專利名稱：能夠利用抑制功率消耗的增加來提高操作速度的接收機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)，包括發(fā)射機(jī)側(cè)集成電路單元、接收機(jī)側(cè)集成電路單元以及在其間連接的傳輸線，并且更具體地，涉及接收機(jī)側(cè)集成電路單元的接收機(jī)。
背景技術(shù)：
在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中通常使用低電壓差分信號(hào)(LVDS)數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)(參見JP-2001-357961A，JP-2001-53598A & JP-2002-135339A)。
現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)通過發(fā)射機(jī)側(cè)集成電路單元、接收機(jī)側(cè)集成電路單元以及在其間連接的第一與第二傳輸線(參見JP-2001-53598A的圖1與6)構(gòu)成。通過用于向第一與第二傳輸線發(fā)送在發(fā)射機(jī)側(cè)內(nèi)部電路中生成的輸入信號(hào)的信號(hào)發(fā)射電路來形成發(fā)射機(jī)側(cè)集成電路單元。另一方面，通過連接至第一與第二傳輸線的信號(hào)接收電路、向該信號(hào)接收電路提供偏置電壓的偏置電路、以及用于生成輸出信號(hào)并將其發(fā)送至接收機(jī)側(cè)內(nèi)部電路的輸出電路來形成接收機(jī)側(cè)集成電路單元的接收機(jī)。
通過串聯(lián)的用于接收輸入信號(hào)的第一與第二倒相器、連接在第一傳輸線與接地端子之間并且其柵極由第一倒相器的輸出信號(hào)控制的n-溝道MOS晶體管、以及連接在第二傳輸線與接地端子之間并且其柵極由第二倒相器的輸出信號(hào)控制的n-溝道MOS晶體管來構(gòu)成信號(hào)發(fā)送電路。
當(dāng)輸入信號(hào)處于高電平時(shí)，第一傳輸線處于高阻(HZ)狀態(tài)并且第二傳輸線處于0V。另一方面，當(dāng)輸入信號(hào)處于低電平時(shí)，第一傳輸線處于0V，而第二傳輸線處于HZ狀態(tài)。
從而，信號(hào)發(fā)送電路根據(jù)輸入信號(hào)生成LVDS信號(hào)，并將它們分別發(fā)送至第一與第二傳輸線。
另一方面，在接收機(jī)側(cè)集成電路單元的接收機(jī)中，通過非倒相放大信號(hào)生成電路、倒相放大信號(hào)生成電路以及恒流源電路構(gòu)成信號(hào)接收電路，其中非倒相放大信號(hào)生成電路連接至第一與第二傳輸線，用于差分放大第二與第一傳輸線的信號(hào)，以生成非倒相放大信號(hào)；倒相放大信號(hào)生成電路連接至第一與第二傳輸線，用于差分放大第一與第二傳輸線的信號(hào)，以生成倒相放大信號(hào)；并且恒流源電路連接至第一與第二傳輸線。
非倒相放大信號(hào)生成電路的元件與倒相放大信號(hào)生成電路的元件對(duì)稱。
通過當(dāng)作放大器的第一與第二n-溝道MOS晶體管以及當(dāng)作第一電流鏡電路的p-溝道MOS晶體管形成非倒相放大信號(hào)生成電路，其中所述第一電流鏡電路連接至該第一與第二n-溝道MOS晶體管。向第一與第二n-溝道MOS晶體管的柵極施加偏置電壓。
通過當(dāng)作放大器的第三與第四n-溝道MOS晶體管以及當(dāng)作第二電流鏡電路的第三與第四p-溝道MOS晶體管形成倒相放大信號(hào)生成電路，其中所述第二電流鏡電路連接至該第三與第四n-溝道MOS晶體管。向第三與第四n-溝道MOS晶體管的柵極施加偏置電壓。
后面將解釋上述現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在上述接收機(jī)側(cè)集成電路電路的接收機(jī)中，因?yàn)橛梢粋€(gè)n-溝道MOS晶體管形成的每一放大器都具有非常小的驅(qū)動(dòng)能力，所以該接收機(jī)側(cè)集成電路單元的接收機(jī)不能以高速度操作。
為了提高接收機(jī)側(cè)集成電路的接收機(jī)的操作速度，可以增大由一個(gè)n-溝道MOS晶體管形成的每一放大器的驅(qū)動(dòng)能力，以增大流過放大器的電流。然而在這種情況下，功率消耗增大。注意，在沒有時(shí)鐘信號(hào)的數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定狀態(tài)下，即使當(dāng)?shù)谝慌c第二傳輸線的信號(hào)沒有改變時(shí)，由于兩個(gè)n-溝道MOS晶體管總是深度導(dǎo)通，所以流經(jīng)每個(gè)均由一個(gè)n-溝道MOS晶體管形成的各放大器的總電流增大。從而，需要在操作速度與功率消耗之間進(jìn)行折中。
根據(jù)本發(fā)明，通過信號(hào)接收電路以及反饋信號(hào)生成電路構(gòu)成接收機(jī)，其中信號(hào)接收電路包括適于響應(yīng)第一輸入信號(hào)以生成第一電流的第一放大器部分、和適于響應(yīng)第二輸入信號(hào)以生成第二電流的第二放大器部分，從而根據(jù)第一與第二電流之間的差生成放大信號(hào)；而反饋信號(hào)生成電路適于根據(jù)所述放大信號(hào)生成反饋信號(hào)。根據(jù)該反饋信號(hào)來確定第一與第二放大器部分的驅(qū)動(dòng)能力。


當(dāng)與現(xiàn)有技術(shù)比較時(shí)，通過下述說明并參考附圖，將更加清楚地理解本發(fā)明，其中圖1是表示現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)的電路框圖；圖2是圖1的信號(hào)發(fā)送電路的詳細(xì)電路圖；圖3A和3B是解釋圖2的信號(hào)發(fā)送電路操作的電路圖；圖4是接收機(jī)，即圖1的信號(hào)接收電路、偏置電路以及輸出電路的詳細(xì)電路圖；圖5是表示包括根據(jù)本發(fā)明的接收機(jī)第一實(shí)施例的數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)的電路框圖；圖6是接收機(jī)，即圖5的信號(hào)接收電路、偏置電路、輸出電路、反饋信號(hào)生成電路的詳細(xì)電路圖；
圖7A、7B和7C是解釋圖6的接收機(jī)操作的電路圖；圖8A和8B是表示圖6的接收機(jī)的變型的電路圖；圖9是表示包括根據(jù)本發(fā)明的接收機(jī)的第二實(shí)施例的數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)的電路框圖；圖10是接收機(jī)，即圖5的信號(hào)接收電路、偏置電路、輸出電路以及反饋信號(hào)生成電路的詳細(xì)電路圖；圖11A、11B和11C是解釋圖10的接收機(jī)操作的電路圖；以及圖12A和12B是表示圖10的接收機(jī)的變型的電路圖。
具體實(shí)施例方式
在說明優(yōu)選實(shí)施例之前，將參考圖1、2和3解釋現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)(參見JP-2001-53598A的圖1和6)。
在圖1中，該圖表示現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)，此數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)由發(fā)射機(jī)側(cè)集成電路單元1、接收機(jī)側(cè)集成電路單元2以及連接在發(fā)射機(jī)側(cè)集成電路單元1與接收機(jī)側(cè)集成電路單元2之間的傳輸線3-1和3-2構(gòu)成。發(fā)射機(jī)側(cè)集成電路單元1由向傳輸線3-1和3-2發(fā)送在發(fā)射機(jī)側(cè)集成電路單元1的內(nèi)部電路中生成的輸入信號(hào)IN的信號(hào)發(fā)送電路10形成。另一方面，接收機(jī)側(cè)集成電路單元2的接收機(jī)由連接至傳輸線3-1和3-2的信號(hào)接收電路21、向信號(hào)接收電路21提供偏置電壓VB的偏置電路22以及連接至信號(hào)接收電路21以生成輸出信號(hào)OUT并將該輸出信號(hào)OUT發(fā)送至接收機(jī)側(cè)集成電路單元2的內(nèi)部電路(未示出)的輸出電路23構(gòu)成。
