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      通斷電檢測復(fù)位電路的制作方法

      文檔序號:8284277閱讀:517來源:國知局
      通斷電檢測復(fù)位電路的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及電子電路領(lǐng)域,尤其涉及一種通斷電檢測復(fù)位電路。
      【背景技術(shù)】
      [0002]電子系統(tǒng)在通斷電的過程中,由于可能存在不同的電路模塊,所以通斷電時間不一致,進(jìn)而引起系統(tǒng)在通斷電瞬間出現(xiàn)工作混亂的現(xiàn)象,為了防止該現(xiàn)象的出現(xiàn),可在一些電路模塊中加入通斷電檢測復(fù)位電路。通斷電檢測復(fù)位電路在檢測到系統(tǒng)發(fā)生斷電或通電時,會發(fā)出復(fù)位信號,然后對電路進(jìn)行復(fù)位,從而使系統(tǒng)進(jìn)入預(yù)定的狀態(tài)。傳統(tǒng)的通斷電檢測復(fù)位電路一般存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜、功耗偏高的缺點(diǎn)。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明提供一種通斷電檢測復(fù)位電路,用以實(shí)現(xiàn)對電路中斷電和通電的檢測復(fù)位,電路簡單,實(shí)現(xiàn)靈活,功耗低。
      [0004]本發(fā)明提供一種通斷電檢測復(fù)位電路,包括:
      [0005]偏置電路模塊,用于根據(jù)可調(diào)電流源提供的電流,生成第一偏置電流和第二偏置電流;
      [0006]參考電壓模塊,用于根據(jù)所述第一偏置電流,生成參考電壓;
      [0007]比較電路模塊,用于根據(jù)所述第二偏置電流,生成閾值電壓,根據(jù)所述閾值電壓比較電源電壓與所述參考電壓,根據(jù)比較結(jié)果判斷電源是否發(fā)生斷電或通電;
      [0008]復(fù)位信號生成模塊,用于當(dāng)判斷所述電源發(fā)生斷電或通電時,生成復(fù)位信號,輸出所述復(fù)位信號。
      [0009]本發(fā)明設(shè)計一種通斷電檢測復(fù)位電路,偏置電路模塊根據(jù)可調(diào)電流源提供的電流生成第一偏置電流和第二偏置電流,可為整個通斷電檢測復(fù)位電路提供偏置電流,參考電壓模塊根據(jù)偏置電路模塊提供的第一偏置電流生成參考電壓,在比較電路模塊中根據(jù)第二偏置電流生成的閾值電壓比較電源電壓與參考電壓,根據(jù)比較結(jié)果判斷電源是否發(fā)生斷電或通電,若電源發(fā)生斷電或通電,則復(fù)位信號生成模塊生成并輸出復(fù)位信號,若電源未發(fā)生斷電或通電,則復(fù)位信號生成模塊生成并輸出表示電源正常的信號,這樣實(shí)現(xiàn)對電源斷電和通電的檢測復(fù)位,電路簡單,實(shí)現(xiàn)靈活。并且通過偏置電路模塊中的可調(diào)電流源,可以根據(jù)各電路模塊的需求調(diào)整電流,選擇保證電路正常工作的最小電流就可以實(shí)現(xiàn)整個通斷電檢測復(fù)位的功能,實(shí)現(xiàn)低功耗。
      【附圖說明】
      [0010]圖1為本發(fā)明通斷電檢測復(fù)位電路第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0011]圖2為本發(fā)明通斷電檢測復(fù)位電路第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0012]圖3為本發(fā)明通斷電檢測復(fù)位電路第二實(shí)施例中不同電壓的曲線圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0013]下面結(jié)合說明書附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
      [0014]如圖1所示,為本發(fā)明通斷電檢測復(fù)位電路第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖,該電路可以包括:偏置電路模塊11、參考電壓模塊12、比較電路模塊13和復(fù)位信號生成模塊14,參考電壓模塊12與偏置電路模塊11相連,比較電路模塊13與參考電壓模塊12相連。
      [0015]在本實(shí)施例中,偏置電路模塊11用于根據(jù)可調(diào)電流源提供的電流,生成第一偏置電流和第二偏置電流;參考電壓模塊12用于根據(jù)第一偏置電流生成參考電壓Vref ;比較電路模塊13用于根據(jù)第二偏置電流,生成閾值電壓,根據(jù)閾值電壓比較電源電壓VDD與參考電壓Vref,根據(jù)比較結(jié)果判斷電源是否發(fā)生斷電或通電;復(fù)位信號生成模塊14用于判斷電源發(fā)生斷電或通電時,生成復(fù)位信號,輸出該復(fù)位信號,當(dāng)判斷電源正常時,生成表示電源正常的信號,輸出表示電源正常的信號。
