CSl接地，所述驅(qū)動(dòng)芯片的ROVPl腳經(jīng)電阻ROVPl接地，所述驅(qū)動(dòng)芯片的CAP腳經(jīng)電容C3接地，所述驅(qū)動(dòng)芯片的R0VP2經(jīng)電阻R0VP2接地，所述驅(qū)動(dòng)芯片的CS2腳經(jīng)電阻RCS2接地，所述驅(qū)動(dòng)芯片的GND腳接地，所述驅(qū)動(dòng)芯片的MODE腳接地四種循環(huán)狀態(tài)或懸空三種循環(huán)狀態(tài)。在MODE腳接地時(shí)，芯片在SI到S4這四個(gè)狀態(tài)下循環(huán)；如果MODE腳接高電平時(shí)，沒有S4這個(gè)狀態(tài)，芯片只在SI到S3這三個(gè)狀態(tài)下循環(huán)。
[0029]集成電路在生產(chǎn)制作過(guò)程中會(huì)附帶形成寄生PN結(jié)。這些PN結(jié)都是處于反向偏置的狀態(tài)，并不會(huì)影響芯片電路的正常工作。當(dāng)芯片或系統(tǒng)下電后(即不給芯片或系統(tǒng)提供電源時(shí))，芯片內(nèi)各個(gè)節(jié)點(diǎn)的電荷都會(huì)通過(guò)反向PN結(jié)漏電消失掉，對(duì)外表現(xiàn)出來(lái)的現(xiàn)象就是下電后節(jié)點(diǎn)電壓逐漸降低。本實(shí)用新型就是利用反偏PN結(jié)自動(dòng)漏電的這個(gè)特點(diǎn)，設(shè)計(jì)出記憶節(jié)點(diǎn)處的電壓賦值電路，記憶節(jié)點(diǎn)處的電壓比較電路以及編譯碼電路來(lái)判斷芯片或系統(tǒng)的上下電次數(shù)，再結(jié)合雙通道的LED恒流驅(qū)動(dòng)架構(gòu)，即可實(shí)現(xiàn)LED燈具的調(diào)光調(diào)色溫功能。
[0030]圖1中VBG是芯片內(nèi)部的基準(zhǔn)電壓。EA誤差放大器，Pl (M0S管)和電阻分壓模塊共同構(gòu)成參考電壓產(chǎn)生電路，它能產(chǎn)生Vl、V2、V3、V4，VCl, VC2，VC3等不同的電壓值。TG1、TG2、TG3、TG4為四個(gè)傳輸門，它們分別由狀態(tài)信號(hào)S4、S1、S2、S3來(lái)控制傳輸門的開與關(guān)。VCC_0N表示芯片系統(tǒng)上電的信號(hào)，當(dāng)系統(tǒng)上電時(shí)，VCC_0N為“I”電平，傳輸門TGO導(dǎo)通，系統(tǒng)下電時(shí)，VCC_0N為“O”電平，TGO關(guān)閉。VC1、VC2、VC3為三個(gè)判斷比較電壓，用于和記憶節(jié)點(diǎn)處的電壓作比較，比較的結(jié)果記錄在存儲(chǔ)器里，經(jīng)過(guò)譯碼電路的處理后，可以判斷芯片的上電次數(shù)，并輸出相應(yīng)的狀態(tài)信號(hào)S1、S2、S3、S4來(lái)表征芯片的上電次數(shù)。即SI為“ I”電平時(shí)，表示芯片系統(tǒng)是第一次上電，S2為“ I”電平時(shí)，表示芯片系統(tǒng)是第二次上電，依次類推。該模塊的具體工作原理說(shuō)明如下:當(dāng)芯片第一次上電時(shí)，記憶節(jié)點(diǎn)處幾乎沒有電荷儲(chǔ)存，故該處節(jié)點(diǎn)電壓很低，它與VC1、VC2、VC3比較后輸出000信號(hào)，經(jīng)過(guò)譯碼電路處理，使SI信號(hào)翻轉(zhuǎn)為“I”電平(S2、S3、S4仍然保持低電平)。SI變?yōu)椤癐”電平后，使得TG2導(dǎo)通，于是記憶節(jié)點(diǎn)處的電容C3被充電到V2，并在系統(tǒng)工作期間一直維持該電平。當(dāng)芯片下電后，VCC_0N信號(hào)變?yōu)榈碗娖?，將TGO關(guān)閉。芯片系統(tǒng)下電的這段時(shí)間，由于記憶節(jié)點(diǎn)處的反偏PN結(jié)漏電，導(dǎo)致該處電壓V2會(huì)隨時(shí)間逐漸下降。如果在記憶時(shí)間內(nèi)，芯片再次上電，該處的電壓與VC1、VC2、VC3比較后輸出另外一組編碼，經(jīng)過(guò)譯碼電路處理后，使得S2信號(hào)翻轉(zhuǎn)為“I”電平(31、53、54保持低電平)，使得163導(dǎo)通，于是記憶節(jié)點(diǎn)處的電容C3被充電到V3。芯片如此反復(fù)上下電，就可以依次產(chǎn)生S1、S2、S3、S4、SI這樣循環(huán)的狀態(tài)信號(hào)，如圖2所示。在圖2中，UVL0_C0MP信號(hào)為高電平時(shí)表示系統(tǒng)上電，UVL0_C0MP信號(hào)為低電平時(shí)，表示系統(tǒng)下電。系統(tǒng)每上電一次，UVL0-C0MP變?yōu)楦唠娖?，S1、S2、S3、S4這四個(gè)狀態(tài)信號(hào)就有一個(gè)變?yōu)楦唠娖?。將這4個(gè)狀態(tài)信號(hào)應(yīng)用在雙通道的LED恒流驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)上，便可以實(shí)現(xiàn)LED燈具調(diào)光調(diào)色溫的效果。由于芯片內(nèi)部記憶節(jié)點(diǎn)處的寄生電容很小，其保存的電荷在很短的時(shí)間內(nèi)會(huì)漏電消失掉，導(dǎo)致狀態(tài)記憶失效，故可以對(duì)芯片引出一個(gè)管腳，采用外接電容來(lái)存儲(chǔ)電荷，從而延長(zhǎng)芯片的開關(guān)狀態(tài)記憶時(shí)間。
