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      電路板的真空預潤方法與裝置的制造方法

      文檔序號:10692078閱讀:331來源:國知局
      電路板的真空預潤方法與裝置的制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明的實施例公開一電路板的真空預潤方法,包含:將一待預潤的電路板置入一真空裝置內;開始將該真空裝置進行抽真空;當該真空裝置內的氣壓小于一氣壓門檻值,注入去離子水(de-ionized water,DIW);待注入的去離子水完全覆蓋該電路板時,停止注入去離子水,并靜置一預設時間;當達到該預設時間時,解除真空,讓該去離子水流出,并取出該電路板。
      【專利說明】
      電路板的真空預潤方法與裝置
      技術領域
      [0001 ]本發(fā)明涉及一種電路板的真空預潤方法與裝置。
      【背景技術】
      [0002]隨著電子產品功能增加的需求與行動科技的發(fā)展,印刷電路板(printedcircuitboard,或簡稱電路板)與相關半導體電路的微小化是近年來許多從事開發(fā)的技術人員的研究重點;無可避免地,電路板的微小化也面臨了許多工藝上的困難。例如,在電路板工藝中常用到的鍍銅(copper plating)步驟。現行通用技術是將煉路板浸在鍍銅電解液(copperplating solut1n)中,再通過電解(electrolysis)方式,將電解銅(electrolyticcopper)填入電路板上的微通孔(micro via)、電鍍通孔(plated through hole,PTH)、高寬高比(aspect rat1,AR)銅柱(copper pillar)或均勾且平整地涵蓋特定表面區(qū)域。上述技術是現行高密度互連(high density interconnect1n,HDI)電路板工藝的重要技術,其中,如何將電解銅完全填滿微通孔而不留氣洞(void)是關鍵性課題,不只是提高電路板的品質,同時也降低費用與工藝良率。
      [0003]為解決上述的問題,現有的技術在鍍銅液中加入添加物(additive),例如濕劑(wetter),或采用一預潤(pre-wet)步驟,以提升電解銅附著于電路板的效果。然而其成效有限,在實際工藝中,電解銅的完全填充與平整覆蓋的達成,仍是目前的一大挑戰(zhàn)。

