體聲波諧振器及包括該體聲波諧振器的濾波器的制造方法
【專利摘要】在示例中，提供了一種體聲波諧振器及包括該體聲波諧振器的濾波器，所述體聲波諧振器包括：基板；第一電極和第二電極，形成在基板上；壓電層，形成在第一電極與第二電極之間，其中，第一電極和第二電極中的至少一個(gè)由包括鉬元素的合金形成。另外，這樣的體聲波諧振器可包括形成在基板與第一電極之間的氣腔。
【專利說明】
體聲波諧振器及包括該體聲波諧振器的濾波器
[0001] 本申請要求分別于2015年4月10日和2015年6月16日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第 10-2015-0051128號和第10-2015-0085236號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，所述韓國專利 申請的全部公開內(nèi)容出于所有目的通過引用被包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 下面的描述設(shè)及一種體聲波諧振器。下面的描述還設(shè)及一種包括該體聲波諧振器 的濾波器。
【背景技術(shù)】
[0003] 隨著移動(dòng)通信裝置的快速發(fā)展，對于緊湊型和輕型濾波器、振蕩器、諧振元件、聲 波諧振質(zhì)量傳感器W及用于促進(jìn)移動(dòng)通信的其它相似電子組件的需求也隨之增加。
[0004] 通常，薄膜體聲波諧振器(FBAR)已被用作實(shí)現(xiàn)緊湊型和輕型濾波器、振蕩器、諧振 元件、聲波諧振質(zhì)量傳感器和其它相似組件的一種裝置。運(yùn)樣的FBAR的優(yōu)勢在于其的批量 生產(chǎn)的成本極小，并可實(shí)現(xiàn)超小型化。此外，運(yùn)樣的FBAR的優(yōu)勢還在于其可實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)因數(shù) Q值(濾波器的主要性質(zhì)）。運(yùn)樣的FBAR還可在與個(gè)人通信系統(tǒng)(PCS)和數(shù)字無線系統(tǒng)(DCS) 的頻帶相等的頻帶運(yùn)行。
[0005] 通常，F(xiàn)BAR具有包括諧振部的結(jié)構(gòu)，該諧振部通過在基板上順序地層疊第一電極、 壓電層和第二電極而形成。
[0006] 下面將對運(yùn)樣的FBAR的運(yùn)行原理進(jìn)行描述。首先，當(dāng)向第一電極和第二電極施加 電能W在壓電層中誘發(fā)電場時(shí)，電場會在壓電層中引起壓電現(xiàn)象。運(yùn)樣的壓電現(xiàn)象使諧振 部沿著預(yù)定的方向振動(dòng)。因此，在與諧振部的振動(dòng)方向相同的方向上產(chǎn)生體聲波，從而引起 諧振現(xiàn)象的產(chǎn)生。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 提供該
【發(fā)明內(nèi)容】
W按照簡化形式來介紹選擇的發(fā)明構(gòu)思，W下在【具體實(shí)施方式】中 進(jìn)一步描述該發(fā)明構(gòu)思。本
【發(fā)明內(nèi)容】
并不意在限定所要求保護(hù)的主題的主要特征或必要特 征，也不意在用于幫助確定所要求保護(hù)的主題的范圍。
[000引本示例的一方面提供一種能夠通過防止電極的氧化而確?？煽啃缘捏w聲波諧振 器。
[0009] 根據(jù)示例的體聲波諧振器的多個(gè)電極中的至少一個(gè)電極由包括鋼元素的合金形 成。
[0010] 在一個(gè)總的方面，一種體聲波諧振器包括:基板;第一電極和第二電極，形成在基 板上;壓電層，形成在第一電極與第二電極之間，其中，第一電極和第二電極中的至少一個(gè) 由包括鋼(Mo)的合金形成。
[00川所述合金可W是通過向鋼(Mo)中添加粗(Ta)而制造的鋼(Mo)-粗(Ta)合金。
