半導(dǎo)體電路裝置、振蕩器、電子設(shè)備以及移動體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體電路裝置、振蕩器、電子設(shè)備以及移動體。所述半導(dǎo)體電路裝置具有：振蕩用電路；輸出電路，其被輸入從振蕩用電路輸出的信號并輸出振蕩信號；感溫元件；特性調(diào)節(jié)用電路，其根據(jù)從感溫元件輸出的信號而對振蕩用電路的特性進行調(diào)節(jié)；第一連接端子，其與輸出電路電連接并對振蕩信號進行輸出，在俯視觀察時，輸出電路與第一連接端子的距離短于感溫元件與第一連接端子的距離。
【專利說明】
半導(dǎo)體電路裝置、振蕩器、電子設(shè)備從及移動體
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種半導(dǎo)體電路裝置、振蕩器、電子設(shè)備W及移動體。
【背景技術(shù)】
[0002] 構(gòu)成溫度補償型水晶振蕩器（TCXO:Temperature Compensated Crystal Oscillator)的AT切割水晶振子的頻率根據(jù)周圍溫度的變化而W描繪將25°C附近作為拐點 并W=次曲線近似的曲線的方式發(fā)生變動。此外，由于構(gòu)成振蕩器的振蕩電路等也具有溫 度特性，因此頻率也會受它們的影響而發(fā)生變動。在TCXO中，通過利用溫度補償電路生成對 該頻率變動進行補償?shù)碾妷盒盘柌⑹┘拥皆O(shè)置在振蕩電路中的變?nèi)荻O管上，從而對相對 于周圍溫度的變化的頻率變動進行抑制而實現(xiàn)較高的頻率精度。
[0003] 作為運種TCXO的一個示例，在專利文獻1中，公開了一種在使用了具有振蕩電路、 輸出緩沖電路、溫度傳感器電路的半導(dǎo)體基板的TCXO中，將輸出緩沖電路和溫度傳感器電 路配置在半導(dǎo)體基板的對角線上的角部或同一邊上的角部處的結(jié)構(gòu)。
[0004] 在專利文獻1中，當(dāng)作為發(fā)熱源之一的輸出緩沖電路與溫度傳感器電路的距離接 近時，輸出電路的溫度容易被傳遞到溫度傳感器電路上而使通過溫度傳感器電路所檢測出 的溫度變得高于輸出電路W外的區(qū)域的溫度，從而有可能無法準確地對溫度進行檢測。因 此，例如在TCXO起動時，在根據(jù)溫度傳感器電路的輸出信號而實施溫度補償?shù)那闆r下，存在 受到輸出電路附近的溫度的影響過強，從而使輸出頻率發(fā)生變動的可能性。
[0005] 專利文獻1:日本特開2007-67967號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明為鑒于W上運種問題點而完成的發(fā)明，根據(jù)本發(fā)明的幾個方式，能夠提供 一種可使頻率變動減少的半導(dǎo)體電路裝置、振蕩器、電子設(shè)備W及移動體。
[0007] 本發(fā)明為用于解決前述的課題的至少一部分而完成的發(fā)明，并能夠通過W下的方 式或應(yīng)用例而實現(xiàn)。
[000引應(yīng)用例1
[0009]本應(yīng)用例所設(shè)及的半導(dǎo)體電路裝置為如下的半導(dǎo)體電路裝置，即，在半導(dǎo)體基板 上具有:振蕩用電路，其與振子連接并使所述振子進行振蕩;輸出電路，其被輸入從所述振 蕩用電路輸出的信號并輸出振蕩信號;感溫元件;特性調(diào)節(jié)用電路，其根據(jù)從所述感溫元件 輸出的信號而對所述振蕩用電路的特性進行調(diào)節(jié);第一連接端子，其與所述輸出電路電連 接并對所述振蕩信號進行輸出，在俯視觀察時，所述輸出電路與所述第一連接端子的距離 短于所述感溫元件與所述第一連接端子的距離。
[0010]特性調(diào)節(jié)用電路例如可W為溫度補償電路、頻率調(diào)節(jié)器電路、AFCUutO Rrequency Control:自動頻率控制）電路等。
[0011]振蕩用電路例如可W為皮爾斯(Pierce)振蕩電路、逆變器型振蕩電路、考畢茲 (Colpitts)振蕩電路、哈特利化adley)振蕩電路等各種振蕩電路的一部分。
[0012]根據(jù)本應(yīng)用例，在作為發(fā)熱源之一的輸出電路中所產(chǎn)生的熱量經(jīng)由第一連接端子 而被散熱，從而減小了半導(dǎo)體電路裝置的溫度上升。此外，也減小了對感溫元件的熱影響。 因此，由于振蕩用電路不易受到輸出電路的發(fā)熱的影響，感溫元件能夠準確地對振蕩用電 路的溫度進行檢測，因此能夠?qū)崿F(xiàn)例如在構(gòu)成振蕩器的情況下可使起動時的頻率變動減少 的半導(dǎo)體電路裝置。
[001引應(yīng)用例2
[0014] 在上述的半導(dǎo)體電路裝置中，可W采用如下方式，即，還具有:第二連接端子，其用 于向所述輸出電路供給用于使所述輸出電路進行工作的電力；第一配線，其對所述輸出電 路與所述第二連接端子進行電連接，所述第一配線與所述感溫元件在俯視觀察時不重疊。
[0015] 如果第一配線與感溫元件在俯視觀察時重疊，則在輸出電路中所產(chǎn)生的熱量將容 易經(jīng)由第一配線而傳遞至感溫元件。根據(jù)本應(yīng)用例，由于第一配線與感溫元件在俯視觀察 時不重疊，因此感溫元件不易受到在輸出電路中所產(chǎn)生的熱量的影響。因此，由于感溫元件 能夠準確地對振蕩用電路的溫度進行檢測，因此能夠?qū)崿F(xiàn)例如在構(gòu)成振蕩器的情況下可使 起動時的頻率變動減少的半導(dǎo)體電路裝置。
[0016] 應(yīng)用例3
[0017] 在上述的半導(dǎo)體電路裝置中，可W采用如下方式，即，還具有第二配線，所述第二 配線在俯視觀察時與連結(jié)所述輸出電路和所述感溫元件的假想直線交叉，所述第二配線與 所述第一連接端子電連接。
[0018] 根據(jù)本應(yīng)用例，在輸出電路中所產(chǎn)生的熱量經(jīng)由第二配線而在第一連接端子處被 散熱。由此，感溫元件不易受到在輸出電路中所產(chǎn)生的熱量的影響。因此，由于感溫元件能 夠準確地對振蕩用電路的溫度進行檢測，因此能夠?qū)崿F(xiàn)例如在構(gòu)成振蕩器的情況下可使起 動時的頻率變動減少的半導(dǎo)體電路裝置。
[0019] 應(yīng)用例4
[0020] 在上述的半導(dǎo)體電路裝置中，可W采用如下方式，即，還具有第二配線，所述第二 配線在俯視觀察時與連結(jié)所述輸出電路和所述感溫元件的假想直線交叉，所述第二配線與 所述第二連接端子電連接。
[0021] 根據(jù)本應(yīng)用例，由于在輸出電路中所產(chǎn)生的熱量經(jīng)由第二配線而在第二連接端子 處被散熱。由此，感溫元件不易受到在輸出電路中所產(chǎn)生的熱量的影響。因此，由于感溫元 件能夠準確地對振蕩用電路的溫度進行檢測，因此能夠?qū)崿F(xiàn)例如在構(gòu)成振蕩器的情況下可 使起動時的頻率變動減少的半導(dǎo)體電路裝置。
[0022] 應(yīng)用例5
[0023] 在上述的半導(dǎo)體電路裝置中，可W采用如下方式，即，還具有存儲器，所述存儲器 對用于控制所述振蕩用電路、所述輸出電路W及所述特性調(diào)節(jié)用電路中的至少一個的數(shù)據(jù) 進行存儲。
[0024] 根據(jù)本應(yīng)用例，能夠?qū)崿F(xiàn)可容易地對振蕩用電路、輸出電路W及特性調(diào)節(jié)用電路 中的至少一個進行控制的半導(dǎo)體電路裝置。
[0025] 應(yīng)用例6
[0026] 在上述的半導(dǎo)體電路裝置中，可W采用如下方式，即，所述特性調(diào)節(jié)用電路為溫度 補償電路。
