專利名稱：陰極射線管裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用偏轉(zhuǎn)線圈使從電子槍發(fā)射出的多束電子束或一束電子束偏轉(zhuǎn)，顯示彩色圖像或單色圖像的陰極射線管裝置，特別是涉及對畫面的中間部與周邊部的畸變差別進行補償?shù)年帢O射線管裝置。
通常彩色陰極射線管裝置具備包含內(nèi)表面形成熒光屏的大致為矩形的面板、玻錐(funnel)以及圓筒狀的管頸(neck)的真空外殼，從配置于管頸內(nèi)的電子槍發(fā)射出的多束電子束受到安裝于玻錐的小直徑部分到管頸外側(cè)的偏轉(zhuǎn)線圈的偏轉(zhuǎn)，通過蔭罩對熒光屏進行水平和垂直掃描，顯示出彩色圖像。而單色陰極射線管裝置的電子槍用作發(fā)射單色電子束的電子槍，其結(jié)構(gòu)是比彩色陰極射線管裝置少蔭罩的結(jié)構(gòu)。
這樣的彩色陰極射線管裝置中，向熒光屏的對角端偏轉(zhuǎn)的電子束經(jīng)過的路程最長，并且通過最接近偏轉(zhuǎn)線圈的位置。因此，本來應(yīng)該成矩形的光柵(roster)畸變?yōu)檎硇?pincushion)。通常，為了對這種畸變進行修正，在偏轉(zhuǎn)線圈的熒光屏一側(cè)的開口部上下配置具有輔助垂直偏轉(zhuǎn)的極性的磁體，對上述光柵的上下端的畸變進行補償。還有，對于光柵的左右端的畸變，采取使水平偏轉(zhuǎn)電壓作動態(tài)變化的方法進行補償。
如上所述，陰極射線管裝置由于向熒光屏對角端偏轉(zhuǎn)的電子束通過的路程最長、而且通過最接近偏轉(zhuǎn)線圈的位置，本來應(yīng)該成矩形的光柵畸變?yōu)檎硇巍Ｍǔ榱搜a償這種畸變，在偏轉(zhuǎn)線圈的熒光屏一側(cè)的開口部上下以輔助垂直偏轉(zhuǎn)的極性配置磁體，對所述光柵的上下端的畸變進行補償。
但是利用磁體進行的補償，在畫面上下方向的中間比畫面的上下周邊部小，因此在中間部發(fā)生稱為inner Kissen distorsion(日本電子工業(yè)標準EIAJ用語)的畸變。其結(jié)果是，畫面上下方向的中間部與周邊部之間產(chǎn)生畸變差。
這種畸變差在最近的大偏轉(zhuǎn)角彩色陰極射線管裝置和能夠得到平面畫面的彩色陰極射線管裝置中變得明顯，已經(jīng)到了不能無視的程度。
本發(fā)明鑒于上述存在問題而作，其目的是提供能夠補償畫面中間部與周邊部的畸變差的陰極射線管裝置。
為了達到上述目的，本發(fā)明的陰極射線管裝置具備包含內(nèi)表面有熒光屏同時具有水平軸與垂直軸的大致為矩形的面板、與上述面板連接的玻錐(funnel)、以及設(shè)置于玻錐的小直徑部分的管頸的真空外殼、設(shè)置于上述管頸內(nèi)，向所述熒光屏發(fā)射電子束的電子槍、安裝于所述玻錐的小直徑部分及管頸外圍使所述電子束偏轉(zhuǎn)以對所述熒光屏進行水平及垂直掃描的偏轉(zhuǎn)線圈，這種偏轉(zhuǎn)線圈具有使電子束向水平方向偏轉(zhuǎn)的水平偏轉(zhuǎn)線圈和使電子束向垂直方向偏轉(zhuǎn)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈、與上述水平偏轉(zhuǎn)線圈連接的被飽和控制線圈、與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈連接的飽和控制線圈、纏繞所述被飽和控制線圈的可飽和鐵心(core)、以及使所述可飽和鐵心偏磁的磁體的調(diào)制器(modulator)，所述調(diào)制器設(shè)定得，使所述垂直偏轉(zhuǎn)電路的電感沿著所述熒光屏的水平軸方向的變化或所述水平偏轉(zhuǎn)電路的電感沿著所述熒光屏的垂直軸方向的變化在所述畫面的中間部與周邊部不同，以補償在所述熒光屏上形成的畫面在中間部與周邊部的畸變差。
又，本發(fā)明的另一陰極射線管裝置具備包含內(nèi)表面有熒光屏同時具有水平軸與垂直軸的大致為矩形的面板、與上述面板連接的玻錐、以及設(shè)置于玻錐的小直徑部分的管頸的真空外殼、設(shè)置于上述管頸內(nèi)，向所述熒光屏發(fā)射電子束的電子槍、安裝于所述玻錐的小直徑部分及管頸外圍使所述電子束偏轉(zhuǎn)以對所述熒光屏進行水平及垂直掃描的偏轉(zhuǎn)線圈，這種偏轉(zhuǎn)線圈具有使電子束向水平方向偏轉(zhuǎn)的水平偏轉(zhuǎn)線圈和使電子束向垂直方向偏轉(zhuǎn)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈、與上述水平偏轉(zhuǎn)線圈連接的水平輔助線圈、與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈連接的垂直輔助線圈、纏繞所述水平輔助線圈或垂直輔助線圈的可飽和鐵心(core)、以及具有使所述可飽和鐵心偏磁的磁體的畸變補償元件，所述畸變補償元件設(shè)定得，使所述垂直偏轉(zhuǎn)電路的電感沿著所述熒光屏的水平軸方向的變化或所述水平偏轉(zhuǎn)電路的電感沿著所述熒光屏的垂直軸方向的變化在所述畫面的中間部與周邊部不同，以補償在所述熒光屏上形成的畫面在中間部與周邊部的畸變差。


