驅(qū)動(dòng)芯片42，所述電壓驅(qū)動(dòng)芯片42包括光電耦合器件421，所述光電耦合器件421包括發(fā)光器件4211和光敏器件4212。
[0046]所述發(fā)光器件4211包括發(fā)光二極管，所述電源芯片41的第一輸出端Outputl通過(guò)一第一電阻Rl連接至所述發(fā)光二極管的正極，所述發(fā)光二極管的負(fù)極接地。
[0047]所述電壓驅(qū)動(dòng)芯片42為低壓驅(qū)動(dòng)芯片，所述光敏器件4212包括光敏三極管，所述光敏三極管包括PNP型光敏三極管，所述電源芯片41的第二輸出端0utput2連接至所述光電耦合器件421中的所述PNP型光敏三極管的集電極，所述PNP型光敏三極管的發(fā)射極通過(guò)一第二電阻R2接地，所述PNP型光敏三極管的發(fā)射極還連接至所述光電耦合器件421的輸出端Vout，所述電源芯片41的第二輸出端0utput2用于輸出驅(qū)動(dòng)電壓至所述PNP型光敏三極管的集電極，所述光電耦合器件421的輸出端Vout用于為所述低壓驅(qū)動(dòng)芯片42中的有源器件供電。
[0048]具體為，所述電源芯片41的第一輸出端Outputl用于輸出控制電壓，所述電源芯片41的第二輸出端0utput2用于輸出驅(qū)動(dòng)電壓VL至所述PNP型光敏三極管的集電極，所述低驅(qū)動(dòng)電壓VL大于所述控制電壓。所述光電耦合器件421根據(jù)所述電源芯片41的第一輸出端Outputl輸出的控制電壓大小控制所述發(fā)光二極管4211的工作狀態(tài)，所述PNP型光敏三極管4212根據(jù)所述發(fā)光二極管4211的工作狀態(tài)導(dǎo)通或截止，所述電源芯片41的第二輸出端0utput2輸出驅(qū)動(dòng)電壓VL，并在所述發(fā)光二極管4211導(dǎo)通時(shí)通過(guò)所述光電耦合器件421的輸出端輸出。
[0049]本發(fā)明實(shí)施例中，所述電源芯片41的第一輸出端Outputl用于輸出控制電壓，所述電源芯片41的第二輸出端0utput2用于輸出驅(qū)動(dòng)電壓VL至PNP型光敏三極管4212的集電極，所述驅(qū)動(dòng)電壓VL大于所述控制電壓。較佳地，所述驅(qū)動(dòng)電壓VL的幅值的絕對(duì)值通常為5?30V(如15V)，所述控制電壓為脈沖信號(hào)。當(dāng)所述電源芯片41的第一輸出端Outputl輸出的控制電壓為高電平時(shí)(比如為3.3V)，所述光電耦合器件421根據(jù)所述電源芯片41的第一輸出端Outputl輸出的控制電壓為高電平來(lái)控制所述發(fā)光二極管4211導(dǎo)通，并發(fā)出光信號(hào)(即處于發(fā)光的工作狀態(tài))，所述PNP型光敏三極管4212根據(jù)所述發(fā)光二極管4211處于發(fā)光狀態(tài)而接收所述發(fā)光二極管4211發(fā)出的光信號(hào)，并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，此時(shí)所述PNP型光敏三極管4212導(dǎo)通，所述電源芯片41的第二輸出端0utput2輸出驅(qū)動(dòng)電壓VL至所述光電耦合器件421的輸出端Vout，進(jìn)而可使低壓驅(qū)動(dòng)芯片42中存在的CMOS電路工作而不會(huì)產(chǎn)生閂鎖效應(yīng)；而當(dāng)所述電源芯片41的第一輸出端Outputl輸出的控制電壓為低電平時(shí)(如OV時(shí))，所述電源芯片的第二輸出端0utput2輸出的驅(qū)動(dòng)電壓VL比所述電源芯片41的第一輸出端Outputl輸出的控制電壓先起，此時(shí)沒(méi)有電壓加到發(fā)光二極管4211的正極，所述光電耦合器件421根據(jù)所述電源芯片41的第一輸出端Outputl輸出的控制電壓為低電平來(lái)控制所述發(fā)光二極管4211不發(fā)出光信號(hào)(即處于熄滅的工作狀態(tài))，則所述PNP型光敏三極管4212根據(jù)所述發(fā)光二極管4211處于熄滅狀態(tài)而截止，所述電源芯片41的第二輸出端Output2停止輸出驅(qū)動(dòng)電壓VL至所述光電耦合器件421的輸出端Vout，因此，所述低壓驅(qū)動(dòng)芯片42也不會(huì)產(chǎn)生閂鎖效應(yīng)。因此，實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例的光耦隔離開關(guān)電路，可以解決低壓驅(qū)動(dòng)芯片42出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)(latch up)的問(wèn)題，防止由于閂鎖效應(yīng)導(dǎo)致的低壓驅(qū)動(dòng)芯片42損壞。