在圖2中，該圖是圖1的信號(hào)發(fā)送電路10的詳細(xì)電路圖，通過用于接收輸入信號(hào)IN的串聯(lián)的倒相器11與12、連接在傳輸線3-1與接地端子GND之間并且其柵極由倒相器11的輸出信號(hào)控制的n-溝道MOS晶體管13、以及連接在傳輸線3-2與接地端子GND之間并且其柵極由倒相器12的輸出信號(hào)控制的n-溝道MOS晶體管14構(gòu)造信號(hào)發(fā)送電路10。
如圖3A所示，該圖表示第一穩(wěn)定狀態(tài)，當(dāng)輸入信號(hào)IN處于高電平時(shí)，倒相器11的輸出信號(hào)處于低電平(＝0V)以截止MOS晶體管13，因此傳輸線3-1處于高阻(HZ)狀態(tài)。另外，倒相器12的輸出信號(hào)處于高電平，以導(dǎo)通MOS晶體管14，因此傳輸線3-2處于0V。
另一方面，如圖3B所示，該圖表示第二穩(wěn)定狀態(tài)，當(dāng)輸入信號(hào)IN處于低電平(＝0V)時(shí)，倒相器11的輸出信號(hào)處于高電平，以導(dǎo)通MOS晶體管13，因此傳輸線3-1處于0V。另外，倒相器12的輸出信號(hào)處于低電平(＝0V)，以截止MOS晶體管14，因此傳輸線3-2處于HZ狀態(tài)。
在從第一穩(wěn)定狀態(tài)到第二穩(wěn)定狀態(tài)或者相反的瞬時(shí)狀態(tài)中，傳輸線3-1從HZ狀態(tài)至0V狀態(tài)或者相反，而傳輸線3-2從0V狀態(tài)到HZ狀態(tài)或者相反。
從而，信號(hào)發(fā)送電路10根據(jù)在其內(nèi)部電路中生成的輸入信號(hào)IN分別在傳輸線3-1和3-2生成輸入信號(hào)I1和I2。
在圖4中，該圖是接收機(jī)，即圖1的信號(hào)接收電路21、偏置電路22以及輸出電路23的詳細(xì)電路圖，信號(hào)接收電路21通過接收偏置電路22的偏置電壓VB來放大傳輸線3-1和3-2的輸入信號(hào)I1和I2，以生成非倒相放大信號(hào)S+和倒相放大信號(hào)S-，并且輸出電路23使非倒相放大信號(hào)S+和倒相放大信號(hào)S-形成波形，以生成輸出信號(hào)OUT。
通過非倒相放大信號(hào)生成電路211、倒相放大信號(hào)生成電路212以及恒流源電路213構(gòu)成信號(hào)接收電路21，其中非倒相放大信號(hào)生成電路211連接在電源端子VDD和分別連接至傳輸線3-1和3-2的第一與第二輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)N1與N2之間，用于差分放大輸入信號(hào)I2和I1，以生成非倒相放大信號(hào)S+；倒相放大信號(hào)生成電路212連接在電源端子VDD和分別連接至傳輸線3-1和3-2的節(jié)點(diǎn)N1與N2之間，用于差分放大輸入信號(hào)I2和I1，以生成倒相放大信號(hào)S-；并且恒流源電路213連接在節(jié)點(diǎn)N1與N2和接地端子GND之間。
非倒相放大信號(hào)生成電路211的元件與倒相放大信號(hào)生成電路212的元件對(duì)稱。
通過源極分別連接至節(jié)點(diǎn)N1和N2的當(dāng)作放大器的n-溝道MOS晶體管2111以及2112、連接在電源端子VDD和n-溝道MOS晶體管2111的漏極之間的p-溝道MOS晶體管2113、以及連接在電源端子VDD和n-溝道MOS晶體管2112的漏極之間的p-溝道MOS晶體管2114形成非倒相放大信號(hào)生成電路211。將偏置電壓VB施加至n-溝道MOS晶體管2111和2112的柵極。p-溝道MOS晶體管2113和2114的柵極彼此連接，并且連接至p-溝道MOS晶體管2113的漏極，從而形成帶有參考電流輸入節(jié)點(diǎn)N3和鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)N4的電流鏡電路，用于生成非倒相放大信號(hào)S+。
通過源極分別連接至節(jié)點(diǎn)N2和N1的當(dāng)作放大器的n-溝道MOS晶體管2121以及2122、連接在電源端子VDD和n-溝道MOS晶體管2121的漏極之間的p-溝道MOS晶體管2123以及連接在電源端子VDD和n-溝道MOS晶體管2122的漏極之間的p-溝道MOS晶體管2124形成倒相放大信號(hào)生成電路212。將偏置電壓VB施加至n-溝道MOS晶體管2121和2122的柵極。p-溝道MOS晶體管2123和2124的柵極彼此連接，并且連接至p-溝道MOS晶體管2123的漏極，從而形成帶有參考電流輸入節(jié)點(diǎn)N5和鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)N6的電流鏡電路，用于生成非倒相放大信號(hào)S-。
通過連接在節(jié)點(diǎn)N1和接地端子GND之間的n-溝道MOS晶體管2131、連接在節(jié)點(diǎn)N2和接地端子GND之間的n-溝道MOS晶體管2132形成恒流源電路213。將偏置電壓VB施加給n-溝道MOS晶體管2131、2132的柵極，因此n-溝道MOS晶體管2131和2132的每一個(gè)充當(dāng)恒流源。
通過恒流源221和在電源端子VDD和接地端子GND之間連接的漏-柵相連n-溝道MOS晶體管222來構(gòu)造偏置電路22。恒流源221和n-溝道MOS晶體管之間的節(jié)點(diǎn)N7生成提供至晶體管2111、2112、2121、2122、2131和2132的柵極的偏置電源VB。
通過由相互耦合的NAND電路2311與2312以及倒相器232形成的鎖存電路231構(gòu)造輸出電路23。在這種情況下，信號(hào)接收電路21的非倒相放大信號(hào)S+被提供至NAND電路2311的一個(gè)輸入端，并且信號(hào)接收電路21的倒相放大信號(hào)S-被提供至NAND電路2312的一個(gè)輸入端。因此，當(dāng)非倒相放大信號(hào)S+高且倒相放大信號(hào)S-低時(shí)，輸出信號(hào)OUT高。另一方面，當(dāng)非倒相放大信號(hào)S+低且倒相放大信號(hào)S-高時(shí)，輸出信號(hào)OUT低。
通常，在信號(hào)接收電路21中，n-溝道MOS晶體管2111、2112、2121、2122、2131和2132具有非常小的驅(qū)動(dòng)能力。
下面解釋接收機(jī)側(cè)集成電路單元2的接收機(jī)的操作。
在信號(hào)發(fā)送電路10的第一穩(wěn)定狀態(tài)下，其中輸入信號(hào)IN高，如圖3A所示，傳輸線3-1處于HZ狀態(tài)，而傳輸線3-2處于0V，因此節(jié)點(diǎn)N1和N2的電壓分別約為0.2V和0V。因此在非倒相放大信號(hào)生成電路211中，n-溝道MOS晶體管2112被深度導(dǎo)通(deeply turned ON)，而n-溝道MOS晶體管2111被淺導(dǎo)通(shallowly turned ON)。結(jié)果，相對(duì)較小的電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2111以及電流鏡電路的p-溝道MOS晶體管2113和2114。在這種情況下，由于相對(duì)較大的電流僅流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2112，因而節(jié)點(diǎn)N4的低電平信號(hào)作為非倒相放大信號(hào)S+被提供至輸出電路23的鎖存電路231，這是由于流經(jīng)p-溝道MOS晶體管2114的相對(duì)較小的電流造成的。換言之，通過對(duì)節(jié)點(diǎn)N2和N1之間非常小的電壓差(＝0V-0.2V)進(jìn)行放大來獲得這樣的低電平信號(hào)。另外，在倒相放大信號(hào)生成電路212中，n-溝道MOS晶體管2121深度導(dǎo)通，而n-溝道MOS晶體管2122淺導(dǎo)通。結(jié)果，相對(duì)較大的電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2121以及電流鏡電路的p-溝道MOS晶體管2123和2124。在這種情況下，由于相對(duì)較小的電流僅流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2122，因而節(jié)點(diǎn)N6的高電平信號(hào)作為倒相放大信號(hào)S-被提供至輸出電路23的鎖存電路232，這是由于流經(jīng)p-溝道MOS晶體管2124的相對(duì)較大的電流造成的。換言之，通過對(duì)節(jié)點(diǎn)N1和N2之間非常小的電壓差(＝0.2V-0V)進(jìn)行放大來獲得這樣的高電平信號(hào)。
