一種兼容鹵素?zé)艨烧{(diào)光led驅(qū)動(dòng)電源及照明燈具的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED照明領(lǐng)域，尤其涉及一種兼容鹵素?zé)舻腖ED驅(qū)動(dòng)電源，本發(fā)明還涉及一種LED照明燈具。
【背景技術(shù)】
[0002]由于LED具有發(fā)光效率高、節(jié)電效果好，并且無污染、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，在照明行業(yè)應(yīng)用上得到政府的大力支持；同時(shí)LED照明燈來替代傳統(tǒng)照明燈的相關(guān)工作也在不斷地進(jìn)行著。
[0003]現(xiàn)在市面上的鹵素?zé)暨B接有電子變壓器和調(diào)光器，比如OSRAM、CLIPSAL、Possum、VIPER等等的產(chǎn)品，如圖1所示。LED照明燈具取代鹵素?zé)暨^程中，由于需要更改接線方式，需要卸除變壓器、調(diào)光器等，一般情況下用戶不懂自行操作，需要請(qǐng)專業(yè)電工來更換。而且一方面，如果用戶自行如果用戶自行更換案子，不注意接線錯(cuò)誤，容易草草燒線等不良現(xiàn)象；或者再另一方面，如果請(qǐng)專業(yè)電工來更換案子，會(huì)提高更換成本。再者，現(xiàn)有的LED燈不能直接兼容變壓器和并利用原有的調(diào)光器實(shí)現(xiàn)可調(diào)光，都給LED燈具取代鹵素?zé)魩碇T多不便。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的是提供一種可直接兼容鹵素?zé)舨?shí)現(xiàn)利用原有調(diào)光器實(shí)現(xiàn)可調(diào)光的LED驅(qū)動(dòng)電源。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的是提供一種可直接兼容鹵素?zé)舨?shí)現(xiàn)利用原有調(diào)光器實(shí)現(xiàn)可調(diào)光的LED照明燈具。
[0006]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:
一種兼容鹵素?zé)艨烧{(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電源，其包括整流模塊、穩(wěn)壓模塊、探測(cè)模塊、峰值電流控制模塊、調(diào)節(jié)器、升壓變換處理器和線性分流調(diào)節(jié)模塊，所述整流模塊的輸入端連接交流電源，所述整流模塊的第一輸出端連接到穩(wěn)壓模塊，所述整流模塊的第二輸出端連接到探測(cè)模塊，所述穩(wěn)壓模塊的輸出端連接到探測(cè)模塊，所述探測(cè)模塊的輸出端連接到峰值電流控制模塊，所述探測(cè)器的輸出端連接到升壓變換處理器，所述峰值電流控制模塊的輸出端連接到調(diào)節(jié)器，所述調(diào)節(jié)器的輸出單連接到升壓變換處理器，所述升壓變換處理器的輸出端連接到線性分流調(diào)節(jié)模塊。
[0007]優(yōu)選的，所述整流模塊為橋式整流模塊。
[0008]優(yōu)選的，所述穩(wěn)壓模塊包括第一三極管、第二三極管、第一MOS管，第二MOS管以及第三MOS管，所述第一三極管的集電極連接到第一 MOS管的柵極連接，所述第一三極管的基極通過一電阻連接到第二三極管的基極，所述第一三極管的集電極通過一電阻連接到探測(cè)器的輸入端，所述第二三極管的集電極連接到發(fā)射極，所述第二三極管的集電極通過一電阻連接到探測(cè)器的輸入端，所述第一 MOS管的柵極連接到第二 MOS管的柵極，所述第一 MOS管的漏極通過一電阻連接到橋式整流模塊的輸出端，所述第二 MOS管的漏極通過一電阻連接到橋式整流模塊的輸出端，所述第一 MOS管和第二 MOS管的源極各自通過一電阻接地，所述第一 MOS管的柵極通過一電阻接地，所述第三MOS管的漏極連接到第一 MOS管的柵極，所述第三MOS管的源極接地。
[0009]優(yōu)選的，所述探測(cè)器包括第一二極管、第二二極管、第一穩(wěn)壓二極管和第二穩(wěn)壓二極管，所述第一穩(wěn)壓二極管的陽極連接到整流模塊的輸出端，所述第一穩(wěn)壓二極管的陰極連接到升壓變換處理器的輸入端，所述第一穩(wěn)壓二極管的陽極依次通過一電阻和一電容接地，所述電阻并聯(lián)有反向連接第一二極管，所述第二二極管的陽極連接到第一二極管的陽極，所述第二二極管的陰極通過一電容接地，所述第二穩(wěn)壓二極管陽極通過一電阻接地，所述第二穩(wěn)壓二極管的陰極連接到第二二極管的陰極。
[0010]優(yōu)選的，所述調(diào)節(jié)器包括三端穩(wěn)壓芯片、第三三極管和第四MOS管，所述三端穩(wěn)壓芯片的輸入端與探測(cè)器的輸出端連接，所述三端穩(wěn)壓的輸出端與三極管的集電極連接，所述三端穩(wěn)壓芯片的輸出端與穩(wěn)壓模塊的輸出端連接，所述第三三極管的基極通過一電阻接地，所述第三三極管的發(fā)射極通過一電阻接地，所述第三三極管的發(fā)射極通過一電阻連接到升壓變換處理器的輸入端，所述第三三極管的基極和集電極之間連接有一電容，所述第四MOS管的源極接地，所述第四MOS管的漏極連接到第三三極管的基極。