[0027] 根據(jù)本應(yīng)用例，由于感溫元件能夠準確地對振蕩用電路的溫度進行檢測，因此能 夠?qū)崿F(xiàn)可進行高精度的頻率溫度補償?shù)陌雽?dǎo)體電路裝置。
[0028] 應(yīng)用例7
[0029] 在上述的半導(dǎo)體電路裝置中，可W采用如下方式，即，所述輸出電路具有分頻電 路。
[0030] 根據(jù)本應(yīng)用例，能夠?qū)崿F(xiàn)可減少起動時的頻率變動，并能夠選擇性地輸出多個頻 率的半導(dǎo)體電路裝置。
[0031] 應(yīng)用例8
[0032] 本應(yīng)用例所設(shè)及的振蕩器為如下的振蕩器，即，具有:上述的任一應(yīng)用例的半導(dǎo)體 電路裝置;所述振子;收納有所述半導(dǎo)體電路裝置和所述振子的容器。
[0033] 根據(jù)本應(yīng)用例，由于振蕩用電路不易受到輸出電路的發(fā)熱的影響，感溫元件能夠 準確地對振蕩用電路的溫度進行檢測，因此能夠?qū)崿F(xiàn)例如可使起動時的頻率變動減少的振 蕩器。
[0034] 應(yīng)用例9
[0035] 本應(yīng)用例所設(shè)及的電子設(shè)備為，具有上述的任一應(yīng)用例的半導(dǎo)體電路裝置的電子 設(shè)備。
[0036] 應(yīng)用例10
[0037] 本應(yīng)用例所設(shè)及的移動體為，具有上述的任一應(yīng)用例的半導(dǎo)體電路裝置的移動 體。
[0038] 根據(jù)運些應(yīng)用例，由于使用了在構(gòu)成振蕩器的情況下能夠使起動時的頻率變動減 少的半導(dǎo)體電路裝置，因此能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性較高的電子設(shè)備W及移動體。
【附圖說明】
[0039] 圖1為本實施方式所設(shè)及的半導(dǎo)體電路裝置1的電路圖。
[0040] 圖2為振蕩用電路10的電路圖。
[0041 ] 圖3為輸出電路30的電路圖。
[0042] 圖4為振幅控制電路20的電路圖。
[0043] 圖5為表示輸出電平調(diào)節(jié)寄存器的設(shè)定值與D/A轉(zhuǎn)換器的輸出電壓W及錯位電壓 之間的關(guān)系的一個示例的圖。
[0044] 圖6(A)及圖6(B)為表示錯位正弦波的輸出波形的一個示例的圖。
[0045] 圖7為表示振蕩級電流調(diào)節(jié)寄存器的設(shè)定值與差分電流的關(guān)系的圖。
[0046] 圖8為模式化地表示第一具體例所設(shè)及的半導(dǎo)體電路裝置1的布局結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0047] 圖9為模式化地表示第二具體例所設(shè)及的半導(dǎo)體電路裝置1的布局結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0048] 圖10為模式化地表示第=具體例所設(shè)及的半導(dǎo)體電路裝置1的布局結(jié)構(gòu)的俯視 圖。
[0049] 圖11為模式化地表示第四具體例所設(shè)及的半導(dǎo)體電路裝置1的布局結(jié)構(gòu)的俯視 圖。
[0050] 圖12為模式化地表示本實施方式所設(shè)及的振蕩器1000的剖視圖。
[0051] 圖13為模式化地表示改變例所設(shè)及的振蕩器1000 a的剖視圖。
[0052] 圖14為本實施方式所設(shè)及的電子設(shè)備300的功能框圖。
[0053] 圖15為表示作為電子設(shè)備300的一個示例的智能手機的外觀的一個示例的圖。
[0054] 圖16為表示本實施方式所設(shè)及的移動體400的一個示例的圖(俯視圖）。
【具體實施方式】
[0055] W下，利用附圖對本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式進行詳細說明。所使用的附圖為便于 說明的附圖。另外，在下文中所說明的實施方式并非對權(quán)利要求書中所記載的本發(fā)明的內(nèi) 容進行不當(dāng)限定。此外，在下文中所說明的全部結(jié)構(gòu)并不一定均為本發(fā)明的必要結(jié)構(gòu)要件。
[0056] 1.半導(dǎo)體電路裝置
[0化7] 1-1.電路結(jié)構(gòu)
[0058] 圖1為本實施方式所設(shè)及的半導(dǎo)體電路裝置1的電路圖。如圖1所示，本實施方式所 設(shè)及的半導(dǎo)體電路裝置1與振子3連接從而成為溫度補償型振蕩器。
[0059] 在本實施方式中，振子3為使用水晶W作為基板材料的水晶振子，例如，使用AT切 割或SC切割的水晶振子，或音叉型的水晶振子。振子3也可W為SAW(SuWace Acoustic Wave:表面聲波）諧振子或MEMS(MicrC) Electro Mechanical Systems:微機電系統(tǒng)）振子。 此外，作為振子3的基板材料，除水晶W外，還能夠使用粗酸裡、妮酸裡等壓電單晶或錯鐵酸 鉛等壓電陶瓷等壓電材料，或者娃半導(dǎo)體材料等。作為振子3的激勵方式，可W使用基于壓 電效應(yīng)的方式，也可W使用利用庫倫力實現(xiàn)的靜電驅(qū)動。另外，雖然本實施方式的振子3采 用將基板材料單片化而得到的忍片形狀的元件，但并不限定于此，也可W使用將忍片形狀 的元件封入到容器中的振動裝置。
[0060] 在半導(dǎo)體電路裝置1中，設(shè)置有作為電源端子的Vcc端子、作為接地端子的GND端 子、作為輸出端子的OUT端子、作為測試端子或被輸入對半導(dǎo)體電路裝置1進行控制的信號 的端子的TP端子、作為與振子3連接的連接端子的XI端子W及XO端子。Vcc端子、GND端子、 OUT端子W及TP端子也與振蕩器的外部端子(未圖示)連接。
[0061] 在本實施方式中，半導(dǎo)體電路裝置1被構(gòu)成為，包括振蕩用電路10、輸出電路30、溫 度補償電路40("特性調(diào)節(jié)用電路"的一個示例）、感溫元件41、調(diào)節(jié)器電路50、存儲器60、開 關(guān)電路70("切換部"的一個示例）W及串行接口（I/F)電路80。另外，本實施方式的半導(dǎo)體電 路裝置1也可W采用將運些要素中的一部分省略或變更，或者追加其他要素的結(jié)構(gòu)。
[0062] 振蕩用電路10為與振子3連接且用于使振子3進行振蕩的電路，并且將振子3的輸 出信號放大并反饋至振子3。振蕩用電路10輸出基于振子3的振蕩而產(chǎn)生的振蕩信號。
[0063] 溫度補償電路40根據(jù)從感溫元件41輸出的信號，W使振蕩用電路10的振蕩頻率與 溫度無關(guān)而成為固定的方式，將溫度作為變量而生成與振子3的頻率溫度特性相對應(yīng)的溫 度補償電壓。該溫度補償電壓被施加到作為振蕩用電路10的負載電容而發(fā)揮功能的可變電 容元件(未圖示)的一端上，從而對振蕩頻率進行控制。
[0064] 輸出電路30的信號生成電路31被輸入來自振蕩用電路10的振蕩信號，且生成并輸 出外部輸出用的振蕩信號。
[0065] 輸出電路30的振幅控制電路20為，用于對信號生成電路31所輸出的振蕩信號的振 幅進行控制的電路。振幅控制電路20具有對信號生成電路31所輸出的振蕩信號的振幅進行 控制的振幅控制部與發(fā)熱部。如下文所述那樣，發(fā)熱部根據(jù)振蕩用電路10與振幅控制電路 20的振幅控制部的工作狀態(tài)而對被輸入的直流電流進行控制。
