国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      有機電致發(fā)光元件的制造方法及制造裝置、以及有機電致發(fā)光模塊的制作方法

      文檔序號:9872834閱讀:302來源:國知局
      有機電致發(fā)光元件的制造方法及制造裝置、以及有機電致發(fā)光模塊的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明設(shè)及有機電致發(fā)光元件的制造方法及制造裝置、W及有機電致發(fā)光模塊。 更詳細而言,設(shè)及形狀精度高、且可切換發(fā)光圖案的有機電致發(fā)光元件的制造方法及制造 裝置、W及具備通過該制造方法而制造了的有機電致發(fā)光元件的有機電致發(fā)光模塊。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 近年來,作為平面狀的光源體,使用了導(dǎo)光板(膜)的發(fā)光二極管化ight Emitting Diode:LED)及有機發(fā)光二極管((Organic Light 血itting Diode:0LED、W下,也稱為"有機 電致發(fā)光元件"或"有機化元件"。)受到關(guān)注。特別是對于使用了導(dǎo)光板的LED( W下,也稱為 "導(dǎo)光板LED"。),不僅在一般的照明中、而且在液晶顯示裝置化iquid燈ystal Display: LCD)用的背光等各種場面、用途中被使用(例如參照專利文獻1。)。
      [0003] 另外,近年來,智能手機、平板電腦等智能設(shè)備迅速地普及。
      [0004] 該智能設(shè)備大多具備:在主顯示器的外側(cè)用四角形等的標(biāo)記表示了的"主鍵"按 鈕、用箭頭標(biāo)記等表示的"返臥'按鈕、用放大鏡標(biāo)記等表示的"檢索"按鈕等的具有固定的 功能及形狀的按鈕(W下,稱為"通用功能鍵按鈕"。)。
      [0005] 運樣的通用功能鍵按鈕根據(jù)顯示的標(biāo)記的圖案形狀預(yù)先在導(dǎo)光板上印刷點形狀 的偏轉(zhuǎn)圖案、在該導(dǎo)光板的側(cè)方、在導(dǎo)光板的側(cè)端面設(shè)置照射光的LED光源而構(gòu)成。另外,在 該通用功能鍵按鈕中,從Lm)光源射出了的光從導(dǎo)光板的側(cè)端面入射、該入射光由偏轉(zhuǎn)圖案 的偏轉(zhuǎn)反射面而向?qū)Ч獍宓恼娣较蜻M行全反射。由此,W規(guī)定的圖案從導(dǎo)光板的正面?zhèn)?射出光,在從正面看導(dǎo)光板時,可看成W該圖案進行發(fā)光。
      [0006] 在一般的智能設(shè)備中,例如,在將智能設(shè)備W順時針旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)了90°時,主顯示器 的顯示也W順時針旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)90°等,根據(jù)智能設(shè)備的朝向,主顯示器的顯示的朝向發(fā)生變化 的功能成為標(biāo)準(zhǔn)。
      [0007] 但是,上述的通用功能鍵按鈕不能根據(jù)智能設(shè)備的朝向在相同場所切換為標(biāo)記的 朝向、任意的標(biāo)記形狀。
      [000引另外,就一般的通用功能鍵按鈕而言,如上所述,通常采用導(dǎo)光板L邸作為背光燈, 但在運樣的構(gòu)成的通用功能鍵按鈕中存在如下所述的問題。
      [0009] 例如,根據(jù)智能設(shè)備的朝向,為了切換為標(biāo)記的朝向、任意的標(biāo)記形狀,需要重疊 多張導(dǎo)光板LED。
      [0010] 但是,就多個重疊了的導(dǎo)光板Lm)而言,由于厚度增加,因此存在不能收納于智能 設(shè)備的內(nèi)部運樣的問題。
      [0011] 另外,在采用導(dǎo)光板Lm)的通用功能鍵按鈕中,由于從導(dǎo)光板的側(cè)端面進行導(dǎo)光, 因此,存在發(fā)光亮度的不均因通用功能鍵按鈕的花紋、形狀而變多的問題。