      [0016]在本實(shí)施例中,通過偏置電路模塊11根據(jù)可調(diào)電流源提供的電流生成第一偏置電流和第二偏置電流,可為整個通斷電檢測復(fù)位電路提供偏置電流,參考電壓模塊12根據(jù)偏置電路模塊11提供的第一偏置電流生成參考電壓Vref,通過在比較電路模塊13中根據(jù)第二偏置電流生成的閾值電壓比較電源電壓VDD與參考電壓Vref,由結(jié)果來判斷電源是否發(fā)生斷電或通電,若電源發(fā)生斷電或通電,則復(fù)位信號生成模塊14生成并輸出復(fù)位信號,若電源未發(fā)生斷電或通電,也就是電源正常,則復(fù)位信號生成模塊14生成并輸出表示電源正常的信號,這樣實(shí)現(xiàn)對電源斷電和通電的檢測復(fù)位,電路簡單,實(shí)現(xiàn)靈活。由于可調(diào)電流源提供的電流可調(diào),所以可以根據(jù)各電路模塊的需求調(diào)整由可調(diào)電流源提供的電流得到的第一偏置電流和第二偏置電流,選擇保證電路正常工作的最小電流就可以實(shí)現(xiàn)整個通斷電檢測復(fù)位的功能,從而實(shí)現(xiàn)低功耗。
      [0017]可選地,再參見圖1所示的示意圖,偏置電路模塊11可以包括:可調(diào)電流源I1、第一 PMOS管M1、第二 PMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4,可調(diào)電流源Il的正極與地連接,可調(diào)電流源Il的負(fù)極與第一 PMOS管Ml的漏極連接,第一 PMOS管Ml的源極、第二PMOS管M2的源極均與電源電壓VDD連接,第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接并與第二 PMOS管M2的柵極連接,第三NMOS管M3的柵極、源極均與地連接,第四NMOS管M4的源極與地連接,第四NMOS管M4的柵極與漏極短接。其中,可以通過改變可調(diào)電流源Il的實(shí)現(xiàn)方式調(diào)整可調(diào)電流源Il提供的電流,可調(diào)電流源Il有多種實(shí)現(xiàn)方式,例如:用一個電阻實(shí)現(xiàn)可調(diào)電流源II,就可以通過調(diào)整電阻的阻值實(shí)現(xiàn)對電流的調(diào)整,從而可以得到可調(diào)整的第一偏置電流和第二偏置電流;第一 PMOS管Ml根據(jù)可調(diào)電流源提供的電流向參考電壓模塊12傳遞第一偏置電流,第二 PMOS管M2根據(jù)可調(diào)電流源提供的電流向第四NMOS管M4傳遞第二偏置電流,第四NMOS管M4向比較電路模塊13傳遞第二偏置電流;第三NMOS管M3用于保護(hù)第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓,具體地,當(dāng)斷電發(fā)生,電源電壓VDD下降的過程中,第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓也會隨著下降,由于第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓低于電源電壓VDD,所以當(dāng)電源電壓VDD降至OV時,第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓會低于0V,出現(xiàn)過沖現(xiàn)象,如果第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓過低,第三NMOS管M3的漏極與襯底之間的寄生二極管就會導(dǎo)通,這樣就會由第三NMOS管M3的襯底向第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處注入電流,從而防止第一PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于0V。
      [0018]可選地,在本實(shí)施例中,參考電壓模塊12用于將第一偏置電流施加在場效應(yīng)晶體管上,生成參考電壓Vref,具體地,再參見圖1所示的示意圖,參考電壓模塊12可以包括:第五PMOS管M5、參考電壓生成單元121,第五PMOS管M5的源極與電源電壓VDD連接,第五PMOS管M5的柵極與第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處連接,第五PMOS管M5的漏極與參考電壓生成單元121連接,參考電壓生成單元121與地連接。其中,第五PMOS管M5與第一 PMOS管Ml組成鏡像電流源為參考電壓生成單元121提供第一偏置電流,參考電壓生成單元121包括上述的場效應(yīng)晶體管,參考電壓Vref為場效應(yīng)晶體管上的電壓,該場效應(yīng)晶體管在第一偏置電流的作用下導(dǎo)通,根據(jù)第一偏置電流生成參考電壓Vref。
      [0019]可選地,在本實(shí)施例中,參考電壓生成單元121中場效應(yīng)晶體管可以為I個MOS管、或串聯(lián)連接的兩個以上MOS管,參考電壓Vref為各MOS管上的電壓的和,由于電路中只需保證各MOS管導(dǎo)通即可,所以第一偏置電流可以很小,所以MOS管上的電壓近似等于該MOS管的截止電壓,則參考電壓Vref為各MOS管的截止電壓之和。并且,由于參考電壓生成單元121中可以調(diào)節(jié)MOS管的個數(shù),所以參考電壓Vref的大小可以調(diào)節(jié)。
      [0020]具體地,場效應(yīng)晶體管可以為I個PMOS管,則PMOS管的源極與第五PMOS管M5的漏極連接,PMOS管的柵極與漏極短接并與地連接;場效應(yīng)晶體管還可以為I個NMOS管,則NMOS管的柵極與漏極短接并與第五PMOS管M5的漏極連接,NMOS管的源極與地連接;場效應(yīng)晶體管還可以為2個PMOS管,即PMOS管Pl和PMOS管P2,則PMOS管Pl的源極與第五PMOS管M5的漏極連接,PMOS管Pl的柵極與漏極短接并與PMOS管P2的源極連接,PMOS管P2的柵極與漏極短接并與地連接;
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