圖1是本發(fā)明的實施形態(tài)的彩色陰極射線管裝置的部分剖開的立體圖。
圖2A是表示所述彩色陰極射線管裝置的調(diào)制器的剖面圖。
圖2B是表示所述調(diào)制器的鐵心的概略圖。
圖3A表示所述調(diào)制器的被飽和控制線圈與水平偏轉(zhuǎn)線圈的連接結(jié)構(gòu)。
圖3B表示所述調(diào)制器的飽和控制線圈與垂直偏轉(zhuǎn)線圈的連接結(jié)構(gòu)。
圖4A是所述調(diào)制器的磁通密度B與磁場強度H的關(guān)系曲線。
圖4B是電感L與磁場強度H的關(guān)系曲線。
圖5是說明利用所述調(diào)制器進行的聚焦修正的說明圖。
圖6A是表示畫面的上下周邊部的、所述調(diào)制器的各可飽和鐵心的磁學狀態(tài)的曲線。
圖6B是表示畫面的、各可飽和鐵心上纏繞的線圈的電感的曲線。
圖7A是表示畫面的上下方向中間部的、所述調(diào)制器的各可飽和鐵心的磁學狀態(tài)的曲線。
圖7B是表示畫面的上下方向中間部的、各可飽和鐵心上纏繞的線圈的電感的曲線。
圖8是說明在畫面上產(chǎn)生的稱為inner Kissen distorsion的畸變的說明圖。
圖9是說明在畫面上產(chǎn)生的其他稱為inner Kissen distorsion的畸變的說明圖。
圖10是表示本發(fā)明其他實施形態(tài)的彩色陰極射線管裝置的調(diào)制器的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖11是表示圖10所示的調(diào)制器的被飽和控制線圈的、電感隨垂直偏轉(zhuǎn)電流變化的曲線。
圖12A～圖12E分別為表示設(shè)置圖10所示的調(diào)制器的情況下整個畫面上沿水平軸的垂直偏轉(zhuǎn)電路的電感的變化的曲線。
圖13A～圖13E分別為表示設(shè)置圖10所示的調(diào)制器的情況下整個畫面上沿垂直軸的水平偏轉(zhuǎn)電路的電感的變化的曲線。
圖14表示設(shè)置所述調(diào)制器的彩色陰極射線管裝置的畸變的變化。
圖15是表示本發(fā)明又一實施形態(tài)的彩色陰極射線管裝置的畸變修正元件的剖面圖。
圖16A表示所述畸變修正元件的水平修正線圈與水平偏轉(zhuǎn)線圈的連接結(jié)構(gòu)。
圖16B表示所述畸變修正元件的垂直修正線圈與垂直偏轉(zhuǎn)線圈的連接結(jié)構(gòu)。
下面參照附圖對本發(fā)明實施形態(tài)的成一列式結(jié)構(gòu)(in line型)的彩色陰極射線管裝置進行詳細說明。
如圖1所示，彩色陰極射線管裝置具備真空外殼8，該真空外殼具有大致為矩形的面板10、與面板的裙邊部分連接的玻錐11、以及圓筒狀的管頸12。面板10具有通過管軸Z相互正交的水平軸X及垂直軸Y，同時在面板10內(nèi)表面設(shè)置有發(fā)藍、綠、紅色光線的帶狀的3色熒光體層構(gòu)成的熒光屏13。又在真空外殼8內(nèi)與熒光屏13相對，在其內(nèi)側(cè)配置蔭罩14。
另一方面，在管頸12內(nèi)配置電子槍16，這種電子槍發(fā)射通過同一水平面的由中心束15G及一對邊束15B、15R組成的成一列配置的3束電子束15B、15G、15R。又，從玻錐11的小直徑部分到管頸的外圍安裝著偏轉(zhuǎn)線圈17。
偏轉(zhuǎn)線圈17包含發(fā)生使電子槍16發(fā)射出的3束電子束15B、15G、15R在水平方向(X軸方向)上偏轉(zhuǎn)的磁場的水平偏轉(zhuǎn)線圈和發(fā)生使其在垂直方向(Y軸方向)上偏轉(zhuǎn)的磁場的垂直偏轉(zhuǎn)線圈。該水平偏轉(zhuǎn)線圈連接于對其進行驅(qū)動的水平偏轉(zhuǎn)電路，而垂直偏轉(zhuǎn)線圈連接于垂直偏轉(zhuǎn)電路。
又，如下所述，在偏轉(zhuǎn)線圈17附設(shè)對內(nèi)部Kissen畸變等在畫面中間部與周邊部不同的畸變進行補償?shù)恼{(diào)制器或畸變補償元件。利用附設(shè)調(diào)制器或畸變補償元件的方法，能夠?qū)σ酝y于進行補償?shù)膬?nèi)部Kissen畸變等在畫面中間部與周邊部不同的畸變進行充分補償，特別是適用于該畸變顯著的大偏轉(zhuǎn)角度的彩色陰極射線管裝置和平面彩色陰極射線管裝置能夠得到很大的效果。
下面對上述調(diào)制器進行說明。