注意，由于傳輸線3-1處于HZ狀態(tài)，那么流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2111和2122的總的相對(duì)較小的電流流經(jīng)恒流源電路213的n-溝道MOS晶體管2131。
在信號(hào)發(fā)送電路10的第二穩(wěn)定狀態(tài)下，其中輸入信號(hào)IN為低，如圖3A所示，傳輸線3-1處于0V，而傳輸線3-2處于HZ狀態(tài)，因此節(jié)點(diǎn)N1和N2的電壓分別約為0V和0.2V。因此在非倒相放大信號(hào)生成電路211中，n-溝道MOS晶體管2111被深度導(dǎo)通，而n-溝道MOS晶體管2112被淺導(dǎo)通。結(jié)果，相對(duì)較大的電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2111以及電流鏡電路的p-溝道MOS晶體管2113和2114。在這種情況下，由于相對(duì)較小的電流僅流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2112，因而節(jié)點(diǎn)N4的高電平信號(hào)作為非倒相放大信號(hào)S+被提供至輸出電路23的鎖存電路231，這是由于流經(jīng)p-溝道MOS晶體管2114的相對(duì)較大的電流造成的。換言之，通過對(duì)節(jié)點(diǎn)N2和N1之間非常小的電壓差(＝0.2V-0V)進(jìn)行放大來獲得這樣的高電平信號(hào)。另外，在倒相放大信號(hào)生成電路212中，n-溝道MOS晶體管2122深度導(dǎo)通，而n-溝道MOS晶體管2121淺導(dǎo)通。結(jié)果，相對(duì)較小的電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2121以及電流鏡電路的p-溝道MOS晶體管2123和2124。在這種情況下，由于相對(duì)較大的電流僅流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2122，因而節(jié)點(diǎn)N6的低電平信號(hào)作為倒相放大信號(hào)S-被提供至輸出電路23的鎖存電路232，這是由于流經(jīng)p-溝道MOS晶體管2124的較小電流造成的。換言之，通過對(duì)節(jié)點(diǎn)N1和N2之間非常小的電壓差(＝0V-0.2V)進(jìn)行放大來獲得這樣的低電平信號(hào)。
注意，由于傳輸線3-2處于HZ狀態(tài)，那么流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2111和2122的總的相對(duì)較小的電流流經(jīng)恒流源電路213的n-溝道MOS晶體管2132。
從而在圖4的接收機(jī)側(cè)集成電路單元2的接收機(jī)中，由于功率消耗取決于深度導(dǎo)通的n-溝道MOS晶體管2111、2112、2121以及2122中的兩個(gè)，如果n-溝道MOS晶體管2111、2112、2121以及2122的驅(qū)動(dòng)能力非常小，那么功率消耗可以降低。
然而，在圖4的接收機(jī)側(cè)集成電路單元2的接收機(jī)中，由于n-溝道MOS晶體管2111、2112、2121以及2122具有非常小的驅(qū)動(dòng)能力，那么電流鏡電路輸出節(jié)點(diǎn)N4和N6的電壓不能高速變化，這意味著接收機(jī)側(cè)集成電路單元2的接收機(jī)不能高速操作。
為了增加圖4的接收機(jī)側(cè)集成電路單元2的接收機(jī)的操作速度，可以增大n-溝道MOS晶體管2111、2112、2121以及2122的驅(qū)動(dòng)能力，以增大流經(jīng)它們的電流。然而在這種情況下，功率消耗增大。注意，在沒有時(shí)鐘信號(hào)的數(shù)據(jù)發(fā)送的穩(wěn)定狀態(tài)下，甚至當(dāng)輸入信號(hào)IN，即輸入信號(hào)I1與I2沒有如圖3A或3B所示變化時(shí)，由于n-溝道MOS晶體管2111、2112、2121以及2122中的兩個(gè)總是深度導(dǎo)通，那么流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2111、2112、2121以及2122的總電流增大。從而，在操作速度與功率消耗間存在折中。
在圖5中，該圖表示包括根據(jù)本發(fā)明的接收機(jī)系統(tǒng)的第一實(shí)施例的數(shù)據(jù)傳輸，圖1的信號(hào)接收電路21被替換為信號(hào)接收電路21A，并且向圖1的接收機(jī)側(cè)集成電路2的接收機(jī)增加反饋信號(hào)生成電路24。該反饋信號(hào)生成電路24根據(jù)輸出電路23的輸出信號(hào)OUT生成非倒相反饋信號(hào)OUT+以及倒相反饋信號(hào)OUT-，并且將它們發(fā)送至信號(hào)接收電路21A。
圖6是接收機(jī)，即圖5的信號(hào)接收電路21A、偏置電路22、輸出電路23以及反饋信號(hào)生成電路24的詳細(xì)電路圖。
在信號(hào)接收電路21A中，圖4的非倒相放大信號(hào)生成電路211和倒相放大信號(hào)生成電路212分別由非倒相放大信號(hào)生成電路211A和倒相放大信號(hào)生成電路212A代替。
在非倒相放大信號(hào)生成電路211A中，向圖4的非倒相放大信號(hào)生成電路211增加一系列作為放大器的n-溝道MOS晶體管2111A-1和作為開關(guān)的n-溝道MOS晶體管2111A-2，并將它們與n-溝道MOS晶體管2111并聯(lián)，即在節(jié)點(diǎn)N3與N1之間。也就是，向n-溝道MOS晶體管2111A-1的柵極施加偏置電壓VB，因此n-溝道MOS晶體管2111A-1按照與n-溝道MOS晶體管2111相同的方式作為放大器。另一方面，向作為開關(guān)的n-溝道MOS晶體管2111A-2的柵極施加倒相反饋信號(hào)OUT-。因此，當(dāng)?shù)瓜喾答佇盘?hào)OUT-為高，以導(dǎo)通n-溝道MOS晶體管2111A-2時(shí)，n-溝道MOS晶體管2111與2111A-1作為一個(gè)放大器。另一方面，當(dāng)?shù)瓜喾答佇盘?hào)OUT-為低，以截止n-溝道MOS晶體管2111A-2時(shí)，n-溝道MOS晶體管2111作為一個(gè)放大器。
另外，在非倒相放大信號(hào)生成電路211A中，向圖4的非倒相放大信號(hào)生成電路211增加一系列作為放大器的n-溝道MOS晶體管2112A-1和作為開關(guān)的n-溝道MOS晶體管2112A-2，并將它們與n-溝道MOS晶體管2112并聯(lián)，即在節(jié)點(diǎn)N4與N2之間。也就是，向n-溝道MOS晶體管2112A-1的柵極施加偏置電壓VB，因此n-溝道MOS晶體管2112A-1按照與n-溝道MOS晶體管2112相同的方式作為放大器。另一方面，向作為開關(guān)的n-溝道MOS晶體管2112A-2的柵極施加非倒相反饋信號(hào)OUT+。因此，當(dāng)非倒相反饋信號(hào)OUT+為高，以導(dǎo)通n-溝道MOS晶體管2112A-2時(shí)，n-溝道MOS晶體管2112與2112A-1作為一個(gè)放大器。另一方面，當(dāng)非倒相反饋信號(hào)OUT+為低，以截止n-溝道MOS晶體管2112A-2時(shí)，n-溝道MOS晶體管2112作為一個(gè)放大器。
類似地，在倒相放大信號(hào)生成電路212A中，向圖4的非倒相放大信號(hào)生成電路212增加一系列作為放大器的n-溝道MOS晶體管2121A-1和作為開關(guān)的n-溝道MOS晶體管2121A-2，并將它們與n-溝道MOS晶體管2121并聯(lián)，即在節(jié)點(diǎn)N5與N2之間。也就是，向n-溝道MOS晶體管2121A-1的柵極施加偏置電壓VB，因此n-溝道MOS晶體管2121A-1按照與n-溝道MOS晶體管2121相同的方式作為放大器。另一方面，向作為開關(guān)的n-溝道MOS晶體管2121A-2的柵極施加非倒相反饋信號(hào)OUT+。因此，當(dāng)非倒相反饋信號(hào)OUT+為高，以導(dǎo)通n-溝道MOS晶體管2121A-2時(shí)，n-溝道MOS晶體管2121與2121A-1作為一個(gè)放大器。另一方面，當(dāng)非倒相反饋信號(hào)OUT+為低，以截止n-溝道MOS晶體管2121A-2時(shí)，n-溝道MOS晶體管2121作為一個(gè)放大器。
