一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮(zhèn)流器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮(zhèn)流器,其特征在于,主要由處理芯片U1,二極管整流器U,正極與二極管整流器U的正極輸出端相連接、負極則與二極管整流器U的負極輸出端相連接的電容C1,與電容C1的正極相連接的浪涌保護電路,與電容C1的負極相連接的電磁濾波電路,一端與處理芯片U的RT管腳相連接、另一端則與電磁濾波電路相連接的電阻R2等組成。本發(fā)明可以對電壓進行限壓,當出現(xiàn)瞬時高電壓時其可以把高電壓壓制在安全的電壓范圍值內,從而保護本發(fā)明使本發(fā)明不被瞬時高電壓損壞。本發(fā)明還可以滿足大功率日光燈的工作需求。
【專利說明】
一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮(zhèn)流器
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及一種鎮(zhèn)流器,具體是指一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮(zhèn)流器。
【背景技術】
[0002]隨著社會的發(fā)展,鎮(zhèn)流器已被廣泛的應用于日光燈上,鎮(zhèn)流器可以使輸入電流穩(wěn)定在燈管的額定電流范圍內,而燈管兩端的電壓也被穩(wěn)定在額定的工作電壓范圍內,起到降壓限流的作用,不僅保護了日光燈,而且使日光燈的照明效果更好。然而,傳統(tǒng)的鎮(zhèn)流器容易受到電磁干擾信號的影響,導致其穩(wěn)定性低,這嚴重的影響了日光燈的使用壽命。
【發(fā)明內容】
[0003]本發(fā)明的目的在于克服傳統(tǒng)的鎮(zhèn)流器容易受到電磁干擾信號影響的缺陷,提供一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮(zhèn)流器。
[0004]本發(fā)明的目的通過下述技術方案實現(xiàn):一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮(zhèn)流器,主要由處理芯片Ul,二極管整流器U,正極與二極管整流器U的正極輸出端相連接、負極則與二極管整流器U的負極輸出端相連接的電容Cl,與電容Cl的正極相連接的浪涌保護電路,與電容Cl的負極相連接的電磁濾波電路,一端與處理芯片U的RT管腳相連接、另一端則與電磁濾波電路相連接的電阻R2,串接在處理芯片Ul的PGND管腳和SGND管腳之間的電阻R4,分別與處理芯片Ul和電磁濾波電路相連接的變壓輸出電路,N極與處理芯片Ul的VB管腳相連接、P極經(jīng)電阻R3后與處理芯片Ul的VCC管腳相連接的二極管D3;以及與電磁濾波電路相連接的功率放大電路組成;所述處理芯片U的VCC管腳和HV管腳均與浪涌保護電路相連接、其VB管腳和VS管腳均與變壓輸出電路相連接、其CT管腳和SGND管腳均與電磁濾波電路相連接。
[0005]進一步的,所述功率放大電路由三極管VT6,放大器Pl,放大器P2,三極管VT7,一端與三極管VT6的基極相連接、另一端作為該功率放大電路的輸入端的電阻R14,串接在三極管VT6的集電極和放大器PI的正極之間的電阻Rl 5,串接在放大器PI的正極和輸出端之間的電阻R16,正極與三極管VT6的發(fā)射極相連接、負極與放大器P2的正極相連接的電容C9,P極與三極管VT6的發(fā)射極相連接、N極與放大器P2的負極相連接的二極管D6,正極與放大器P2的負極相連接、負極經(jīng)電阻R18后與放大器Pl的輸出端相連接的電容ClO,串接在放大器P2的輸出端和三極管VT7的發(fā)射極之間的電阻Rl 7,P極與放大器P2的正極相連接、N極與三極管VT7的基極相連接的二極管D7,正極與放大器Pl的輸出端相連接、負極與三極管VT7的集電極相連接的電容Cl I,以及P極與三極管VT7的集電極相連接、N極作為該功率放大電路的輸出端的二極管D8組成;所述放大器P2的負極和放大器Pl的負極均接地;所述功率放大電路的輸入端與電容Cl的負極相連接。
