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      Led保護電路的制作方法

      文檔序號:10354631閱讀:411來源:國知局
      Led保護電路的制作方法
      【技術領域】
      [0001 ]本實用新型涉及的是LED技術領域,具體涉及一種LED保護電路。
      【背景技術】
      [0002]目前大功率LED燈均采用鋁基線路板做為散熱襯底,并且鋁板散熱體都是和外殼直接接觸的。由于鋁襯底具有良好導電性能,導致LED芯片電極引腳與鋁本體之間絕緣耐壓一般只能做到DC500V左右,但是LED燈具在生產(chǎn)測試時,I類燈具和Π類燈具輸入線對外殼耐壓測試分別為1500VAC和3750VAC,所以,在耐壓測試時,有損壞LED芯片的可能,并且使用過程中有一定的風險。
      【實用新型內(nèi)容】
      [0003]針對現(xiàn)有技術上存在的不足,本實用新型目的是在于提供一種LED保護電路,解決耐壓測試時保護鋁基線路板上的LED芯片不被損壞的問題。
      [0004]為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型是通過如下的技術方案來實現(xiàn):LED保護電路,包括第一電容Cl和第二電容C2,招基線路板上LED+端和LED-端分別接電感L的2腳和3腳,電感L的I腳和4腳之間接有第三電容C3,招基線路板上LED+端與電感L的4腳之間串接有第一電容Cl和第二電容C2。
      [0005]作為優(yōu)選,所述的第三電容C3為帶有極性的電容。
      [0006]本實用新型解決耐壓測試時保護鋁基線路板上的LED芯片不被損壞的問題,提供一種簡單的耐壓測試保護電路,此保護電路集成在LED交流驅(qū)動裝置中。
      【附圖說明】
      [0007]下面結合附圖和【具體實施方式】來詳細說明本實用新型;
      [0008]圖1為本實用新型的電路圖。
      【具體實施方式】
      [0009]為使本實用新型實現(xiàn)的技術手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解,下面結合【具體實施方式】,進一步闡述本實用新型。
      [0010]參照圖1,本【具體實施方式】采用以下技術方案:LED保護電路,包括第一電容Cl和第二電容C2,鋁基線路板上LED+端和LED-端分別接電感L的2腳和3腳,電感L的I腳和4腳之間接有第三電容C3,鋁基線路板上LED+端與電感L的4腳之間串接有第一電容Cl和第二電容C2o
      [0011]值得注意的是,所述的第三電容C3為帶有極性的電容。
      [0012]本【具體實施方式】在LED交流驅(qū)動裝置的輸出端即LED+、LED-分別對外殼(地)接I顆222M/250V的電容。在測試輸入線對外殼(地)耐壓時,由于泄漏電流的存在,導致鋁基線路板上LED+、LED-的電極部分和鋁板間形成一定的電壓,通過圖中的第一電容Cl和第二電容C2,使LED+、LED-和鋁板間形成交流泄放回路,這樣就對鋁基線路板上的LED起到了保護作用。
      [0013]本【具體實施方式】解決耐壓測試時保護鋁基線路板上的LED芯片不被損壞的問題,提供一種簡單的耐壓測試保護電路,此保護電路集成在LED交流驅(qū)動裝置中。
      [0014]以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式,應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本實用新型原理的前提下,還可以作出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍。
      【主權項】
      1.LED保護電路,其特征在于,包括第一電容(Cl)和第二電容(C2),鋁基線路板上LED+端和LED-端分別接電感(L)的2腳和3腳,電感(L)的I腳和4腳之間接有第三電容(C3),鋁基線路板上LED+端與電感(L)的4腳之間串接有第一電容(Cl)和第二電容(C2)。2.根據(jù)權利要求1所述的LED保護電路,其特征在于,所述的第三電容(C3)為帶有極性的電容。
      【專利摘要】本實用新型公開了一種LED保護電路,包括第一電容C1和第二電容C2,鋁基線路板上LED+端和LED-端分別接電感L的2腳和3腳,電感L的1腳和4腳之間接有第三電容C3,鋁基線路板上LED+端與電感L的4腳之間串接有第一電容C1和第二電容C2。本實用新型解決耐壓測試時保護鋁基線路板上的LED芯片不被損壞的問題,提供一種簡單的耐壓測試保護電路,此保護電路集成在LED交流驅(qū)動裝置中。
      【IPC分類】H05B33/08
      【公開號】CN205265952
      【申請?zhí)枴緾N201521066335
      【發(fā)明人】魏盤生
      【申請人】上海灝谷集成電路技術有限公司
      【公開日】2016年5月25日
      【申請日】2015年12月18日
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