向來，附設(shè)于彩色陰極射線管裝置的調(diào)制器是相應(yīng)于垂直偏轉(zhuǎn)電流使水平偏轉(zhuǎn)磁場上下不對稱，對例如成一列式結(jié)構(gòu)(in line型)的彩色陰極射線管裝置的交感錯位聚焦(cross miss convergence)進行補償?shù)脑_于日本專利特公昭52-33449號公報、特公昭52-33451號公報、特開昭57-206148號公報、特公平1-29018號公報、特公平2-12429號公報、實公平1-39383號公報、實公平3-11800號公報、實開平2-86273號公報、或SPM(Slit wounded Precision deflection yoke withMagnetic current modulation)方式的高精密度偏轉(zhuǎn)線圈公開于NationalTechnical Report No.2，Apl.1985。
如圖2A、2B、3A及3B所示，調(diào)制器7具備分別串聯(lián)連接于上下成對的水平偏轉(zhuǎn)線圈19u、19d的1組被飽和控制線圈20a、20b及1組被飽和控制線圈20c、20d、連接于左右成對的垂直偏轉(zhuǎn)線圈21R、21L的飽和控制線圈22、分別纏繞被飽和控制線圈20a～20d的2個一組的可飽和鐵心23a～23d、纏繞飽和控制線圈22同時處于可飽和鐵心23a、23b與可飽和鐵心23c、23d之間的鐵心24、分別配置于可飽和鐵心23a、23b的外側(cè)及鐵心23c、23d的外側(cè)，使可飽和鐵心23a～23d及鐵心24磁偏的磁體25a、25b。被飽和控制線圈20a、20b與被飽和控制線圈20c、20d纏繞成相反極性，對左右偏轉(zhuǎn)時發(fā)生的被飽和控制線圈20a～20d的磁場Hh的影響進行補償。而且，纏繞飽和控制線圈22的鐵心24也可以省略。
在這樣的調(diào)制器中，可飽和鐵心23a～23d如圖4A所示磁通密度B和磁場強度H具有曲線27所示的B-H特性曲線。又，被飽和控制線圈20a～20d如圖4B所示具有曲線28所示的L-H特性曲線，其中L為電感。各被飽和控制線圈20a～20d在熒光屏13的中心的電感L利用磁體25a、25b發(fā)生的磁場Hm設(shè)定為外磁場為0時的電感L的一半左右。又，在垂直偏轉(zhuǎn)時利用飽和控制線圈22發(fā)生的磁場Hv使被飽和控制線圈20a～20b與被飽和控制線圈20c～20d的電感差動變化。其結(jié)果如圖5所示，發(fā)生上下不對稱的水平偏轉(zhuǎn)磁場29，適于進行3束電子束15B、15G、15R的聚焦調(diào)整。
采用本實施例，在上述調(diào)制器7中，著眼于被飽和控制線圈20a～20d引起的水平偏轉(zhuǎn)電路的電感增量或飽和控制線圈22引起的垂直偏轉(zhuǎn)電路的電感增量取決于可飽和鐵心23a～23d的飽和狀態(tài)的和這一事實，使被飽和控制線圈20a～20d的電感L減半的點的磁偏量設(shè)定得極大或極小，同時把飽和控制線圈22或被飽和控制線圈20a～20d的電場范圍設(shè)定于適當?shù)姆秶?br> 也就是說，如圖6A所示進行設(shè)定，加強調(diào)制器7的磁體25a、25b，以磁偏點A作為飽和狀態(tài)的點，利用飽和控制線圈22在畫面下端發(fā)生的磁場Hv使磁偏減小的一側(cè)的可飽和鐵心23c、23d處于半飽和狀態(tài)的B點。這時，如圖6B所示，在畫面中央的0點，各可飽和鐵心23a～23d上纏繞的線圈20a～20d的電感為只由磁體25a、25b產(chǎn)生的磁場Hm決定的飽和狀態(tài)的電感LA，在畫面上下端的點V，纏繞于可飽和鐵心23c、23d上的線圈20c、20d的電感處于半飽和狀態(tài)的LB，纏繞于可飽和鐵心23a、23b上的線圈20a、20b的電感處于極端飽和狀態(tài)的LC。觀察由于偏轉(zhuǎn)而從畫面下端的點V移向畫面對角端的D點時的各可飽和鐵心23a～23d的電感變化，可以看出處于半飽和狀態(tài)的可飽和鐵心23c、23d由于各被飽和控制線圈在畫面左右端發(fā)生的磁場Hh而變成B1、B2點的狀態(tài)，B點處于半飽和狀態(tài)，因此LB1與LB2的和等于LB的2倍，磁場Hh沒有引起電感變化。同樣，處于極端飽和狀態(tài)的可飽和鐵心23a、23b也幾乎沒有因為磁場Hh的作用而產(chǎn)生變化，結(jié)果，從V點到D點的線上電感的變化沒有發(fā)生。
但是，在進行這樣的設(shè)定的情況下，如圖7A、圖7B所示，在畫面上下方向的中間部的點Vm，飽和控制線圈22產(chǎn)生的磁場Hv/2造成磁偏下降的一側(cè)的可飽和鐵心23c、23d在圖7B的L-H曲線上還處于飽和狀態(tài)的D點，因此，在由于水平偏轉(zhuǎn)而從該點Vm更向畫面左右端移動的點Dm，相對于LD的增量LD1超過相對于LD的減少量LD2，其結(jié)果是，在D點的電感比在Vm的電感大。
在這里，飽和控制線圈22的電感與纏繞于可飽和鐵心23a～23d上的線圈的電感的和大致成正比例變化。這是由于飽和控制線圈22是以可飽和鐵心23a～23d為磁芯的線圈，其電感與磁心的導磁率變化成正比。