[0066] 調(diào)節(jié)器電路50根據(jù)從Vcc端子供給的電源電壓而生成振蕩用電路10、溫度補償電 路40、輸出電路30的電源電壓或成為基準電壓的固定的輸出電壓Vreg。
[0067] 存儲器60具有未圖示的非易失性存儲器和寄存器，且被構(gòu)成為能夠從外部端子經(jīng) 由串行接口電路80而實施對非易失性存儲器或寄存器的讀取與寫入。在本實施方式中，由 于在構(gòu)成振蕩器的情況下與外部端子連接的半導(dǎo)體電路裝置1的端子僅有Vcc、GND、0UT、TP 四個，因此串行接口電路80可W在例如Vcc端子的電壓高于闊值時，接受從TP端子被外部輸 入的時鐘信號SCLK與從OUT端子被外部輸入的數(shù)據(jù)信號DATA,并針對未圖示的非易失性存 儲器或內(nèi)部寄存器而實施數(shù)據(jù)的讀取與寫入。存儲器60可W對用于控制振蕩用電路10、輸 出電路30W及特性調(diào)節(jié)用電路(溫度補償電路40)中的至少一個的數(shù)據(jù)進行存儲。由此，能 夠?qū)崿F(xiàn)可容易地對振蕩用電路10、輸出電路30W及特性調(diào)節(jié)用電路(溫度補償電路40)中的 至少一個進行控制的半導(dǎo)體電路裝置1。
[0068] 開關(guān)電路70為對溫度補償電路40與OUT端子(第一端子的一個示例)之間的電連接 進行切換的電路，所述OUT端子與輸出電路30的輸出側(cè)電連接。
[0069] 在本實施方式中，在被輸入到TP端子上的信號為低電平（第一模式的一個示例） 時，開關(guān)電路70W使溫度補償電路40與OUT端子不電連接的方式進行控制，從而使從輸出電 路30輸出的振蕩信號向OUT端子輸出。此外，如下文所述那樣，在被輸入到TP端子上的信號 為低電平時，使振幅控制電路20的發(fā)熱部的動作停止。
[0070] 另一方面，在被輸入到TP端子上的信號為高電平(第二模式的一個示例）時，開關(guān) 電路70 W使溫度補償電路40與OUT端子電連接的方式進行控制，從而使來自輸出電路30的 振蕩信號的輸出停止，并使溫度補償電路40的輸出信號(溫度補償電壓）向OUT端子輸出。此 夕h如下文所述那樣，在被輸入到TP端子上的信號為高電平時，振幅控制電路20的發(fā)熱部根 據(jù)振蕩用電路10與振幅控制電路20的振幅控制部的工作狀態(tài)而對被輸入的直流電流進行 控制。
[0071] 在作為用于蜂窩（cellular)等的GPS用途的TCXO而進行使用的情況下，需要例如 ± 0.5ppm運種較高的頻率溫度補償精度。因此，在本實施方式中，通過調(diào)節(jié)器電路50而使輸 出電路30的輸出電壓振幅穩(wěn)定化，并且從低消耗電流化的觀點出發(fā)，輸出電路30輸出抑制 了輸出振幅的錯位正弦波形。在本實施方式中，通過振幅控制電路20而能夠?qū)⑤敵鲭娐?0 的輸出振幅調(diào)節(jié)在例如0.8~1.2化P的范圍內(nèi)，而且，采用了在振幅控制電路20中內(nèi)置與現(xiàn) 有技術(shù)相比更小型的發(fā)熱電路的結(jié)構(gòu)。此外，在本實施方式中，在存儲器60中設(shè)置有用于根 據(jù)振子3的頻率而對振蕩用電路10的振蕩級電流進行調(diào)節(jié)、選擇的振蕩級電流調(diào)節(jié)寄存器 I0SC_ADJ(用于對振蕩用電路10進行控制的數(shù)據(jù)）、用于對是否通過被設(shè)置在輸出電路30的 內(nèi)部的分頻電路而對振蕩信號進行分頻并輸出進行選擇的分頻切換寄存器DIV(用于對輸 出電路30進行控制的數(shù)據(jù)）、用于對輸出電路30所輸出的錯位正弦波的振蕩信號的振幅電 平進行調(diào)節(jié)的輸出電平調(diào)節(jié)寄存器V〇UT_ADJ(用于對振幅控制電路20進行控制的數(shù)據(jù)），并 且W與基于被存儲于運些寄存器中的數(shù)據(jù)而得到的設(shè)定狀態(tài)聯(lián)動的方式，對在振幅控制電 路20的內(nèi)部的發(fā)熱電路中流通的電流量實施控制。
[0072] 另外，運些寄存器的設(shè)定值，例如在半導(dǎo)體電路裝置1的制造時被預(yù)先存儲在存儲 器60所具有的非易失性存儲器中，在作為振蕩器被組裝后的電源接通時，設(shè)定值從非易失 性存儲器被寫入到各個寄存器中。此外，例如在半導(dǎo)體電路裝置I的制造時，在非易失性存 儲器中也存儲有向溫度補償電路40輸入的溫度補償數(shù)據(jù)(與振子3的頻率溫度特性相對應(yīng) 的0次、1次、3次的各系數(shù)值(也可W包括4次或5次的各系數(shù)值)或者溫度與溫度補償電壓的 對應(yīng)表等）（用于對溫度補償電路40進行控制的數(shù)據(jù)）。
[0073] 振蕩用電路的結(jié)構(gòu)
[0074] 圖2為圖1的振蕩用電路10的電路圖。如圖2所示，振蕩用電路10具備振蕩部11和電 流源電路12。振蕩部11通過與振子3連接而構(gòu)成皮爾斯型的振蕩電路。在振蕩部11中，串聯(lián) 連接有與振子3并聯(lián)的作為可變電容元件的變?nèi)荻O管VCDl、VCD2,并通過向變?nèi)荻O管 VCDUVCD2施加溫度補償電壓從而使振蕩部11的電容值相對于溫度而發(fā)生變化，進而輸出 振子3的頻率溫度特性被進行了補償?shù)恼袷幮盘枴?br>[0075] 電流源電路12通過差分放大器AMPl、PMOS晶體管M2、雙極晶體管Q2、多個電阻R2與 電阻Rl被并聯(lián)連接的電流調(diào)節(jié)部，而生成成為振蕩級電流lose的基準的電流Iref。電流 Iref通過四位的I0SC_ADJ設(shè)定值而被調(diào)節(jié)。PMOS晶體管Ml的柵極寬度的尺寸與PMOS晶體管 M2的柵極寬度的尺寸具有例如10:1的比率。PMOS晶體管M3的柵極寬度的尺寸與PMOS晶體管 M4的柵極寬度的尺寸也具有同樣的尺寸比。例如，當(dāng)設(shè)為Iref = 20iiA時，10倍的200iiA作為 振蕩級電流而向振蕩部11被供給。由差分放大器AMP2、PM0S晶體管M4、使偏壓電流化ias流 通的電流源、PMOS晶體管M5、M6構(gòu)成的電路為，用于進一步對在共源共柵連接的PMOS晶體管 Ml、M3中流通的振蕩級電流lose的電源依賴進行抑制的電路。該電路為，在被要求較高的頻 率精度的TCXO中，與共源共柵電路相比進一步降低電流源所輸出的電流的電源依賴的增益 提高型的共源共柵電路。該共源共柵電路對基準側(cè)的PMOS晶體管M4的源極電壓進行監(jiān)控， 并在電源電壓(Vcc端子的電壓)發(fā)生了變動的情況下，通過差分放大器AMP2來對PMOS晶體 管M3、M4的柵極電壓進行控制，從而進一步對PMOS晶體管Ml、M2的源極與漏極間的電位差的 變化進行抑制。作為電流源電路12的輸出電阻，進一步上升差分放大器AMP2的增益倍。相對 于電源電壓的變動，振蕩級電流lose較為穩(wěn)定，從而使振蕩部11的振蕩頻率變動被抑制。
[0076] 輸出電路的結(jié)構(gòu)
[0077] 圖3為圖1的輸出電路30的電路圖。如圖3所示，在輸出電路30的Vreg端子上施加有 調(diào)節(jié)器電路50的輸出電壓化eg,在Vclip端子上施加有用于獲得在振幅控制電路20中所生 成的錯位正弦波輸出的錯位電壓Velip。輸出電路30具備分頻電路，且被構(gòu)成為能夠根據(jù) DIV端子的電壓電平來選擇是否對向IN端子輸入的信號(振蕩用電路10所輸出的振蕩信號） 進行二分頻。在本實施方式中，在分頻切換寄存器DIV的設(shè)定值為0時，DIV端子被設(shè)定為低 電平，輸入信號不被分頻，而是通過由MOS晶體管M31~M34構(gòu)成的逆變器將極性反轉(zhuǎn)，并且 節(jié)點VBUFl的信號NOR向電路NORl傳遞。另一方面，在分頻切換寄存器DIV的設(shè)定值為1時， DIV端子被設(shè)定為高電平，輸入信號通過分頻電路而被分頻為1/2,并且節(jié)點VBUFl的信號向 NOR電路NORl傳遞。