      [0012] 進而,由于通用功能鍵按鈕的標(biāo)記由印刷于導(dǎo)光板的點形狀的偏轉(zhuǎn)構(gòu)件形成,因 此存在該點形狀的偏轉(zhuǎn)構(gòu)件也被看到的、不能鮮明地顯示發(fā)光圖案運樣的問題。
      [0013] 但是,如果使用層疊了多個每個發(fā)光單元形成(構(gòu)圖)有不同的發(fā)光圖案的發(fā)光單 元的有機化元件來顯示通用功能鍵按鈕,則不產(chǎn)生上述問題。即,根據(jù)智能設(shè)備的朝向來切 換使其發(fā)光的發(fā)光單元,由此可W使有機化元件的發(fā)光圖案切換。另外,運樣的有機化元件 非常薄,為平面狀,因此,可W收納于智能設(shè)備的內(nèi)部。
      [0014] 作為在發(fā)光單元中進行構(gòu)圖的方法,在專利文獻2中公開有照射紫外線、使被照射 了的部分的發(fā)光功能變化的方法。
      [0015] 但是,在專利文獻2中,沒有公開在多個發(fā)光單元中形成不同的圖案的構(gòu)圖的方 法。
      [0016] 另外,認為:通過使用了掩模的成膜,對每個發(fā)光單元形成不同的發(fā)光圖案的有機 功能層。但是,僅通過使用掩模將有機功能層進行成膜而進行構(gòu)圖,存在發(fā)光圖案的形狀精 度(分辨率)低運樣的問題。
      [0017] 現(xiàn)有技術(shù)文獻 [0018]專利文獻
      [0019] 專利文獻1:美國專利第8330724號說明書
      [0020] 專利文獻2:日本特開2012-028335號公報

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0021] 發(fā)明所要解決的課題
      [0022] 本發(fā)明是鑒于上述問題.狀況而完成的發(fā)明,其解決課題在于,提供形狀精度高、 且可切換發(fā)光圖案的有機電致發(fā)光元件的制造方法及制造裝置、W及具備通過該制造方法 而制造了的有機電致發(fā)光元件的有機電致發(fā)光模塊。
      [0023] 進而,提供沒有發(fā)光不均的有機電致發(fā)光元件的制造方法及制造裝置、W及有機 電致發(fā)光模塊。
      [0024] 用于解決課題的手段
      [0025] 本發(fā)明人為了解決上述課題,在對上述問題的原因等進行研究的過程中發(fā)現(xiàn):將 各發(fā)光單元中的至少1層有機功能層在該有機功能層的形成過程中進行掩模圖案化、進而 在該有機功能層的形成后通過光照射來進行圖案化而劃分(構(gòu)圖)為發(fā)光功能被調(diào)制的區(qū) 域和沒有被調(diào)制的區(qū)域,由此可W-邊維持形狀精度、一邊切換發(fā)光圖案,進而,可W提供 沒有驅(qū)動時的發(fā)光不均的有機化元件,直至本發(fā)明。
      [0026] 目P,本發(fā)明設(shè)及的上述課題,通過W下的手段來解決。
      [0027] 1. -種有機電致發(fā)光元件的制造方法,其特征在于,其為在支承基板上具有含有 一個或多個有機功能層的至少二個發(fā)光單元、和至少1層中間電極層、上述中間電極層配置 于上述發(fā)光單元間的有機電致發(fā)光元件的制造方法;所述制造方法具有:
      [0028] 將各個上述發(fā)光單元中的至少1層上述有機功能層使用掩模來進行構(gòu)圖的第1構(gòu) 圖工序、和
      [0029] 通過光照射而構(gòu)圖為發(fā)光功能被調(diào)制了的區(qū)域和沒有被調(diào)制的區(qū)域的第2構(gòu)圖工 序,
      [0030] 每制作上述發(fā)光單元時進行上述第2構(gòu)圖工序。
      [0031] 2.如第1項所述的有機電致發(fā)光元件的制造方法,其特征在于,在波長為320~ 420nm的范圍內(nèi)的福射照度為10~lOOOmW/cm2的范圍內(nèi)的條件下進行上述第2構(gòu)圖工序中 的上述光照射。
      [0032] 3.-種有機電致發(fā)光元件的制造方法,其特征在于,其為在支承基板上具有含有 一個或多個有機功能層的至少二個發(fā)光單元、和具有光透射性的至少1層中間電極層、上述 中間電極層配置于上述發(fā)光單元間的有機電致發(fā)光元件的制造方法;所述制造方法具有:
      [0033] 將各個上述發(fā)光單元中的至少1層上述有機功能層使用掩模來進行構(gòu)圖的工序、 和
      [0034] 通過光照射而劃分為發(fā)光功能被調(diào)制了的區(qū)域和沒有被調(diào)制的區(qū)域的光照射工 序,
      [0035] 在將所有的上述發(fā)光單元層疊后,進行上述光照射工序,
      [0036] 在上述光照射工序中,在調(diào)制發(fā)光功能的區(qū)域內(nèi)使照射量變化而進行光照射。
      [0037] 4.如第1項~第3項的任一項所述的有機電致發(fā)光元件的制造方法,其特征在于, 上述至少1層有機功能層為空穴傳輸層或空穴注入層。
      [0038] 5. -種有機電致發(fā)光元件的制造裝置,其特征在于,其為在支承基板上具有含有 一個或多個有機功能層的至少二個發(fā)光單元、和至少1層中間電極層、上述中間電極層配置 于上述發(fā)光單元間的有機電致發(fā)光元件的制造裝置;所述制造裝置具有:
      [0039] 將各個上述發(fā)光單元中的至少1層上述有機功能層使用掩模來進行構(gòu)圖的第1構(gòu) 圖部、和
      [0040] 通過光照射而構(gòu)圖為發(fā)光功能被調(diào)制了的區(qū)域和沒有被調(diào)制的區(qū)域的第2構(gòu)圖 部,
      [0041 ]就上述第2構(gòu)圖部而言,每制作上述發(fā)光單元時實施構(gòu)圖。
      [0042] 6. -種有機電致發(fā)光模塊,其特征在于,具備通過第1項~第4項中的任一項所述 的有機電致發(fā)光元件的制造方法而制造了的有機電致發(fā)光元件。
      [0043] 7.如第6項所述的有機電致發(fā)光模塊,其特征在于,在上述支承基板的發(fā)光面?zhèn)染?有偏振構(gòu)件、半透半反鏡構(gòu)件或黑色濾光器。
      [0044] 發(fā)明的效果
      [0045] 通過本發(fā)明的上述手段,可W提供形狀精度高、且可切換發(fā)光圖案的有機電致發(fā) 光元件的制造方法及制造裝置、W及具備了通過該制造方法而制造了的有機電致發(fā)光元件 的有機電致發(fā)光模塊。
      [0046] 進而,可W提供沒有發(fā)光不均的有機電致發(fā)光元件的制造方法及制造裝置、W及 有機電致發(fā)光模塊。
      [0047] 對于本發(fā)明的效果的顯現(xiàn)機制.作用機制不明確,但如下地推測。
      [0048] W往,存在使用掩模而被成膜了的有機功能層(空穴注入層)的邊緣塌邊(クレ)、 發(fā)光圖案的形狀精度(分辨率)降低運樣的問題。
      [0049] 但是,僅對該塌邊部進行光照射、調(diào)制發(fā)光功能而使得不發(fā)光,由此可W進行發(fā)光 圖案的修調(diào)(陽ミシク)、提高發(fā)光圖案的形狀精度。
      [0050] 另外,也存在因掩模的厚度而掩模的邊緣形成影、在該邊緣附近沒有充分層疊成 膜物質(zhì)的情況。在運樣的情況下,預(yù)先比發(fā)光圖案更廣泛地將有機功能層進行成膜、通過光 照射將不需要的部分不發(fā)光地進行修調(diào),由此可W使發(fā)光圖案的形狀精度提高。
      【附圖說明】
      [0051 ]圖1是表示有機EL元件的一例的概略剖面圖
      [0052] 圖2是表示有機EL元件的制造裝置的概略構(gòu)成圖
      [0053] 圖3是表示構(gòu)成有機EL元件的制造裝置的成膜室的一例的概略構(gòu)成圖
      [0054] 圖4是表示支承基板的一部分的概略圖
      [0055] 圖5A是表示傳輸漉及托漉的概略側(cè)面圖
      [0056] 圖5B是表示傳輸漉及托漉的概略側(cè)面圖
      [0057] 圖6A是表示連續(xù)掩模的一部分的概略圖
      [0058] 圖6B是表示連續(xù)掩模的一部分的概略圖
      [0059] 圖7是表示構(gòu)成有機EL元件的制造裝置的成膜室的一例的概略構(gòu)成圖
      [0060] 圖8是表示構(gòu)成有機EL元件的制造裝置的成膜室的一例的概略構(gòu)成圖
      [0061] 圖9A是表示空穴注入層成膜室中所使用的連續(xù)掩模的一部分的概略圖