因此，上述調(diào)制器7的設(shè)計中，在畫面上下方向的中間部，垂直偏轉(zhuǎn)電路的電感越往畫面的左右端越大，而垂直振幅減少，在畫面的上下方向的中間部桶形畸變的修正得以進行。因此，在畫面的上下方向的周邊部，即使向畫面的左右端移動也不會引起垂直偏轉(zhuǎn)電路的電感變化，畸變的修正沒有進行。其結(jié)果是，能夠修正圖8所示的畫面中間部的內(nèi)部Kissen畸變。
還有，垂直偏轉(zhuǎn)由于是低頻偏轉(zhuǎn)，垂直偏轉(zhuǎn)振幅的變化相對于電感的變化并不敏感。但是，相對于全部垂直偏轉(zhuǎn)的電感5～6mH，飽和控制線圈22的電感有1～3mH左右的大小和變化，因此容易進行數(shù)mm的畸變修正。
又，由于相同的變化也發(fā)生于水平偏轉(zhuǎn)電路的電感，所以即使對于圖9所示的畫面左右方向的中間部的內(nèi)部Kissen畸變，也能夠發(fā)揮修正效果。在這種情況下，把磁體造成的磁偏點設(shè)定為飽和狀態(tài)，把被飽和控制線圈在畫面左右端產(chǎn)生的磁場Hh使磁偏減小的一側(cè)的可飽和鐵心設(shè)定為半飽和狀態(tài)。
又，應(yīng)用上述作用，反之把磁體產(chǎn)生的磁偏作為不飽和狀態(tài)，把利用飽和控制線圈的磁場Hv加強磁偏的一側(cè)的可飽和鐵心設(shè)定為不飽和狀態(tài)，以此可以修正與圖8所示的畸變相反的在畫面上下方向的中間部形成桶形的內(nèi)部Kissen畸變。
圖10表示本發(fā)明其他實施例的調(diào)制器7。該調(diào)制器7具備分別串聯(lián)連接于上下成對的水平偏轉(zhuǎn)線圈19u、19d(見圖3A)的2組被飽和控制線圈20a、20b及20c、20d、串聯(lián)連接于垂直偏轉(zhuǎn)線圈的4個飽和控制線圈22a～22d、分別纏繞被飽和控制線圈20a～20d的2個一組的2組可飽和鐵心23a～23d、分別配置于這些可飽和鐵心的外側(cè)端部的鐵氧體芯30a、30b，以及配置于這些鐵氧體芯30a、30b的外側(cè)，使可飽和鐵心23a～23d向箭頭方向磁偏的磁體25a、25b。
在該調(diào)制器7中，可飽和鐵心23a～23d與鐵氧體芯30a、30b構(gòu)成閉合磁路，被飽和控制線圈20a～20d與飽和控制線圈22a～22d分別纏繞于同一可飽和鐵心23a～23d，被飽和控制線圈20a～20d纏繞于內(nèi)側(cè)，飽和控制線圈22a～22d纏繞于外側(cè)。
更具體地說，對4個可飽和鐵心23a～23d與鐵氧體芯30a、30b構(gòu)成的閉合磁路，串聯(lián)連接的飽和控制線圈22a～22d以相互加強磁動勢的極性分別纏繞40匝，被飽和控制線圈22a～20d以相互補償磁場的極性分別纏繞28匝。
圖11表示具有上面所述結(jié)構(gòu)的調(diào)制器7中的垂直偏轉(zhuǎn)電流與線圈的電感的關(guān)系。在圖中，曲線33表示相對于垂直偏轉(zhuǎn)電流Iv的被飽和控制線圈20a、20b的合成電感，曲線34表示被飽和控制線圈20c、20d的合成電感，曲線32表示被飽和控制線圈20a、20b的合成電感與被飽和控制線圈20c、20d的合成電感的差。由圖11可知，磁偏點處于極端飽和狀態(tài)。又，飽和控制線圈22a～22d在圖像的上下端產(chǎn)生的磁場Hv設(shè)定得極大，在畫面上下端磁場Hv使磁偏減小的一側(cè)的可飽和鐵心處于不飽和狀態(tài)。
如果是在通常的情況下，4個可飽和鐵心23a～23d被磁偏到電感大約減半的點，利用飽和控制線圈22a～22d的磁場Hv或被飽和控制線圈20a～20d的磁場Hh，使影響相互進行補償。因此，垂直偏轉(zhuǎn)電流或水平偏轉(zhuǎn)電流沒有造成水平/垂直偏轉(zhuǎn)電路的電感變化。但是，如本實施例所述，進行磁偏使可飽和鐵心23a～23d處于極端飽和狀態(tài)的情況下，利用磁場Hv或Hh加大飽和的極性的、纏繞在可飽和鐵心上的線圈的電感與減弱飽和的極性的、纏繞在可飽和鐵心上的線圈的電感中，減弱飽和的極性的、纏繞在可飽和鐵心上的線圈的電感的變化更大。因此，隨著垂直偏轉(zhuǎn)電流或水平偏轉(zhuǎn)電流的增大，水平/垂直偏轉(zhuǎn)電路的電感也增大。還有，由于加大飽和控制線圈的磁場Hv，在畫面上下方向的周邊部，一方成為不飽和狀態(tài)，越是往畫面的左右方向，電感反而越是減少。圖12A～圖12E及圖13A～圖13E分別以曲線36a～36e、曲線37a～37e表示在整個熒光屏上沿著垂直方向(Y方向)及水平方向(X方向)測定設(shè)置調(diào)制器的情況下水平偏轉(zhuǎn)電路的電感的結(jié)果。