[0078] 此外，輸出電路30在TP端子為低電平時成為可工作狀態(tài)，在TP端子為高電平時成 為工作停止?fàn)顟B(tài)。在正常工作時，TP端子被設(shè)定為低電平，來自輸入端子IN的輸入信號通過 由Vclip決定的電壓振幅電平而被錯位，并從OUT端子輸出。在對圖1的溫度補償電路40進行 調(diào)節(jié)(進行測試)時，TP端子被設(shè)定為高電平，MOS晶體管M32、M33斷開，NOR電路NORl的輸出 節(jié)點VBUF2W及NOR電路N0R2的輸出節(jié)點VBUF3均成為接地電位，NMOS晶體管M35、M36均成為 斷開狀態(tài)。由此，輸出電路30成為工作停止?fàn)顟B(tài)。
[0079] 由于在醒OS晶體管M35、M36中流通有與其他的晶體管相比較大的電流，因此NMOS 晶體管M35、M36可能成為輸出電路30的主要的發(fā)熱源。
[0080] 振幅控制電路的結(jié)構(gòu)
[0081 ] 圖4為圖1的振幅控制電路20的電路圖。在圖4中，醒OS晶體管Mll、M12、M13為耗盡 型的M0S(Me化1 Oxide Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管，其他的MOS晶體管為常 規(guī)型(增強型）的MOS晶體管。圖4所示的振幅控制電路20通過在溫度補償電路40的調(diào)節(jié)時使 靜態(tài)的電流(直流電流）比t流過，從而產(chǎn)生與在正常工作時由輸出電路30所產(chǎn)生的熱量相 當(dāng)?shù)臒崃俊Ｓ纱?，能夠抑制正常工作時與溫度補償電路40調(diào)節(jié)時之間的發(fā)熱量的變動。
[0082] 如下式（1)所示，決定輸出電路30的輸出振幅電平的錯位電壓Vclip成為從差分放 大器AMP的輸出電壓Vg中減去NMOS晶體管Ml 2的柵極與源極間電壓VgSMi2而得到的電壓。
[0083] 數(shù)學(xué)式1:
[0084] Vclip = Vg-VgSMi2...(l)
[0085] Vg根據(jù)W由輸出電平調(diào)節(jié)寄存器V0UT_AD J所提供的數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)并通過D/A轉(zhuǎn)換器 DAC實施D/A轉(zhuǎn)換而得到的模擬的輸出電壓Vdac,并通過下式(2)而獲得。
[00化]數(shù)學(xué)式2:
[0087]
--(2)
[0088] 通過將式(2)代入式（1)，從而使下式(3)的關(guān)系成立。即，通過作為利用差分放大 器AMP對D/A轉(zhuǎn)換器DAC的輸出電壓Vdac進行放大而得到的電壓的Vdac ? (R1/R2+1)，來決定 錯位電壓Vclip。
[0089] 數(shù)學(xué)式3:
[0090]
…(3)
[0091] 正常工作時，TP端子被設(shè)定為低電平，開關(guān)電路SWl成為導(dǎo)通狀態(tài)，NMOS開關(guān)SW2成 為斷開狀態(tài)，MOS晶體管M13B成為斷開狀態(tài)，從而發(fā)熱電路21成為工作停止?fàn)顟B(tài)。另一方面， 在溫度補償電路40的調(diào)節(jié)時，TP端子被設(shè)定為高電平，開關(guān)電路SWl成為斷開狀態(tài)，NMOS開 關(guān)SW2成為導(dǎo)通狀態(tài)，由此NMOS晶體管M12成為截止?fàn)顟B(tài)，包含NMOS晶體管M13的發(fā)熱電路21 成為工作狀態(tài)。
[0092] 輸出電路30所輸出的波形為如圖6所示的那樣的錯位正弦波，由于輸出頻率越高 錯位正弦波的峰值(振幅)越低，因此按照輸出頻率而選擇輸出電平調(diào)節(jié)寄存器V〇UT_ADJ的 設(shè)定值。通常，W能夠確保錯位正弦波的振幅在0.SVppW上的方式來選擇輸出電平調(diào)節(jié)寄 存器V0UT_ADJ的設(shè)定值。在圖5中，圖示了輸出電平調(diào)節(jié)寄存器V0UT_ADJ的設(shè)定值與D/A轉(zhuǎn) 換器DAC的輸出電壓VdacW及錯位電壓Vclip之間的關(guān)系的一個示例。圖5圖示了將包含差 分放大器AMP的復(fù)制電路22的增益設(shè)定為約1.2倍的情況下的一個示例，且錯位電壓Vclip 為DC(direct current,直流)性質(zhì)的電壓值。此外，圖6(A)W及圖6(B)分別為表示輸出頻率 為26MHz和52MHz的情況下的錯位正弦波的輸出波形的一個示例的圖，并且均將V0UT_ADJ設(shè) 定為"0 r。如圖5所示，在VOUT_ADJ被設(shè)定為"0 r的情況下，錯位電壓VcI ip成為0.9V，如圖6 (A)所示，在輸出頻率為26MHz的情況下，錯位正弦波的振幅為約0.9VPP，如圖6(B)所示，即 使在輸出頻率為52MHz的情況下，也能夠確保錯位正弦波的振幅為大約0.82化P。此外，在輸 出頻率為52MHz的情況下，還存在錯位正弦波的振幅稍微下降的情況，也能夠?qū)OUT_AD J設(shè) 定為"10"而使振幅上升0.1化P從而成為0.92化P。
[0093] 在本實施方式中，在TP端子被設(shè)定為高電平時流過發(fā)熱電路21的電流Iht W與振 蕩級電流調(diào)節(jié)寄存器I〇SC_ADJ的設(shè)定值、分頻切換寄存器DIV的設(shè)定值W及輸出電平調(diào)節(jié) 寄存器V〇UT_ADJ的設(shè)定值聯(lián)動的方式而發(fā)生變化，并接近與在TP端子被設(shè)定為低電平時在 輸出電路30中所消耗的電流相當(dāng)?shù)碾娏?。由此，使得作為使用?TP端子被設(shè)定為低電平時 的半導(dǎo)體電路裝置1的振蕩器的消耗電流與使用了 TP端子被設(shè)定為高電平時的半導(dǎo)體電路 裝置1的振蕩器的消耗電流之差的電流的差分電流減小。即，使得輸出電路30處于工作狀態(tài) 時的電流與處于停止?fàn)顟B(tài)時的電流之差減小，從而抑制了振蕩用電路10的發(fā)熱量的變動。 作為一個示例，在圖7中，圖示了振蕩級電流調(diào)節(jié)寄存器I0SC_ADJ的設(shè)定值與差分電流的關(guān) 系。在圖7中圖示了分頻切換寄存器DIV的設(shè)定值為0時(源振蕩輸出時）與為1時(分頻輸出 時）的關(guān)系。如圖7所示，在使用了本實施方式的半導(dǎo)體電路裝置1的振蕩器中，即使在根據(jù) 振蕩頻率或輸出有無分頻而單獨地設(shè)定了 I〇SC_ADJ或DIV的寄存器值的情況下，也能夠減 小輸出電路30處于工作狀態(tài)時的電流與處于停止?fàn)顟B(tài)時的電流之差，從而成功地使差分電 流接近于零。
[0094] 另外，發(fā)熱電路21作為發(fā)熱部而發(fā)揮功能，振幅控制電路20中的發(fā)熱電路21W外 的電路作為振幅控制部而發(fā)揮功能。
[00巧]1-2.布局結(jié)構(gòu)
[0096] 1-2-1.第一具體例
[0097] 圖8為模式化地表示第一具體例所設(shè)及的半導(dǎo)體電路裝置1的布局結(jié)構(gòu)的俯視圖。 另外，在圖8中，省略了關(guān)于半導(dǎo)體電路裝置1中所包括的電路的一部分的記載。
