專利名稱：多圖形變換器陣列和使用方法
背景本發(fā)明涉及用于超聲成像的變換器。具體而言，提供了通用變換器陣列配置。
為了超聲掃描病人體內(nèi)的二維平面，變換器元件的一維陣列被使用。對于一維陣列，沿水平方向(azimuth direction)隔開了多個元件。所述元件由電極來限定。例如，上部接地平面電極覆蓋整個陣列，而在變換器材料的底部沿水平隔開的電極限定特定的元件。每個元件與另一個元件隔開近似用于在與變換器陣列的角度上掃描的波長的一半。對于線性掃描或其它掃描，可使用元件中心之間的不同間隔，如全波長間隔。其它變換器提供元件的多維陣列。例如，提供了元件的1.5維或二維陣列。類似于一維陣列，變換器材料的底側(cè)上的電極限定在變換器材料的頂側(cè)上有接地平面的特定元件。
正交陣列可被提供單個變換器。例如，在變換器材料的頂側(cè)上，提供了由沿第一維隔開的電極限定的元件的一維陣列。在變換器材料的相對側(cè)上，電極的一維陣列沿正交方向被隔開。變換器可工作以掃描兩個不同、正交的二維平面。電極的一層被接地，而電極的另一層被用于產(chǎn)生聲能，作為第一一維陣列。對第一一維陣列有源的電極被接地，而先前接地的電極被連接于系統(tǒng)通道以便于用第二、正交的一維陣列來掃描。
概述本發(fā)明由隨后的權(quán)利要求來限定，而本部分中的一切不應(yīng)被看作對那些權(quán)利要求的限制。為了介紹，以下描述的優(yōu)選實施例包括具有不同陣列配置的變換器和使用該變換器的方法。變換器裝置一側(cè)上的電極層限定元件的一維陣列。變換器裝置相對側(cè)上的電極層限定多維陣列。例如，響應(yīng)于一維陣列和多維陣列電極配置，一個變換器裝置可被用于二維成像和三維成像兩者。實時三維成像和二維成像可被提供單個變換器。作為另一個實例，由一個電極配置限定的元件具有與由另一個電極配置限定的元件不同的表面面積。在變換器裝置的相對側(cè)上的不同配置可以是相同類型(例如，均為一維陣列)或不同類型。通常，具有單獨限定的一維和二維陣列的目的是為了高程(elevation)上的聚焦和操縱(steer)能力而折中2D陣列中的分辨率。
以下結(jié)合優(yōu)選實施例來討論本發(fā)明另外的方面和優(yōu)點。
附圖簡述部件和圖沒有必要按比例縮放，相反，重點是說明本發(fā)明的原理。而且，在圖中，在所有不同的附圖中，相同的參考數(shù)字表示對應(yīng)的部分。


圖1是變換器的一個實施例的側(cè)視圖。
圖2和3分別是圖1的變換器實施例的頂視圖和底視圖。
圖4是使用變換器任何各種實施例的系統(tǒng)的一個實施例的方塊圖。
圖5是有多個配置的變換器的使用方法的一個實施例的流程圖。
優(yōu)選實施例詳述有不同元件配置的變換器陣列為成像提供了不同的特征。例如，一維元件的變換器陣列由變換器裝置一側(cè)上的電極層來限定。變換器裝置相對側(cè)上的電極層限定不同的配置，如元件的二維或多維陣列。在可替換的實施例中，一側(cè)上的電極層沿與相對側(cè)相同或不同的維數(shù)的陣列但以不同的間隔或元件區(qū)域形狀來限定陣列。
圖1示出變換器10的一個實施例。變換器10包括變換器裝置12和兩個電極層14和16。可提供附加或不同的部件，如包括匹配層、墊層、透鏡材料或其它超聲變換器材料或部件。
變換器裝置12包括陶瓷材料、壓電材料、撓性膜、靜電裝置、電容性膜超聲變換器(CMUT)或用于在聲和電能之間變換的其它現(xiàn)今已知或以后開發(fā)的裝置。在變換器裝置12是壓電或陶瓷材料的情況下，多個切口18或切割通道將變換器裝置分為多個子元件20。在可替換的實施例中，變換器裝置12包括環(huán)氧或其它材料和壓電的合成物(composite)。切口18可被提供，但環(huán)氧可被用于分離聲學上有源的陶瓷材料。對于膜或CMUT變換器裝置，切口18可被或可不被提供給子元件20的聲學隔離。例如，任何給定元件包括不在元件之間共享的多個膜以使支持膜的基片提供子元件20之間的聲學隔離。