[0012] 粗(Ta)在所述合金中的含量為0. latm%至50atm%。
[0013] 粗(Ta)在所述合金中的含量為0. latm%至30atm%。
[0014] 所述體聲波諧振器還可包括形成在基板與第一電極之間的氣腔，其中，用于形成 氣腔的犧牲氣腔層圖案使用氣化氣進(jìn)行蝕刻。
[0015] 犧牲氣腔層圖案可在第一電極和第二電極中的至少一個(gè)形成之后被蝕刻。
[0016] 在另一個(gè)總的方面，一種濾波器包括:多個(gè)體聲波諧振器，其中，所述多個(gè)體聲波 諧振器中的每個(gè)包括:基板;第一電極和第二電極，形成在基板上;壓電層，形成在第一電極 與第二電極之間，其中，第一電極和第二電極中的至少一個(gè)由包括鋼的合金形成。
[0017] 所述合金可W是通過向鋼(Mo)中添加粗(Ta)而制造的鋼(Mo)-粗(Ta)合金。
[0018] 粗(Ta)在所述合金中的含量為0. latm%至50atm%。
[0019] 粗(Ta)在所述合金中的含量為0. latm%至30atm%。
[0020] 所述多個(gè)體聲波諧振器中的每個(gè)還可包括形成在基板與第一電極之間的氣腔，其 中，使用氣化氣對用于形成氣腔的犧牲氣腔層圖案進(jìn)行蝕刻。
[0021] 犧牲氣腔層圖案可在第一電極和第二電極中的至少一個(gè)形成之后被蝕刻。
[0022] 所述多個(gè)體聲波諧振器可形成為梯型或橋型。
[0023] 在另一個(gè)總的方面，一種體聲波諧振器包括：第一電極和第二電極，形成在基板 上;壓電層，形成在第一電極與第二電極之間;氣腔，形成在基板與第一電極之間。
[0024] 用于形成氣腔的犧牲氣腔層圖案可使用氣化氣進(jìn)行蝕刻。
[0025] 第一電極和第二電極中的至少一個(gè)可由包括鋼的合金形成。
[0026] 所述合金可W為通過向鋼(Mo)中添加粗(Ta)而制造的鋼(Mo)-粗(Ta)合金。
[0027] 通過下面的【具體實(shí)施方式】、附圖及權(quán)利要求，其它特征和方面將變得清楚。
【附圖說明】
[0028] 通過W下結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本公開的W上和其它方面、特征和其它優(yōu)勢 將變得更加容易理解，在附圖中：
[0029] 圖1是根據(jù)示例的體聲波諧振器的剖視圖。
[0030] 圖2是根據(jù)電極材料的電位-抑圖。
[0031 ]圖3示出了每種類型的鋼(Mo)合金的相圖。
[0032] 圖4示出了每種類型的鋼(Mo)合金的拉曼位移。
[0033] 圖5示出了根據(jù)示例的鋼(Mo)合金的薄層電阻(sheet resis化nee)的變化。
[0034] 圖6A和圖6B是示出根據(jù)示例的在鋼(Mo)合金相處的壓電層的晶體取向的示圖。
[0035] 圖7和圖8是根據(jù)示例的濾波器的示意性電路圖。
[0036] 在整個(gè)附圖和【具體實(shí)施方式】中，相同的標(biāo)號指示相同的元件。為了清晰、說明和方 便，附圖可不按比例繪制，并且可放大附圖中元件的相對尺寸、比例和描繪。
【具體實(shí)施方式】
[0037] 提供W下詳細(xì)描述，W幫助讀者獲得對運(yùn)里所描述的方法、設(shè)備和/或系統(tǒng)的全面 理解。然而，運(yùn)里所描述的方法、設(shè)備和/或系統(tǒng)的各種變化、修改及其等同物對于本領(lǐng)域普 通技術(shù)人員將是顯而易見的。在此描述的操作的順序僅為示例，操作的順序不限于在此所 闡述的，除了必須W特定順序出現(xiàn)的操作之外，可W如本領(lǐng)域所知的那樣進(jìn)行改變。此外， 為了更加清楚和簡潔，可省去對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的功能和結(jié)構(gòu)的描述。