圖12A～圖12E表示水平坐標(水平偏轉(zhuǎn)電流)固定時的被飽和控制線圈的電感L隨垂直偏轉(zhuǎn)電流Iv的變化，亦即表示涉及圖9所示那樣的水平方向的內(nèi)部Kissen畸變的電感的變化。圖12A表示在水平軸端部(水平偏轉(zhuǎn)電流Ih＝3.36A)的沿著垂直方向的電感變化，圖12B表示離熒光屏中心的距離為從熒光屏的中心到水平軸端部的距離D的3/4的位置(Ih＝2.52A)上的垂直方向的電感L的變化，圖12C表示從熒光屏的中心到水平軸端部的方向上距離為D/2的位置(Ih＝1.68A)處的沿著垂直方向的電感L的變化，圖12D表示離熒光屏中心的、同樣在從熒光屏的中心到水平軸端部的方向上距離為D/4的位置(Ih＝0.84A)處的沿著垂直方向的電感L的變化，圖12E表示在垂直軸Y上(Ih＝0A)上的沿著垂直方向的電感L的變化。
圖13A～圖13E分別表示垂直坐標(垂直偏轉(zhuǎn)電流)固定時被飽和控制線圈的電感L隨水平偏轉(zhuǎn)電流Ih的變化。圖13A表示在垂直軸端部(垂直偏轉(zhuǎn)電流Iv＝0.85A)的沿著水平方向的電感L變化，圖13B表示離熒光屏中心的距離為從熒光屏的中心到垂直軸端部的距離F的3/4的位置(Iv＝0.64A)處的水平方向的電感L的變化，圖13C表示在從熒光屏的中心到垂直軸端部的方向上距離為F/2的位置(Iv＝0.43A)處的沿著水平方向的電感L的變化，同樣，圖13D表示在從熒光屏的中心到垂直軸端部的方向上距離為F/4的位置(Iv＝0.21A)處的沿著水平方向的電感L的變化，圖13E表示在水平軸X上(Iv＝0A)處的沿著水平方向的電感L的變化。在這里，飽和控制線圈的電感變化也與被飽和控制線圈的電感變化大致相同，該變化就是涉及圖8所示的垂直方向的內(nèi)部Kissen畸變的電感L的變化。
圖12A～圖12E及圖13A～圖13E的任何一種情況都是在熒光屏的中央附近磁偏較強，因此隨著偏轉(zhuǎn)電流Ih、Iv的增大電感L也增大，在熒光屏的周邊部則電感L都是均勻的。在熒光屏的周邊部電感L這樣均勻的原因是，由于偏轉(zhuǎn)電流Ih和Iv，一邊的一組可飽和鐵心轉(zhuǎn)換為相互補償電感的變化的半飽和狀態(tài)，另一邊的一組可飽和鐵心轉(zhuǎn)換為電感L沒有變化的非常大的飽和狀態(tài)。而且，偏轉(zhuǎn)電流Ih或Iv一旦變大，如圖12A所示，一邊的一組可飽和鐵心變成比以往的磁偏點小的磁偏狀態(tài)，亦即半飽和狀態(tài)，因此電感L反而隨著偏轉(zhuǎn)電流的增大而減少。
在使用上述調(diào)制器7的情況下，如圖14所示，相應(yīng)于電感L的變化只是在畫面的中央畸變?yōu)橥靶危诋嬅娴闹苓叢炕優(yōu)檎硇巍?br> 還有，調(diào)制器引起的電感變化對于水平、垂直偏轉(zhuǎn)電路都是相同的，基本上如圖14所示，一旦對垂直方向的內(nèi)部Kissen畸變進行補償，水平方向上的內(nèi)部Kissen畸變也發(fā)生變化。對此，在想要只對圖8所示的垂直方向上的內(nèi)部Kissen畸變進行修正時，如果使飽和控制線圈的電感相對于垂直偏轉(zhuǎn)電路的電感為極其大的數(shù)值，使被飽和控制線圈的電感相對于水平偏轉(zhuǎn)電路的電感為極其小的數(shù)值，則能夠減輕水平方向上的內(nèi)部Kissen畸變。
又，使用不具有上述調(diào)制器那樣的聚焦修正功能的可變電感元件構(gòu)成的畸變補償元件能夠不改變聚焦而對畸變進行修正。
如圖15～圖16B所示，該畸變補償元件6具有由一對可飽和鐵心23a、23b和配置于這些可飽和鐵心23a、23b的兩端部的鐵氧體芯30a、30b構(gòu)成的閉合磁路。各可飽和鐵心23a、23b上纏繞著串聯(lián)連接的具有相互加強磁動勢的極性的2個垂直輔助線圈39a、39b、串聯(lián)連接的具有相互削弱磁動勢的極性的2個水平輔助線圈40a、40b，水平輔助線圈40a、40b作為內(nèi)側(cè)，垂直輔助線圈39a、39b作為外側(cè)纏繞。在鐵氧體芯30a、30b的外側(cè)配置使可飽和鐵心23a、23b在箭頭所示的方向上產(chǎn)生磁偏的磁體25a、25b。垂直輔助線圈39a、39b連接于左右成對的垂直偏轉(zhuǎn)線圈21R、21L上，水平輔助線圈40a、40b分別連接于上下成對的水平偏轉(zhuǎn)線圈19u、19d上。
使用這樣的畸變修正元件6時，可以不改變聚焦而利用電感的變化與所述調(diào)制器一樣進行畸變修正。因此能夠簡化結(jié)構(gòu)，增大設(shè)計自由度。
如上所述，與已有的調(diào)制器相比，使磁偏點大大加強或減弱，同時合適地設(shè)定飽和控制線圈或垂直輔助線圈以及被飽和控制線圈與水平輔助線圈的在外面周邊部發(fā)生的磁場的強度的調(diào)制器或?qū)⒒冄a償元件配置于陰極射線管裝置的偏轉(zhuǎn)線圈上，能夠有效地修正內(nèi)部Kissen畸變等畫面中間部與周邊部的畸變差。
權(quán)利要求