[0098] 本具體例所設(shè)及的半導(dǎo)體電路裝置1被構(gòu)成為，包括半導(dǎo)體基板100、被配置在半 導(dǎo)體基板100上的至少W輸出電路30W及感溫元件41為結(jié)構(gòu)要素的第一電路塊110、被配置 在半導(dǎo)體基板100上的至少W存儲器60為結(jié)構(gòu)要素的第二電路塊120。此外，本實施方式所 設(shè)及的半導(dǎo)體電路裝置1被構(gòu)成為，包括與圖1所示的各端子相對應(yīng)的連接端子XI、連接端 子XO、連接端子Vcc (第二連接端子）、連接端子GND (第S連接端子）、連接端子OUT (第一連接 端子）W及連接端子TP。此外，半導(dǎo)體電路裝置1被構(gòu)成為，包括對輸出電路30和連接端子 OUT (第一連接端子)進行電連接的配線90和向輸出電路30供給用于使輸出電路30工作的電 力的第一配線91。
[0099] 連接端子OUT(第一連接端子)為對來自輸出電路30的振蕩信號進行輸出的端子。 在本具體例中，為了減小熱阻，而將配線90構(gòu)成為粗于其他的配線。此外，由于在第一配線 91中流通有較大的電流，因此一般被構(gòu)成為粗于其他的配線(除配線90W外）。
[0100] 如圖8所示，在本具體例中，在俯視觀察時，輸出電路30與連接端子OUT(第一連接 端子)的距離(最短直線距離)短于感溫元件41與連接端子OUT(第一連接端子)的距離(最短 直線距離）。
[0101] 根據(jù)本具體例，在作為發(fā)熱源之一的輸出電路30中所產(chǎn)生的熱量經(jīng)由連接端子 OUT(第一連接端子)而被散熱，從而減小了半導(dǎo)體電路裝置I的溫度上升。此外，也減小了對 感溫元件41的熱影響。因此，由于振蕩用電路10不易受到輸出電路30的發(fā)熱的影響，感溫元 件能夠準確地對振蕩用電路10的溫度進行檢測，因此能夠?qū)崿F(xiàn)例如在構(gòu)成了振蕩器的情況 下可使起動時的頻率變動減少的半導(dǎo)體電路裝置1。
[0102] 在圖8所示的示例中，具有用于向輸出電路30供給使輸出電路30工作的電力的連 接端子Vcc(第二連接端子）、對輸出電路30和連接端子Vcc(第二連接端子)進行電連接的第 一配線91，第一配線91與感溫元件41在俯視觀察時不重疊。
[0103] 如果第一配線91與感溫元件41在俯視觀察時重疊，則在輸出電路30中產(chǎn)生的熱量 將容易經(jīng)由第一配線91而傳遞至感溫元件41。根據(jù)本具體例，由于第一配線91與感溫元件 41在俯視觀察時不重疊，因此感溫元件41不易受到在輸出電路30中所產(chǎn)生的熱量的影響。 因此，由于感溫元件41能夠準確地對振蕩用電路10的溫度進行檢測，因此能夠?qū)崿F(xiàn)例如在 構(gòu)成了振蕩器的情況下可使起動時的頻率變動減少的半導(dǎo)體電路裝置1。另外，雖然在本具 體例中，作為發(fā)熱的電路而列舉出了輸出電路30的示例，但并不限定于此，與第一配線91連 接且在工作時發(fā)熱的電路例如也可W為振蕩用電路10或被輸入來自振蕩用電路10的信號 并將該信號放大并輸出的放大電路等。
[0104] 本具體例所設(shè)及的半導(dǎo)體電路裝置1在從與上述的技術(shù)意義不同的觀點出發(fā)時， 還具有進一步的技術(shù)意義。
[0105] 如圖8所示，在俯視觀察時，連接端子XO被設(shè)置在第一電路塊110與第二電路塊120 之間。
[0106] 根據(jù)本具體例，由于在俯視觀察時連接端子XO被設(shè)置于第一電路塊110與第二電 路塊120之間，因此能夠在第二電路塊120內(nèi)較大地取得一塊矩形區(qū)域。因此，由于即使在無 法增大半導(dǎo)體基板100的尺寸的情況下，也能夠?qū)⒌诙娐穳K120內(nèi)的一塊矩形區(qū)域設(shè)為較 大，例如能夠?qū)⑿纬捎芯哂幸环N功能的電路的區(qū)域設(shè)為較大，因此能夠?qū)崿F(xiàn)電路配置的自 由度較大的半導(dǎo)體電路裝置1。
[0107] 在本具體例中，半導(dǎo)體電路裝置1具有在俯視觀察時在從第二電路塊120遠離的一 側(cè)的方向上被第一電路塊110夾持的區(qū)域111，連接端子XO的至少一部分被設(shè)置在被第一電 路塊110夾持的區(qū)域111內(nèi)。
[0108] 根據(jù)本具體例，由于連接端子XO在俯視觀察時W嵌入第一電路塊110中的方式而 被配置，因此能夠增大第二電路塊120的配置區(qū)域，因此能夠在第二電路塊120內(nèi)進一步較 大地取得一塊矩形區(qū)域。因此，由于即使在無法增大半導(dǎo)體基板100的尺寸的情況下，也能 夠?qū)⒌诙娐穳K120內(nèi)的一塊矩形區(qū)域設(shè)為較大，例如將形成有具有一種功能的電路的區(qū) 域設(shè)為較大，因此能夠?qū)崿F(xiàn)電路配置的自由度較大的半導(dǎo)體電路裝置1。
[0109] 在本具體例中，第二電路塊120處于半導(dǎo)體基板100的外周部101與第一電路塊110 之間，并且被設(shè)置在外周部101與連接端子XO之間。在圖8所示的示例中，半導(dǎo)體基板100在 俯視觀察時被構(gòu)成為長方形，外周部101相當(dāng)于俯視觀察時的長方形的一條邊。另外，半導(dǎo) 體基板100無需在俯視觀察時為完整的多邊形，也可W為在俯視觀察時在外周處具有凹凸 的大致多邊形。在該情況下，可W將外周部101設(shè)為相當(dāng)于能夠視為大致多邊形的一條邊的 部分。
[0110] 根據(jù)本具體例，與連接端子XO被設(shè)置在半導(dǎo)體基板100的外周部101附近的情況相 比，能夠在被配置于半導(dǎo)體基板100的外周部101側(cè)的第二電路塊120內(nèi)較大地取得一塊矩 形區(qū)域。因此，由于即使在無法增大半導(dǎo)體電路裝置1的忍片尺寸的情況下，也能夠?qū)⒌诙?電路塊120內(nèi)的一塊矩形區(qū)域設(shè)為較大，例如能夠?qū)⑿纬捎芯哂幸环N功能的電路的區(qū)域設(shè) 為較大，因此能夠?qū)崿F(xiàn)電路配置的自由度較大的半導(dǎo)體電路裝置1。
[0111] 在本具體例中，第二電路塊120被構(gòu)成為包含存儲器60。
[0112] 根據(jù)本具體例，由于能夠?qū)⒋鎯ζ?0配置在第二電路塊120內(nèi)的一塊矩形區(qū)域內(nèi)， 因此即使在無法增大半導(dǎo)體基板100的尺寸的情況下，也能夠?qū)崿F(xiàn)可增大存儲器60的存儲 空間的半導(dǎo)體電路裝置1。此外，由于能夠?qū)⒋鎯ζ?0配置在一塊矩形區(qū)域內(nèi)，因此與將存 儲器60設(shè)置于多個區(qū)域的情況相比，存儲器60的配線變得容易。此外，與將存儲器60設(shè)置在 多個區(qū)域的情況相比，存儲器60的地址指定變得容易。
[0113] 在本實施方式中，第二電路塊120W沿著半導(dǎo)體基板100的長邊的方式而設(shè)置。由 此，與W沿著半導(dǎo)體基板100的短邊的方式來設(shè)置第二電路塊120的情況相比，能夠縮短第 二電路塊120的存儲器60與第一電路塊110中所包含的各種電路之間的配線。
[0114] 1-2-2.第二具體例
[0115] 圖9為模式化地表示第二具體例所設(shè)及的半導(dǎo)體電路裝置1的布局結(jié)構(gòu)的俯視圖。 另外，在圖9中，省略了關(guān)于半導(dǎo)體電路裝置1中所包含的電路的一部分的記載。此外，對與 第一具體例相同的結(jié)構(gòu)標注相同的符號，并省略詳細的說明。