[0038] 運(yùn)里描述的特征可按照不同的形式實(shí)施，并且將不被解釋為局限于運(yùn)里所描述的 示例。更確切地說，已經(jīng)提供運(yùn)里所描述的示例，使得本公開是徹底的和完整的，且將把本 公開的全部范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員。
[0039] 在下文中，參照附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述示例。
[0040] 詞語"atm%"用于表示元素在金屬合金中所占的百分比，因此如果某一金屬被稱 為具有"X atm%"的含量，其中X表示數(shù)字，則所述金屬的原子為合金中的原子的X%。
[0041 ]圖1是示出根據(jù)示例的體聲波諧振器的剖視圖。
[0042] 參照圖1的示例，根據(jù)示例的體聲波諧振器100是薄膜體聲波諧振器(FBAR)，并且 包括基板110、絕緣層120、氣腔112和諧振部135。
[0043] 在圖1的示例中，基板110由典型的娃基板形成，用于使諧振部135與基板110電絕 緣的絕緣層120形成在基板110的上表面上。例如，絕緣層120通過利用化學(xué)氣相沉積方法、 RF磁控瓣射方法或蒸發(fā)法在基板110上沉積二氧化娃(Si〇2)或者氧化侶(Ab化）而形成。然 而，運(yùn)些僅是示例，在其它示例中使用其它合適的沉積方法W沉積絕緣層。
[0044] 在運(yùn)樣的示例中，氣腔112設(shè)置在絕緣層120之上。氣腔112設(shè)置在諧振部135的下 方，W使諧振部135沿預(yù)定方向振動(dòng)。在示例中，氣腔112通過W下工藝形成:首先在絕緣層 120上形成氣腔犧牲層圖案;接下來，在運(yùn)樣的工藝之后，在氣腔犧牲層圖案上形成膜130; 然后蝕刻氣腔犧牲層圖案并將其去除。
[0045] 在運(yùn)樣的示例中，蝕刻停止層125還形成在絕緣層120與氣腔112之間。在該示例 中，蝕刻停止層125用于保護(hù)基板110和絕緣層120免受蝕刻工藝影響，也可用作在蝕刻停止 層125上沉積其它各種層所需的基底。
[0046] 因此，氣腔112通過在絕緣層120上形成氣腔犧牲層圖案，然后在氣腔犧牲層圖案 上布置膜130,最后蝕刻氣腔犧牲層圖案并將其移除而制成。例如，膜130用作氧化保護(hù)層或 者用作保護(hù)基板110的保護(hù)層。
[0047] 在該示例中，諧振部135包括按順序?qū)盈B地設(shè)置在氣腔112上方的第一電極140、壓 電層150和第二電極160。
[004引第一電極140形成在膜130的上表面上，并覆蓋膜130的一部分。壓電層150形成在 膜130和第一電極140的上表面上，并覆蓋膜130的一部分和第一電極140的一部分。壓電層 150是通過將電能轉(zhuǎn)化為聲波形式的機(jī)械能來產(chǎn)生壓電效應(yīng)的部件。例如，壓電層150由氮 化侶(A1N)、氧化鋒(ZnO)、鉛錯(cuò)鐵氧化物(PZT，PbZdiO)或具有合適的壓電特性的另外相似 的材料形成。此外，第二電極160形成在壓電層150上。
[0049] 此外，在運(yùn)樣的示例中，諧振部135被分為具有有源區(qū)和無源區(qū)。諧振部135的有源 區(qū)是指運(yùn)樣的區(qū)域：當(dāng)將電能施加到第一電極140和第二電極160W在壓電層150中引起電 場時(shí)，該區(qū)域通過壓電現(xiàn)象沿預(yù)定方向振動(dòng)W產(chǎn)生諧振。例如，有源區(qū)與氣腔112上方的第 一電極140、壓電層150和第二電極160彼此疊置的區(qū)域相對應(yīng)。諧振部135的非有源區(qū)是即 使電能被施加到第一電極140和第二電極160,也不會通過壓電現(xiàn)象發(fā)生諧振的區(qū)域。例如， 非有源區(qū)對應(yīng)于有源區(qū)的外部的區(qū)域。
[0050] 如上所述的，具有上述配置的諧振部135利用壓電層150的壓電效應(yīng)過濾掉特定頻 率RF信號。