另外，在非倒相放大信號(hào)生成電路212A中，向圖4的非倒相放大信號(hào)生成電路212增加一系列作為放大器的n-溝道MOS晶體管2122A-1和作為開關(guān)的n-溝道MOS晶體管2122A-2，并將它們與n-溝道MOS晶體管2122并聯(lián)，即在節(jié)點(diǎn)N6與N1之間。也就是，向n-溝道MOS晶體管2122A-1的柵極施加偏置電壓VB，因此n-溝道MOS晶體管2122A-1按照與n-溝道MOS晶體管2122相同的方式作為放大器。另一方面，向作為開關(guān)的n-溝道MOS晶體管2122A-2的柵極施加倒相反饋信號(hào)OUT-。因此，當(dāng)?shù)瓜喾答佇盘?hào)OUT-為高，以導(dǎo)通n-溝道MOS晶體管2122A-2時(shí)，n-溝道MOS晶體管2122與2122A-1作為一個(gè)放大器。另一方面，當(dāng)?shù)瓜喾答佇盘?hào)OUT-為低，以截止n-溝道MOS晶體管2122A-2時(shí)，n-溝道MOS晶體管2122作為一個(gè)放大器。
在圖6的反饋信號(hào)生成電路24中，將兩個(gè)倒相器241和242串聯(lián)至輸出電路23的輸出端。也就是，反饋信號(hào)生成電路24生成從其倒相器242和241根據(jù)輸出電路23的輸出信號(hào)OUT分別生成非倒相反饋信號(hào)OUT+和倒相反饋信號(hào)OUT-。
下面參考圖7A，7B和7C解釋圖6的接收機(jī)側(cè)集成電路單元2的接收機(jī)的操作。這里，圖7A表示如圖3A所示的發(fā)射機(jī)電路10的輸入信號(hào)IN為高的穩(wěn)定狀態(tài)，圖7B表示發(fā)射機(jī)電路10的輸入信號(hào)IN從圖3A所示的高電平向圖3B所示的低電平轉(zhuǎn)換的瞬時(shí)狀態(tài)，并且圖7C表示如圖3B所示的發(fā)射機(jī)電路10的輸入信號(hào)IN為低的穩(wěn)定狀態(tài)。
首先參考圖7A，在輸入信號(hào)IN為高(圖3A所示)的發(fā)射機(jī)電路10的第一穩(wěn)定狀態(tài)下，傳輸線3-1處于HZ狀態(tài)，并且傳輸線3-2處于0V，因此節(jié)點(diǎn)N1和N2的電壓分別約為0.2V和0V。此時(shí)可以確定，非倒相放大信號(hào)S+為低，而倒相放大信號(hào)S-為高，因此輸出信號(hào)OUT為低。因此，非倒相反饋信號(hào)OUT+為低，而倒相反饋信號(hào)OUT-為高。結(jié)果，在非倒相放大信號(hào)生成電路211A中，n-溝道MOS晶體管2111A-2導(dǎo)通，因此n-溝道MOS晶體管2111和2111A-1作為一個(gè)放大器，它的驅(qū)動(dòng)能力約為n-溝道MOS晶體管2111驅(qū)動(dòng)能力的兩倍，同時(shí)n-溝道MOS晶體管2112A-2截止，因此n-溝道MOS晶體管2112A-1無效。另外，在倒相放大信號(hào)生成電路212A中，n-溝道MOS晶體管2122A-2導(dǎo)通，因此n-溝道MOS晶體管2122和2122A-1作為一個(gè)放大器，它的驅(qū)動(dòng)能力約為n-溝道MOS晶體管2121驅(qū)動(dòng)能力的兩倍，同時(shí)n-溝道MOS晶體管2121A-2截止，因此n-溝道MOS晶體管2121A-1無效。
因此，在非倒相放大信號(hào)生成電路211A中，n-溝道MOS晶體管2112被深度導(dǎo)通，而n-溝道MOS晶體管2111和2111A-1被淺導(dǎo)通。結(jié)果，由“i”表示的相對(duì)較小電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2111和2111A-1以及電流鏡電路的p-溝道MOS晶體管2113和2114。在這種情況下，由于由“I”表示的相對(duì)較大電流僅流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2112，因而節(jié)點(diǎn)N4的低電平信號(hào)作為非倒相放大信號(hào)S+被提供至輸出電路23的鎖存電路231，這是由于流經(jīng)p-溝道MOS晶體管2114的較小電流造成的。換言之，通過對(duì)節(jié)點(diǎn)N2和N1之間非常小的電壓差(＝0V-0.2V)進(jìn)行放大來獲得這樣的低電平信號(hào)。另外，在倒相放大信號(hào)生成電路212A中，n-溝道MOS晶體管2121深度導(dǎo)通，而n-溝道MOS晶體管2122和2122A-1淺導(dǎo)通。結(jié)果，由“I”表示的相對(duì)較大電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2121以及電流鏡電路的p-溝道MOS晶體管2123和2124。在這種情況下，由于由“i”表示的相對(duì)較小電流僅流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2122和2122A-1，因而節(jié)點(diǎn)N6的高電平信號(hào)作為倒相放大信號(hào)S-被提供至輸出電路23的鎖存電路232，這是由于流經(jīng)p-溝道MOS晶體管2124的相對(duì)較大電流造成的。換言之，通過對(duì)節(jié)點(diǎn)N1和N2之間非常小的電壓差(＝0.2V-0V)進(jìn)行放大來獲得這樣的高電平信號(hào)。
注意，由于傳輸線3-1處于HZ狀態(tài)，那么流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2111，2111A-1，2121和2121A-1的總的相對(duì)較小電流“2i”流經(jīng)恒流源電路213的n-溝道MOS晶體管2131。
從而在圖7A中，即使當(dāng)由兩個(gè)n-溝道MOS晶體管2111和2111A-1形成的放大器具有相當(dāng)高的驅(qū)動(dòng)能力并且由兩個(gè)n-溝道MOS晶體管2122和2122A-1形成的放大器也具有相當(dāng)高的驅(qū)動(dòng)能力時(shí)，由于這些高驅(qū)動(dòng)能力的放大器被淺導(dǎo)通，因而功率消耗與圖4的接收機(jī)相比增加得并不是很多。
下面參考圖7B，在輸入信號(hào)IN從高到低切換(如圖3B所示)的發(fā)射機(jī)電路10瞬時(shí)狀態(tài)中，傳輸線3-1處于0V并且傳輸線3-2處于HZ狀態(tài)，因此節(jié)點(diǎn)N1和N2的電壓分別約為0V和0.2V。即使在這個(gè)時(shí)候，非倒相反饋信號(hào)OUT+仍然為低，并且倒相反饋信號(hào)OUT-仍然為高。也就是，在非倒相放大信號(hào)生成電路211A中，n-溝道MOS晶體管2111A-2導(dǎo)通，因此n-溝道MOS晶體管2111和2111A-1作為一個(gè)放大器，它的驅(qū)動(dòng)能力約為n-溝道MOS晶體管2111驅(qū)動(dòng)能力的兩倍，同時(shí)n-溝道MOS晶體管2112A-2截止，因此n-溝道MOS晶體管2112A-1無效。另外，在倒相放大信號(hào)生成電路212A中，n-溝道MOS晶體管2122A-2導(dǎo)通，因此n-溝道MOS晶體管2122和2122A-1作為一個(gè)放大器，它的驅(qū)動(dòng)能力約為n-溝道MOS晶體管2121驅(qū)動(dòng)能力的兩倍，同時(shí)n-溝道MOS晶體管2121A-2截止，因此n-溝道MOS晶體管2121A-1無效。