[0006]所述浪涌保護電路由三極管VT4,三極管VT5,場效應管M0S1,場效應管M0S2,一端與場效應管MOSl的漏極相連接、另一端作為該浪涌保護電路的輸入端的電阻R9,串接在場效應管MOSl的源極和柵極之間的電阻R10,正極與場效應管MOSl的源極相連接、負極經(jīng)電阻R12后與場效應管M0S2的柵極相連接的電容C8,N極與場效應管M0S2的漏極相連接、P極經(jīng)電阻R13后接地的二極管D5,串接在三極管VT4的基極和三極管VT5的基極之間的電阻Rll,以及P極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、N極則與三極管VT5的基極相連接的二極管D4組成;所述三極管VT4的基極接地、其集電極則與場效應管MOSl的柵極相連接;所述三極管VT5的集電極與場效應管MOSl的柵極相連接、其發(fā)射極則與二極管D5的P極相連接;所述場效應管M0S2的源極與場效應管MOSl的源極相連接、其柵極則與三極管VT5的集電極相連接、其漏極作為該浪涌保護電路的輸出端;所述浪涌保護電路的輸入端與電容Cl的正極相連接、其輸出端則與處理芯片Ul的VCC管腳相連接。
[0007]所述電磁濾波電路由場效應管M0S,三極管VTl,串接在場效應管MOS的漏極和柵極之間的電阻Rl,P極與場效應管MOS的漏極相連接、N極則與三極管VTl的發(fā)射極相連接的二極管Dl,正極與場效應管MOS的源極相連接、負極則與三極管VTl的基極相連接的電容C2,負極與三極管VTl的集電極相連接、正極則與變壓輸出電路相連接的電容C3,P極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、N極則與處理芯片Ul的CT管腳相連接的二極管D2,以及正極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、負極則與處理芯片Ul的SGND管腳相連接的同時接地的電容C4組成;所述電容Cl的負極與場效應管MOS的柵極相連接;所述場效應管MOS的柵極還經(jīng)電阻R2后與處理芯片Ul的RT管腳相連接。
[0008]所述變壓輸出電路由變壓器T,三極管VT2,三極管VT3,串接在三極管VT2的集電極和處理芯片Ul的VB管腳之間的電阻R5,正極與三極管VT2的集電極相連接、負極經(jīng)電阻R6后與三極管VT3的基極相連接的電容C5,正極與三極管VT2的發(fā)射極相連接、負極經(jīng)電阻R8后與三極管VT3的發(fā)射極相連接的電容C6,正極與變壓器T的原邊電感線圈的同名端、負極則與變壓器T的原邊電感線圈的非同名端相連接的同時接地的電容C7,以及串接在電容C3的正極和變壓器T的原邊電感線圈的同名端之間的電阻R7組成;所述三極管VT2的基極與處理芯片Ul的VS管腳相連接、其發(fā)射極接地;所述三極管VT3的集電極與變壓器T的副邊電感線圈的非同名端相連接。
[0009]所述處理芯片Ul為GR6953集成芯片。
[0010]本發(fā)明較現(xiàn)有技術相比,具有以下優(yōu)點及有益效果:
[0011](I)本發(fā)明可以把工作中產(chǎn)生的電磁干擾信號進行抑制,降低電磁干擾信號對本發(fā)明的影響,極大的提高了本發(fā)明的穩(wěn)定性,使日光燈可以穩(wěn)定的工作,從而延長了日光燈的工作壽命。
[0012](2)本發(fā)明可以對電壓進行限壓,當出現(xiàn)瞬時高電壓時其可以把高電壓壓制在安全的電壓范圍值內,從而保護本發(fā)明使本發(fā)明不被瞬時高電壓損壞。
[0013](3)本發(fā)明可以放大其輸出功率,從而可以滿足大功率日光燈的工作需求,擴大了本發(fā)明的適用范圍。
【附圖說明】
[0014]圖1為本發(fā)明的整體結構示意圖。
[0015]圖2為本發(fā)明的浪涌保護電路的結構圖。
[0016]圖3為本發(fā)明的功率放大電路的結構圖。
【具體實施方式】
[0017]下面結合實施例對本發(fā)明作進一步地詳細說明,但本發(fā)明的實施方式不限于此。
[0018]實施例