[0116] 如圖9所示，在本具體例中，還具有在俯視觀察時與連結(jié)輸出電路30和感溫元件41 的假想直線交叉的第二配線92,第二配線92與連接端子OUT(第一連接端子)電連接。假想直 線為對輸出電路30內(nèi)的假想點與感溫元件41內(nèi)的假想點進行連結(jié)的直線，既可W是最短直 線，也可W不是最短直線。此外，假想直線也可W為對在俯視觀察配置有輸出電路30的區(qū)域 的情況下的圖屯、（重屯、）與在俯視觀察配置有感溫元件41的區(qū)域的情況下的圖屯、（重屯、）進 行連結(jié)的直線。
[0117] 根據(jù)本具體例，由于在輸出電路30中所產(chǎn)生的熱量會沿著上述的假想直線而向感 溫元件41傳遞，因此也會向與假想直線交叉的第二配線92傳遞。因此，在輸出電路30中所產(chǎn) 生的熱量的至少一部分經(jīng)由第二配線92而在連接端子OUT(第一連接端子)處被散熱。由此， 感溫元件41不易受到在輸出電路30中所產(chǎn)生的熱量的影響。因此，由于感溫元件41能夠準 確地對振蕩用電路10的溫度進行檢測，因此能夠?qū)崿F(xiàn)例如在構(gòu)成了振蕩器的情況下可使起 動時的頻率變動減少的半導(dǎo)體電路裝置1。另外，雖然在本具體例中，作為發(fā)熱的電路而列 舉出了輸出電路30的示例，但并不限定于此，工作時發(fā)熱的電路例如也可W為振蕩用電路 10、被輸入來自振蕩用電路10的信號并且將該信號放大并輸出的放大電路等。
[011引此外，即使在第二具體例中，根據(jù)與在第一具體例中所說明的理由相同的理由，也 會實現(xiàn)相同的效果。
[0119] 1-2-3.第=具體例
[0120] 圖10為模式化地表示第=具體例所設(shè)及的半導(dǎo)體電路裝置1的布局結(jié)構(gòu)的俯視 圖。另外，在圖10中，省略了關(guān)于半導(dǎo)體電路裝置1中所包含的電路的一部分的記載。此外， 對與第一具體例W及第二具體例相同的結(jié)構(gòu)標注相同的符號，并省略詳細的說明。
[0121] 如圖10所示，在本具體例中，還具有在俯視觀察時與連結(jié)輸出電路30和感溫元件 41的假想直線交叉的第二配線92,第二配線92與連接端子Vcc(第二連接端子)電連接。假想 直線為對輸出電路30內(nèi)的假想點與感溫元件41內(nèi)的假想點進行連結(jié)的直線，既可W是最短 直線，也可W不是最短直線。此外，假想直線也可W為對在俯視觀察配置有輸出電路30的區(qū) 域的情況下的圖屯、（重屯、）與在俯視觀察配置有感溫元件41的區(qū)域的情況下的圖屯、（重屯、） 進行連結(jié)的直線。
[0122] 根據(jù)本具體例，由于在輸出電路30中所產(chǎn)生的熱量會沿著上述的假想直線而向感 溫元件41傳遞，因此也會向與假想直線交叉的第二配線92傳遞。因此，在輸出電路30中所產(chǎn) 生的熱量的至少一部分經(jīng)由第二配線92而在連接端子Vcc(第二連接端子)處被散熱。由此， 感溫元件41不易受到在輸出電路30中所產(chǎn)生的熱量的影響。因此，由于感溫元件41能夠準 確地對振蕩用電路10的溫度進行檢測，因此能夠?qū)崿F(xiàn)例如在構(gòu)成了振蕩器的情況下可使起 動時的頻率變動減少的半導(dǎo)體電路裝置1。另外，雖然在本具體例中，作為發(fā)熱的電路而列 舉出了輸出電路30的示例，但并不局限于此，在工作時發(fā)熱的電路例如也可W為振蕩用電 路10、被輸入來自振蕩用電路10的信號并且將該信號放大并輸出的放大電路等。
[0123] 此外，即使在第=具體例中，根據(jù)與在第一具體例中所說明的理由相同的理由，也 會實現(xiàn)相同的效果。
[0124] 1-2-4.第四具體例
[0125] 圖11為模式化地表示第四具體例所設(shè)及的半導(dǎo)體電路裝置1的布局結(jié)構(gòu)的俯視 圖。另外，在圖11中，省略了關(guān)于半導(dǎo)體電路裝置1中所包含的電路的一部分的記載。此外， 對與第一具體例、第二具體例W及第=具體例相同的結(jié)構(gòu)標注相同的符號，并省略詳細的 說明。
[0126] 如圖11所示，在本具體例中，還具有在俯視觀察時與連結(jié)輸出電路30和感溫元件 41的假想直線相交叉的第二配線92,第二配線92與連接端子GND(第S連接端子)電連接。假 想直線為對輸出電路30內(nèi)的假想點與感溫元件41內(nèi)的假想點進行連結(jié)的直線，既可W是最 短直線，也可W不是最短直線。此外，假想直線也可W為對在俯視觀察配置有輸出電路30的 區(qū)域的情況下的圖屯、（重屯、）與在俯視觀察配置有感溫元件41的區(qū)域的情況下的圖屯、（重 屯、)進行連結(jié)的直線。
[0127] 根據(jù)本具體例，由于在輸出電路30中所產(chǎn)生的熱量會沿著上述的假想直線而向感 溫元件41傳遞，因此也會向與假想直線交叉的第二配線92傳遞。因此，在輸出電路30中所產(chǎn) 生的熱量的至少一部分經(jīng)由第二配線92而在連接端子GND(第S連接端子)處被散熱。由此， 感溫元件41不易受到在輸出電路30中所產(chǎn)生的熱量的影響。因此，由于感溫元件41能夠準 確地對振蕩用電路10的溫度進行檢測，因此能夠?qū)崿F(xiàn)例如在構(gòu)成了振蕩器的情況下可使起 動時的頻率變動減少的半導(dǎo)體電路裝置1。另外，雖然在本具體例中，作為發(fā)熱的電路而列 舉出了輸出電路30的示例，但并不限定于此，工作時發(fā)熱的電路例如也可W為振蕩用電路 10、被輸入來自振蕩用電路10的信號并且將該信號進行放大并輸出的放大電路等。
[012引此外，即使在第四具體例中，根據(jù)與在第一具體例中所說明的理由相同的理由，也 會實現(xiàn)相同的效果。
[0129] 2.振蕩器
[0130] 圖12為模式化地表示本實施方式所設(shè)及的振蕩器1000的剖視圖。振蕩器1000被構(gòu) 成為，包含半導(dǎo)體電路裝置1、振子3和對半導(dǎo)體電路裝置1及振子3進行收納的容器1100。在 圖12所示的示例中，振蕩器1000被構(gòu)成為，包括將半導(dǎo)體電路裝置1與振子3收納在同一空 間內(nèi)的容器1100。此外，在圖12所示的示例中，振蕩器1000被構(gòu)成為包含蓋1200W及電極 1300。在圖12所示的示例中，半導(dǎo)體電路裝置1由單忍片構(gòu)成。此外，作為振子3,可W為使用 水晶W作為基板材料的水晶振子，例如AT切割或SC切割的水晶振子，或者SAW(SuWace Acoustic Wave:表面聲波）諧振子或MEMS(MicrC) Electro Mechanical Systems:微機電系 統(tǒng))振子。此外，作為振子3的基板材料，除水晶W外，還能夠使用粗酸裡、妮酸裡等壓電單晶 或錯鐵酸鉛等壓電陶瓷等壓電材料，或者娃半導(dǎo)體材料等。作為振子3的激勵方式，可W使 用基于壓電效應(yīng)的方式，也可W使用利用庫倫力實現(xiàn)的靜電驅(qū)動。另外，雖然本實施方式的 振子3采用將基板材料單片化而得到的忍片形狀的元件，但并不限定于此，也可W使用將忍 片形狀的元件封入到容器中的振動裝置。
[0131] 在容器1100中設(shè)置有凹部，通過用蓋1200來覆蓋凹部而形成收納室1400。在容器 1100中，用于對半導(dǎo)體電路裝置1和振子3進行電連接的配線W及端子被設(shè)置在凹部的表面 上或容器1100的內(nèi)部。此外，在容器1100中，至少設(shè)置有分別與半導(dǎo)體電路裝置1的連接端 子Vcc、連接端子GND、連接端子OUT及連接端子TP電連接的電極1300。
