每一對(duì)差分線2的兩側(cè)分別設(shè)有地線，形成 共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，且每一對(duì)差分線的兩側(cè)的地線通過(guò)上述描述方式分布的過(guò)孔與接地金屬層 4連接，可以使得該對(duì)差分線與接地金屬層4以及地線之間的耦合更緊密，使得該對(duì)差分線 產(chǎn)生的大量電磁能量被束縛在差分線與接地金屬層之間，進(jìn)而對(duì)差分線產(chǎn)生的電磁輻射進(jìn) 行有效抑制，降低差分線傳遞高頻信號(hào)時(shí)產(chǎn)生的電磁干擾。
[0030] 請(qǐng)繼續(xù)參考圖1和圖2, 一種優(yōu)選實(shí)施方式中，每一對(duì)差分線中，每一根差分線與 位于其背離另一根差分線一側(cè)的地線之間的間隙的寬度等于兩根差分線之間間隙的寬度。 以圖1和圖2所示的差分線21和差分線22形成的一對(duì)差分線為例，差分線21與地線31 之間間隙的寬度為G，差分線22與地線32之間間隙的寬度為G，差分線21與差分線22之 間間隙的寬度S，且G=S。
[0031] 以圖2中所示地線31、差分線21、差分線22以及地線32為例，根據(jù)下述公式可 知：
[0032]
[0033]
[0034] S=GforminimumEMI
[0035] 其中：
[0036] $為差分線在遠(yuǎn)場(chǎng)的總福射電場(chǎng)，￡XMS.:丨為差分線間稱合電流在遠(yuǎn)場(chǎng)產(chǎn)生的電 場(chǎng)，為差分線21與地線31間耦合電流在遠(yuǎn)場(chǎng)產(chǎn)生的電場(chǎng)，為差分線22與 地線32間耦合電流在遠(yuǎn)場(chǎng)產(chǎn)生的電場(chǎng)，V為差分線21電壓，S為差分線21與差分線22之 間間隙的寬度，G為差分21與地線31之間間隙寬度、以及差分線22與地線32之間間隙寬 度，EMI為遠(yuǎn)場(chǎng)電磁輻射強(qiáng)度。
[0037] 當(dāng)上述S與G相等時(shí)，差分線21與差分線22之間的耦合電流在遠(yuǎn)場(chǎng)產(chǎn)生的電磁 輻射、差分線21與地線31之間的耦合電流在遠(yuǎn)場(chǎng)產(chǎn)生的電磁輻射、以及差分線22與地線 32之間的耦合電流在遠(yuǎn)場(chǎng)產(chǎn)生的差摸電磁輻射可相互抵消，進(jìn)而可獲得總體最小的電磁輻 射EMI。
[0038] 在上述實(shí)施方式的基礎(chǔ)上，一種優(yōu)選實(shí)施方式中，在走線層，位于一對(duì)差分線同一 側(cè)的地線與多個(gè)過(guò)孔中，地線靠近差分線的邊緣與多個(gè)過(guò)孔中的每一個(gè)過(guò)孔之間的間距小 于或等于1000微米，如1000微米、800微米、600微米、500微米、300微米等；和/或，
[0039] 任意相鄰的兩個(gè)過(guò)孔之間的間距小于或等于1000微米，如1000微米、800微米、 600微米、500微米、300微米等。
[0040] 一種優(yōu)選實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的電路板為封裝基板。
[0041] 另一方面，本發(fā)明提供了一種電路板表層高速差分線的分布方法，包括：
[0042] 在電路板的基底上形成接地金屬層；
[0043] 在接地金屬層上形成介質(zhì)層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成多個(gè)過(guò)孔；
[0044] 在介質(zhì)層上形成走線層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成至少一對(duì)差分線的圖案、并在任意 一對(duì)差分線的并行段的兩側(cè)形成地線的圖案；其中，每一對(duì)差分線兩側(cè)的地線中，地線與接 地金屬層通過(guò)多個(gè)連通接地金屬層、介質(zhì)層以及走線層的過(guò)孔連接，且在走線層，位于一對(duì) 差分線同一側(cè)的地線與多個(gè)過(guò)孔中，地線靠近差分線的邊緣與多個(gè)過(guò)孔中的每一個(gè)過(guò)孔之 間的間距小于或等于2000微米，如2000微米、1800微米、1500微米、1300微米、1000微米、 800微米、600微米、500微米、300微米等；且任意相鄰的兩個(gè)過(guò)孔之間的間距小于或等于 2000微米，2000微米、1800微米、1500微米、1300微米、1000微米、800微米、600微米、500 微米、300微米等。
[0045] 在上述實(shí)施例提供的電路板表層高速差分線的分布方法的實(shí)施方式的基礎(chǔ)上，一 種優(yōu)選實(shí)施方式中，每一對(duì)差分線中，每一根差分線與位于其背離另一根差分線一側(cè)的地 線之間的間隙等于兩根差分線之間的間距。
[0046] 在上述實(shí)施例提供的電路板表層高速差分線的分布方法的實(shí)施方式的基礎(chǔ)上，一種優(yōu)選實(shí)施方式中，一對(duì)差分線兩側(cè)的地線中，一側(cè)的地線對(duì)應(yīng)的過(guò)孔中每一個(gè)過(guò)孔與該 側(cè)地線朝向差分線一側(cè)的邊緣之間的間距小于或等于1000微米，如1000微米、800微米、 600微米、500微米、300微米等；和或，
[0047] 任意相鄰的兩個(gè)過(guò)孔之間的間距小于或等于1000微米，如1000微米、800微米、 600微米、500微米、300微米等。
[0048] 另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種通信設(shè)備，包括電源模塊，以及至少兩個(gè)上 述實(shí)施例提供的電路板，電源模塊用于為上述的至少兩個(gè)電路板供電。
[0049] 由于上述電路板在使用過(guò)程中對(duì)差分線產(chǎn)生的大量電磁能量被束縛在差分線與 接地金屬層之間，進(jìn)而對(duì)差分線產(chǎn)生的電磁輻射進(jìn)行有效抑制，降低差分線傳遞高頻信號(hào) 時(shí)產(chǎn)生的電磁干擾，因此，具有上述電路板的通信設(shè)備電磁輻射較小，具有較高的安全性 能。