[0051] 因此，諧振部135基于施加到第一電極140和第二電極160的RF信號使壓電層150諧 振，W產(chǎn)生具有特定諧振頻率和反諧振頻率的聲波。因此，當(dāng)施加的RF信號的波長的一半與 壓電層150的厚度相對應(yīng)時(shí)，在壓電層150中出現(xiàn)諧振現(xiàn)象。由于當(dāng)出現(xiàn)諧振現(xiàn)象時(shí)電阻抗 急劇變化，因此根據(jù)示例的體聲波諧振器用作能夠選擇頻率的濾波器。更具體地講，諧振部 135具有根據(jù)壓電層150中產(chǎn)生的振動(dòng)的恒定諧振頻率。因此，在施加的RF信號中，諧振部 135僅輸出與諧振部135的諧振頻率相匹配的信號。
[0052] 例如，保護(hù)層170設(shè)置在諧振部135的第二電極160上，防止第二電極160暴露在外 面而被氧化。另外，用于施加電信號的電極焊盤180形成在暴露于外部的第一電極140和第 二電極160上。
[0053] 圖2是根據(jù)電極材料的電位-pH圖。電位-抑圖標(biāo)出水溶液電化學(xué)系統(tǒng)中可能穩(wěn)定 的平衡相。
[0054] 通常，第一電極140和第二電極160由諸如金（Au)、鐵（Ti)、粗（Ta)、鋼（Mo)、釘 (Ru)、銷(Pt)、鶴(W)、侶(A1)或儀(Ni)的材料形成。然而，運(yùn)些僅是示例，在其它示例中使用 其它合適的材料。具體地講，為了提高壓電層150的期望的晶體取向，鋼(Mo)可被用作第一 電極140和第二電極160的材料。
[0055] 然而，參照圖2的示例，鋼(Mo)材料具有如下潛在的問題:抑為4至7時(shí)，其趨向于溶 解，在其它抑區(qū)域，其趨向于被氧化。為了解決上述問題，鋼(Mo)被密閉地密封W進(jìn)行純化 處理。運(yùn)里，進(jìn)行純化處理是指使用密封劑保護(hù)鋼W免受外部環(huán)境因素的影響。
[0056] 然而，即使在對鋼(Mo)進(jìn)行如上所述的純化處理的情況下，當(dāng)鋼(Mo)在濕氣處理 工藝過程中被暴露于濕氣時(shí)，將理解的是，鋼(Mo)也會被氧化。由于被氧化的鋼(Mo)還具有 高的溶解度，因此運(yùn)樣的氧化會導(dǎo)致可靠性問題。具體地講，為了將第一電極140連接到外 部電路，當(dāng)圖1的第一電極140的特定區(qū)域通過溝槽而敞開，然后連接到電極焊盤180時(shí)，引 起連接缺陷和接觸缺陷。
[0057] 為了解決上述問題，在電極140和160由除了鋼(Mo)之外的金屬形成的示例中，在 沉積壓電層150時(shí)，可能出現(xiàn)包含高的比電阻和取向性降低的問題。
[0058] 因此，根據(jù)示例的電極由鋼(Mo)合金形成。
[0059] 圖3示出了每種類型的鋼(Mo)合金的相圖。
[0060] 參照圖3,當(dāng)液相的溫度降低時(shí)，鋼（Mo)-粗（Ta)合金、鋼（Mo)-鶴（W)合金和鋼 (Mo)-妮(Nb)合金對應(yīng)于W單一相形成的均質(zhì)固溶體。例如，運(yùn)樣的合金具有相同的原子結(jié) 構(gòu)，諸如，體屯、立方(BCC)結(jié)構(gòu)。因此，改善了沉積在鋼(Mo)相中的壓電薄膜的取向特性。 [0061 ] 圖4示出了每種類型的鋼(Mo)合金的拉曼位移(Raman shift)。具體地講，圖4示出 了鋼(Mo)合金的樣品在執(zhí)行了 8585可靠性測試之后的拉曼位移的結(jié)果，其中，8585測試是 指在85°C的溫度下和在85%的濕度下進(jìn)行的測試。
[0062] 可W看出，在沉積了純鋼(Mo)之后沒有立即檢測出Mo化、Mo化等，但在執(zhí)行8585可 靠性測試之后檢測到大量的Mo化、Mo化。
[0063] 另外，能夠觀察到，甚至在鋼(Mo)-鶴(W)合金、鋼(Mo)-鐵(Ti)合金、鋼(Mo)-儀 (Ni)合金和鋼(Mo)-銘(Cr)合金的示例中，鋼(Mo)被氧化。然而，能夠觀察到，在鋼(Mo)-妮 (Nb)合金的示例中，與W上描述的各種合金相比，形成了更少的氧化物，但與鋼(Mo)-粗 (Ta)合金相比，形成了更多的氧化物。