[0031]將電容記憶模塊植入一款雙通道的非隔離降壓型LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)，即可實(shí)現(xiàn)LED燈具的調(diào)光調(diào)色溫方案，見圖3。方案上的元器件說(shuō)明如下:交流市電通過(guò)開關(guān)和整流橋后給兩串LED燈供電，燈串I為白冷光珠，燈串2為黃暖光珠；Cl為母線電容；RST為啟動(dòng)電阻；C2為啟動(dòng)電容；C3為開關(guān)狀態(tài)存儲(chǔ)記憶電容；C1L、C2L為負(fù)載電容，R1L、R2L為假負(fù)載電阻；L1、L2為電感；D1、D2為續(xù)流二極管；M1、M2為兩個(gè)通道的高壓功率管(可集成芯片內(nèi)部);RCS1、RCS2為限流電阻，可以單獨(dú)設(shè)置通過(guò)每一路燈串的電流大?。籖0VP1、R0VP2為過(guò)壓保護(hù)設(shè)定電阻，可以設(shè)定過(guò)壓保護(hù)的電壓值，也可以集成在芯片內(nèi)部。
[0032]系統(tǒng)的上電次數(shù)可以通過(guò)芯片內(nèi)置的電容記憶模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)，見圖3。比如，系統(tǒng)第一次上電后，譯碼模塊輸出狀態(tài)控制信號(hào)Si為高電平，控制芯片內(nèi)的通道一工作，于是燈串I發(fā)出白冷光；系統(tǒng)第二次上電，譯碼模塊輸出狀態(tài)控制信號(hào)S2為高電平，控制芯片內(nèi)的通道二工作，于是燈串2發(fā)出黃暖光，；系統(tǒng)第三次上電，譯碼模塊輸出狀態(tài)控制信號(hào)S3為高電平，控制芯片內(nèi)的通道一、通道二同時(shí)工作，于是燈串I和燈串2全亮，發(fā)出混合光色；系統(tǒng)第四次上電，譯碼模塊輸出狀態(tài)控制信號(hào)S4為高電平，控制芯片內(nèi)的通道一、通道二工作的同時(shí)，再結(jié)合PWM調(diào)光，或模擬調(diào)光，可以讓燈串I和燈串2產(chǎn)生另外一種亮度，即實(shí)現(xiàn)了調(diào)光的目的。
[0033]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于開關(guān)控制LED調(diào)光調(diào)色溫的驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)芯片包括參考電壓產(chǎn)生電路，傳輸門陣列，傳輸門，電壓比較電路、譯碼電路及記憶電容，所述參考電壓產(chǎn)生電路的輸出端連接所述傳輸門陣列的一端，所述傳輸門陣列的另一端連接所述傳輸門的一端，所述傳輸門的另一端連接所述電壓比較電路的輸入端及記憶電容，所述電壓比較電路的輸出端連接所述譯碼電路的輸入端，所述譯碼電路的輸出端連接所述傳輸門陣列的控制端，所述參考電壓產(chǎn)生電路，利用負(fù)反饋環(huán)路和芯片內(nèi)部的基準(zhǔn)電壓，來(lái)產(chǎn)生不同的參考電壓值輸出給電壓比較電路及記憶電容；傳輸門陣列，用于在每次系統(tǒng)上電后選通一路電壓參考值給記憶電容；電壓比較電路，用于將參考電壓產(chǎn)生電路輸出的電壓值與記憶電容記錄的電壓進(jìn)行比較，將比較的結(jié)果記錄存儲(chǔ)后輸出給譯碼電路；譯碼電路，用于處理電壓比較電路輸出的信號(hào)，根據(jù)信號(hào)判斷芯片的上電次數(shù)，輸出相應(yīng)的狀態(tài)信號(hào)選擇輸出端信號(hào)通道并控制傳輸門陣列的選通；記憶電容，用于記錄每次芯片上電后由傳輸門陣列選通得到的一路參考電壓值。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于，所述記憶電容的斷電與再次上電的時(shí)間間隔應(yīng)小于所述記憶電容的完整放電時(shí)間。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于，所述參考電壓產(chǎn)生電路包括誤差放大器EA、MOS管P1、電阻分壓模塊，所述電阻分壓模塊的輸入端分別連接所述MOS管Pl的源極及誤差放大器EA的正輸入，所述誤差放大器EA的輸出端連接所述MOS管Pl的柵極。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于，所述傳輸門陣列包括多個(gè)并行連接的單個(gè)傳輸門，所述單個(gè)傳輸門的個(gè)數(shù)與負(fù)載循環(huán)狀態(tài)的次數(shù)相等。