[0050] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā) 明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù) 的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電路板，其特征在于，包括走線層、接地金屬層以及位于走線層和接地金屬層之 間的介質(zhì)層；所述走線層內(nèi)形成有至少一對(duì)差分線以及地線，其中，每一對(duì)所述差分線兩側(cè) 均設(shè)有所述地線； 每一對(duì)所述差分線兩側(cè)的所述地線中，所述地線與所述接地金屬層通過(guò)多個(gè)連通所述 接地金屬層、介質(zhì)層以及所述走線層的過(guò)孔連接，且在所述走線層，位于一對(duì)所述差分線同 一側(cè)的所述地線與多個(gè)所述過(guò)孔中，所述地線靠近所述差分線的邊緣與多個(gè)所述過(guò)孔中的 每一個(gè)過(guò)孔之間的間距小于或等于2000微米，且任意相鄰的兩個(gè)過(guò)孔之間的間距小于或 等于2000微米。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于，每一對(duì)所述差分線中，每一根差分線與 相鄰的所述地線之間的間隙的寬度等于所述兩根差分線之間的間隙的寬度。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路板，其特征在于，在所述走線層，位于一對(duì)所述差分 線同一側(cè)的所述地線與多個(gè)所述過(guò)孔中，所述地線靠近所述差分線的邊緣與多個(gè)所述過(guò)孔 中每一個(gè)過(guò)孔之間的間距小于或等于1000微米。4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路板，其特征在于，在所述走線層，位于一對(duì)所述差分 線同一側(cè)的所述地線與多個(gè)所述過(guò)孔中，任意相鄰的兩個(gè)過(guò)孔之間的間距小于或等于1000 微米。5. 根據(jù)權(quán)利要求1~4任一項(xiàng)所述的電路板，其特征在于，所述電路板為封裝基板。6. -種電路板表層差分線的分布方法，其特征在于，包括： 在電路板的基底上形成接地金屬層； 在接地金屬層上形成介質(zhì)層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成多個(gè)過(guò)孔； 在介質(zhì)層上形成走線層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成至少一對(duì)差分線的圖案、并在任意一對(duì) 差分線的并行段的兩側(cè)形成地線的圖案；其中，每一對(duì)所述差分線兩側(cè)的所述地線中，所 述地線與所述接地金屬層通過(guò)多個(gè)連通所述接地金屬層、介質(zhì)層以及所述走線層的過(guò)孔連 接，且在所述走線層，位于一對(duì)所述差分線同一側(cè)的所述地線與多個(gè)所述過(guò)孔中，所述地線 靠近所述差分線的邊緣與多個(gè)所述過(guò)孔中的每一個(gè)過(guò)孔之間的間距小于或等于2000微 米，且任意相鄰的兩個(gè)過(guò)孔之間的間距小于或等于2000微米。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的分布方法，其特征在于，每一對(duì)所述差分線中，每一根差分線 與相鄰的所述地線之間的間隙的寬度等于所述兩根差分線之間的間隙的寬度。8. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的分布方法，其特征在于，在所述走線層，位于一對(duì)所述差 分線同一側(cè)的所述地線與多個(gè)所述過(guò)孔中，所述地線靠近所述差分線的邊緣與多個(gè)所述過(guò) 孔中每一個(gè)過(guò)孔之間的間距小于或等于1000微米。9. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的分布方法，其特征在于，在所述走線層，位于一對(duì)所述 差分線同一側(cè)的所述地線與多個(gè)所述過(guò)孔中，任意相鄰的兩個(gè)過(guò)孔之間的間距小于或等于 1000微米。10. -種通信設(shè)備，包括電源模塊，其特征在于，以及至少兩個(gè)如權(quán)1至5中任意一項(xiàng)所 述的電路板，所述電源模塊用于為所述至少兩個(gè)電路板供電。
【專利摘要】本發(fā)明涉及電路板布線技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)一種電路板及其表層高速差分線的分布方法、通信設(shè)備，電路板包括走線層、接地金屬層以及位于走線層和接地金屬層之間的介質(zhì)層；所述走線層內(nèi)形成有至少一對(duì)差分線以及地線，其中，每一對(duì)所述差分線兩側(cè)均設(shè)有地線；每一對(duì)所述差分線兩側(cè)的地線中，所述地線與所述接地金屬層通過(guò)多個(gè)過(guò)孔連接，一側(cè)的地線對(duì)應(yīng)的過(guò)孔中每一個(gè)過(guò)孔與所述一側(cè)的地線朝向所述差分線一側(cè)的邊緣之間的間距小于2000微米，且任意相鄰的兩個(gè)過(guò)孔之間的間距小于2000微米。該電路板能夠降低差分線傳遞高頻信號(hào)時(shí)產(chǎn)生的電磁干擾。
【IPC分類】H05K1/02
【公開(kāi)號(hào)】CN104936373
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410108169
【發(fā)明人】黃慧, 俞恢春, 閆美云
【申請(qǐng)人】華為技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月23日
【申請(qǐng)日】2014年3月21日