電極層14和16包括淀積的導(dǎo)體，如淀積的金屬層。膠合(glued)或粘接(bonded)的傳導(dǎo)性材料亦可被使用。在一個實施例中，電極層14和16之一或兩者包括具有傳導(dǎo)性條或涂層的撓性電路材料。在可替換的實施例中，電極層14和16包括用于變換器裝置12的現(xiàn)今已知或以后開發(fā)的導(dǎo)線或其它傳導(dǎo)性材料。
一個電極層14與另一個電極層16相比位于變換器的相對側(cè)上。例如，電極層14包括相鄰于病人皮膚而放置的頂部電極層，聲能通過它發(fā)送給病人或從病人發(fā)送。另一個電極層16是底部電極層，如鄰接襯墊材料(backing material)以便于限制聲能的進一步傳輸。在膜或CMUT變換器10中，電極層14和16位于膜間隙或基片和撓性膜之間的間隙的相對側(cè)上。例如，電極層14和16一個或二者位于膜和基片內(nèi)或其之間。如在此所使用的，變換器裝置的相對側(cè)上的電極包括在基片和膜之間的間隙內(nèi)的電極，一個或多個電極在膜的上表面上，或者一個電極在基片底部上。對于陶瓷或壓電材料，一個或多個電極層14、16可部分地位于陶瓷材料內(nèi)。電極層14和16之間的電壓差導(dǎo)致變換器裝置的壓縮或膨脹，如陶瓷的壓縮或膨脹或者膜向著基片或離開基片的運動。
電極層14、16被圖形化以限定不同配置的陣列。圖形化是通過切割、淀積、掩?；蛴糜谙薅姌O陣列的其它現(xiàn)今已知或以后開發(fā)的過程。兩個電極層14、16的不同圖形被相關(guān)于相同維度(dimensionalextent)的陣列如不同的一維陣列，或不同維度的陣列如一維陣列和多維陣列。圖2示出變換器10的頂視圖和第一電極層14的相關(guān)的圖形(實線)。電極層14的圖形化提供了元件22的一維陣列。每個元件22被相關(guān)于變換器裝置12的一個或多個子元件20。例如，在一維陣列的任一端的元件22包括單個子元件20。每個電極和相關(guān)的元件22由凹口18分隔。在該實例中，一維陣列的中心部分中的每個元件22包括沿高程維(elevation dimension)隔開的多個子元件20。例如，中心的元件24包括沿高程維的六個子元件20。另外，與電極安排相比不同或較少的子元件可被提供，如為一維陣列的每個元件或不同元件22提供多個子元件。盡管為電極層14示出了二十九個元件22，亦可提供較多或較少的元件。
在一個實施例中，每個元件22都與每個元件的中心之間的近似半波長間距相關(guān)。所述波長是變換器10的想使用的頻率和帶寬的函數(shù)。元件22的一維陣列沿水平維(azimuthal dimension)限定了掃描平面以便于沿垂直于陣列或與之成角度的掃描線進行掃描。在可替換的實施例中，元件22之間的一波長或其它間隔被提供用于在用與變換器10成垂直角的掃描線進行掃描。
圖3示出變換器10的底視圖和電極層16。電極層16被圖形化(實線)以提供元件22的二維配置或陣列?？商峁┰钠渌嗑S陣列，如1.25、1.5、1.75或N對M個元件的任何各種組合，其中N和M均大于1?？稍贜和M之一或兩者均為1的情況下使用陣列。在可替換的實施例中，對于陣列范圍的至少一部分，多維電極圖形可包括沿兩個不同維有多于一個元件的電極的任何圖形。任何現(xiàn)今已知或以后開發(fā)的多維陣列配置和相關(guān)的電極圖形可被使用。
每個元件22包括變換器裝置12的兩個子元件20。凹口18限定圖形并分離子元件20。在可替換的實施例中，不同的元件22包括與其它元件22不同的子元件20的數(shù)量。一維陣列圖形被示出為虛線，并在由電極層16的圖形限定的孔徑(aperture)上延伸。在可替換的實施例中，電極層16包括整個變換器裝置12或與電極層12的范圍相同。在又一個實施例中，電極層16延伸在電極層12的范圍之外。
由于來自多維陣列的元件趨向于具有比一維陣列小的表面面積，可使用高電壓來驅(qū)動元件，這是因為有較高的阻抗。在一個實施例中，被配置為多維陣列的電極層-16被置于遠離病人的變換器裝置12的底部。在被置于底部的情況下，變換器裝置16起到病人和電極層16之間的電絕緣體的作用。在可替換的實施例中，多維變換器陣列電極層16被置于變換器裝置12的頂部。
