一種高頻振蕩器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種振蕩器，具體地說，是涉及一種高頻振蕩器。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著現(xiàn)代通信頻段的日益緊張以及微波通信的快速發(fā)展，高頻振蕩電路的設(shè)計已 成為MMIC (單片微波集成電路）領(lǐng)域的一個熱點問題。Copitts振蕩器廣泛應(yīng)用于高頻振 蕩電路的設(shè)計中，如圖1所示，為一個典型的Copitts振蕩器電路，但Copitts振蕩器由于 集電極與基極之間的寄生電容影響，圖1中的Colpitts振蕩電路一路經(jīng)過寄生電容Cbcl 回流到地，一路經(jīng)由L1回流到地，一路經(jīng)由C11、C12回流到地，所以其等效諧振電路中Cbcl 與C11、C12是并聯(lián)的。如圖2所示，為圖1中Copitts振蕩器的諧振網(wǎng)絡(luò)圖，由圖2可知，寄 生電容Cbcl與C11、C12并聯(lián)，由于電容并聯(lián)電容值增加，由
【主權(quán)項】
1. 一種高頻振蕩器，包括晶體管放大器和LC振蕩電路，其特征在于：所述LC振蕩電路 為電容反饋式振蕩電路，所述電容反饋式振蕩電路包括電感和由第一電容、第二電容相串 聯(lián)組成的串聯(lián)電路，所述晶體管放大器的基極通過電感連接地端，所述晶體管放大器的集 電極其中一路與所述串聯(lián)電路連接后與地端連接，另外一路通過寄生電容與所述晶體管放 大器的基極連接，所述晶體管放大器的發(fā)射極其中一路連接在所述第一電容和第二電容之 間，另外一路連接恒流源后接地。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻振蕩器，其特征在于：所述電感還與第二電阻相串聯(lián)后 連接地端。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高頻振蕩器，其特征在于；所述晶體管放大器為NPN型 S極管，或者PNP型S極管。
4. 一種高頻振蕩器，包括晶體管放大器和LC振蕩電路，其特征在于：所述LC振蕩電路 為電感反饋式振蕩電路，所述電感反饋式振蕩電路包括電容和由第一電感、第二電感相串 聯(lián)組成的串聯(lián)電路，所述晶體管放大器的基極通過電容連接地端，所述晶體管放大器的集 電極其中一路與所述串聯(lián)電路連接后與地端連接，另外一路通過寄生電容與所述晶體管放 大器的基極連接，所述晶體管放大器的發(fā)射極其中一路連接在所述第一電感和第二電感之 間，另外一路連接恒流源后接地。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的高頻振蕩器，其特征在于：所述電容還與一電阻相串聯(lián)后連 接地端。
6. -種高頻振蕩器，包括場效應(yīng)管放大器和LC振蕩電路，其特征在于：所述LC振蕩電 路為電容反饋式振蕩電路，所述電容反饋式振蕩電路包括電感和由第一電容、第二電容相 串聯(lián)組成的串聯(lián)電路，所述場效應(yīng)管放大器的柵極通過電感連接地端，所述場效應(yīng)管放大 器的漏極其中一路與所述串聯(lián)電路連接后與地端連接，另外一路通過寄生電容后與所述場 效應(yīng)管放大器的柵極連接，所述場效應(yīng)管放大器的源極其中一路連接在所述第一電容和第 二電容之間，另外一路連接恒流源后接地。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的高頻振蕩器，其特征在于：所述電感還與一電阻相串聯(lián)后連 接地端。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的高頻振蕩器，其特征在于：所述場效應(yīng)管放大器為NMOS 管或者PMOS管。
9. 一種高頻振蕩器，包括場效應(yīng)管放大器和LC振蕩電路，其特征在于：所述LC振蕩電 路為電感反饋式振蕩電路，所述電感反饋式振蕩電路包括電容和由第一電感、第二電感相 串聯(lián)組成的串聯(lián)電路，所述場效應(yīng)管放大器的柵極通過電容連接地端，所述場效應(yīng)管放大 器的漏極其中一路與所述串聯(lián)電路連接后與地端連接，另外一路通過寄生電容后與所述場 效應(yīng)管放大器的柵極連接，所述場效應(yīng)管放大器的源極其中一路連接在所述第一電感和第 二電感之間，另外一路連接恒流源后接地。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的高頻振蕩器，其特征在于：所述電容還與一電阻相串聯(lián)后連 接地端。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高頻振蕩器，包括晶體管放大器和LC振蕩電路，LC振蕩電路為電容反饋式振蕩電路，電容反饋式振蕩電路包括電感和由第一電容、第二電容相串聯(lián)組成的串聯(lián)電路，晶體管放大器的基極通過電感連接地端，所述晶體管放大器的集電極其中一路與所述串聯(lián)電路連接后與地端連接，另外一路通過寄生電容與所述晶體管放大器的基極連接，所述晶體管放大器的發(fā)射極其中一路連接在所述第一電容和第二電容之間，另外一路連接恒流源后接地。本發(fā)明的高頻振蕩器的諧振網(wǎng)絡(luò)中，寄生電容Cbc與C1、C2串聯(lián)，可以有效提高振蕩器的震蕩頻率，不僅消除了寄生電容對高頻振蕩器降低其振蕩頻率的影響，而且充分利用了寄生電容，助其提高了高頻振蕩器的振蕩頻率。
【IPC分類】H03B5-18
【公開號】CN104682872
【申請?zhí)枴緾N201510101855
【發(fā)明人】陳金
【申請人】青島歌爾聲學(xué)科技有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2015年3月9日