      [0062] 圖9B是表示空穴注入層成膜室中所使用的連續(xù)掩模的一部分的概略圖
      [0063] 圖10是表示第2構(gòu)圖部的一例的概略構(gòu)成圖
      [0064] 圖11是表示第2構(gòu)圖部具有的連續(xù)掩模的一部分的概略圖
      [0065] 圖12A是表示第2構(gòu)圖部的一例的概略構(gòu)成圖
      [0066] 圖12B是表示第2構(gòu)圖部的一例的概略構(gòu)成圖
      [0067] 圖13是表示構(gòu)成有機EL元件的制造裝置的層合室的概略構(gòu)成圖
      [0068] 圖14是表示背面膜的一部分的概略圖
      [0069] 圖15是表示有機化模塊的一例的概略剖面圖
      [0070] 圖16是表示有機EL元件的一例的概略剖面圖
      [0071] 圖17A是表示發(fā)光單元的空穴注入層中的圖案形狀的平面圖
      [0072] 圖17B是表示發(fā)光單元的空穴注入層中的圖案形狀的平面圖
      [0073] 圖18是表示光照射中使用的掩模板的概略構(gòu)成的示意圖。
      【具體實施方式】
      [0074] 本發(fā)明的有機化元件的制造方法的特征在于,將各發(fā)光單元中的至少1層有機功 能層在該有機功能層的形成過程中進行掩模圖案化,進而,在該有機功能層的形成后,通過 光照射進行圖案化,劃分(構(gòu)圖)為發(fā)光功能被調(diào)制的區(qū)域和沒有被調(diào)制的區(qū)域。該特征為 權(quán)利要求1~7的權(quán)利要求的發(fā)明中通用的技術(shù)的特征。
      [0075] 作為本發(fā)明的實施方式,優(yōu)選在波長為320~420nm的范圍內(nèi)的福射照度為10~ 1 OOOmW/cm2的范圍內(nèi)的條件下進行第2構(gòu)圖工序中的上述光照射。根據(jù)其,在有機化元件的 制造時,不需要準(zhǔn)備特別的照射裝置,因此可得到能夠容易地制造本發(fā)明設(shè)及的有機化元 件的效果,優(yōu)選。
      [0076] 另外,本發(fā)明中,從使掩模精度提高的觀點出發(fā),優(yōu)選通過光照射而被圖案化的至 少1層有機功能層為空穴傳輸層或空穴注入層。
      [0077] 本發(fā)明的有機化元件的制造裝置的特征在于,具有:將各個發(fā)光單元中的至少1層 有機功能層使用掩模來進行構(gòu)圖的第1構(gòu)圖部、和通過光照射而構(gòu)圖為發(fā)光功能被調(diào)制了 的區(qū)域和沒有被調(diào)制的區(qū)域的第2構(gòu)圖部,就第2構(gòu)圖部而言,每制作發(fā)光單元時實施構(gòu)圖。
      [0078] 另外,在有機化模塊中優(yōu)選地可具備本發(fā)明設(shè)及的有機EL元件。
      [0079] 作為本發(fā)明的實施方式,從在非發(fā)光時成為黑色的方面考慮,優(yōu)選在支承基板的 發(fā)光面?zhèn)染哂衅駱?gòu)件、半透半反鏡構(gòu)件或黑色濾光器。
      [0080] W下,對本發(fā)明和其構(gòu)成要素、及用于實施本發(fā)明的方式.形態(tài)進行詳細的說明。 予W說明,在本申請中,表示數(shù)值范圍的"W含有在其前后所記載的數(shù)值作為下限值及 上限值的意思來使用。
      [00川[第1實施方式]
      [0082] 《有機EL元件的構(gòu)成》
      [0083] W下示出本發(fā)明設(shè)及的有機化元件的層構(gòu)成的優(yōu)選的具體例,但本發(fā)明并不限定 于運些。
      [0084] (I)陽極/第1發(fā)光單元/中間電極層/第2發(fā)光單元/陰極
      [0085] (II)陽極/第1發(fā)光單元/第1中間電極層/第2發(fā)光單元/第2中間電極層/第3發(fā)光 單元/陰極
      [0086] (I-I)陽極/白色發(fā)光單元/中間電極層/白色發(fā)光單元/陰極
      [0087] (II-I)陽極/白色發(fā)光單元/第1中間電極層/白色發(fā)光單元/第2中間電極層/白色 發(fā)光單元/陰極