因此，在非倒相放大信號(hào)生成電路211A中，n-溝道MOS晶體管2111和2111A-1被深度導(dǎo)通，而n-溝道MOS晶體管2112被淺導(dǎo)通。結(jié)果，由“2I”表示的相當(dāng)大電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2111和2111A-1以及電流鏡電路的p-溝道MOS晶體管2113和2114。在這種情況下，由于由“i”表示的相對(duì)較小的電流僅流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2112，因而節(jié)點(diǎn)N4的低電平信號(hào)被快速切換至高電平信號(hào)，并且該高電平信號(hào)作為非倒相放大信號(hào)S+被提供至輸出電路23的鎖存電路231，這是由于流經(jīng)p-溝道MOS晶體管2112的相對(duì)較小的電流造成的。換言之，通過對(duì)節(jié)點(diǎn)N2和N1之間非常小的電壓差(＝0V-0.2V)進(jìn)行快速放大來獲得這樣的高電平信號(hào)。另外，在倒相放大信號(hào)生成電路212A中，n-溝道MOS晶體管2122和2122A-1深度導(dǎo)通，而n-溝道MOS晶體管2121淺導(dǎo)通。結(jié)果，由“i”表示的相對(duì)較小的電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2121以及電流鏡電路的p-溝道MOS晶體管2123和2124。在這種情況下，由于由“i”表示的較小電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2124，因而節(jié)點(diǎn)N6的高電平信號(hào)被快速切換至低電平信號(hào)，并且該低電平信號(hào)作為倒相放大信號(hào)S-被提供至輸出電路23的鎖存電路232，這是由于流經(jīng)p-溝道MOS晶體管2124的相對(duì)較小的電流造成的。換言之，通過對(duì)節(jié)點(diǎn)N1和N2之間非常小的電壓差(＝0.2V-0V)進(jìn)行快速放大來獲得這樣的低電平信號(hào)。
注意，由于傳輸線3-2處于HZ狀態(tài)，那么流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2112和2121的總的相對(duì)較小的電流“2i”流經(jīng)恒流源電路213的n-溝道MOS晶體管2132。
從而在圖7B中，由兩個(gè)n-溝道MOS晶體管2111和2111A-1形成的放大器具有相當(dāng)高的驅(qū)動(dòng)能力并且由兩個(gè)n-溝道MOS晶體管2121和2121A-1形成的放大器也具有相當(dāng)高的驅(qū)動(dòng)能力，并且這些高驅(qū)動(dòng)能力的放大器被深導(dǎo)通。結(jié)果，盡管與圖4的接收機(jī)相比功率消耗增加很多，但是可以快速切換非倒相放大信號(hào)S+和倒相放大信號(hào)S-，以獲得高速操作。
最后參考圖7C，在輸入信號(hào)IN為低(圖3B所示)的發(fā)射機(jī)電路10的第二穩(wěn)定狀態(tài)下，傳輸線3-1處于0V，并且傳輸線3-2處于HZ狀態(tài)，因此節(jié)點(diǎn)N1和N2的電壓分別約為0V和0.2V。此時(shí)，非倒相放大信號(hào)S+為高，而倒相放大信號(hào)S-為低，因此輸出信號(hào)OUT為高。因此，非倒相反饋信號(hào)OUT+為高，而倒相反饋信號(hào)OUT-為低。結(jié)果，在非倒相放大信號(hào)生成電路211A中，n-溝道MOS晶體管2112A-2導(dǎo)通，因此n-溝道MOS晶體管2112和2112A-1作為一個(gè)放大器，它的驅(qū)動(dòng)能力約為n-溝道MOS晶體管2112驅(qū)動(dòng)能力的兩倍，同時(shí)n-溝道MOS晶體管2111A-2截止，因此n-溝道MOS晶體管2111A-1無效。另外，在倒相放大信號(hào)生成電路212A中，n-溝道MOS晶體管2121A-2導(dǎo)通，因此n-溝道MOS晶體管2121和2121A-1作為一個(gè)放大器，它的驅(qū)動(dòng)能力約為n-溝道MOS晶體管2121驅(qū)動(dòng)能力的兩倍，同時(shí)n-溝道MOS晶體管2122A-2截止，因此n-溝道MOS晶體管2112A-1無效。
因此，在非倒相放大信號(hào)生成電路211A中，n-溝道MOS晶體管2111被深度導(dǎo)通，而n-溝道MOS晶體管2112和2112A-1被淺導(dǎo)通。結(jié)果，由“I”表示的相對(duì)較大的電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2111和2111A-1以及電流鏡電路的p-溝道MOS晶體管2113和2114。在這種情況下，由于由“i”表示的相對(duì)較小的電流僅流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2112，因而節(jié)點(diǎn)N4的高電平信號(hào)作為非倒相放大信號(hào)S+被提供至輸出電路23的鎖存電路231，這是由于流經(jīng)p-溝道MOS晶體管2114的相對(duì)較大的電流造成的。換言之，通過對(duì)節(jié)點(diǎn)N2和N1之間非常小的電壓差(＝0.2V-0V)進(jìn)行放大來獲得這樣的高電平信號(hào)。另外，在倒相放大信號(hào)生成電路212A中，n-溝道MOS晶體管2122深度導(dǎo)通，而n-溝道MOS晶體管2121和2121A-1淺導(dǎo)通。結(jié)果，由“i”表示的相對(duì)較小的電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2121和2121A-1以及電流鏡電路的p-溝道MOS晶體管2123和2124。在這種情況下，由于由“I”表示的相對(duì)較大的電流僅流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2122，因而節(jié)點(diǎn)N6的低電平信號(hào)作為倒相放大信號(hào)S-被提供至輸出電路23的鎖存電路232，這是由于流經(jīng)p-溝道MOS晶體管2124的相對(duì)較小的電流造成的。換言之，通過對(duì)節(jié)點(diǎn)N1和N2之間非常小的電壓差(＝0V-0.2V)進(jìn)行放大來獲得這樣的低電平信號(hào)。
注意，由于傳輸線3-2處于HZ狀態(tài)，那么流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2112、2112A-1、2121和2121A-1的總的相對(duì)較小的電流“2i”流經(jīng)恒流源電路213的n-溝道MOS晶體管2132。
從而在圖7C中，即使當(dāng)由兩個(gè)n-溝道MOS晶體管2111和2111A-1形成的放大器具有相當(dāng)高的驅(qū)動(dòng)能力并且由兩個(gè)n-溝道MOS晶體管2121和2121A-1形成的放大器也具有相當(dāng)高的驅(qū)動(dòng)能力時(shí)，由于這些高驅(qū)動(dòng)能力的放大器被淺導(dǎo)通，因而功率消耗與圖4的接收機(jī)相比增加得并不是很多。
從而在第一實(shí)施例中，接收機(jī)的操作可處于高速度。在這種情況下，盡管僅在瞬時(shí)狀態(tài)中很大地增加了功率消耗，但在穩(wěn)定狀態(tài)下可抑制功率消耗的增加，因此可以抑制整體功率消耗的增加。
如圖8A所示，可以省略非倒相放大信號(hào)生成電路211A和倒相放大信號(hào)生成電路212A之一。例如，省略圖6的倒相放大信號(hào)生成電路212A。在這種情況下，通過倒相器231’，而不是圖6的鎖存電路231來構(gòu)造輸出電路23。另外，輸出電路23可與反饋信號(hào)生成電路24合并。注意，如果省略圖6的非倒相放大信號(hào)生成電路211A，那么也省略了倒相器231。
如圖8B所示，還可以省略恒流源電路213。在這種情況下，如果n-溝道MOS晶體管2111、2111A-1、2112以及2112A-1連接至HZ狀態(tài)傳輸線，則沒有流經(jīng)它們的相對(duì)較小的電流。也就是，恒流源電路213不是必要的。
在圖9中，該圖表示包括根據(jù)本發(fā)明的接收機(jī)系統(tǒng)第二實(shí)施例的數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)，圖1的信號(hào)接收電路21被替換為信號(hào)接收電路21B，并且圖1的偏置電路22被替換為兩個(gè)偏置電路22-1和22-2，以分別生成不同的偏置電壓VB1和VB2。另外，向圖1的接收機(jī)側(cè)集成電路2的接收機(jī)增加圖5的反饋信號(hào)生成電路24。在這種情況下，該反饋信號(hào)生成電路24向偏置電路22-2和22-1，而不是信號(hào)接收電路21B，分別發(fā)送非倒相反饋信號(hào)OUT+以及倒相反饋信號(hào)OUT-。
圖10是接收機(jī)，即圖9的信號(hào)接收電路21B、偏置電路22-1和22-2、輸出電路23以及反饋信號(hào)生成電路24的詳細(xì)電路圖.