1.一種陰極射線管裝置，其特征在于，包含具備內(nèi)表面有熒光屏同時具有水平軸與垂直軸的大致為矩形的面板、與上述面板連接的玻錐、以及設(shè)置于玻錐的小直徑部分的管頸的真空外殼、設(shè)置于上述管頸內(nèi)，向所述熒光屏發(fā)射電子束的電子槍，以及具有安裝于所述玻錐的小直徑部分及管頸外圍，使所述電子束偏轉(zhuǎn)以對所述熒光屏進行水平及垂直掃描的偏轉(zhuǎn)線圈，這種偏轉(zhuǎn)線圈具有使電子束向水平方向偏轉(zhuǎn)的水平偏轉(zhuǎn)線圈和使電子束向垂直方向偏轉(zhuǎn)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈、與上述水平偏轉(zhuǎn)線圈連接的被飽和控制線圈、與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈連接的飽和控制線圈、纏繞所述被飽和控制線圈或所述飽和控制線圈的可飽和鐵心、以及使所述可飽和鐵心偏磁的磁體的調(diào)制器，所述調(diào)制器設(shè)定得，使所述垂直偏轉(zhuǎn)電路的電感沿著所述熒光屏的水平軸方向的變化或所述水平偏轉(zhuǎn)電路的電感沿著所述熒光屏的垂直軸方向的變化在所述畫面的中間部與周邊部不同，以補償在所述熒光屏上形成的畫面在中間部與周邊部的畸變差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極射線管裝置，其特征在于，所述調(diào)制器在畫面垂直軸方向的中間部修正桶形的NS畸變，即所述磁體產(chǎn)生的偏磁點處于所述可飽和鐵心的飽和狀態(tài)，并且在畫面的垂直軸方向的周邊部由于增加了所述飽和控制線圈的磁場，一方的可飽和鐵心變成半飽和狀態(tài)，另一方的可飽和鐵心變成極其飽和的狀態(tài)，在畫面的垂直軸方向中間部，所述飽和控制線圈的電感越往畫面的水平軸方向的兩端越是變大，在畫面的垂直軸方向的周邊部，所述飽和控制線圈的電感不隨著往畫面的水平軸方向的兩端而變化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極射線管裝置，其特征在于，所述調(diào)制器在畫面垂直軸方向的中間部修正桶形的NS畸變，即在畫面垂直軸方向的周邊部修正枕形NS畸變，所述磁體產(chǎn)生的偏磁點處于所述可飽和鐵心的飽和狀態(tài)，并且在畫面的垂直軸方向的周邊部由于增加了所述飽和控制線圈的磁場，一方的可飽和鐵心變成半飽和狀態(tài)，另一方的可飽和鐵心變成極其飽和的狀態(tài)，在畫面的垂直軸方向中間部，所述飽和控制線圈的電感越往畫面的水平軸方向的兩端越是變大，在畫面的垂直軸方向的周邊部，所述飽和控制線圈的電感隨著往畫面的水平軸方向的兩端而發(fā)生的變化變小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極射線管裝置，其特征在于，所述調(diào)制器在畫面垂直軸方向的中間部修正枕形的NS畸變，即所述磁體產(chǎn)生的偏磁點處于所述可飽和鐵心的不飽和狀態(tài)，并且在畫面的垂直軸方向的周邊部由于增加了所述飽和控制線圈的磁場，一方的可飽和鐵心變成半飽和狀態(tài)，另一方的可飽和鐵心保持極其不飽和的狀態(tài)，在畫面的垂直軸方向中間部，所述飽和控制線圈的電感越往畫面的水平軸方向的兩端越是變小，在畫面的垂直軸方向的周邊部，所述飽和控制線圈的電感不隨著往畫面的水平軸方向的兩端而發(fā)生變化。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極射線管裝置，其特征在于，所述調(diào)制器在畫面垂直軸方向的中間部修正枕形NS畸變，即在畫面垂直軸方向的周邊部修正桶形NS畸變，所述磁體產(chǎn)生的偏磁點處于所述可飽和鐵心的不飽和狀態(tài)，并且在畫面的垂直軸方向的周邊部由于增加了所述飽和控制線圈的磁場，一方的可飽和鐵心變成半飽和狀態(tài)，另一方的可飽和鐵心保持極其不飽和的狀態(tài)，在畫面的垂直軸方向中間部，所述飽和控制線圈的電感越往畫面的水平軸方向的兩端越是變小，在畫面的垂直軸方向的周邊部，所述飽和控制線圈的電感隨著往畫面的水平軸方向的兩端而發(fā)生的變化變大。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極射線管裝置，其特征在于，所述調(diào)制器在畫面水平軸方向的中間部修正桶形EW畸變，即所述磁體產(chǎn)生的偏磁點處于所述可飽和鐵心的飽和狀態(tài)，并且在畫面的水平軸方向的周邊部由于增加了所述被飽和控制線圈的磁場，一方的可飽和鐵心變成半飽和狀態(tài)，另一方的可飽和鐵心變成極其飽和的狀態(tài)，在畫面的水平軸方向中間部，所述被飽和控制線圈的電感越往畫面的垂直軸方向的兩端越是變大，在畫面的水平軸方向的周邊部，所述被飽和控制線圈的電感不隨著往畫面的垂直軸方向的兩端而發(fā)生變化。