]在步驟630,使第三場效應(yīng)晶體管基于第二柵極電壓在強(qiáng)反轉(zhuǎn)下和在線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行。第三場效應(yīng)晶體管位于第二電流路徑中并且和第二場效應(yīng)晶體管串聯(lián)。例如第三場效應(yīng)晶體管可以是電流路徑102中的M0S晶體管130。
[0060]在步驟640,使第四場效應(yīng)晶體管基于第二柵極電壓在強(qiáng)反轉(zhuǎn)下和在飽和下運(yùn)行。第四場效應(yīng)晶體管位于第三電流路徑中。例如第四場效應(yīng)晶體管可以是電流路徑103中的M0S晶體管140。
[0061]在步驟650,對(duì)第二電流路徑中的電流向第一電流路徑、第三電流路徑和振蕩器電路的觸發(fā)電路的至少一條電流路徑中鏡像。通過觸發(fā)電路的至少一條電流路徑例如能夠?qū)υ撚|發(fā)電路的電容器、例如電容器20充電。另外通過觸發(fā)電路的至少一條電流路徑能夠?yàn)樵撚|發(fā)電路的比較器產(chǎn)生參考電壓，例如參考電壓Vptat。
[0062]應(yīng)該理解，在圖6的方法中步驟610、620、630、640、650不必以所示的順序相繼實(shí)施。更確切地說，這些步驟基本上也可以同時(shí)進(jìn)行。
[0063]另外應(yīng)該理解，在所示實(shí)施例中各種各樣的修改都是可能的，而不離開所示設(shè)計(jì)的基本思想。例如所示設(shè)計(jì)可以關(guān)聯(lián)各種類型的集成電路使用。另外不僅可以使用M0S晶體管，而且其它類型的場效應(yīng)晶體管也可以使用。另外應(yīng)該注意，在一些實(shí)現(xiàn)方案中電流Iptat不必一定以1: 1的比例向其它電流路徑中鏡像，而是也可以使用不同的比例。也可以使用不同類型的觸發(fā)電路，例如具有所產(chǎn)生振蕩器信號(hào)的可轉(zhuǎn)換的或者其它可調(diào)節(jié)的頻率的觸發(fā)電路。例如上述振蕩器電路可轉(zhuǎn)換到如下運(yùn)行方式中，在該運(yùn)行方式情況下，例如當(dāng)使用振蕩器信號(hào)的集成電路從節(jié)能運(yùn)行轉(zhuǎn)換到正常運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生具有提高的頻率的振蕩器信號(hào)0SC。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.振蕩器電路，包括:觸發(fā)電路(10)，用于產(chǎn)生振蕩器信號(hào)(OSC)，其中該觸發(fā)電路(10)包括至少一條電流路徑(104 ; 105、106);供電電路(100)，具有第一電流路徑(101)、第二電流路徑(102)和第三電流路徑(103)；電流鏡(111、112、113、114、115、116)，用于把通過第二電流路徑(102)的電流(Iptat)鏡像到第一電流路徑(101)、第三電流路徑(103)和觸發(fā)電路(10)的至少一條電流路徑(104 ;105 ;106)中；第一電流路徑(101)中的第一場效應(yīng)晶體管(121)，其中該第一場效應(yīng)晶體管(121)構(gòu)造用于，基于第一柵極電壓(Vngate)在飽和下運(yùn)行；第二電流路徑(102)中的第二場效應(yīng)晶體管(122)，其和第一場效應(yīng)晶體管不同地被確定大小，其中該第二場效應(yīng)晶體管(122)構(gòu)造用于，基于第一柵極電壓(Vngate)在飽和下運(yùn)行；第二電流路徑(102)中的第三場效應(yīng)晶體管(130)，其中該第三場效應(yīng)晶體管(130)構(gòu)造用于，基于第二柵極電壓(Vb)在強(qiáng)反轉(zhuǎn)下和在線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行；和第三電流路徑(103)中的第四場效應(yīng)晶體管(140)，其中該第四場效應(yīng)晶體管(140)構(gòu)造用于，基于第二柵極電壓(Vb)在強(qiáng)反轉(zhuǎn)下和在飽和下運(yùn)行。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器電路，其中第一場效應(yīng)晶體管(121)構(gòu)造用于，基于第一柵極電壓(Vngate)在弱反轉(zhuǎn)和飽和下運(yùn)行。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的振蕩器電路，其中第二場效應(yīng)晶體管(122)構(gòu)造用于，基于第一柵極電壓(Vngate)在弱反轉(zhuǎn)和飽和下運(yùn)行。4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的振蕩器電路，其中觸發(fā)電路(10)的至少一條電流路徑(104、105、106)包括第四電流路徑(104)用于對(duì)觸發(fā)電路(10)的電容器(20)充電和/或放電。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的振蕩器電路，其中電容器(20)基于第五場效應(yīng)晶體管(25)構(gòu)造。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的振蕩器電路，其中第三場效應(yīng)晶體管(130)和第五場效應(yīng)晶體管(25)至少部分地通過共同的過程構(gòu)造。