一種電流型熔絲控制電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體涉及一種電流型熔絲控制電路。
【背景技術(shù)】
[0002]常用的熔絲有金屬熔絲、多晶硅熔絲，熔斷技術(shù)采用激光修調(diào)技術(shù)，大電流熔斷技術(shù)，由于激光修調(diào)的成本過高，不利于大批量的熔斷操作，而多晶硅熔絲由于成本低，并通過大電流熔斷技術(shù)就可以實(shí)現(xiàn)，熔斷操作方便，所以得到普遍的運(yùn)用。
[0003]隨著集成電路朝向納米技術(shù)發(fā)展，芯片的流片費(fèi)用也越來越高，由于工藝的偏差直接會(huì)影響芯片的性能，為了保證芯片工作時(shí)性能的良好性和穩(wěn)定性，修調(diào)顯得格外重要。目前，熔絲修調(diào)技術(shù)在高精度模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換器等芯片中得到廣泛運(yùn)用，但隨之而來的問題是如何通過簡單易操作的控制電路來實(shí)現(xiàn)熔絲修調(diào)從而改善性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種電流型熔絲控制電路，該控制電路簡單可行并能夠?qū)θ劢z進(jìn)行操作，即使在不對(duì)熔絲進(jìn)行操作的情況下也可以模擬熔絲狀態(tài)，從而修復(fù)并改善芯片性能。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種電流型熔絲控制電路，包括熔斷操作電路、熔絲單元、檢測輸出電路和控制電路；其中，
[0007]所述熔斷操作電路設(shè)有第一輸入端、第二輸入端和第三輸入端，其第一輸入端與外部全局使能端ENT連接，第二輸入端通過線網(wǎng)WNOR1TRI2與檢測輸出電路連接，第三輸入端通過線網(wǎng)WDEN與控制電路連接，熔斷操作電路直接控制熔絲熔斷操作；
[0008]所述熔絲單元設(shè)有第一輸入端、電源輸入端和地輸入端，其第一輸入端通過線網(wǎng)WGNOR2與熔斷操作電路的輸出端連接，電源輸入端與外部電源端VDD連接，地輸入端與外部地端GND連接，熔絲單元實(shí)現(xiàn)熔絲的熔斷操作；
[0009]所述檢測輸出電路設(shè)有第一輸入端、外部數(shù)據(jù)輸入端和輸出端，其第一輸入端通過線網(wǎng)WFUSEMN1與熔絲單元的輸出端連接，外部數(shù)據(jù)輸入端與外部數(shù)據(jù)端DB連接，檢測輸出電路檢測熔絲狀態(tài)并將該狀態(tài)反映到輸出端，輸出端與端口 Vfuse連接，且檢測輸出電路還通過線網(wǎng)WAEN、WAE、WBEN、WBE、WCEN、WCE、WAEPBE, WAEPBEN與控制電路連接，以接受控制電路的邏輯控制；
[0010]所述控制電路的輸入端與外部端口 A、B、C、D、E連接，其端口 E是端口 A、B、C、D的局部使能端，控制電路通過控制所述熔斷操作電路和檢測輸出電路對(duì)熔絲實(shí)現(xiàn)偽熔斷和真熔斷操作。
[0011]本發(fā)明提供的電流型熔絲控制電路，可通過控制檢測輸出電路實(shí)現(xiàn)偽熔斷，在不熔斷熔絲的情況下可以模擬熔斷狀態(tài)，具有易操作的特點(diǎn)；具有全局使能功能，只有使能有效時(shí)才可以進(jìn)行熔斷操作，有效避免了誤操作；熔斷操作受到全局使能、局部使能、外部輸入數(shù)據(jù)的控制，易于拓展熔絲規(guī)模并滿足芯片需要大量修調(diào)的要求；無論偽熔斷還是真熔斷操作，模擬的熔絲狀態(tài)和真實(shí)的熔絲狀態(tài)均可以快速鎖存并反映到輸出端。
[0012]進(jìn)一步，所述熔斷操作電路包括第一或非門、第一反相器、第二反相器和第二或非門，所述第一或非門的正極輸入端設(shè)為熔斷操作電路的第三輸入端與端口 DEN連接，負(fù)極輸入端設(shè)為熔斷操作電路的第二輸入端與端口 NOR1TRI2連接，輸出端與所述第一反相器的輸入端連接，第一反相器的輸出端與所述第二或非門的正極輸入端連接，第二或非門的負(fù)極輸入端與所述第二反相器的輸出端連接，第二反相器的輸入端設(shè)為熔斷操作電路的第一輸入端與端口 ENT連接，第二或非門的輸出端與端口 GNOR2連接。
[0013]進(jìn)一步，所述熔絲單元包括第一 NMOS晶體管和熔絲，所述第一 NMOS晶體管的柵極設(shè)為熔絲單元的第一輸入端并通過線網(wǎng)WGN0R2與端口 GN0R2連接，源極設(shè)為熔絲單元的地輸入端與端口 GND連接，漏極分別與熔絲的負(fù)端和端口 FUSEMN1連接，熔絲的正端設(shè)為熔絲單元的電源輸入端與端口 VDD連接。