一側(cè)的電極層圖形可具有與另一側(cè)不同的電極尺寸。例如，第一層14的電極22的表面面積不同于相對的電極層16的電極22的表面面積。在圖2和3的實施例中，第一層14的一維陣列的電極22的表面面積是相對的電極層16的多維陣列的電極22的表面面積的三倍。其它的相對表面面積可被提供。
作為另一個示例差異，不同層14、16的電極22具有相同或不同的表面面積，同時有每個元件22的高程范圍或長度的差。例如，圖2的第一層電極14的一維陣列的元件22提供比由另一個電極層16限定的一維或多維陣列的元件大的高度長度(elevational length)。電極層16可沿與層14的一維陣列的元件22相同的水平維提供一維陣列，但僅延伸高程距離的一半或其它分數(shù)。較短高程長度的元件的兩個或三個高程上隔開的行可使用電極層16提供為1.25、1.5或1.75維陣列。作為另一個可替換的實施例，正交一維陣列由有非正方形變換器裝置12的電極層16的圖形來限定，或者陣列的高程范圍沿電極層12的一維陣列的水平方向延伸。在延伸于變換器裝置12的整個面上時，頂部層14的元件22的高程范圍比由底部電極層16提供的一維陣列的高程范圍小?？商峁┚哂胁煌L度的多維陣列、一維陣列元件的各種組合。
電極和相關(guān)元件22的水平維對不同的電極層14、16是相同或不同的。例如，如圖2和3中所示，與多維陣列電極層16的電極22的間隔相比，一維陣列電極層14的元件22是中心對中心間隔或采樣(sampling)的一半的長度。由于元件22的數(shù)量可由發(fā)送或接收波束形成器通道的數(shù)量或線纜的數(shù)量來限定，有較大尺寸或較大間隔的元件可被用于多維成像以減小所需的通道數(shù)量。多維成像可使用有限的波束控制以避免光柵瓣。對于較高分辨率的二維成像，由電極層14限定的一維陣列使用元件22的一半波長間隔。一半或其它的波長間隔可被用于一維或多維陣列。作為不同水平長度(azimuth length)的另一個實例，由第一層14限定的多維或一維陣列以與另一個電極層16所限定的元件22的一維或多維陣列不同的中心頻率工作。層14、16兩者的元件22被相關(guān)于一半或一個波長采樣，但旨在以不同頻率使用。
一個電極層14的圖形的電極22具有與另一個電極層16的電極22相同或不同的形狀。例如，圖2示出有矩形形狀的元件和相關(guān)的電極22，而圖3示出有基本上正方形形狀的元件和相關(guān)的電極22。其它實例包括有矩形、正方形、三角形、六邊形的不同形狀或其不同組合的每個電極層14、16的電極22。例如，正方形或矩形元件和電極22的多維陣列被提供于第一層14中，而三角形或六邊形元件和相關(guān)的電極22被提供于另一層16中。作為又一個實例，與二維陣列相關(guān)的元件和相關(guān)的電極22在一個電極層14上基本上是正方形，而基本上為矩形的元件和相關(guān)的電極22的1.5維配置由另一個電極層16來限定。電極22和相關(guān)的元件或者子元件20的組合的形狀、尺寸、表面面積和其它特征為所需的成像而被最優(yōu)化，如以各種頻率和相關(guān)帶寬的任何一個用垂直或非垂直掃描線進行的二維或三維成像。
每個層14和16的電極22之間的間距被相關(guān)于變換器裝置12中的凹口18或其它聲學隔離，如用于CMUT的基片上的膜之間的空間。用于其它聲學隔離的凹口使用與形成電極22相同的過程在與之相同的時間形成，或者使用相同或不同的過程在不同的時間形成。通過對準變換器裝置12內(nèi)的聲學隔離和電極22的電學間距，為每個電極圖形提供了聲學和電學上隔離的元件。用于一個電極圖形的聲學隔離可導(dǎo)致多個子元件20被附著于另一個電極圖形的相同電極22上。
在一個實施例中，透鏡被置于頂部電極層14，如鄰接被接合于電極層14的匹配層而被放置。該透鏡提供了一個或多個維上的機械聚焦。例如，透鏡提供與由圖2中所示的電極層14限定的一維陣列相關(guān)的高程上的聚焦。對于用由圖3中所示的另一個電極層16限定的不同陣列進行的成像，由波束形成器通道應(yīng)用的延遲被調(diào)節(jié)以解決機械聚焦。例如，由發(fā)送或接收波束形成器應(yīng)用的延遲解決機械聚焦。在可替換的實施例中，透鏡是凹或凸的，從而提供了多個維上的機械聚焦。作為被用于發(fā)送或接收的電極22的配置或圖形的函數(shù)，波束形成器延遲解決在任何各維上的機械聚焦。