在信號(hào)接收電路21B中，圖4的非倒相放大信號(hào)生成電路211和倒相放大信號(hào)生成電路212分別替換為非倒相放大信號(hào)生成電路211B和倒相放大信號(hào)生成電路212B。
另外，在信號(hào)接收電路21B中，向n-溝道MOS晶體管2111，2122以及2131的柵極施加偏置電壓VB1，同時(shí)向n-溝道MOS晶體管2112，2121和2132的柵極施加偏置電壓VB2。
通過彼此并聯(lián)的恒流源2211和輔助恒流源2212，以及與恒流源2211和輔助恒流源2212串聯(lián)的漏-柵相連n-溝道MOS晶體管2213構(gòu)造偏置電路22-1。通過倒相反饋信號(hào)OUT-接通或關(guān)斷輔助恒流源2212，因此在恒流源2211和2212以及漏-柵相連n-溝道MOS晶體管2213之間的節(jié)點(diǎn)N8生成偏置電壓VB1。
類似地，通過彼此并聯(lián)的恒流源2221和輔助恒流源2222，以及與恒流源2221和輔助恒流源2222串聯(lián)的漏-柵相連n-溝道MOS晶體管2223構(gòu)造偏置電路22-2。通過非倒相反饋信號(hào)OUT+接通或關(guān)斷輔助恒流源2222，因此在恒流源2221和2222以及漏-柵相連n-溝道MOS晶體管2223之間的節(jié)點(diǎn)N9生成偏置電壓VB2。
下面參考圖11A，11B和11C解釋圖10的接收機(jī)側(cè)集成電路單元2的接收機(jī)的操作。這里，圖11A表示如圖3A所示的發(fā)射機(jī)電路10的輸入信號(hào)IN為高的穩(wěn)定狀態(tài)，圖11B表示發(fā)射機(jī)電路10的輸入信號(hào)IN從圖3A所示的高電平向圖3B所示的低電平轉(zhuǎn)換的瞬時(shí)狀態(tài)，并且圖11C表示如圖3B所示的發(fā)射機(jī)電路10的輸入信號(hào)IN為低的穩(wěn)定狀態(tài)。
首先參考圖11A，在輸入信號(hào)IN為高(圖3A所示)的發(fā)射機(jī)電路10的第一穩(wěn)定狀態(tài)下，傳輸線3-1處于HZ狀態(tài)，并且傳輸線3-2處于0V，因此節(jié)點(diǎn)N1和N2的電壓分別約為0.2V和0V。此時(shí)可以確定，非倒相放大信號(hào)S+為低，而倒相放大信號(hào)S-為高，因此輸出信號(hào)OUT為低。因此，非倒相反饋信號(hào)OUT+為低，而倒相反饋信號(hào)OUT-為高。結(jié)果，在偏置電路22-1中，輔助恒流源2212導(dǎo)通以增加偏置電壓VB1，因此n-溝道MOS晶體管2111和2122具有高的驅(qū)動(dòng)能力。另外，在偏置電路22-2中，輔助恒流源2222關(guān)斷，不增加偏置電壓VB2，因此n-溝道MOS晶體管2112和2121具有低的驅(qū)動(dòng)能力。
因此，在非倒相放大信號(hào)生成電路211B中，n-溝道MOS晶體管2112被深度導(dǎo)通，而n-溝道MOS晶體管2111被淺導(dǎo)通。結(jié)果，由“i”表示的相對(duì)較小的電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2111以及電流鏡電路的p-溝道MOS晶體管2113和2114。在這種情況下，由于由“I”表示的相對(duì)較大的電流僅流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2112，因而節(jié)點(diǎn)N4的低電平信號(hào)作為非倒相放大信號(hào)S+被提供至輸出電路23的鎖存電路231，這是由于流經(jīng)p-溝道MOS晶體管2114的相對(duì)較小的電流造成的。換言之，通過對(duì)節(jié)點(diǎn)N2和N1之間非常小的電壓差(＝0V-0.2V)進(jìn)行放大來獲得這樣的低電平信號(hào)。另外，在倒相放大信號(hào)生成電路212B中，n-溝道MOS晶體管2121深度導(dǎo)通，而n-溝道MOS晶體管2122淺導(dǎo)通。結(jié)果，由“I”表示的相對(duì)較大的電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2121以及電流鏡電路的p-溝道MOS晶體管2123和2124。在這種情況下，由于由“i”表示的相對(duì)較小的電流僅流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2122，因而節(jié)點(diǎn)N6的高電平信號(hào)作為倒相放大信號(hào)S-被提供至輸出電路23的鎖存電路232，這是由于流經(jīng)p-溝道MOS晶體管2124的相對(duì)較大的電流造成的。換言之，通過對(duì)節(jié)點(diǎn)N1和N2之間非常小的電壓差(＝0.2V-0V)進(jìn)行放大來獲得這樣的高電平信號(hào)。
注意，由于傳輸線3-1處于HZ狀態(tài)，那么流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2111和2121的總的相對(duì)較小的電流“2i”流經(jīng)恒流源電路213的n-溝道MOS晶體管2131。
從而在圖11A中，即使當(dāng)兩個(gè)n-溝道MOS晶體管2111和2122具有相當(dāng)高的驅(qū)動(dòng)能力時(shí)，由于這些高驅(qū)動(dòng)能力的放大器被淺導(dǎo)通，因而功率消耗與圖4的接收機(jī)相比增加得并不是很多。
下面參考圖11B，在輸入信號(hào)IN從高到低切換(如圖3B所示)的發(fā)射機(jī)電路10瞬時(shí)狀態(tài)中，傳輸線3-1處于0V并且傳輸線3-2處于HZ狀態(tài)，因此節(jié)點(diǎn)N1和N2的電壓分別約為0V和0.2V。即使在這個(gè)時(shí)候，非倒相反饋信號(hào)OUT+仍然為低，并且倒相反饋信號(hào)OUT-仍然為高。結(jié)果，n-溝道MOS晶體管2111和2122具有高驅(qū)動(dòng)能力，并且n-溝道MOS晶體管2112和2121具有低驅(qū)動(dòng)能力。
因此，在非倒相放大信號(hào)生成電路211B中，n-溝道MOS晶體管2111被深度導(dǎo)通，而n-溝道MOS晶體管2112被淺導(dǎo)通。結(jié)果，由“2I”表示的相當(dāng)大的電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2111以及電流鏡電路的p-溝道MOS晶體管2113和2114。在這種情況下，由于由“i”表示的相對(duì)較小的電流僅流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2112，因而節(jié)點(diǎn)N4的低電平信號(hào)被快速切換至高電平信號(hào)，并且該高電平信號(hào)作為非倒相放大信號(hào)S+被提供至輸出電路23的鎖存電路231，這是由于流經(jīng)p-溝道MOS晶體管2112的相對(duì)較小的電流造成的。換言之，通過對(duì)節(jié)點(diǎn)N2和N1之間非常小的電壓差(＝0V-0.2V)進(jìn)行快速放大來獲得這樣的高電平信號(hào)。另外，在倒相放大信號(hào)生成電路212A中，n-溝道MOS晶體管2122深度導(dǎo)通，而n-溝道MOS晶體管2121淺導(dǎo)通。結(jié)果，由“i”表示的相對(duì)較小的電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2121以及電流鏡電路的p-溝道MOS晶體管2123和2124。在這種情況下，由于由“i”表示的相對(duì)較小的電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2124，因而節(jié)點(diǎn)N6的高電平信號(hào)被快速切換至低電平信號(hào)，并且該低電平信號(hào)作為倒相放大信號(hào)S-被提供至輸出電路23的鎖存電路232，這是由于流經(jīng)p-溝道MOS晶體管2124的相對(duì)較小的電流造成的。換言之，通過對(duì)節(jié)點(diǎn)N1和N2之間非常小的電壓差(＝0.2V-0V)進(jìn)行快速放大來獲得這樣的低電平信號(hào)。
注意，由于傳輸線3-2處于HZ狀態(tài)，那么流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2112和2121的總的相對(duì)較小的電流“2i”流經(jīng)恒流源電路213的n-溝道MOS晶體管2132。
從而在圖11B中，兩個(gè)n-溝道MOS晶體管2111和2122具有相當(dāng)高的驅(qū)動(dòng)能力并且這些高驅(qū)動(dòng)能力的晶體管還被深導(dǎo)通。結(jié)果，盡管與圖4的接收機(jī)相比功率消耗增加很多，但是可以快速切換非倒相放大信號(hào)S+和倒相放大信號(hào)S-，以獲得高速操作。