[0014]進(jìn)一步，所述檢測輸出電路包括第二 NMOS晶體管、第三NMOS晶體管、第四NMOS晶體管、第三或非門、第三反相器、第四反相器、第一緩沖器、第二緩沖器、第一傳輸門、第二傳輸門、第三傳輸門和第四傳輸門，第二 NMOS晶體管的柵極與端口 BE連接，第二 NMOS晶體管、第三NMOS晶體管和第四NMOS晶體管的源極與端口 GND連接，第二 NMOS晶體管的漏極、第三NMOS晶體管的柵極和第三或非門的正極輸入端設(shè)為檢測輸出電路的第一輸入端并通過線網(wǎng)WFUSEMN1與端口 FUSEMN1連接，第三NMOS晶體管的漏極與第三反相器的輸入端和第四反相器的輸出端連接，第三反相器的輸出端與第四反相器的輸入端、第四NMOS晶體管的漏極和第一傳輸門的輸入端連接，第三或非門的負(fù)極輸入端與端口 BEN連接，第一傳輸門的柵端負(fù)極與端口 BEN連接，柵端正極與端口 BE連接，第一傳輸門的輸出端與第二傳輸門、第三傳輸門、第一緩沖器和第二緩沖器的輸入端連接，第二傳輸門的柵端負(fù)極與端口AEPBE連接，柵端正極與端口 AEPBEN連接，第三傳輸門的柵端負(fù)極與端口 AEN連接，柵端正極與端口 AE連接，第一緩沖器的輸出端設(shè)為檢測輸出電路的輸出端與第四傳輸門的輸入端和端口 Vfuse連接，第四傳輸門的柵端負(fù)極與端口 CEN連接，柵端正極與端口 CE連接，第三傳輸門和第四傳輸門的輸出端設(shè)為檢測輸出電路的外部數(shù)據(jù)輸入端與端口 DB連接，第二傳輸門和第二緩沖器的輸出端通過線網(wǎng)WN0R1TRI2與端口 N0R1TRI2連接。
[0015]進(jìn)一步，所述控制電路包括第一與非門、第二與非門、第三與非門、第四與非門、第五與非門、第五反相器、第六反相器、第七反相器、第八反相器、第三緩沖器、第四緩沖器、第五緩沖器、第六緩沖器和第七緩沖器，所述第一與非門、第二與非門、第三與非門和第四與非門的正極輸入端分別與端口 A、B、C、D連接，所述第一與非門、第二與非門、第三與非門和第四與非門的負(fù)極輸入端與局部使能端口 E連接，第一與非門的輸出端、第三緩沖器的輸入端和第五反相器的輸入端與第五與非門的正極輸入端連接，第三緩沖器的輸出端與端口AEN連接，第五反相器的輸出端與端口 AE連接，第二與非門的輸出端、第五與非門的負(fù)極輸入端和第五緩沖器的輸入端與第七反相器的輸入端連接，第五與非門的輸出端與第四緩沖器和第六反相器的輸入端連接，第四緩沖器的輸出端與端口 AEPBE連接，第六反相器的輸出端與端口 AEPBEN連接，第五緩沖器的輸出端與端口 BEN連接，第七反相器的輸出端與端口 BE連接，第三與非門的輸出端與第六緩沖器和第八反相器的輸入端連接，第六緩沖器的輸出端與端口 CEN連接，第八反相器的輸出端與端口 CE連接，第四與非門的輸出端與第七緩沖器的輸入端連接，第七緩沖器的輸出端與端口 DEN連接。
【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明提供的電流型熔絲控制電路原理示意圖。
[0017]圖2是圖1中熔斷操作電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖3是圖1中熔絲單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖4是圖1中檢測輸出電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖5是圖1中控制電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖6是本發(fā)明提供的偽熔斷操作的時(shí)序示意圖。
[0022]圖7是本發(fā)明提供的真熔斷操作的時(shí)序示意圖。
[0023]圖中，100、熔斷操作電路；200、熔絲單元；300、檢測輸出電路；400、控制電路。
【具體實(shí)施方式】
[0024]為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。
[0025]請(qǐng)參考圖1所示，本發(fā)明提供一種電流型熔絲控制電路，包括熔斷操作電路100、熔絲單元200、檢測輸出電路300和控制電路400 ;其中，
[0026]所述恪斷操作電路100設(shè)有第一輸入端、第二輸入端和第三輸入端，其第一輸入端與外部全局使能端ENT連接，第二輸入端通過線網(wǎng)WNOR1TRI2與檢測輸出電路300連接，第三輸入端通過線網(wǎng)WDEN與控制電路400連接，熔斷操作電路100直接控制熔絲熔斷操作；
[0027]所述熔絲單元200設(shè)有第一輸入端、電源輸入端和地輸入端，其第一輸入端通過線網(wǎng)WGNOR2與熔斷操作電路100的輸出端連接，電源輸入端與外部電源端VDD連接，地輸入端與外部地端GND連接，熔絲單元200實(shí)現(xiàn)熔絲的熔斷操作；
[0028]所述檢測輸出電路300設(shè)有第一輸入端、外部數(shù)據(jù)輸入端和輸出端，其第一輸入端通過線網(wǎng)WFUSEMN1與熔絲單元200的輸出端連接，外部數(shù)據(jù)輸入端與外部數(shù)據(jù)端DB連接，檢測輸出電路300檢測熔絲狀態(tài)并將該狀態(tài)反映到輸出端，輸出端與端口 Vfuse連接，且檢測輸出電路300還通過線網(wǎng)WAEN、