在此討論的任何各個實施例的變換器10是在如圖4中所示的超聲系統(tǒng)30中使用的。變換器10可被用于不同的超聲系統(tǒng)。超聲系統(tǒng)30包括變換器10、一個或多個開關(guān)32和任選的發(fā)送和接收開關(guān)32、發(fā)送波束形成器36和接收波束形成器38。另外，可提供不同的或較少的部件。
開關(guān)32包括模擬或數(shù)字、單極或多極開關(guān)。在一個實施例中，開關(guān)32包括開關(guān)的網(wǎng)絡(luò)，如復(fù)用器。開關(guān)32可連接于電極層14、16的電極22。開關(guān)32可工作以使一層14、16的電極22接地并將另一層16、14的電極22連接于系統(tǒng)通道，如發(fā)送和接收波束形成器通道或線纜。開關(guān)32允許一層14、16選擇性地連接于系統(tǒng)通道，而另一層16、14被接地。開關(guān)32亦可允許選擇一層的比全部少的電極22的子孔徑以與系統(tǒng)通道連接。例如，提供了比可用線纜或系統(tǒng)通道數(shù)量多的一層14、16上的電極。元件的子集被選擇用于與線纜或系統(tǒng)通道連接。對于二維陣列，稀疏陣列或其它孔徑配置可被使用。在可替換的實施例中，一層14、16的所有元件被與對應(yīng)的單獨系統(tǒng)通道連接。
在一個實施例中，受限的波束形成部件如模擬延遲和求和器被提供于容納有變換器10的探測器中。波束形成器部件起作用以從元件和相關(guān)電極2 2的子組部分地進行波束信號形成。作為結(jié)果，可使用比一層14、16的元件和相關(guān)電極22少的線纜和相關(guān)的系統(tǒng)通道。這種結(jié)構(gòu)被公開于U.S.專利No.6,126,602中，其公開內(nèi)容在此引入作為參考。通過在變換器10的探測器外殼內(nèi)提供模擬波束形成，用于多維陣列的較大數(shù)量的陣列元件和相關(guān)電極22可被提供有限數(shù)量的系統(tǒng)通道和線纜。在另一種途徑中，時分復(fù)用允許使用比線纜大的數(shù)量的元件。
發(fā)送接收開關(guān)34包括模擬或數(shù)字開關(guān)，用于在變換器10與發(fā)送波束形成器36或與接收波束形成器38的連接之間選擇。發(fā)送接收開關(guān)34包括多個開關(guān)，如在所選孔徑中每個通道或相關(guān)元件和電極22一個開關(guān)。發(fā)送和接收開關(guān)是任選的。例如，發(fā)送波束形成器36連接于與接收波束形成器38不同的元件22，或者接收波束形成器和發(fā)送波束形成器36和38被組合為一個裝置。
發(fā)送波束形成器36包括一個或多個晶體管、波形發(fā)生器、存儲器、數(shù)字到模擬轉(zhuǎn)換器、或用于產(chǎn)生單極、雙極或更多復(fù)雜發(fā)送波形的現(xiàn)今已知或以后開發(fā)的其它模擬或數(shù)字裝置。發(fā)送波束形成器36亦可包括多個延遲、放大器和其它部件，用于相對于另一個波形處理一個波形以在不同位置并以相同或不同的焦深沿聲學掃描線發(fā)送。在一個實施例中，發(fā)送波束形成器36可工作以將所連接的元件驅(qū)動到地。例如，開關(guān)32將發(fā)送波束形成器36連接于一層14、16的元件22，而接收波束形成器38通過開關(guān)32連接于另一層16、14。發(fā)送波束形成器36然后將所連接的電極22驅(qū)動到接地電勢。例如，發(fā)送波束形成器36包括一個或多個晶體管，其將發(fā)送波束形成器通道連接于地。在又一個可替換的實施例中，發(fā)送波束形成器36被允許浮動。開關(guān)32將電極22連接于地并將發(fā)送波束形成器36與接收波束形成器38隔離。在又一個可替換的實施例中，發(fā)送和接收開關(guān)34將發(fā)送波束形成器36與接收波束形成器38隔離。在容納變換器10的探測器中或用容納發(fā)送波束形成器36和接收波束形成器38的超聲系統(tǒng)可提供開關(guān)32。