7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的振蕩器電路，其中觸發(fā)電路(10)的至少一條電流路徑(104、105、106)包括第五電流路徑(105)用于為觸發(fā)電路(10)的比較器(40)產(chǎn)生參考電壓(Vptat)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的振蕩器電路，其中第五電流路徑(105)包括第六場效應(yīng)晶體管(150)，其構(gòu)造用于，基于第二柵極電壓(Vb)在線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行。9.根據(jù)權(quán)利要求5或6和權(quán)利要求8所述的振蕩器電路，其中第五場效應(yīng)晶體管(25)和第六場效應(yīng)晶體管(150)至少部分地通過共同的過程構(gòu)造。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的振蕩器電路，其中比較器(40)基于一個(gè)唯一的場效應(yīng)晶體管構(gòu)造。11.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的振蕩器電路，包括:耗盡型的高壓場效應(yīng)晶體管(160)，其耦合在第一供電電壓線路(VDD)和另一條供電電壓線路(VDDext)之間，所述第一供電電壓線路(VDD)為觸發(fā)電路(10)的至少一條電流路徑(104、105、106)和為供電電路(100)的第一、第二和第三電流路徑(101、102、103)提供供電電壓。12.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的振蕩器電路，其中在室溫情況下所述振蕩器電路的電流消耗小于ΙΟΟηΑ。13.集成電路，具有根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的振蕩器電路。14.用于運(yùn)行振蕩器電路的方法，包括:基于第一柵極電壓(Vngate)使第一電流路徑(101)中的第一場效應(yīng)晶體管(121)在弱反轉(zhuǎn)和飽和下運(yùn)行；基于第一柵極電壓(Vngate)使第二電流路徑(102)中的第二場效應(yīng)晶體管(122)在弱反轉(zhuǎn)和飽和下運(yùn)行，其中第二場效應(yīng)晶體管(122)和第一場效應(yīng)晶體管(121)不同地被確定大??；基于第二柵極電壓(Vb)使第二電流路徑(102)中的第三場效應(yīng)晶體管(130)在強(qiáng)反轉(zhuǎn)下和在線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行；基于第二柵極電壓(Vb)使第三電流路徑(103)中的第四場效應(yīng)晶體管(140)在強(qiáng)反轉(zhuǎn)下和在飽和下運(yùn)行；以及將第二電流路徑(102)中的電流(Iptat)向第一電流路徑(101)、第三電流路徑(103)和向觸發(fā)電路(10)的至少一條電流路徑(104、105、106)中鏡像以產(chǎn)生振蕩器信號(hào)(0SC)。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中第一場效應(yīng)晶體管(121)基于第一柵極電壓(Vngate)在弱反轉(zhuǎn)和飽和下運(yùn)行。16.根據(jù)權(quán)利要求14或者15所述的方法，其中第二場效應(yīng)晶體管(122)基于第一柵極電壓(Vngate)在弱反轉(zhuǎn)和飽和下運(yùn)行。17.根據(jù)權(quán)利要求14到16之一所述的方法，包括:通過觸發(fā)電路(10)的至少一條電流路徑(104、105、106)對(duì)觸發(fā)電路(10)的電容器(20)充電。18.根據(jù)權(quán)利要求14到17之一所述的方法，包括:通過觸發(fā)電路(10)的至少一條電流路徑為觸發(fā)電路(10)的比較器(40)產(chǎn)生參考電壓(Vptat)。19.根據(jù)權(quán)利要求14到18之一所述的方法，其中構(gòu)造根據(jù)權(quán)利要求1到11之一所述的振蕩器電路。
【專利摘要】振蕩器電路。在振蕩器電路中提供用于產(chǎn)生振蕩器信號(hào)的觸發(fā)電路。另外提供具有第一電流路徑、第二電流路徑和第三電流路徑的供電電路。電流鏡用于把通過第二電流路徑的電流向第一電流路徑、第三電流路徑和觸發(fā)電路的至少一條電流路徑中鏡像。第一電流路徑中的第一場效應(yīng)晶體管基于第一柵極電壓在弱反轉(zhuǎn)和飽和下運(yùn)行。第二電流路徑中的第二場效應(yīng)晶體管和第一場效應(yīng)晶體管不同地被確定大小并且基于第一柵極電壓在弱反轉(zhuǎn)和飽和下運(yùn)行。第二電流路徑中的第三場效應(yīng)晶體管基于第二柵極電壓在強(qiáng)反轉(zhuǎn)下和在線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行。第三電流路徑中的第四場效應(yīng)晶體管基于第二柵極電壓在強(qiáng)反轉(zhuǎn)下和在飽和下運(yùn)行。
【IPC分類】H03B5/24
【公開號(hào)】CN105391402
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510628634
【發(fā)明人】M·莫茨
【申請(qǐng)人】英飛凌科技奧地利有限公司
【公開日】2016年3月9日
【申請(qǐng)日】2015年8月20日
【公告號(hào)】DE102014111900A1, DE102014111900B4