[0019]如圖1所示,本發(fā)明主要由處理芯片Ul,二極管整流器U,正極與二極管整流器U的正極輸出端相連接、負極則與二極管整流器U的負極輸出端相連接的電容Cl,與電容Cl的正極相連接的浪涌保護電路,與電容Cl的負極相連接的電磁濾波電路,一端與處理芯片U的RT管腳相連接、另一端則與電磁濾波電路相連接的電阻R2,串接在處理芯片Ul的PGND管腳和SGND管腳之間的電阻R4,分別與處理芯片UI和電磁濾波電路相連接的變壓輸出電路,N極與處理芯片Ul的VB管腳相連接、P極經(jīng)電阻R3后與處理芯片Ul的VCC管腳相連接的二極管D3;以及與電磁濾波電路相連接的功率放大電路組成。
[0020]所述處理芯片U的VCC管腳和HV管腳均與浪涌保護電路相連接、其VB管腳和VS管腳均與變壓輸出電路相連接、其CT管腳和SGND管腳均與電磁濾波電路相連接。為了更好的實施本發(fā)明,所述處理芯片Ul優(yōu)選GR6953集成芯片來實現(xiàn)。
[0021 ] 進一步的,該電磁濾波電路由場效應管MOS,三極管VTl,電阻Rl,電容C2,電容C3,電容C4,二極管Dl以及二極管D2組成。
[0022]連接時,電阻Rl串接在場效應管MOS的漏極和柵極之間。二極管Dl的P極與場效應管MOS的漏極相連接、其N極則與三極管VTl的發(fā)射極相連接。電容C2的正極與場效應管MOS的源極相連接、其負極則與三極管VTI的基極相連接。電容C3的負極與三極管VTI的集電極相連接、其正極則與變壓輸出電路相連接。二極管D2的P極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、其N極則與處理芯片Ul的CT管腳相連接。電容C4的正極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、其負極則與處理芯片Ul的SGND管腳相連接的同時接地。
[0023]同時,所述電容Cl的負極分別與場效應管MOS的柵極和功率放大電路的輸入端相連接。所述場效應管MOS的柵極還經(jīng)電阻R2后與處理芯片Ul的RT管腳相連接。
[0024]另外,所述變壓輸出電路由變壓器T,三極管VT2,三極管VT3,電阻R5,電阻R6,電阻R7,電阻R8,電容C5,電容C6以及電容C7組成。
[0025]連接時,電阻R5串接在三極管VT2的集電極和處理芯片Ul的VB管腳之間。電容C5的正極與三極管VT2的集電極相連接、其負極經(jīng)電阻R6后與三極管VT3的基極相連接。電容C6的正極與三極管VT2的發(fā)射極相連接、其負極經(jīng)電阻R8后與三極管VT3的發(fā)射極相連接。電容C7的正極與變壓器T的原邊電感線圈的同名端、其負極則與變壓器T的原邊電感線圈的非同名端相連接的同時接地。電阻R7串接在電容C3的正極和變壓器T的原邊電感線圈的同名端之間。所述三極管VT2的基極與處理芯片Ul的VS管腳相連接、其發(fā)射極接地。所述三極管VT3的集電極與變壓器T的副邊電感線圈的非同名端相連接。
[0026]如圖2所示,該浪涌保護電路由三極管VT4,三極管VT5,場效應管MOSl,場效應管M0S2,電阻R9,電阻RlO,電阻RlI,電阻R12,電阻R13,電容C8,二極管D4以及二極管D5組成。
[0027]連接時,電阻R9的一端與場效應管MOSl的漏極相連接、其另一端作為該浪涌保護電路的輸入端并與電容Cl的正極相連接。電阻RlO串接在場效應管MOSl的源極和柵極之間。電容C8的正極與場效應管MOSl的源極相連接、其負極經(jīng)電阻R12后與場效應管M0S2的柵極相連接。二極管D5的N極與場效應管M0S2的漏極相連接、其P極經(jīng)電阻Rl 3后接地。電阻Rl I串接在三極管VT4的基極和三極管VT5的基極之間。二極管D4的P極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、其N極則與三極管VT5的基極相連接。
[0028]同時,所述三極管VT4的基極接地、其集電極則與場效應管MOSl的柵極相連接。所述三極管VT5的集電極與場效應管MOSl的柵極相連接、其發(fā)射極則與二極管D5的P極相連接。所述場效應管M0S2的源極與場效應管MOSl的源極相連接、其柵極則與三極管VT5的集電極相連接、其漏極作為該浪涌保護電路的輸出端并與處理芯片Ul的VCC管腳相連接。