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于，所述電壓比較電路包括多個(gè)比較單元，多個(gè)所述比較單元并行連接，所述比較單元包括比較器及存儲(chǔ)器，所述比較器的輸出端連接所述存儲(chǔ)器的輸入端，所述比較單元的個(gè)數(shù)為負(fù)載循環(huán)狀態(tài)的次數(shù)減I。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于，所述譯碼電路的輸出通道個(gè)數(shù)與負(fù)載循環(huán)狀態(tài)的次數(shù)相等。7.—種基于權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路包括開關(guān)K1、整流模塊、第一模塊、第二模塊、LED燈串1、LED燈串2及權(quán)利要求1_6任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)芯片，所述開關(guān)Kl的一端連接所述整流模塊的輸入端，所述整流模塊的輸出端連接所述驅(qū)動(dòng)芯片的輸入端，所述驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端分別連接所述第一模塊的輸入端及第二模塊的輸入端，所述第一模塊的輸出端連接所述LED燈串1，所述第二模塊的輸出端連接所述LED燈串2，所述開關(guān)Kl的另一端連接市電。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于，所述整流模塊包括整流橋、電容Cl、電阻RST及電容C2，所述整流橋的輸出端分別連接所述電容Cl的一端及電阻RST的一端，所述電阻RST的另一端連接所述驅(qū)動(dòng)芯片的VCC腳，所述電阻RST的另一端經(jīng)所述電容C2接地，所述電容Cl的另一端接地。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于，所述第一模塊與所述第二模塊的結(jié)構(gòu)相同，其包括MOS管Ml、二極管Dl、電感L1、電阻RlL及電容C1L，所述MOS管Ml的柵極連接所述驅(qū)動(dòng)芯片的GATEl腳，所述MOS管Ml的源極連接所述驅(qū)動(dòng)芯片的OUTl腳，所述MOS管Ml的漏極分別連接所述電感LI的一端及二極管Dl的陽(yáng)極，所述電感LI的另一端分別連接所述電阻RlL的一端、電容ClL的一端及LED燈串I的一端，所述LED燈串I的另一端分別連接電容Cl的另一端、電阻RlL的另一端、二極管Dl的陰極及LED燈串2的一端。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于，該驅(qū)動(dòng)電路還包括電阻RCS1、電阻ROVP1、電容C3、電阻ROVP2及電阻RCS2，所述驅(qū)動(dòng)芯片的CSl腳經(jīng)電阻RCSl接地，所述驅(qū)動(dòng)芯片的ROVPl腳經(jīng)電阻ROVPl接地，所述驅(qū)動(dòng)芯片的CAP腳經(jīng)電容C3接地，所述驅(qū)動(dòng)芯片的R0VP2經(jīng)電阻R0VP2接地，所述驅(qū)動(dòng)芯片的CS2腳經(jīng)電阻RCS2接地，所述驅(qū)動(dòng)芯片的GND腳接地，所述驅(qū)動(dòng)芯片的MODE腳接地四種循環(huán)狀態(tài)或懸空三種循環(huán)狀態(tài)。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種基于開關(guān)控制LED調(diào)光調(diào)色溫的驅(qū)動(dòng)芯片，所述驅(qū)動(dòng)芯片包括參考電壓產(chǎn)生電路，傳輸門陣列，傳輸門，電壓比較電路、譯碼電路及記憶電容，所述參考電壓產(chǎn)生電路的輸出端連接所述傳輸門陣列的一端，所述傳輸門陣列的另一端連接所述傳輸門的一端，所述傳輸門的另一端連接所述電壓比較電路的輸入端及記憶電容，所述電壓比較電路的輸出端連接所述譯碼電路的輸入端，所述譯碼電路的輸出端連接所述傳輸門陣列的控制端。該芯片的調(diào)光調(diào)色溫功能不依賴外部MCU、無(wú)線遙控或其它調(diào)光器等控制單元，簡(jiǎn)化了系統(tǒng)的外圍應(yīng)用，降低了系統(tǒng)的成本，可以有效促進(jìn)LED燈具在調(diào)光調(diào)色溫系統(tǒng)上的推廣。
【IPC分類】H05B37/02
【公開號(hào)】CN204859649
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520534022
【發(fā)明人】胡淵
【申請(qǐng)人】深圳市富滿電子集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請(qǐng)日】2015年7月22日