天線驅動裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及切換天線電路中流過的電流的方向而使信號從天線電路發(fā)送的天線驅動裝置。
【背景技術】
[0002]以往，存在安裝有免鑰入車系統(tǒng)(Passive entry system)的四輪車或二輪車。在該免鑰入車系統(tǒng)中，搭載于車輛的車載機通過天線與用戶攜帶的便攜機進行無線通信，進行便攜機的認證，在該認證完成之后，執(zhí)行例如車門上鎖/開鎖或發(fā)動機的起動等。在車載機中包含有天線電路和天線驅動裝置。
[0003]圖8是示出現有的天線驅動裝置90的電路結構的圖。圖9?圖11是示出圖8的電路中的電流路徑的圖。
[0004]在圖8中，天線驅動裝置90具備:作為半導體開關元件的FET 91、92、93 ;天線連接點94 ;電阻R1、R2、R3、R6 ;二極管Dl、D2、以及控制部95。
[0005]FET 91、92、93 由場效應晶體管(Field Effect Transistor)構成。FET 91 是 P溝道型的FET，FET 92、93是N溝道型的FET。
[0006]在天線電路10中包含有由環(huán)形的線圈構成的天線A、以及共振用的電容器C。電容器C的一端與第I接地端子Gl連接。電容器C的另一端與天線A的一端連接。天線A的另一端經由連接單元9以及電流限制電阻R6與天線連接點94連接。連接單元9由連接器和線束等構成。
[0007]電源端子B與未圖示的車載電池等電源連接。在從電源端子B不經由天線連接點94到達第2接地端子G2的布線路徑中串聯連接有電阻Rl和FET 93。FET 93的漏極經由電阻Rl與電源端子B連接。FET 93的源極與第2接地端子G2連接。從控制部95向FET93的柵極輸入接通/斷開(0N/0FF)切換信號。
[0008]在經由天線連接點94從電源端子B到達第2接地端子G2的布線路徑中串聯連接有FET 91、92。FET 91的源極與電源端子B連接。FET 91的漏極與天線連接點94連接。FET 92的源極與第2接地端子G2連接。FET 92的漏極與天線連接點94連接。
[0009]在FET 91、92的各柵極之間串聯連接有電阻R2、R3，而且串聯連接有二極管D1、D2。電阻R2與二極管D1、以及電阻R3與二極管D2分別并聯連接。二極管D1、D2的連接點、電阻R2、R3的連接點、以及FET 93的漏極與電阻Rl的連接點通過布線96連接。
[0010]FET 91的柵極經由電阻R2與FET 93的漏極連接。FET 92的柵極經由電阻R3與FET 93的漏極連接。
[0011]如圖9所示，當從控制部95向FET 93的柵極輸入接通(ON)切換信號時，FET93變成接通(ON)狀態(tài)。然后，由于FET 91、92的各柵極的電位下降，因此，P溝道型的FET 91變成接通狀態(tài)，N溝道型的FET 92變成斷開(OFF)狀態(tài)。因此，如實線的箭頭所示，電流從電源端子B通過FET 91、天線連接點94、電流限制電阻R6、以及連接單元9，流向天線電路10的天線A和電容器C，進而從第I接地端子Gl流向地面(第I電流路徑)。
[0012]此外，如圖10所示，在從控制部95向FET 93的柵極輸入斷開(OFF)切換信號之后，FET 93變成斷開狀態(tài)。然后，由于FET 91、92的各柵極的電位上升，因此，P溝道型的FET 91變成斷開狀態(tài)，N溝道型的FET 92變成接通狀態(tài)。因此，如實線的箭頭所示，基于天線電路10中存儲的電能的放出的電流從天線電路10，通過連接單元9、電流限制電阻R6、天線連接點94、FET 92、以及第2接地端子G2流向大地(第2電流路徑)。
[0013]控制部95如上所述地連續(xù)切換FET 93的接通/斷開狀態(tài)，使FET 91,92交替地接通/斷開，從而，連續(xù)切換流過天線電路10的電流的方向。由此，從天線A發(fā)送低頻的正弦波信號。此時，流過天線電路10的電流的大小由電流限制電阻R6進行限制。
[0014]從天線電路10的天線A發(fā)送的正弦波信號由便攜機接收之后，被二值化。為了便于進行該便攜機中的二值化處理，需要將針對天線電路10的2個電流路徑的電損失之差抑制成較小，并從天線A發(fā)送正負半波的振幅為相同程度的規(guī)則的正弦波信號。
[0015]但是，在FET 91、92各自的柵極/漏極之間存在寄生電容器。由于該寄生電容器的充放電，在FET 91,92從接通切換到斷開、或者從斷開切換到接通之前，會產生時間上的延遲。其結果是，在FET 93從接通切換到斷開、或者從斷開切換到接通時，FET 91、92臨時同時變成接通狀態(tài)。然后，如圖11中雙點劃線的箭頭所示，貫通電流從電源端子B通過FET91、92，流向第2接地端子G2，因此，FET 91,92有可能會損壞。