[0029]如圖3所示,該功率放大電路由三極管VT6,放大器PI,放大器P2,三極管VT7,電阻尺14,電阻1?15,電阻1?16,電阻1?17,電阻1?18,電容09,電容(:10,電容(:11,二極管06,二極管07以及二極管D8組成。
[0030]連接時,電阻R14的一端與三極管VT6的基極相連接、其另一端作為該功率放大電路的輸入端并與電容Cl的負極相連接。電阻R15串接在三極管VT6的集電極和放大器Pl的正極之間。電阻Rl6串接在放大器Pl的正極和輸出端之間。電容C9的正極與三極管VT6的發(fā)射極相連接、其負極與放大器P2的正極相連接。二極管D6的P極與三極管VT6的發(fā)射極相連接、其N極與放大器P2的負極相連接。電容ClO的正極與放大器P2的負極相連接、其負極經(jīng)電阻Rl 8后與放大器Pl的輸出端相連接。電阻Rl 7串接在放大器P2的輸出端和三極管VT7的發(fā)射極之間。二極管D7的P極與放大器P2的正極相連接、其N極與三極管VT7的基極相連接。電容Cll的正極與放大器Pl的輸出端相連接、其負極與三極管VT7的集電極相連接。二極管D8的P極與三極管VT7的集電極相連接、其N極作為該功率放大電路的輸出端。所述放大器P2的負極和放大器Pl的負極均接地。所述功率放大電路的輸入端與電容Cl的負極相連接。日光燈則串接在變壓器T的副邊電感線圈的同名端和功率放大電路的輸出端之間。
[0031]工作時,本發(fā)明對工頻電源全波整流和功率因素校正后,使工頻電源變?yōu)橹绷麟娫?,直流電源?jīng)過變換后,輸出20K-1OOKHZ的高頻交流電源,從而保證日光燈獲得正常工作所需的電壓和電流。本發(fā)明可以把工作中產(chǎn)生的電磁干擾信號進行抑制,降低電磁干擾信號對本發(fā)明的影響,極大的提高了本發(fā)明的穩(wěn)定性,使日光燈可以穩(wěn)定的工作,從而延長了曰光燈的工作壽命。同時,本發(fā)明可以對電壓進行限壓,當出現(xiàn)瞬時高電壓時其可以把高電壓壓制在安全的電壓范圍值內,從而保護本發(fā)明使本發(fā)明不被瞬時高電壓損壞。本發(fā)明還可以滿足大功率日光燈的工作需求。
[0032]如上所述,便可以很好的實現(xiàn)本發(fā)明。
【主權項】
1.一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮(zhèn)流器,其特征在于,主要由處理芯片Ul,二極管整流器U,正極與二極管整流器U的正極輸出端相連接、負極則與二極管整流器U的負極輸出端相連接的電容Cl,與電容Cl的正極相連接的浪涌保護電路,與電容Cl的負極相連接的電磁濾波電路,一端與處理芯片U的RT管腳相連接、另一端則與電磁濾波電路相連接的電阻R2,串接在處理芯片Ul的PGND管腳和SGND管腳之間的電阻R4,分別與處理芯片Ul和電磁濾波電路相連接的變壓輸出電路,N極與處理芯片Ul的VB管腳相連接、P極經(jīng)電阻R3后與處理芯片Ul的VCC管腳相連接的二極管D3;以及與電磁濾波電路相連接的功率放大電路組成;所述處理芯片U的VCC管腳和HV管腳均與浪涌保護電路相連接、其VB管腳和VS管腳均與變壓輸出電路相連接、其CT管腳和SGND管腳均與電磁濾波電路相連接。2.根據(jù)權利要求1所述的一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮(zhèn)流器,其特征在于,所述功率放大電路由三極管VT6,放大器Pl,放大器P2,三極管VT7,一端與三極管VT6的基極相連接、另一端作為該功率放大電路的輸入端的電阻Rl4,串接在三極管VT6的集電極和放大器PI的正極之間的電阻Rl 5,串接在放大器Pl的正極和輸出端之間的電阻R16,正極與三極管VT6的發(fā)射極相連接、負極與放大器P2的正極相連接的電容C9,P極與三極管VT6的發(fā)射極相連接、N極與放大器P2的負極相連接的二極管D6,正極與放大器P2的負極相連接、負極經(jīng)電阻R18后與放大器Pl的輸出端相連接的電容C10,串接在放大器P2的輸出端和三極管VT7的發(fā)射極之間的電阻R17,P極與放大器P2的正極相連接、N極與三極管VT7的基極相連接的二極管D7,正極與放大器Pl的輸出端相連接、負極與三極管VT7的集電極相連接的電容Cl I,以及P極與三極管VT7的集電極相連接、N極作為該功率放大電路的輸出端的二極管D8組成;所述放大器P2的負極和放大器Pl的負極均接地;所述功率放大電路的輸入端與電容Cl的負極相連接。