接收波束形成器38包括多個模擬或數(shù)字延遲、放大器和其它部件，用于多個接收波束形成器通道動態(tài)地聚焦和操縱。接收波束形成器38亦包括求和器，如模擬求和點或數(shù)字加法器，用于組合來自多個接收通道的經(jīng)延遲和切趾(apodized)的信號。接收波束形成器38輸出射頻、同相和正交或其它信息以便于超聲處理、檢測和成像。
圖5示出使用有不同陣列配置的變換器10的一個實施例的流程圖。在步驟50，陣列配置被選擇。待用于成像的電極層14、16和相關(guān)的電極22被選擇。來自不同層14、16的非重疊元件和相關(guān)電極可被選擇，但優(yōu)選的是來自一個電極層14、16的電極22被選擇以用于聲學掃描。發(fā)送波束形成器36、接收波束形成器38的工作頻率和其它系統(tǒng)參數(shù)是基于層14、16的選擇而配置的。
在步驟52，非選擇的電極22，與被選擇用于成像的電極相對的電極層16、14的電極22，或者電極22的子集被接地。開關(guān)32將這些電極或電極層14、16連接于地?？商鎿Q的是，發(fā)送波束形成器36將電極22驅(qū)動到接地電勢。在可替換的實施例中，非接地或非零的DC電壓被連接于非選擇的元件22。
在步驟54中，所選擇的元件22或電極層16、14被連接于波束形成器。例如，一個電極層16、14的電極22通過開關(guān)32和發(fā)送和接收開關(guān)34連接于發(fā)送波束形成器36、接收波束形成器38或其組合。與系統(tǒng)通道的連接允許使用所選的電極22和相關(guān)的元件來掃描病人。
在步驟56，變換器裝置12的接地電極22結(jié)合所選電極被用于在發(fā)送工作、接收工作或其組合中掃描病人。例如，發(fā)送波形被提供給所選電極22。響應(yīng)于接收發(fā)送波形的電極22和接地電極22之間的電勢差，變換器裝置12產(chǎn)生被發(fā)送到病人體內(nèi)的聲能。為了接收信息，變換器裝置12產(chǎn)生所選電極22和接地電極22之間的電勢差。電勢差被提供給接收波束形成器38。在一個實施例中，相同的所選電極22被用于發(fā)送和接收工作兩者。在可替換的實施例中，相同或不同電極層14、16上的不同電極22被用于發(fā)送工作而不是接收工作。
所選電極22可被用于在二維平面或三維體積內(nèi)掃描。在可替換的實施例中，不同的電極22被選擇用于不同的掃描線或提供給作為掃描線、焦深、所需波束特征或另一個變量的函數(shù)的不同孔徑。
在一個實施例中，所選電極22和對應(yīng)的電極層14、16被用于一種類型的掃描，如使用一維陣列的二維成像。在步驟52、54和56中，不同的電極層14、16和相關(guān)的電極22被選擇并用于不同類型的掃描，如在二維或三維體積內(nèi)用多維陣列進行的掃描。
盡管在以上已參照各種實施例描述了本發(fā)明，應(yīng)理解可在本發(fā)明的范圍內(nèi)實施各種變化和修改。例如，不同的一維陣列可被提供于使用不同電極層14、16的變換器裝置12的相對側(cè)上。作為又一個實例，具有在以上討論的至少一個特征上不同的圖形的不同多維陣列可被用于不同的電極層14、16。
因此，想要的是，以上詳述被理解為對本發(fā)明當前優(yōu)選實施例的說明，而不是對本發(fā)明的限定。只有隨后的權(quán)利要求，包括所有的等效內(nèi)容，旨在限定本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于不同元件圖形的超聲變換器，該變換器包括變換器裝置；變換器裝置第一側(cè)上的第一電極層，第一電極層的第一圖形限定一維陣列；以及變換器裝置第二側(cè)上的第二電極層，第二側(cè)與第一側(cè)相對，第二電極層的第二圖形限定多維陣列。
2.權(quán)利要求1的變換器，其中第一圖形限定第一多個元件，而第二圖形限定不同的、第二多個元件，第一多個元件的每個具有與第二多個元件的每個不同的表面面積。