[0064] 能夠觀察到，在通過向鋼(Mo)元素中添加粗(Ta)元素而制造的鋼(Mo)-粗(Ta)合 金的示例中，形成的氧化物顯著減少。
[0065] 因此，根據(jù)示例，第一電極140和第二電極160中的至少一種由鋼(Mo)-粗(Ta)合金 形成。結(jié)果，解決了當(dāng)使用純鋼(Mo)合金時(shí)可能引起的氧化問題，相應(yīng)地提高了環(huán)境可靠 性。
[0066] 在運(yùn)樣的示例中，使用鋼(Mo)-粗（Ta)合金，其中，粗（Ta)的含量為0. latm%至 50atm%。在粗(Ta)的含量為0. latm%至50atm%的運(yùn)樣的示例中，鋼(Mo)提供了低比電阻 特性。
[0067] 此外，在鋼(Mo)-粗(Ta)合金中，粗(Ta)的含量可W為0. latm%至30atm%。在粗 (Ta)的含量為0. latm%至30atm%的運(yùn)樣的示例中，蝕刻工藝容易地執(zhí)行。此外，當(dāng)壓電層 150位于鋼(Mo)-粗(Ta)合金上時(shí)，實(shí)現(xiàn)了壓電效應(yīng)的高取向性。
[0068] 圖5示出了根據(jù)示例的鋼(Mo)合金的薄層電阻的改變。具體地講，圖5示出了在對 鋼(Mo)合金的試樣執(zhí)行8585可靠性測試之后薄層電阻的改變的結(jié)果，其中，運(yùn)樣的測試是 指在85°C的溫度下和在85%的濕度下進(jìn)行的測試。
[0069] 能夠觀察到，純鋼(Mo)的薄層電阻在沉積后的兩天之后急劇增大，且超出了測量 范圍。然而，即使在Ξ天之后，鋼(Mo)-粗(Ta)合金的薄層電阻的改變率（％)仍低于50%。此 夕h即使在高溫和高濕度環(huán)境下，所述合金的薄層電阻的改變也不明顯。
[0070] 提供下面的表示出根據(jù)示例的鋼(Mo)合金的蝕刻特性。
[0071] 如上所述，氣腔112通過對犧牲氣腔層圖案進(jìn)行蝕刻來形成。使用氣化氣(XeF2)來 執(zhí)行對犧牲氣腔層圖案的蝕刻工藝。在運(yùn)樣的示例中，在形成電極之后執(zhí)行蝕刻工藝。在電 極通過蝕刻工藝被不必要的蝕刻或腐蝕的示例中，可能出現(xiàn)不能確保體聲波諧振器的可靠 的諧振性能的問題。
[0072] 根據(jù)示例，電極由鋼(Mo)-粗(Ta)合金形成，W確保蝕刻材料的優(yōu)異的特性(如上 所述）。
[0073] 表1是示出純鋼(Mo)和鋼(Mo)-粗(Ta)合金相對于氣化氣(XeF2)的蝕刻特性的表。 為了執(zhí)行表1的測試，在沉積純鋼(Mo)和鋼(Mo)-粗(Ta)合金之后，去除沉積層的一部分，所 述一部分呈直徑為30μπι的圓形區(qū)域的形狀，利用氣化氣(XeF2)對圓形區(qū)域的內(nèi)部進(jìn)行蝕 刻。
[0074] 表 1
[0075]
[0076] 由表1可知，純鋼（Mo)的尺寸從30μηι增大至68.9化m，從而蝕刻掉38.9化m，而鋼 (Mo)-粗（Ta)合金的尺寸從30μπι增大至51.1化m，從而蝕刻掉21.1化m。因此，蝕刻掉的鋼 (Mo)-粗(Ta)合金比蝕刻掉的鋼(Mo)少了大約50%，并且能夠觀察到，當(dāng)考慮到沉積的厚度 時(shí)，蝕刻掉的鋼(Mo)-粗(Ta)合金比蝕刻掉的鋼(Mo)少了大約25%。
[0077] 也就是說，即使鋼(Mo)-粗(Ta)合金在犧牲氣腔層圖案的蝕刻環(huán)境下不可避免地 暴露于外部的示例中，由于針對氣化氣(XeF2)的優(yōu)異的特性而確保了可靠性。
[0078] 圖6A和圖6B是示出根據(jù)示例的在鋼(Mo)合金相處的壓電層的晶體取向的示圖。在 該示例中，使用氮化侶(A1N)作為壓電層的材料。然而，可W使用合適的可選的材料。