[0132] 圖13為模式化地表示改變例所設(shè)及的振蕩器1000 a的剖視圖。振蕩器1000 a被構(gòu)成 為，包含半導(dǎo)體電路裝置1、振子3和對半導(dǎo)體電路裝置1與振子3進行收納的容器1100a。在 圖13所示的示例中，振蕩器1000 a被構(gòu)成為，包含將半導(dǎo)體電路裝置1與振子3收納在不同的 空間內(nèi)的容器1100a。此外，在圖13所示的示例中，振蕩器1000 a被構(gòu)成為包含蓋1200、電極 1300W及密封部件1500。在圖13所示的示例中，半導(dǎo)體電路裝置1由單忍片構(gòu)成。此外，作為 振子3,可W為使用水晶W作為基板材料的水晶振子，例如AT切割或SC切割的水晶振子，或 SAW(Su;rface Acoustic Wave:表面聲波）諧振子或 MEMS(MicrC) Electro Mechanical Systems:微機電系統(tǒng))振子。此外，作為振子3的基板材料，除水晶W外，還能夠使用粗酸裡、 妮酸裡等壓電單晶或錯鐵酸鉛等壓電陶瓷等壓電材料，或者娃半導(dǎo)體材料等。作為振子3的 激勵方式，可W使用基于壓電效應(yīng)的方式，也可W使用利用庫倫力實現(xiàn)的靜電驅(qū)動。另外， 雖然本改變例的振子3采用將基板材料單片化而得到的忍片形狀的元件，但并不限定于此， 也可W使用將忍片形狀的元件封入到容器中的振動裝置。
[0133] 在容器IlOOa中，于對置的面上設(shè)置有兩個凹部，通過用蓋1200來覆蓋一方的凹部 而形成收納室1400a，通過用密封部件1500來覆蓋另一方的凹部而形成收納室1400b。在圖 13所示的示例中，在收納室1400a內(nèi)收納有振子3,在收納室1400b內(nèi)收納有半導(dǎo)體電路裝置 1。在容器IlOOa中，用于對半導(dǎo)體電路裝置1與振子3進行電連接的配線W及端子被設(shè)置在 凹部的表面上或容器IlOOa的內(nèi)部。此外，在容器IlOOa中，至少設(shè)置有分別與半導(dǎo)體電路裝 置1的連接端子Vcc、連接端子GND、連接端子OUT及連接端子TP電連接的電極1300。
[0134] 根據(jù)本實施方式所設(shè)及的振蕩器1000及振蕩器1000a，由于振蕩用電路10不易受 到輸出電路30的發(fā)熱的影響，感溫元件41能夠準確地對振蕩用電路10的溫度進行檢測，因 此能夠?qū)崿F(xiàn)例如可使起動時的頻率變動較少的振蕩器1000 W及振蕩器1000a。
[0135] 3.電子設(shè)備
[0136] 圖14為本實施方式所設(shè)及的電子設(shè)備300的功能框圖。另外，對與上述的各個實施 方式相同的結(jié)構(gòu)標注相同的符號，并省略詳細的說明。
[0137] 本實施方式所設(shè)及的電子設(shè)備300為包含半導(dǎo)體電路裝置1的電子設(shè)備300。在圖 14所示的示例中，電子設(shè)備300被構(gòu)成為，包含振子3、半導(dǎo)體電路裝置1、倍增電路310、CPU (Central Processing Unit:中央處理單元）320、操作部330、R0M(Read Only Memory:只讀 存儲器)340、RAM(Random Access Memory:隨機存取存儲器)350、通信部360、顯示部370、聲 音輸出部380。另外，本實施方式所設(shè)及的電子設(shè)備300既可W對圖14所示的結(jié)構(gòu)要素（各 部）中的一部分進行省略或變更，也可W采用附加其他的結(jié)構(gòu)要素的結(jié)構(gòu)。
[0138] 倍增電路310向CPU320W及各部供給時鐘脈沖（省略圖示）。時鐘脈沖例如可W為 通過倍增電路310從來自與振子3連接的半導(dǎo)體電路裝置1的振蕩信號中取出所需的高頻信 號而得到的信號，也可W是通過具有化UPhase Locked Loop:鎖相環(huán))合成器的倍增電路 310對來自半導(dǎo)體電路裝置1的振蕩信號進行倍增而得到的信號(省略圖示）。
[0139] CPU320按照被存儲在R0M340等中的程序并使用倍增電路310所輸出的時鐘脈沖而 實施各種計算處理與控制處理。具體而言，CPU320實施與來自操作部330的操作信號相對應(yīng) 的各種處理、為了與外部實施數(shù)據(jù)通信而對通信部360進行控制的處理、對用于使顯示部 370顯示各種信息的顯示信號進行發(fā)送的處理、使聲音輸出部380輸出各種聲音的處理等。
[0140] 操作部330為通過操作鍵或按鈕開關(guān)等而被構(gòu)成的輸入裝置，并向CPU320輸出與 用戶的操作相對應(yīng)的操作信號。
[0141] R0M340對供CPU320實施各種計算處理與控制處理的程序或數(shù)據(jù)等進行存儲。
[0142] RAM350作為CPU320的作業(yè)區(qū)域而被使用，并臨時性地對從R0M340讀取的程序或數(shù) 據(jù)、從操作部330輸入的數(shù)據(jù)、CPU320按照各種程序執(zhí)行所得到的運算結(jié)果等進行存儲。
[0143] 通信部360實施用于使CPU320與外部裝置之間的數(shù)據(jù)通信成立的各種控制。
[0144] 顯示部370為通過LCD化iquid化ystal Display:液晶顯示器)或電泳顯示器等構(gòu) 成的顯示裝置，并根據(jù)從CPU320輸入的顯示信號而顯示各種信息。
[0145] 而且，聲音輸出部380為揚聲器等對聲音進行輸出的裝置。
[0146] 根據(jù)本實施方式所設(shè)及的電子設(shè)備300,由于使用了在構(gòu)成振蕩器的情況下能夠 使起動時的頻率變動減少的半導(dǎo)體電路裝置1，因此能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性較高的電子設(shè)備300。
[0147] 作為運種電子設(shè)備300可考慮到各種電子設(shè)備，例如，可列舉出個人計算機(例如， 便攜式個人計算機、膝上型個人計算機、平板型個人計算機）、移動電話等移動體終端、數(shù)碼 照相機、噴墨式噴出裝置(例如噴墨打印機）、路由器或開關(guān)等存儲區(qū)域網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、局域網(wǎng)絡(luò) 設(shè)備、移動體終端基站用設(shè)備、電視機、攝像機、錄像機、汽車導(dǎo)航裝置、尋呼機、電子記事本 (也包括附帶通信功能的產(chǎn)品）、電子詞典、電子計算器、電子游戲設(shè)備、游戲用控制器、文字 處理器、工作站、可視電話、防盜用視頻監(jiān)視器、電子雙筒望遠鏡、P〇S(point Of sale:銷售 點）終端、醫(yī)療設(shè)備(例如，電子體溫計、血壓計、血糖儀、屯、電圖測量裝置、超音波診斷裝置、 電子內(nèi)窺鏡）、魚群探測器、各種測量設(shè)備、計量儀器類(例如，車輛、航空器、船舶的測量儀 器類）、飛行模擬裝置、頭戴式顯示器、運動軌跡、運動跟蹤、運動控制器、PDR(Pedes化ian Dead Reckoning,步行者航位推算)等。
[0148] 圖15為表示作為電子設(shè)備300的一個示例的智能手機的外觀的一個示例的圖。在 作為電子設(shè)備300的智能手機中，作為操作部330而具備按鈕，作為顯示部370而具備LCD。而 且，由于作為電子設(shè)備300的智能手機使用在構(gòu)成振蕩器的情況下能夠使起動時的頻率變 動減少的半導(dǎo)體電路裝置1，因此能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性較高的電子設(shè)備300。