3.權(quán)利要求1的變換器，其中第二圖形限定二維陣列。
4.權(quán)利要求1的變換器，其中第二圖形限定1.25、1.5和1.75維陣列中的一個。
5.權(quán)利要求1的變換器，其中第一圖形的元件的高程長度與第二圖形的元件的高程長度不同。
6.權(quán)利要求1的變換器，其中第一圖形對應(yīng)于元件之間的半波長間隔，而第二圖形對應(yīng)于元件之間的一個波長間隔。
7.權(quán)利要求1的變換器，進一步包括可與第一和第二電極層連接的多個開關(guān)，該多個開關(guān)可工作以使第一和第二電極層之一接地并可工作以將第一和第二電極層的另一個連接于波束形成器通道。
8.權(quán)利要求1的變換器，其中所述多個開關(guān)可工作以將第一和第二電極層的另一個的元件的子集連接于波束形成器通道。
9.權(quán)利要求1的變換器，其中第二電極層包括多個電極，進一步包括與該多個電極的子集連接的至少一個求和器，該至少一個求和器在容納有變換器裝置的探測器中。
10.一種用于不同元件圖形的超聲變換器，該變換器包括變換器裝置；變換器裝置第一側(cè)上的第一電極層，第一電極層的第一圖形限定第一元件，每個都有第一表面面積；以及變換器裝置第二側(cè)上的第二電極層，第二側(cè)與第一側(cè)相對，第二電極層的第二圖形限定第二元件，每個都有與第一元件不同的表面面積。
11.權(quán)利要求10的變換器，其中第一圖形包括一維陣列，而第二圖形包括多維陣列。
12.權(quán)利要求10的變換器，其中第一圖形包括第一多維陣列，而第二圖形包括第二多維陣列。
13.權(quán)利要求10的變換器，其中第一圖形包括第一一維陣列，而第二圖形包括第二一維陣列。
14.權(quán)利要求10的變換器，其中第一圖形的元件的高程長度與第二圖形的元件的高程長度不同。
15.權(quán)利要求10的變換器，其中第一圖形對應(yīng)于元件之間的半個波長間隔，而第二圖形對應(yīng)于元件之間的一個波長間隔。
16.權(quán)利要求10的變換器，進一步包括可與第一和第二電極層連接的多個開關(guān)，該多個開關(guān)可工作以使第一和第二電極層之一接地并可工作以將第一和第二電極層的另一個連接于波束形成器通道。
17.一種用于使用有不同電極配置的變換器陣列的方法，該方法包括(a)選擇性地將分別在變換器裝置的第一和第二相對側(cè)上的第一和第二電極之一連接于地，第一電極被圖形化為一維陣列，而第二電極被圖形化為多維陣列；以及(b)選擇性地將第一和第二電極的另一個連接于波束形成器通道。
18.權(quán)利要求17的方法，其中(a)包括使一維陣列的第一電極接地，并且(b)包括將多維陣列的第二電極連接于波束形成器通道。
19.權(quán)利要求17的方法，其中(a)包括使多維陣列的第二電極接地，并且(b)包括將一維陣列的第一電極連接于波束形成器通道。
20.一種用于不同元件圖形的超聲變換器，該變換器包括變換器裝置；變換器裝置第一側(cè)上的第一電極層，第一電極層的第一圖形限定第一多維陣列；以及變換器裝置第二側(cè)上的第二電極層，第二側(cè)與第一側(cè)相對，第二電極層的第二圖形限定第二多維陣列，第一多維陣列具有與第二多維陣列不同的電極配置。
全文摘要
提供一種具有不同陣列配置的變換器和使用該變換器的方法。變換器裝置一側(cè)上的電極層限定元件的一維陣列。變換器裝置相對側(cè)上的電極層限定多維陣列。例如，響應(yīng)于一維陣列和多維陣列電極配置，一個變換器裝置可被用于二維成像和三維成像兩者。實時三維成像和二維成像可被提供單個變換器。作為另一個實例，由一個電極配置限定的元件具有與由另一個電極配置限定的元件不同的表面面積。在變換器裝置的相對側(cè)上的不同配置可以是相同類型(例如，均為一維陣列)或不同類型。
文檔編號H04R17/00GK1494875SQ03159140
公開日2004年5月12日 申請日期2003年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月9日
發(fā)明者A·何蔡, L·J·托馬斯, A 何蔡, 托馬斯 申請人:阿庫森公司