      [0088] 作為本發(fā)明設(shè)及的有機EL元件的一例,將上述構(gòu)成(I)的有機EL元件示于圖1。
      [0089] 如圖1中所示,有機化元件1在支承基板21上依次層疊陽極23、第1發(fā)光單元25曰、中 間電極層27、第2發(fā)光單元25b及陰極26而構(gòu)成。
      [0090] 在支承基板21側(cè)端部,使其一部分與陽極23相接地形成取出配線24。
      [0091 ]中間電極層27優(yōu)選對于可見光具有光透射性。
      [0092] 本發(fā)明中,如果發(fā)光單元的層數(shù)為2W上,則沒有特別限制,鑒于生產(chǎn)效率,優(yōu)選為 2~10的范圍內(nèi),更優(yōu)選為2~3的范圍內(nèi)。予W說明,將發(fā)光單元的層數(shù)設(shè)為N(N為2W上的 整數(shù))時,中間電極層的層數(shù)為(N-I)。
      [0093] 本發(fā)明中的發(fā)光單元為含有1層或多層有機功能層而構(gòu)成的層疊體。
      [0094] 作為發(fā)光單元中所使用的有機功能層,例如可列舉:空穴注入層(陽極緩沖層)、空 穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層(陰極緩沖層)、空穴阻擋層及電子阻擋層等公 知的層。
      [0095] W下,示出構(gòu)成發(fā)光單元的有機功能層的優(yōu)選的具體例及層疊的順序,但本發(fā)明 并不限定于運些。
      [0096] (i)空穴注入傳輸層/發(fā)光層/電子注入傳輸層
      [0097] (ii)空穴注入傳輸層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子注入傳輸層
      [0098] (iii)空穴注入傳輸層/電子阻擋層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子注入傳輸層
      [0099] (iv)空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/電子注入層
      [0100] (V)空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層
      [0101] (Vi)空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電 子注入層
      [0102] 本發(fā)明中,各發(fā)光單元可W組合相互不同的有機功能層而構(gòu)成,但優(yōu)選使用相同 的有機功能層及材料而構(gòu)成,另外,發(fā)光層的層數(shù)也優(yōu)選相同。由此,可W抑制形成發(fā)光單 元的材料的物品件數(shù)增加,因此抑制成本,且品質(zhì)管理也容易進行,進而可W使生產(chǎn)效率上 升。另外,如果是在蒸鍛工藝中進行各有機功能層的形成的方式,則容易將成膜室在各發(fā)光 單元中通用化等,進而可W使生產(chǎn)效率上升。
      [0103] 作為構(gòu)成發(fā)光單元的各有機功能層的形成方法,例如可W采用真空蒸鍛法、旋涂 法、流延法、LB法(朗格繆爾-布洛杰特法)、噴墨法、噴涂法、印刷法、狹縫型涂布機法等的公 知的薄膜形成法進行制膜而形成。
      [0104] 《有機EL元件的制造方法及制造裝置》
      [0105] W下,對制造有機EL元件1的制造方法及制造裝置,參照圖2~圖14進行說明。
      [0106] 就本發(fā)明的有機化元件的制造方法而言,其特征在于,其為在支承基板上具有含 有一個或多個有機功能層的至少二個發(fā)光單元和至少1層中間電極層、中間電極層配置于 發(fā)光單元間的有機化元件的制造方法,所述制造方法具有:將各個發(fā)光單元中的至少1層上 述有機功能層使用掩模來進行構(gòu)圖的第1構(gòu)圖工序、和通過光照射而構(gòu)圖為發(fā)光功能被調(diào) 制了的區(qū)域和沒有被調(diào)制的區(qū)域的第2構(gòu)圖工序,每制作發(fā)光單元時進行第2構(gòu)圖工序,作 為其制造裝置,并不限定于W下說明的制造裝置100。