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極射線管裝置，其特征在于，所述調(diào)制器在畫面水平軸方向的中間部修正桶形EW畸變，即在畫面水平軸方向的周邊部修正枕形EW畸變，所述磁體產(chǎn)生的偏磁點處于所述可飽和鐵心的飽和狀態(tài)，并且在畫面的水平軸方向的周邊部由于增加了所述被飽和控制線圈的磁場，一方的可飽和鐵心變成不飽和狀態(tài)，另一方的可飽和鐵心變成極其飽和的狀態(tài)，在畫面的水平軸方向中間部，所述被飽和控制線圈的電感越往畫面的垂直軸方向的兩端越是變大，在畫面的水平軸方向的周邊部，所述被飽和控制線圈的電感隨往畫面的垂直軸方向的兩端而發(fā)生的變化變小。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極射線管裝置，其特征在于，所述調(diào)制器在畫面水平軸方向的中間部修正枕形EW畸變，即所述磁體產(chǎn)生的偏磁點處于所述可飽和鐵心的不飽和狀態(tài)，并且在畫面的水平軸方向的周邊部由于增加了所述被飽和控制線圈的磁場，一方的可飽和鐵心變成半飽和狀態(tài)，另一方的可飽和鐵心保持極其不飽和的狀態(tài)，在畫面的水平軸方向中間部，所述被飽和控制線圈的電感越往畫面的垂直軸方向的兩端越是變小，在畫面的水平軸方向的周邊部，所述被飽和控制線圈的電感不隨往畫面的垂直軸方向的兩端而發(fā)生變化。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極射線管裝置，其特征在于，所述調(diào)制器在畫面水平軸方向的中間部修正枕形EW畸變，在畫面水平軸方向的周邊部修正桶形EW畸變，即所述磁體產(chǎn)生的偏磁點處于所述可飽和鐵心的不飽和狀態(tài)，并且在畫面的水平軸方向的周邊部由于增加了所述被飽和控制線圈的磁場，一方的可飽和鐵心變成飽和狀態(tài)，另一方的可飽和鐵心保持極其不飽和的狀態(tài)，在畫面的水平軸方向中間部，所述被飽和控制線圈的電感越往畫面的垂直軸方向的兩端越是變小，在畫面的水平軸方向的周邊部，所述被飽和控制線圈的電感越往畫面的垂直軸方向的兩端變化越大。
10.一種陰極射線管裝置，其特征在于，包含具備內(nèi)表面有熒光屏同時具有水平軸與垂直軸的大致為矩形的面板、與上述面板連接的玻錐、以及設(shè)置于玻錐的小直徑部分的管頸的真空外殼、設(shè)置于上述管頸內(nèi)，向所述熒光屏發(fā)射電子束的電子槍，以及具有安裝于所述玻錐的小直徑部分及管頸外圍的，使所述電子束偏轉(zhuǎn)以對所述熒光屏進行水平及垂直掃描的偏轉(zhuǎn)線圈，這種偏轉(zhuǎn)線圈具有使電子束向水平方向偏轉(zhuǎn)的水平偏轉(zhuǎn)線圈和使電子束向垂直方向偏轉(zhuǎn)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈、與上述水平偏轉(zhuǎn)線圈連接的水平輔助線圈、與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈連接的垂直輔助線圈、纏繞所述水平輔助線圈或所述垂直輔助線圈的可飽和鐵心、以及使所述可飽和鐵心偏磁的磁體的畸變補償元件，所述畸變補償元件設(shè)定得，使所述垂直偏轉(zhuǎn)電路的電感沿著所述熒光屏的水平軸方向的變化或所述水平偏轉(zhuǎn)電路的電感沿著所述熒光屏的垂直軸方向的變化在所述畫面的中間部與周邊部不同，以補償在所述熒光屏上形成的畫面在中間部與周邊部的畸變差。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陰極射線管裝置，其特征在于，所述畸變補償元件在畫面垂直軸方向的中間部修正桶形的NS畸變，即所述磁體產(chǎn)生的偏磁點處于所述可飽和鐵心的飽和狀態(tài)，并且在畫面的垂直軸方向的周邊部由于增加了所述垂直輔助線圈的磁場，一方的可飽和鐵心變成半飽和狀態(tài)，另一方的可飽和鐵心變成極其飽和的狀態(tài)，在畫面的垂直軸方向中間部，所述垂直輔助線圈的電感越往畫面的水平軸方向的兩端越是變大，在畫面的垂直軸方向的周邊部，所述垂直輔助線圈的電感不隨著往畫面的水平軸方向的兩端而變化。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陰極射線管裝置，其特征在于，所述畸變補償元件在畫面垂直軸方向的中間部修正桶形的NS畸變，在畫面垂直軸方向的周邊部修正枕形NS畸變，即所述磁體產(chǎn)生的偏磁點處于所述可飽和鐵心的飽和狀態(tài)，并且在畫面的垂直軸方向的周邊部由于增加了所述垂直輔助線圈的磁場，一方的可飽和鐵心變成不飽和狀態(tài)，另一方的可飽和鐵心變成極其飽和的狀態(tài)，在畫面的垂直軸方向中間部，所述垂直輔助線圈的電感越往畫面的水平軸方向的兩端越是變大，在畫面的垂直軸方向的周邊部，所述垂直輔助線圈的電感隨著往畫面的水平軸方向的兩端而發(fā)生的變化變小。