[0050]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的光耦隔離開關(guān)電路進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光耦隔離開關(guān)電路，包括電源芯片及與所述電源芯片電性連接的電壓驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于，所述電壓驅(qū)動(dòng)芯片包括光電耦合器件，所述光電耦合器件包括發(fā)光器件和光敏器件，其中: 所述電源芯片的第一輸出端連接至所述發(fā)光器件的第一端，所述發(fā)光器件的第二端接地，所述電源芯片的第二輸出端連接至所述光敏器件的第一端，所述光敏器件的第二端連接至所述光電親合器件的輸出端；所述光電親合器件根據(jù)所述電源芯片的第一輸出端輸出的控制電壓大小控制所述發(fā)光器件的工作狀態(tài)，所述光敏器件根據(jù)所述發(fā)光器件的工作狀態(tài)導(dǎo)通或截止，所述電源芯片的第二輸出端輸出驅(qū)動(dòng)電壓，并在所述發(fā)光器件導(dǎo)通時(shí)通過(guò)所述光電親合器件的輸出端輸出。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電壓大于所述控制電壓，所述光電耦合器件的輸出端用于為所述電壓驅(qū)動(dòng)芯片中的有源器件供電。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，當(dāng)所述電源芯片的第一輸出端輸出的控制電壓為高電平時(shí)，所述光電耦合器件根據(jù)所述電源芯片的第一輸出端輸出的控制電壓為高電平來(lái)控制所述發(fā)光器件處于發(fā)光狀態(tài)，所述光敏器件根據(jù)所述發(fā)光器件處于發(fā)光狀態(tài)而導(dǎo)通，所述電源芯片的第二輸出端輸出驅(qū)動(dòng)電壓至所述光電耦合器件的輸出端。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，當(dāng)所述電源芯片的第一輸出端輸出的控制電壓為低電平時(shí)，所述光電耦合器件根據(jù)所述電源芯片的第一輸出端輸出的控制電壓為低電平來(lái)控制所述發(fā)光器件處于熄滅狀態(tài)，所述光敏器件根據(jù)所述發(fā)光器件處于熄滅狀態(tài)而截止，所述電源芯片的第二輸出端停止輸出驅(qū)動(dòng)電壓至所述光電耦合器件的輸出端。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電路還包括第一電阻，所述電源芯片的第一輸出端通過(guò)所述第一電阻連接至所述發(fā)光器件的第一端。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電路還包括第二電阻，所述光敏器件的第二端通過(guò)所述第二電阻接地。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的電路，其特征在于，所述發(fā)光器件包括發(fā)光二極管，其中: 所述電源芯片的第一輸出端通過(guò)所述第一電阻連接至所述發(fā)光二極管的正極，所述發(fā)光二極管的負(fù)極接地。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的電路，其特征在于，所述光敏器件包括光敏三極管，其中: 所述電源芯片的第二輸出端連接至所述光敏三極管的集電極，所述光敏三極管的發(fā)射極通過(guò)所述第二電阻接地，所述光敏三極管的發(fā)射極連接至所述光電耦合器件的輸出端。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路，其特征在于，所述電壓驅(qū)動(dòng)芯片為高壓驅(qū)動(dòng)芯片，所述光敏三極管包括NPN型光敏三極管，其中: 所述電源芯片的第二輸出端連接至所述NPN型光敏三極管的集電極，所述NPN型光敏三極管的發(fā)射極通過(guò)所述第二電阻接地，所述NPN型光敏三極管的發(fā)射極連接至所述高壓驅(qū)動(dòng)芯片中所述光電耦合器件的輸出端，所述電源芯片的第二輸出端用于輸出驅(qū)動(dòng)電壓至所述NPN型光敏三極管的集電極。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路，其特征在于，所述電壓驅(qū)動(dòng)芯片為低壓驅(qū)動(dòng)芯片，所述光敏三極管包括PNP型光敏三極管，其中: 所述電源芯片的第二輸出端連接至所述PNP型光敏三極管的集電極，所述PNP型光敏三極管的發(fā)射極通過(guò)所述第二電阻接地，所述PNP型光敏三極管的發(fā)射極連接至所述低壓驅(qū)動(dòng)芯片中所述光電耦合器件的輸出端，所述電源芯片的第二輸出端用于輸出驅(qū)動(dòng)電壓至所述PNP型光敏三極管的集電極。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種光耦隔離開關(guān)電路，包括電源芯片及與所述電源芯片電性連接的電壓驅(qū)動(dòng)芯片，電壓驅(qū)動(dòng)芯片包括光電耦合器件，光電耦合器件包括發(fā)光器件和光敏器件，其中電源芯片的第一輸出端連接至發(fā)光器件的第一端，發(fā)光器件的第二端接地，電源芯片的第二輸出端連接至光敏器件的第一端，光敏器件的第二端連接至光電耦合器件的輸出端；光電耦合器件根據(jù)電源芯片的第一輸出端輸出的控制電壓大小控制發(fā)光器件的工作狀態(tài)；光敏器件根據(jù)發(fā)光器件的工作狀態(tài)導(dǎo)通或截止，電源芯片的第二輸出端輸出驅(qū)動(dòng)電壓，并在發(fā)光器件導(dǎo)通時(shí)通過(guò)光電耦合器件的輸出端輸出。實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，可防止由于閂鎖效應(yīng)導(dǎo)致的電壓驅(qū)動(dòng)芯片損壞。
【IPC分類】H03K17/687, H03K17/78
【公開號(hào)】CN105099422
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510511641
【發(fā)明人】徐楓程
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2015年8月19日