[0079] 參照圖6A的示例，能夠觀察到，氮化侶(A1N)在鋼(Mo)-粗(Ta)合金和純鋼(Mo)上 沿向前方向或(002)方向生長。然而，參照圖6B，能夠觀察到，在鋼(Mo)-粗(Ta)合金的情況 下氮化侶(A1N)呈現(xiàn)的半峰寬的值比在純鋼(Mo)的情況下氮化侶(A1N)呈現(xiàn)的半峰寬小。
[0080] 圖7和圖8是根據(jù)示例的濾波器的示意性電路圖。
[0081] 圖7和圖8的濾波器中應(yīng)用的多個(gè)體聲波諧振器中的每個(gè)對應(yīng)于圖1中示出的體聲 波諧振器。
[0082] 參照圖7,根據(jù)示例的濾波器1000使用梯型濾波器結(jié)構(gòu)來形成。具體地講，濾波器 1000包括多個(gè)體聲波諧振器1100和1200。
[0083] 第一體聲波諧振器1100串聯(lián)連接于信號輸入端(輸入信號RFin輸入到信號輸入 端)和信號輸出端(輸出信號RFout從信號輸出端輸出）之間。此外，第二體聲波諧振器1200 連接在信號輸出端和地之間。
[0084] 參照圖8,根據(jù)示例的濾波器2000W橋型濾波器結(jié)構(gòu)形成。具體地講，濾波器2000 包括多個(gè)體聲波諧振器2100、2200、2300和2400，W對平衡輸入信號RFin+和RFin-進(jìn)行濾波 并輸出平衡輸出信號RFout+和RFout-。
[0085] 如上所述，根據(jù)示例，體聲波諧振器可通過防止電極的氧化確?？煽啃浴?br>[0086] 另外，對于制造體聲波諧振器的工藝中使用的蝕刻材料，確保了優(yōu)異的特性。
[0087] 除非另外指出，否則第一層"在"第二層或基板"上"的表述被解釋為包括兩種情 況:第一層直接接觸第二層或基底的情況;一個(gè)或更多個(gè)其它層設(shè)置在第一層與第二層或 第一層與基底之間的情況。
[008引可使用描述空間相對關(guān)系的術(shù)語(諸如，"在……下面V堆……之下"、"下面的"、 "下方"、"底部"、"在……之上"、"在……上方"、"上面的"、"頂部"、"左"和"右"），W易于描 述一個(gè)裝置或元件與其它裝置或元件的空間關(guān)系。運(yùn)樣的術(shù)語將被解釋為包含如附圖中示 出的方位W及裝置在使用或操作中的其它方位。例如，裝置基于附圖中示出的裝置的方位 包括設(shè)置在第一層上的第二層上的示例也包含當(dāng)裝置在使用或操作過程中被翻轉(zhuǎn)的裝置。 [0089]盡管本公開包含特定的示例，但是對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將清楚的是，在沒有 脫離權(quán)利要求和它們的等同物的精神和范圍的情況下，可W在形式上和細(xì)節(jié)上對運(yùn)些示例 做各種變化。運(yùn)里所描述的示例將僅W描述性含義而被考慮，而不出于限制的目的。在每個(gè) 示例中的特征或方面的描述將被認(rèn)為是可適用于其它示例中的相似特征或方面。如果W不 同的順序執(zhí)行描述的技術(shù)，和/或如果W不同的方式組合描述的系統(tǒng)、構(gòu)造、裝置或者電路 中的組件和/或用其它組件或者它們的等同物來替換或者補(bǔ)充描述的系統(tǒng)、構(gòu)造、裝置或者 電路中的組件，則可W獲得適當(dāng)?shù)慕Y(jié)果。因此，本公開的范圍不是由【具體實(shí)施方式】限定的， 而是由權(quán)利要求和它們的等同物限定，并且在權(quán)利要求和它們的等同物的范圍內(nèi)的所有變 型將被解釋為包含于本公開中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種體聲波諧振器，包括： 基板； 第一電極和第二電極，形成在基板上； 壓電層，形成在第一電極與第二電極之間， 其中，第一電極和第二電極中的至少一個(gè)由包括鉬的合金形成。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述合金為通過向鉬中添加鉭而制造的 鉬-鉭合金。