[0016]因此，為了抑制該貫通電流，設置二極管Dl、D2，使得不經由電阻R2、R3而是經由二極管Dl、D2，進行FET 9192的柵極/漏極之間的寄生電容器的充放電。由此，由于充放電路徑的時間常數變小，因此，FET 91,92同時變成接通狀態(tài)的時間縮短，貫通電流幾乎不再流過FET 91、92。
[0017]但是，在該電路結構中，由于需要二極管Dl、D2與電流限制電阻R6，因此，電路元件數目增加，妨礙天線驅動裝置的小型化。此外，由于在針對天線電路10的2個電流路徑中設置有I個電流限制電阻R6，因此，電流流過電流限制電阻R6的次數增多，電流限制電阻R6的壽命變短。因此，作為電流限制電阻R6，需要耐久性高的電阻元件。耐久性高的電阻元件例如由于尺寸較大而妨礙了天線驅動裝置的小型化，或者由于價格較高而妨礙了天線驅動裝置的低廉化。
[0018]另一方面，在專利文獻I中公開有如下技術:利用發(fā)送控制電路，使天線驅動電路(H橋電路)內的高邊(high side)側的2個FET或者低邊(low side)側的2個FET同時接通的定時錯開，防止貫通電流流過雙方的FET。
[0019]此外，在專利文獻2中公開有如下技術:在D/Α轉換器的參照電壓切換開關中，對來自串聯連接的2個激勵晶體管(driver transistor)的連接點的輸出電壓進行負反饋(negative feedback)控制，由此抑制貫通電流流過2個激勵晶體管，并提高輸出電壓的精度。
[0020]此外，在專利文獻3中公開有如下技術:在電動機驅動電路用的驅動控制電路中，通過電阻的施加電壓感測流過串聯連接的2個IGBT中的一方的IGBT的電流，并根據其結果強制斷開另一方的IGBT，從而，防止貫通電流流過兩個IGBT。
[0021]此外，在專利文獻4中公開有如下技術:在柵極驅動電路中，通過驅動用1C、第3M0SFET、第4M0SFET、以及二極管使串聯連接的第1、第2M0SFET交替地接通/斷開，使第1、第2M0SFET同時接通，防止貫通電流流過。此外，在第1、第2M0SFET的低電壓側分別連接有電阻，但是，這些電阻用于調整來自連接于第1、第2M0SFET之間的輸出端子的輸出電流，也可以省略。
[0022]此外，在專利文獻5中公開有如下技術:在線圈負載驅動輸出電路中，減少來自串聯連接的2個驅動晶體管的輻射噪聲。具體而言，設置有'2對控制晶體管，其輸出用于分別控制2個驅動晶體管的控制電壓；2對阻抗元件，其限制各對控制晶體管的電流；以及2個檢測晶體管，其在一個驅動晶體管接通時，斷開另一個驅動晶體管。各對阻抗元件由電阻構成，電阻值不同。因此，通過4個阻抗元件，各驅動晶體管被慢慢接通/斷開，輻射噪聲減少。此外，通過4個阻抗元件和2個檢測晶體管，可調整各驅動晶體管的接通/斷開的切換時間。
[0023]此外，在專利文獻6中公開有如下技術:在橋輸出電路中，根據串聯連接的2個晶體管中的一方的柵極信號，檢測出一方的晶體管已斷開，并根據該檢測結果和控制信號生成另一方的晶體管的柵極信號，從而防止貫通電流流過兩個晶體管。在用于檢測一方的晶體管的斷開的斷開檢測電路中包含有:檢測晶體管，其與一方的晶體管同類型，源極接地且柵極接收一方的晶體管的柵極信號；電阻，其連接在檢測晶體管的漏極與電源端子之間；以及旁路電路，其與該電阻并聯連接。該電阻用于對流過旁路電路的電流進行監(jiān)視，并調整流過檢測晶體管的電流。
[0024]此外，在專利文獻7中公開有如下技術:在單觸發(fā)電路(one-shot circuit)中，在與串聯連接的2個晶體管之間的連接點連接的逆變器進行反轉動作時，防止貫通電流流過該逆變器。在2個晶體管與連接點之間分別設置有電阻，但是，該電阻是充放電電路的一部分，用于調整包含在充放電電路中的電容器的放電時間。
[0025]【專利文獻I】日本特開平10- 154951號號公報
[0026]【專利文獻2】日本特開平11- 191737號公報
[0027]【專利文獻3】日本特開2011- 166576號公報
[0028]【專利文獻4】日本特開2009-290716號公報
[0029]【專利文獻5】日本特開2005-348019號公報
[0030]【專利文獻6】日本特開2011-55470號公報
[0031]【專利文獻7】日本特開2004-297349號公報

【發(fā)明內容】

[0032]本發(fā)明的課題在于為了抑制貫通電流從而防止開關元件的損壞，減少電路元件從而實現小型化，以及延長用于對流過天線電路的電流進行限制的電阻的壽命。
[0033]本發(fā)明的天線驅動裝置，其切換流過天線電路的電流的方向而使信號從天線電路發(fā)