最后參考圖11C，在輸入信號(hào)IN為低(圖3B所示)的發(fā)射機(jī)電路10的第二穩(wěn)定狀態(tài)下，傳輸線3-1處于0V，并且傳輸線3-2處于HZ狀態(tài)，因此節(jié)點(diǎn)N1和N2的電壓分別約為0V和0.2V。此時(shí)，非倒相放大信號(hào)S+為高，而倒相放大信號(hào)S-為低，因此輸出信號(hào)OUT為高。因此，非倒相反饋信號(hào)OUT+為高，而倒相反饋信號(hào)OUT-為低。結(jié)果，在偏置電路22-1中，輔助恒流源2212關(guān)斷以增加偏置電壓VB1，因此n-溝道MOS晶體管2111和2122具有低的驅(qū)動(dòng)能力。另外，在偏置電路22-2中，輔助恒流源2222接通，而不增加偏置電壓VB2，因此n-溝道MOS晶體管2112和2121具有高的驅(qū)動(dòng)能力。
因此，在非倒相放大信號(hào)生成電路211B中，n-溝道MOS晶體管2111被深度導(dǎo)通，而n-溝道MOS晶體管2112被淺導(dǎo)通。結(jié)果，由“I”表示的相對(duì)較大的電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2111以及電流鏡電路的p-溝道MOS晶體管2113和2114。在這種情況下，由于由“i”表示的相對(duì)較小的電流僅流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2112，因而節(jié)點(diǎn)N4的高電平信號(hào)作為非倒相放大信號(hào)S+被提供至輸出電路23的鎖存電路231，這是由于流經(jīng)p-溝道MOS晶體管2114的相對(duì)較大的電流造成的。換言之，通過對(duì)節(jié)點(diǎn)N2和N1之間非常小的電壓差(＝0.2V-0V)進(jìn)行放大來獲得這樣的高電平信號(hào)。另外，在倒相放大信號(hào)生成電路212B中，n-溝道MOS晶體管2122深度導(dǎo)通，而n-溝道MOS晶體管2121淺導(dǎo)通。結(jié)果，由“i”表示的相對(duì)較小的電流流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2121以及電流鏡電路的p-溝道MOS晶體管2123和2124。在這種情況下，由于由“I”表示的相對(duì)較大的電流僅流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2122，因而節(jié)點(diǎn)N6的低電平信號(hào)作為倒相放大信號(hào)S-被提供至輸出電路23的鎖存電路232，這是由于流經(jīng)p-溝道MOS晶體管2124的相對(duì)較小的電流造成的。換言之，通過對(duì)節(jié)點(diǎn)N1和N2之間非常小的電壓差(＝0V-0.2V)進(jìn)行放大來獲得這樣的低電平信號(hào)。
注意，由于傳輸線3-2處于HZ狀態(tài)，那么流經(jīng)n-溝道MOS晶體管2112以及2121的總的相對(duì)較小的電流“2i”流經(jīng)恒流源電路213的n-溝道MOS晶體管2132。
從而在圖11C中，即使當(dāng)兩個(gè)n-溝道MOS晶體管2112和2121具有相當(dāng)高的驅(qū)動(dòng)能力時(shí)，由于這些高驅(qū)動(dòng)能力的放大器被淺導(dǎo)通，因而功率消耗與圖4的接收機(jī)相比增加得并不是很多。
從而在第二實(shí)施例中，接收機(jī)的操作可處于高速度。即使在這種情況下，盡管僅在瞬時(shí)狀態(tài)中很大地增加了功率消耗，但在穩(wěn)定狀態(tài)下可抑制功率消耗的增加，因此可以抑制整體功率消耗的增加。
如圖12A所示，可以省略非倒相放大信號(hào)生成電路211B和倒相放大信號(hào)生成電路212B之一。例如，省略圖6的倒相放大信號(hào)生成電路212B。在這種情況下，通過倒相器231’，而不是圖6的鎖存電路231來構(gòu)造輸出電路23。另外，輸出電路23可與反饋信號(hào)生成電路24合并。注意，如果省略圖6的非倒相放大信號(hào)生成電路211A，那么也省略了倒相器231。
另外，如圖12B所示，還可以省略恒流源電路213。在這種情況下，如果n-溝道MOS晶體管2111和2112連接至HZ狀態(tài)傳輸線，則沒有流經(jīng)它們的較小電流。也就是，恒流源電路213不是必要的。
權(quán)利要求
1.一種接收機(jī)，包括信號(hào)接收電路，包括適于響應(yīng)第一輸入信號(hào)以生成第一電流的第一放大器部分和適于響應(yīng)第二輸入信號(hào)以生成第二電流的第二放大器部分，由此根據(jù)所述第一與第二電流之間的差來生成放大信號(hào)；以及反饋信號(hào)生成電路，適于根據(jù)所述放大信號(hào)生成反饋信號(hào)，根據(jù)所述反饋信號(hào)確定所述第一與第二放大器部分的驅(qū)動(dòng)能力。
2.權(quán)利要求1所述的接收機(jī)，其中所述放大信號(hào)由非倒相放大信號(hào)和倒相放大信號(hào)形成，從而所述信號(hào)接收電路包括非倒相放大信號(hào)生成和倒相放大信號(hào)生成電路，所述第一電流由第一非倒相側(cè)電流和第一倒相側(cè)電路形成，所述第二電流由第二非倒相側(cè)電流和第二倒相側(cè)電流形成，所述非倒相放大信號(hào)生成電路包括作為所述第一放大器部分的第一非倒相側(cè)電流生成部分，適于響應(yīng)所述第一輸入信號(hào)生成所述第一非倒相側(cè)電流；以及作為所述第二放大器部分的第二非倒相側(cè)電流生成部分，適于響應(yīng)所述第二輸入信號(hào)生成所述第二非倒相側(cè)電流；根據(jù)所述第一與第二非倒相側(cè)電流之間的差生成所述非倒相放大信號(hào)，根據(jù)所述反饋信號(hào)確定所述第一與第二非倒相側(cè)電流生成電路的驅(qū)動(dòng)能力，所述倒相放大信號(hào)生成電路包括作為所述第二放大器部分的第一倒相側(cè)電流生成部分，適于響應(yīng)所述第二輸入信號(hào)生成所述第一倒相側(cè)電流；以及作為所述第一放大器部分的第二倒相側(cè)電流生成部分，適于響應(yīng)所述第一輸入信號(hào)生成所述第二倒相側(cè)電流；根據(jù)所述第一與第二倒相側(cè)電流之間的差生成所述倒相放大信號(hào)，根據(jù)所述反饋信號(hào)確定所述第一與第二倒相側(cè)電流生成電路的驅(qū)動(dòng)能力。
3.權(quán)利要求2所述的接收機(jī)，進(jìn)一步包括輸出電路，包括適于接收所述非倒相放大信號(hào)和所述倒相放大信號(hào)以生成輸出信號(hào)的鎖存電路；反饋信號(hào)生成電路，適于接收所述輸出信號(hào)以生成作為所述反饋信號(hào)的非倒相反饋信號(hào)和倒相反饋信號(hào)，根據(jù)所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)之一確定所述第一非倒相側(cè)電流生成部分和所述第二倒相側(cè)電流生成部分的驅(qū)動(dòng)能力，根據(jù)所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)中的另一個(gè)確定所述第二非倒相側(cè)電流生成部分和所述第一倒相側(cè)電流生成部分的驅(qū)動(dòng)能力。
4.權(quán)利要求3所述的接收機(jī)，其中所述非倒相放大信號(hào)生成電路進(jìn)一步包括第一電流鏡電路，所述第一電流鏡電路具有連接至所述第一非倒相側(cè)電流生成部分的第一參考電流輸入節(jié)點(diǎn)、和連接至所述第二非倒相側(cè)電流生成部分的第一鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)，并且其中所述倒相放大信號(hào)生成電路進(jìn)一步包括第二電流鏡電路，所述第二電流鏡電路具有連接至所述第二倒相側(cè)電流生成部分的第二參考電流輸入節(jié)點(diǎn)、和連接至所述第一倒相側(cè)電流生成部分的第二鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)。