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的體聲波諧振器，其中，鉭在所述合金中的含量為O.latm%至 50atm% 〇4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的體聲波諧振器，其中，鉭在所述合金中的含量為O.latm%至 30atm% 〇5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，所述體聲波諧振器還包括形成在基板與第一 電極之間的氣腔， 其中，用于形成氣腔的犧牲氣腔層圖案使用氟化氙進(jìn)行蝕刻。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的體聲波諧振器，其中，犧牲氣腔層圖案在第一電極和第二電極 中的至少一個(gè)形成之后被蝕刻。7. -種濾波器，包括： 多個(gè)體聲波諧振器， 其中，所述多個(gè)體聲波諧振器中的每個(gè)包括： 基板； 第一電極和第二電極，形成在基板上； 壓電層，形成在第一電極與第二電極之間， 其中，第一電極和第二電極中的至少一個(gè)由包括鉬的合金形成。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的濾波器，所述合金為通過向鉬中添加鉭而制造的鉬-鉭合金。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的濾波器，其中，鉭在所述合金中的含量為0. latm%至50atm%。10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的濾波器，其中，鉭在所述合金中的含量為O.latm%至 30atm% 〇11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的濾波器，其中，所述多個(gè)體聲波諧振器中的每個(gè)還包括形成 在基板與第一電極之間的氣腔， 其中，用于形成氣腔的犧牲氣腔層圖案使用氟化氙進(jìn)行蝕刻。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的濾波器，其中，犧牲氣腔層圖案在第一電極和第二電極中的 至少一個(gè)形成之后被蝕刻。13. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的濾波器，其中，所述多個(gè)體聲波諧振器形成為梯型或橋型。14. 一種體聲波諧振器，包括： 第一電極和第二電極，形成在基板上； 壓電層，形成在第一電極與第二電極之間； 氣腔，形成在基板與第一電極之間。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的體聲波諧振器，其中，用于形成氣腔的犧牲氣腔層圖案使用 氟化氙進(jìn)行蝕刻。16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的體聲波諧振器，其中，第一電極和第二電極中的至少一個(gè)由 包括鉬的合金形成。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的體聲波諧振器，其中，所述合金為通過向鉬中添加鉭而制造 的鉬-鉭合金。
【文檔編號】H03H9/17GK106059525SQ201610096449
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年2月22日 公開號201610096449.1, CN 106059525 A, CN 106059525A, CN 201610096449, CN-A-106059525, CN106059525 A, CN106059525A, CN201610096449, CN201610096449.1
【發(fā)明人】李泰京, 韓成, 申蘭姬, 李華善, 辛承柱
【申請人】三星電機(jī)株式會社