái)階7的臺(tái)階面上，其余部分均相同。
[0041]于本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”、“第四”，僅僅用于在描述上加以區(qū)分，并沒(méi)有特殊的含義。
[0042]以上結(jié)合具體實(shí)施例描述了本發(fā)明的技術(shù)原理。這些描述只是為了解釋本發(fā)明的原理，而不能以任何方式解釋為對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制?；诖颂幍慕忉專绢I(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)即可聯(lián)想到本發(fā)明的其它【具體實(shí)施方式】，這些方式都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶體振蕩器，其特征在于，包括晶片、加熱器件以及殼體，所述晶片與所述加熱器件真空封裝于所述殼體內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述晶片與所述加熱器件間隔設(shè)置，所述殼體具有與所述加熱器件相平行的安裝面，所述晶片設(shè)置在所述加熱器件背離所述安裝面的一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述加熱器件固定在基板上，所述基板與所述安裝面平行。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述晶片平行設(shè)置在所述加熱器件背離所述安裝面的一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述晶片垂直設(shè)置在所述加熱器件背離所述安裝面的一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述晶片的電極與引腳連接，所述引腳遠(yuǎn)離所述晶片的一端延伸至所述殼體的外部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述引腳與所述基板連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述殼體的內(nèi)壁朝向其中心凸設(shè)有兩相互平行的第一臺(tái)階和第二臺(tái)階，所述晶片設(shè)置在所述第一臺(tái)階上，所述加熱器件設(shè)置在所述第二臺(tái)階上，所述殼體外設(shè)置有焊盤。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述加熱器件與所述第二臺(tái)階之間設(shè)置基板，所述加熱器件固定在所述基板靠近所述晶片的一側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述加熱器件為三極管、MOS管、電阻、發(fā)熱絲或集成電路中的任意一種。
【專利摘要】本發(fā)明涉及晶振技術(shù)領(lǐng)域，提供一種小型化、低功耗的晶體振蕩器，包括晶片、加熱器件以及殼體，所述晶片與所述加熱器件真空封裝于所述殼體內(nèi)。通過(guò)將加熱器件和晶片封裝在真空的殼體內(nèi)，使得殼體內(nèi)的溫度穩(wěn)定所需要的熱量遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)的對(duì)石英晶體殼體外壁加熱所需要的熱量，降低了晶體振蕩器的功耗，同時(shí)也利于了晶體振蕩器的小型化設(shè)計(jì)。
【IPC分類】H03H9-19, H03L1-02, H03H9-02
【公開(kāi)號(hào)】CN104579227
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410853855
【發(fā)明人】王丹, 劉朝勝, 張立林, 王春明
【申請(qǐng)人】廣東大普通信技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2014年12月30日