[0149] 4.移動體
[0150] 圖16為表示本實施方式所設(shè)及的移動體400的一個示例的圖（俯視圖）。另外，對與 上述的各實施方式相同的結(jié)構(gòu)標注相同的符號，并省略詳細的說明。
[0151] 本實施方式所設(shè)及的移動體400為包含使用了半導(dǎo)體電路裝置1的振蕩器1000的 移動體400。在圖16中圖示了包含振蕩器1000的移動體400。此外，在圖16所示的示例中，移 動體400被構(gòu)成為，包含實施對發(fā)動機系統(tǒng)、制動器系統(tǒng)、無鑰匙進入系統(tǒng)等的各種控制的 控制器420、控制器430、控制器440、蓄電池450W及備用蓄電池460。另外，本實施方式所設(shè) 及的移動體400既可W對圖16所示的結(jié)構(gòu)要素(各部）中的一部分進行省略或變更，也可W 采用附加其他的結(jié)構(gòu)要素的結(jié)構(gòu)。
[0152] 根據(jù)本實施方式所設(shè)及的移動體400,由于使用在構(gòu)成振蕩器的情況下能夠使起 動時的頻率變動減少的半導(dǎo)體電路裝置1，因此能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性較高的移動體400。
[0153] 作為運種移動體400可考慮到各種移動體，例如，能夠列舉出汽車(也包括電動汽 車）、噴氣式飛機或直升機等航空器、船舶、火箭、人造衛(wèi)星等。
[0154] 本發(fā)明并不限定于本實施方式，能夠在本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)實施各種改變。
[0155] 例如，雖然在上述的各實施方式中，列舉出了作為特性調(diào)節(jié)用電路而具有溫度補 償電路的振蕩器(TCXO)的示例，但除此之外，本發(fā)明還能夠應(yīng)用于作為特性調(diào)節(jié)用電路而 具有頻率調(diào)節(jié)器電路的振蕩器(SPXO等）、作為特性調(diào)節(jié)用電路而具有AFCUuto化equency Control:自動頻率控制）電路的振蕩器(VCXO或VC-TCXO等)等各種振蕩器中。
[0156] 上述的實施方式及改變例為一個示例，并不限定于此。例如，也能夠?qū)Ω鲗嵤┓绞?W及各改變例進行適當(dāng)組合。
[0157] 本發(fā)明包括與在實施方式中所說明的結(jié)構(gòu)實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)(例如，功能、方法W 及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu)或者目的及效果相同的結(jié)構(gòu)）。此外，本發(fā)明包括對在實施方式中所說明 的結(jié)構(gòu)的非本質(zhì)的部分進行置換的結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明包括能夠取得與在實施方式中所說 明的結(jié)構(gòu)具有相同的作用效果的結(jié)構(gòu)或?qū)崿F(xiàn)相同的目的的結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明包括將公知 技術(shù)添加到在實施方式中所說明的結(jié)構(gòu)中的結(jié)構(gòu)。
[015引符號說明
[0159] 1…半導(dǎo)體電路裝置；3…振子；10…振蕩用電路；11…振蕩部；12…電流源電路； 20…振幅控制電路;21…發(fā)熱電路;22…復(fù)制電路;23…解碼電路;24…電平補正電路;25… 電阻電路;30…輸出電路;31…信號生成電路;40…溫度補償電路;41…感溫元件;50…調(diào)節(jié) 器電路;60…存儲器;70…開關(guān)電路;80…串行接口（I/F)電路;90…配線；91…第一配線； 92…第二配線；100…半導(dǎo)體基板;101…外周部；110…第一電路塊;111…被第一電路塊110 夾持的區(qū)域；120…第二電路塊;300…電子設(shè)備;310…倍增電路;320-CPU;330…操作部； 340.-ROMiSSO…RAM; 360…通信部;370…顯示部;380…聲音輸出部;400…移動體;420…控 制器;430…控制器;440…控制器;450…蓄電池;460…備用蓄電池；1000、1000 a…振蕩器； 1100、IlOOa …容器；1200...蓋；1300...電極；1400、1400曰、1400b...收納室；1500...密封部件； GND…連接端子;OUT…連接端子;TP…連接端子;Vcc…連接端子;XI…連接端子;XO…連接 端子。
【主權(quán)項】
1. 一種半導(dǎo)體電路裝置，其在半導(dǎo)體基板上具有： 振蕩用電路，其與振子連接并且使所述振子進行振蕩； 輸出電路，其被輸入從所述振蕩用電路輸出的信號并輸出振蕩信號； 感溫元件； 特性調(diào)節(jié)用電路，其根據(jù)從所述感溫元件輸出的信號而對所述振蕩用電路的特性進行 調(diào)節(jié)； 第一連接端子，其與所述輸出電路電連接并對所述振蕩信號進行輸出， 在俯視觀察時，所述輸出電路與所述第一連接端子的距離短于所述感溫元件與所述第 一連接端子的距離。2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電路裝置，其中， 還具有： 第二連接端子，其用于向所述輸出電路供給用于使所述輸出電路進行工作的電力； 第一配線，其對所述輸出電路與所述第二連接端子進行電連接， 所述第一配線與所述感溫元件在俯視觀察時不重疊。3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電路裝置，其中， 還具有第二配線，所述第二配線在俯視觀察時與連結(jié)所述輸出電路和所述感溫元件的 假想直線交叉， 所述第二配線與所述第一連接端子電連接。4. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體電路裝置，其中， 還具有第二配線，所述第二配線在俯視觀察時與連結(jié)所述輸出電路和所述感溫元件的 假想直線交叉， 所述第二配線與所述第二連接端子電連接。5. 如權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體電路裝置，其中， 還具有存儲器，所述存儲器對用于控制所述振蕩用電路、所述輸出電路以及所述特性 調(diào)節(jié)用電路中的至少一個的數(shù)據(jù)進行存儲。6. 如權(quán)利要求1至5中任一項所述的半導(dǎo)體電路裝置，其中， 所述特性調(diào)節(jié)用電路為溫度補償電路。7. 如權(quán)利要求1至6中任一項所述的半導(dǎo)體電路裝置，其中， 所述輸出電路具有分頻電路。8. -種振蕩器，具有： 權(quán)利要求1至7中任一項所述的半導(dǎo)體電路裝置； 所述振子； 容器，其收納有所述半導(dǎo)體電路裝置和所述振子。9. 一種電子設(shè)備，其特征在于， 具有權(quán)利要求1至7中任一項所述的半導(dǎo)體電路裝置。10. -種移動體，其特征在于， 具有權(quán)利要求1至7中任一項所述的半導(dǎo)體電路裝置。
【文檔編號】H03B5/32GK105827203SQ201610034565
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年1月19日
【發(fā)明人】山本壯洋
【申請人】精工愛普生株式會社