[0011]優(yōu)選的，所述升壓變換處理器包括LED燈驅(qū)動(dòng)控制芯片，所述LED燈驅(qū)動(dòng)控制芯片包括控制輸入端、電流取樣輸入端、電流輸出端、反饋電流輸入端和選擇輸出端，所述電流輸出端與反饋電流輸入端連接，所述控制輸入端與調(diào)節(jié)器的輸出端連接，所述電流取樣輸入端與調(diào)節(jié)器的輸出端連接。
[0012]優(yōu)選的，其還包括熱續(xù)流控制模塊，所述熱續(xù)流控制模塊包括溫度感應(yīng)器，所述溫度感應(yīng)器的輸出端與升壓變換處理器的輸入端連接，實(shí)現(xiàn)過熱保護(hù)。
[0013]優(yōu)選的，其包括一種兼容鹵素?zé)艨烧{(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電源，所述LED驅(qū)動(dòng)電源的輸出端連接有一個(gè)或多個(gè)LED燈。
[0014]本發(fā)明的有益效果是:
本發(fā)明通過對(duì)普通鹵素?zé)糨敵鲭妷旱奶幚砗吞綔y(cè)，實(shí)現(xiàn)LED燈對(duì)傳統(tǒng)鹵素?zé)舻碾娮幼儔浩骱驼{(diào)光器的完全兼容和直接替換，而且輸出電流穩(wěn)定可靠，方便用戶更換的同時(shí)保留調(diào)光功能，而且具有無污染、無輻射、無頻閃的優(yōu)點(diǎn)。
[0015]另外，本發(fā)明通過增加溫度感應(yīng)電路，實(shí)現(xiàn)對(duì)LED燈工作溫度的事實(shí)監(jiān)控，并根據(jù)溫度調(diào)節(jié)輸出電流，使得LED燈的使用更加安全，有效延長(zhǎng)LED照明燈具壽命。
[0016]本發(fā)明可廣泛應(yīng)用于各種LED照明燈具。
【附圖說明】
[0017]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步說明:
圖1是本發(fā)明一種實(shí)施例的電路原理框圖；
圖2是本發(fā)明一種實(shí)施例整流模塊、穩(wěn)壓模塊、探測(cè)模塊、調(diào)節(jié)器和升壓變換處理器的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0019]如圖1所示，一種兼容鹵素?zé)艨烧{(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電源，其包括整流模塊、穩(wěn)壓模塊、探測(cè)模塊、峰值電流控制模塊、調(diào)節(jié)器、升壓變換處理器和線性分流調(diào)節(jié)模塊，所述整流模塊的輸入端連接交流電源，所述整流模塊的第一輸出端連接到穩(wěn)壓模塊，所述整流模塊的第二輸出端連接到探測(cè)模塊，所述穩(wěn)壓模塊的輸出端連接到探測(cè)模塊，所述探測(cè)模塊的輸出端連接到峰值電流控制模塊，所述探測(cè)器的輸出端連接到升壓變換處理器，所述峰值電流控制模塊的輸出端連接到調(diào)節(jié)器，所述調(diào)節(jié)器的輸出單連接到升壓變換處理器，所述升壓變換處理器的輸出端連接到線性分流調(diào)節(jié)模塊。
[0020]優(yōu)選的，所述整流模塊為橋式整流模塊。
[0021]如圖2所示，所述穩(wěn)壓模塊包括第一三極管Ql、第二三極管Q2、第一 MOS管QMl，第二 MOS管QM2以及第三MOS管QM3，所述第一三極管Ql的集電極連接到第一 MOS管QMl的柵極連接，所述第一三極管Ql的基極通過一電阻連接到第二三極管Q2的基極，所述第一三極管Ql的集電極通過一電阻連接到探測(cè)器的輸入端，所述第二三極管Q2的集電極連接到發(fā)射極，所述第二三極管Q2的集電極通過一電阻連接到探測(cè)器的輸入端，所述第一 MOS管QMl的柵極連接到第二 MOS管QM2的柵極，所述第一 MOS管QMl的漏極通過一電阻連接到橋式整流模塊的輸出端，所述第二 MOS管QM2的漏極通過一電阻連接到橋式整流模塊的輸出端，所述第一 MOS管QMl和第二 MOS管QM2的源極各自通過一電阻接地，所述第一 MOS管QMl的柵極通過一電阻接地，所述第三MOS管QM3的漏極連接到第一 MOS管QMl的柵極，所述第三MOS管QM3的源極接地。
[0022]優(yōu)選的，所述探測(cè)器包括第一二極管D1、第二二極管D2、第一穩(wěn)壓二極管DSl和第二穩(wěn)壓二極管DS2，所述第一穩(wěn)壓二極管DSl的陽極連接到整流模塊的輸出端，所述第一穩(wěn)壓二極管DSl的陰極連接到升壓變換處理器的輸入端，所述第一穩(wěn)壓二極管DSl的陽極依次通過一電阻和一電容接地，所述電阻并聯(lián)有反向連接第一二極管D1，所述第二二極管D2的陽極連接到第一二極管Dl的陽極，所述第二二極管D2的陰極通過一電容接地，所述第二穩(wěn)壓二極管DS2陽極通過一電阻接地，所述第二穩(wěn)壓二極管DS2的陰極連接到第二二極管