      【發(fā)明內容】

      [0004]本發(fā)明的實施例公開一電路板的真空預潤方法,適用于一電路板工藝的預潤步驟;該方法包含:將一待預潤的電路板置入一真空裝置內;開始將該真空裝置進行抽真空;當該真空裝置內的氣壓小于一氣壓門濫值,注入去離子水(de-1onized water,DIW);待注入的去離子水完全覆蓋該電路板時,停止注入去離子水,并靜置一預設時間;當達到該預設時間時,解除真空,讓該去離子水流出,并取出該電路板。
      [0005]本發(fā)明的另一實施例公開一電路板的真空預潤裝置,包含:一真空箱,該真空箱由上方進行抽真空,該真空箱具有一上蓋,以供將一電路板置入該真空箱內;一抽氣孔,位于該真空箱的上方,可連接至一外部的抽真空設備;一進氣孔,位于該真空箱的上方;一注水孔,位于該真空箱的下方,可連接至一外部的注水設備;以及一出水孔,位于該真空箱的底部;其中,該進氣孔可連接至一外部的進氣設備,且該出水孔可至一外部的排水設備。
      [0006]本發(fā)明至少具有如下技術效果:本發(fā)明的實施例公開一種電路板的真空預潤方法與裝置。通過抽取真空的方式,使得電路板的微通孔等內部呈現真空狀態(tài),讓注入的去離子水更加容易接觸到微通孔的內部表面,以利在后續(xù)的工藝中讓電解銅能充分附著。
      【附圖說明】
      [0007]圖1所示為本發(fā)明實施例的電路板的真空預潤方法的流程圖。
      [0008]圖2所示為本發(fā)明實施例的電路板的真空預潤裝置的示意圖。
      [0009]【符號說明】
      [0010]HO將一待預潤的電路板置入一真空裝置內
      [0011]120開始將該真空裝置進行抽真空
      [0012]130當該真空裝置內的氣壓小于一氣壓門檻值,注入去離子水
      [0013]140待注入的去離子水完全覆蓋該電路板時,停止注入去離子水,并靜置一預設時間
      [0014]150當達到該預設時間時,解除真空,讓該去離子水流出,并取出該電路板
      [0015]201真空箱
      [0016]202抽氣孔
      [0017]203進氣孔
      [0018]204注水孔
      [0019]205出水孔
      [0020]206 上蓋
      【具體實施方式】
      [0021]以下,參考伴隨的附圖,詳細說明依據本發(fā)明的實施例,以使本領域者易于了解。所述的創(chuàng)作可以采用多種變化的實施方式,當不能只限定于這些實施例。本發(fā)明省略已熟知部分(well-known part)的描述,并且相同的參考號于本發(fā)明中代表相同的元件。
      [0022]圖1所示為本發(fā)明實施例的電路板的真空預潤方法的流程圖。真空預潤方法適用于一電路板工藝的預潤步驟,以及配合一真空預潤裝置操作;該方法包含下列步驟:步驟110為將至少一待預潤的電路板置入該真空預潤裝置內;步驟120為開始將該真空潤裝置進行抽真空,在抽真空之前,可先預設一氣壓門檻值;步驟130為當該真空預潤裝置內的氣壓小于該氣壓門濫值,開始注入一去離子水(de-1onized water,DIW);步驟140為待注入的該去離子水完全覆蓋該電路板時,即停止注入該去離子水,并讓至少一該電路板靜置浸泡在該去離子水經過一預設時間;步驟150為當達到該預設時間時,即可解除該真空預潤裝置的真空,讓該去離子水流出,并取出該電路板,至此完成電路板的預潤步驟。
      [0023]值得注意的示,該真空預潤裝置抽真空時由真空箱的上方抽真空;另一方面,該去離子水由真空箱的下方注入該真空預潤裝置,且由該真空箱的底部流出。其中所謂真空箱的上方與真空箱的下方分別指接近或位于真空箱頂面或底面的位置。再者,該氣壓門檻值與該靜置的預設時間長度皆可根據工藝的需要彈性調整。
      [0024]圖2所示為本發(fā)明實施例的電路板的真空預潤裝置的示意圖。如圖2所示,該真空預潤裝置包含:一真空箱201,該真空箱201由上方進行抽真空,該真空箱201具有一上蓋206,以供將一電路板置入該真空箱201內;一抽氣孔202,位于該真空箱201的上方,可連接至一外部的抽真空設備(圖中未示);一進氣孔203,位于該真空箱201的上方;一注水孔204,位于該真空箱201的下方,可連接至一外部的注水設備(圖中未示);以及一出水孔205,位于該真空箱201的底部;其中,該進氣孔203可連接至一外部的進氣設備(圖中未示),且該出水孔205可連接至一外部的排水設備(圖中未示)。值得注意的是,該真空箱201還可包含一水位傳感器,以感應該水位是否完全浸泡置入該真空箱201的電路板。如前所述,其中所謂真空箱的上方指接近或位于真空箱頂面的位置,同理,真空箱的下方是指接近或位于真空箱底面的位置。如此一來,在實際運作中可獲得較佳的成效,但不依此為限。
      [0025]綜上所述,本發(fā)明的實施例公開一種電路板的真空預潤方法與裝置。通過抽取真空的方式,使得電路板的微通孔等內部呈現真空狀態(tài),讓注入的去離子水更加容易接觸到微通孔的內部表面,以利在后續(xù)的工藝中讓電解銅能充分附著。
      [0026]因此,本發(fā)明的一種電路板的真空預潤方法與裝置,確能藉所公開的技藝,達到所預期的目的與功效,符合發(fā)明專利的新穎性,進步性與產業(yè)利用性的要件。
      [0027]但是,以上所公開的圖示及說明,僅為本發(fā)明的較佳實施例而已,非為用以限定本發(fā)明的實施,凡熟悉該項技藝的人士其所依本發(fā)明的精神,所作的變化或修飾,皆應涵蓋在以下本案的權利要求內。
      【主權項】
      1.一種電路板的真空預潤方法,適用于一電路板工藝的預潤步驟,配合一真空預潤裝置操作,該方法包含: 將至少一待預潤的電路板置入該真空預潤裝置內; 開始將該真空預潤裝置進行抽真空; 當該真空預潤裝置內的氣壓小于一氣壓門檻值,注入去離子水; 待注入的去離子水完全覆蓋該電路板時,停止注入去離子水,并靜置一預設時間;以及當達到該預設時間時,解除該真空預潤裝置內的真空,讓該去離子水自該真空預潤裝置內流出,并取出至少一該電路板。2.如權利要求1所述的電路板的真空預潤方法,其中在該開始將該真空預潤裝置進行抽真空前還包含: 預設一氣壓門檻值。3.如權利要求1所述的電路板的真空預潤方法,其中在該開始注入一去離子水步驟前,還包含: 預設一預設時間。4.一種電路板的真空預潤裝置,包含: 一真空箱,該真空箱由上方進行抽真空,該真空箱具有一上蓋,以供將至少一電路板置入該真空箱內; 一抽氣孔,位于該真空箱的上方,可連接至一外部的抽真空設備; 一進氣孔,位于該真空箱的上方; 一注水孔,位于該真空箱的下方,可連接至一外部的注水設備;以及 一出水孔,位于該真空箱的底部。5.如權利要求4所述的電路板的真空預潤裝置,其中該進氣孔可連接至一外部的進氣設備。6.如權利要求4所述的電路板的真空預潤裝置,其中該出水孔可連接至一外部的排水設備。7.如權利要求4所述的電路板的真空預潤裝置,其中該真空箱還可包含一水位傳感器,以感應該水位是否完全浸泡置入該真空箱的至少一電路板。
      【文檔編號】H05K3/38GK106061115SQ201610040331
      【公開日】2016年10月26日
      【申請日】2016年1月20日 公開號201610040331.7, CN 106061115 A, CN 106061115A, CN 201610040331, CN-A-106061115, CN106061115 A, CN106061115A, CN201610040331, CN201610040331.7
      【發(fā)明人】王彥智, 洪俊雄
      【申請人】臺灣先進系統(tǒng)股份有限公司
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