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陰極射線管裝置，其特征在于，所述畸變補償元件在畫面垂直軸方向的周邊部修正枕形的NS畸變，即所述磁體產(chǎn)生的偏磁點處于所述可飽和鐵心的不飽和狀態(tài)，并且在畫面的垂直軸方向的周邊部由于增加了所述垂直輔助線圈的磁場，一方的可飽和鐵心變成半飽和狀態(tài)，另一方的可飽和鐵心保持極其不飽和的狀態(tài)，在畫面的垂直軸方向中間部，所述垂直輔助線圈的電感越往畫面的水平軸方向的兩端越是變小，在畫面的垂直軸方向的周邊部，所述垂直輔助線圈的電感不隨著往畫面的水平軸方向的兩端而發(fā)生變化。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陰極射線管裝置，其特征在于，所述畸變補償元件在畫面垂直軸方向的中間部修正枕形NS畸變，在畫面垂直軸方向的周邊部修正桶形NS畸變，即所述磁體產(chǎn)生的偏磁點處于所述可飽和鐵心的不飽和狀態(tài)，并且在畫面的垂直軸方向的周邊部由于增加了所述垂直輔助線圈的磁場，一方的可飽和鐵心變成飽和狀態(tài)，另一方的可飽和鐵心保持極其不飽和的狀態(tài)，在畫面的垂直軸方向中間部，所述垂直輔助線圈的電感越往畫面的水平軸方向的兩端越是變小，在畫面的垂直軸方向的周邊部，所述垂直輔助線圈的電感隨著往畫面的水平軸方向的兩端而發(fā)生的變化變大。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陰極射線管裝置，其特征在于，所述畸變補償元件在畫面水平軸方向的中間部修正桶形EW畸變，即所述磁體產(chǎn)生的偏磁點處于所述可飽和鐵心的飽和狀態(tài)，并且在畫面的水平軸方向的周邊部由于增加了所述水平輔助線圈的磁場，一方的可飽和鐵心變成半飽和狀態(tài)，另一方的可飽和鐵心變成極其飽和的狀態(tài)，在畫面的水平軸方向中間部，所述水平輔助線圈的電感越往畫面的垂直軸方向的兩端越是變大，在畫面的水平軸方向的周邊部，所述水平輔助線圈的電感不隨著往畫面的垂直軸方向的兩端而發(fā)生變化。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陰極射線管裝置，其特征在于，所述畸變補償元件在畫面水平軸方向的中間部修正桶形EW畸變，在畫面水平軸方向的周邊部修正枕形EW畸變，即所述磁體產(chǎn)生的偏磁點處于所述可飽和鐵心的飽和狀態(tài)，并且在畫面的水平軸方向的周邊部由于增加了所述水平輔助線圈的磁場，一方的可飽和鐵心變成不飽和狀態(tài)，另一方的可飽和鐵心變成極其飽和的狀態(tài)，在畫面的水平軸方向中間部，所述水平輔助線圈的電感越往畫面的垂直軸方向的兩端越是變大，在畫面的水平軸方向的周邊部，所述水平輔助線圈的電感隨著往畫面的垂直軸方向的兩端而發(fā)生的變化變小。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陰極射線管裝置，其特征在于，所述畸變補償元件在畫面水平軸方向的周邊部修正枕形EW畸變，即所述磁體產(chǎn)生的偏磁點處于所述可飽和鐵心的不飽和狀態(tài)，并且在畫面的水平軸方向的周邊部由于增加了所述水平輔助線圈的磁場，一方的可飽和鐵心變成半飽和狀態(tài)，另一方的可飽和鐵心保持極其不飽和的狀態(tài)，在畫面的水平軸方向中間部，所述水平輔助線圈的電感越往畫面的垂直軸方向的兩端越是變小，在畫面的水平軸方向的周邊部，所述水平輔助線圈的電感不隨往畫面的垂直軸方向的兩端而發(fā)生變化。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陰極射線管裝置，其特征在于，所述畸變補償元件在畫面水平軸方向的中間部修正枕形EW畸變，在畫面水平軸方向的周邊部修正桶形EW畸變，即所述磁體產(chǎn)生的偏磁點處于所述可飽和鐵心的不飽和狀態(tài)，并且在畫面的水平軸方向的周邊部由于增加了水平輔助線圈的磁場，一方的可飽和鐵心變成飽和狀態(tài)，另一方的可飽和鐵心保持極其不飽和的狀態(tài)，在畫面的水平軸方向中間部，所述水平輔助線圈的電感越往畫面的垂直軸方向的兩端越是變小，在畫面的水平軸方向的周邊部，所述水平輔助線圈的電感越往畫面的垂直軸方向的兩端變化越大。
全文摘要
本發(fā)明涉及具備調(diào)制器(modulator)的陰極射線管裝置,在該陰極射線管裝置中,將該調(diào)制器設(shè)定得,使所述垂直偏轉(zhuǎn)電路的電感沿著所述熒光屏的水平軸方向的變化或水平偏轉(zhuǎn)電路的電感沿著熒光屏的垂直軸方向的變化在畫面的中間部與周邊部不同,以補償畫面中間部與周邊部的畸變差。
文檔編號H04N3/237GK1268764SQ00105349
公開日2000年10月4日 申請日期2000年3月31日 優(yōu)先權(quán)日1999年3月31日
發(fā)明者橫田昌廣 申請人:東芝株式會社