      [0107] 另外,在本發(fā)明的有機化元件的制造方法中,優(yōu)選在波長為320~420nm的范圍內(nèi) 的福射照度為10~lOOOmW/cm 2的范圍內(nèi)的條件下進行第2構(gòu)圖工序中的光照射。
      [0108] 圖2是表示本發(fā)明的有機化元件的制造裝置100的一例的概略圖。圖2中所示的制 造裝置100是連續(xù)地傳輸W漉狀卷繞了的支承基板21而制造有機化元件1的裝置。予W說 明,在本實施方式中,在支承基板21的成膜面預(yù)先形成無機絕緣層。作為無機絕緣層,可W 從有機化元件中所使用的公知的無機絕緣層中適當(dāng)選擇而使用。
      [0109] 從置于減壓氣氛下的卷出部101卷出了的支承基板21通過各導(dǎo)向漉102、103而進 入前室Rl,進而經(jīng)由縱切漉104被送入至真空氣氛下的表面處理兼累積室(7年二一厶室) R10,進行表面的干燥清潔及脫水處理。表面處理兼累積室RlO內(nèi)的壓力優(yōu)選設(shè)定為IXicr5 ~10化的范圍內(nèi)。
      [0110] 接著,支承基板21從表面處理兼累積室RlO向成膜室R20連續(xù)地傳輸。在表面處理 兼累積室RlO和成膜室R20之間具備閩閥或壓力調(diào)整室,調(diào)整表面處理兼累積室RlO和成膜 室R20的差壓。
      [0111] 在本發(fā)明的制造方法中,首先,通過成膜室R20及后述的第6成膜室R30,對于傳輸 中的支承基板21的成膜面,進行形成有機功能層的任一層的成膜工序。
      [0112] 進而,在該成膜工序中,進行將發(fā)光單元的至少1層有機功能層一邊使用掩模來進 行構(gòu)圖、一邊進行形成的第1構(gòu)圖工序和通過光照射而構(gòu)圖為發(fā)光功能被調(diào)制了的區(qū)域及 沒有被調(diào)制的區(qū)域的第2構(gòu)圖工序。
      [0113] 在本實施方式中,作為第1構(gòu)圖工序中所使用的掩模,采用后述的連續(xù)掩模。予W 說明,第1構(gòu)圖工序中所使用的掩模并不限定于該連續(xù)掩模,也可W采用板狀的掩模等公知 的掩模。
      [0114] 予W說明,就第1構(gòu)圖工序而言,對于發(fā)光單元的至少1層有機功能層、在中間電極 層的形成前在使用掩模來進行構(gòu)圖的第1構(gòu)圖部進行。
      [0115] 在本實施方式中,所謂第1構(gòu)圖部,為后述的成膜室R21~R25中、具備連續(xù)掩模的 成膜室。在具備該連續(xù)掩模的成膜室中,一邊將各有機功能層進行構(gòu)圖,一邊形成。
      [0116] 予W說明,第1構(gòu)圖工序既可W對多個有機功能層進行,也可W對任一個有機功能 層進行,但特別優(yōu)選對空穴傳輸層或空穴注入層進行。
      [0117] 成膜室R20由多個成膜室R21~R25及第2構(gòu)圖部化構(gòu)成,在各成膜室R21~R25及第 2構(gòu)圖部化之間設(shè)置將處理速度進行吸收的累積器機構(gòu)。成膜室R21~R25及第2構(gòu)圖部化分 別獨立地被排氣,保持在真空或減壓狀態(tài),其成膜壓力因成膜方法而不同,但優(yōu)選設(shè)定為1 X 10-6 ~IOPa 左右。
      [0118] 在第1成膜室R21中,將金屬、金屬氧化物等的導(dǎo)電性材料作為成膜材料,例如通過 真空蒸鍛法、瓣射法、離子鍛敷法等的成膜方法,在支承基板21上進行陽極23的成膜。
      [0119] 在此,參照圖3,對第1成膜室R21W下進行說明。圖3為第1成膜室R21內(nèi)的概略構(gòu)成 圖。
      [0120] 第1成膜室R21在內(nèi)部具備W規(guī)定的傳輸路徑傳輸支承基板21的多個傳輸漉51、52 及托漉53、54、與被傳輸?shù)闹С谢?1的成膜面對置的原料供給部55、W及與支承基板21的 和成膜面相反側(cè)的面抵接而冷卻支承基板21的背面冷卻漉56而構(gòu)成。另外,在第1成膜室 R21內(nèi),可W設(shè)置具有規(guī)定的圖案形狀的開口部的環(huán)狀的連
      當(dāng)前第1頁1 2 3 4 5 6 
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1