3.根據(jù)權利要求2所述的一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮(zhèn)流器,其特征在于,所述浪涌保護電路由三極管VT4,三極管VT5,場效應管MOSl,場效應管M0S2,一端與場效應管MOSl的漏極相連接、另一端作為該浪涌保護電路的輸入端的電阻R9,串接在場效應管MOSl的源極和柵極之間的電阻R10,正極與場效應管MOSl的源極相連接、負極經(jīng)電阻R12后與場效應管M0S2的柵極相連接的電容C8,N極與場效應管M0S2的漏極相連接、P極經(jīng)電阻R13后接地的二極管D5,串接在三極管VT4的基極和三極管VT5的基極之間的電阻R11,以及P極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、N極則與三極管VT5的基極相連接的二極管D4組成;所述三極管VT4的基極接地、其集電極則與場效應管MOSI的柵極相連接;所述三極管VT5的集電極與場效應管MOSl的柵極相連接、其發(fā)射極則與二極管D5的P極相連接;所述場效應管M0S2的源極與場效應管MOSl的源極相連接、其柵極則與三極管VT5的集電極相連接、其漏極作為該浪涌保護電路的輸出端;所述浪涌保護電路的輸入端與電容Cl的正極相連接、其輸出端則與處理芯片Ul的VCC管腳相連接。4.根據(jù)權利要求3所述的一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮(zhèn)流器,其特征在于,所述電磁濾波電路由場效應管M0S,三極管VTl,串接在場效應管MOS的漏極和柵極之間的電阻Rl,P極與場效應管MOS的漏極相連接、N極則與三極管VTI的發(fā)射極相連接的二極管Dl,正極與場效應管MOS的源極相連接、負極則與三極管VTl的基極相連接的電容C2,負極與三極管VTl的集電極相連接、正極則與變壓輸出電路相連接的電容C3,P極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、N極則與處理芯片Ul的CT管腳相連接的二極管D2,以及正極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、負極則與處理芯片Ul的SGND管腳相連接的同時接地的電容C4組成;所述電容Cl的負極與場效應管MOS的柵極相連接;所述場效應管MOS的柵極還經(jīng)電阻R2后與處理芯片Ul的RT管腳相連接。5.根據(jù)權利要求4所述的一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮(zhèn)流器,其特征在于,所述變壓輸出電路由變壓器T,三極管VT2,三極管VT3,串接在三極管VT2的集電極和處理芯片Ul的VB管腳之間的電阻R5,正極與三極管VT2的集電極相連接、負極經(jīng)電阻R6后與三極管VT3的基極相連接的電容C5,正極與三極管VT2的發(fā)射極相連接、負極經(jīng)電阻R8后與三極管VT3的發(fā)射極相連接的電容C6,正極與變壓器T的原邊電感線圈的同名端、負極則與變壓器T的原邊電感線圈的非同名端相連接的同時接地的電容C7,以及串接在電容C3的正極和變壓器T的原邊電感線圈的同名端之間的電阻R7組成;所述三極管VT2的基極與處理芯片Ul的VS管腳相連接、其發(fā)射極接地;所述三極管VT3的集電極與變壓器T的副邊電感線圈的非同名端相連接。6.根據(jù)權利要求5所述的一種基于浪涌保護電路的大功率低噪音電子鎮(zhèn)流器,其特征在于,所述處理芯片Ul為GR6953集成芯片。
【文檔編號】H05B41/285GK105934060SQ201610412216
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年6月12日
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請人】成都卡諾源科技有限公司