5.權(quán)利要求4所述的接收機(jī)，其中所述第一非倒相側(cè)電流生成部分包括連接在所述第一電流鏡電路的第一參考電流輸入節(jié)點(diǎn)與用于接收所述第一輸入信號(hào)的第一輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間的第一MOS晶體管；以及連接在所述第一電流鏡電路的所述第一參考電流輸入節(jié)點(diǎn)與所述第一輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間的一系列第一輔助MOS晶體管和第一開關(guān)，所述第二非倒相側(cè)電流生成部分包括連接在所述第一電流鏡電路的所述第一鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)與用于接收所述第二輸入信號(hào)的第二輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間的第二MOS晶體管；以及連接在所述第一電流鏡電路的所述第一鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)與所述第二輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間的一系列第二輔助MOS晶體管和第二開關(guān)，所述第一倒相側(cè)電流生成部分包括連接在所述第二電流鏡電路的所述第二參考電流輸入節(jié)點(diǎn)與所述第二輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間的第三MOS晶體管；以及連接在所述第二電流鏡電路的第二參考電流輸入節(jié)點(diǎn)與所述第二輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間的一系列第三輔助MOS晶體管和第三開關(guān)，所述第二倒相側(cè)電流生成部分包括連接在所述第二電流鏡電路的第二鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)與所述第一輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間的第四MOS晶體管；以及連接在所述第二電流鏡電路的第二鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)與所述第一輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間的一系列第四輔助MOS晶體管和第四開關(guān)，將偏置電壓施加至所述第一、第二、第三以及第四MOS晶體管和所述第一、第二、第三以及第四輔助MOS晶體管的各柵極，根據(jù)所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)之一接通和關(guān)斷所述第一和第四開關(guān)，根據(jù)所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)中的另一個(gè)接通和關(guān)斷所述第二和第三開關(guān)。
6.權(quán)利要求1所述的接收機(jī)，其中所述放大信號(hào)由非倒相放大信號(hào)形成，從而所述信號(hào)接收電路包括非倒相放大信號(hào)生成電路，所述第一電流由第一非倒相側(cè)電流形成，所述第二電流由第二非倒相側(cè)電流形成，所述非倒相放大信號(hào)生成電路包括作為所述第一放大器部分的第一非倒相側(cè)電流生成部分，適于響應(yīng)所述第一輸入信號(hào)生成所述第一非倒相側(cè)電流；以及作為所述第二放大器部分的第二非倒相側(cè)電流生成部分，適于響應(yīng)所述第二輸入信號(hào)生成所述第二非倒相側(cè)電流；根據(jù)所述第一與第二非倒相側(cè)電流之間的差生成所述非倒相放大信號(hào)，根據(jù)所述反饋信號(hào)確定所述第一與第二非倒相側(cè)電流生成電路的驅(qū)動(dòng)能力。
7.權(quán)利要求6所述的接收機(jī)，進(jìn)一步包括適于接收所述非倒相放大信號(hào)以生成輸出信號(hào)的輸出電路；適于接收所述輸出信號(hào)的反饋信號(hào)生成電路，以生成作為所述反饋信號(hào)的非倒相反饋信號(hào)和倒相反饋信號(hào)，根據(jù)所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)之一確定所述第一非倒相側(cè)電流生成部分的驅(qū)動(dòng)能力，根據(jù)所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)中的另一個(gè)確定所述第二非倒相側(cè)電流生成部分的驅(qū)動(dòng)能力。
8.權(quán)利要求7所述的接收機(jī)，其中所述非倒相放大信號(hào)生成電路進(jìn)一步包括電流鏡電路，所述電流鏡電路具有連接至所述第一非倒相側(cè)電流生成部分的參考電流輸入節(jié)點(diǎn)、和連接至所述第二非倒相側(cè)電流生成部分的鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)。
9.權(quán)利要求8所述的接收機(jī)，其中所述第一非倒相側(cè)電流生成部分包括連接在所述電流鏡電路的所述參考電流輸入節(jié)點(diǎn)與用于接收所述第一輸入信號(hào)的第一輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間的第一MOS晶體管；以及連接在所述電流鏡電路的參考電流輸入節(jié)點(diǎn)與所述第一輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間的一系列第一輔助MOS晶體管和第一開關(guān)，所述第二非倒相側(cè)電流生成部分包括連接在所述電流鏡電路的所述鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)與用于接收所述第二輸入信號(hào)的第二輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間的第二MOS晶體管；以及連接在所述電流鏡電路的所述鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)與所述第二輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間的一系列第二輔助MOS晶體管和第二開關(guān)，將偏置電壓施加至所述第一和第二MOS晶體管以及所述第一和第二輔助MOS晶體管的柵極，根據(jù)所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)之一接通和關(guān)斷所述第一開關(guān)，根據(jù)所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)中的另一個(gè)接通和關(guān)斷所述第二開關(guān)。
10.權(quán)利要求1所述的接收機(jī)，其中所述放大信號(hào)由倒相放大信號(hào)形成，從而所述信號(hào)接收電路包括倒相放大信號(hào)生成電路，所述第一電流由第一倒相側(cè)電流形成，所述第二電流由第二倒相側(cè)電流形成，所述倒相放大信號(hào)生成電路包括作為所述第二放大器部分的第一倒相側(cè)電流生成部分，適于響應(yīng)所述第二輸入信號(hào)生成所述第一倒相側(cè)電流；以及作為所述第一放大器部分的第二非倒相側(cè)電流生成部分，適于響應(yīng)所述第一輸入信號(hào)生成所述第二倒相側(cè)電流；根據(jù)所述第一與第二倒相側(cè)電流之間的差生成所述倒相放大信號(hào)，根據(jù)所述反饋信號(hào)確定所述第一與第二倒相側(cè)電流生成電路的驅(qū)動(dòng)能力。
11.權(quán)利要求10所述的接收機(jī)，進(jìn)一步包括適于接收所述倒相放大信號(hào)以生成輸出信號(hào)的輸出電路；適于接收所述輸出信號(hào)的反饋信號(hào)生成電路，以生成作為所述反饋信號(hào)的非倒相反饋信號(hào)和倒相反饋信號(hào)，根據(jù)所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)之一確定所述第一倒相側(cè)電流生成部分的驅(qū)動(dòng)能力，根據(jù)所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)中的另一個(gè)確定所述第二非倒相側(cè)電流生成部分的驅(qū)動(dòng)能力。
12.權(quán)利要求11所述的接收機(jī)，其中所述倒相放大信號(hào)生成電路進(jìn)一步包括電流鏡電路，所述電流鏡電路具有連接至所述第一倒相側(cè)電流生成部分的參考電流輸入節(jié)點(diǎn)、和連接至所述第二倒相側(cè)電流生成部分的鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)。
13.權(quán)利要求12所述的接收機(jī)，其中所述第一倒相側(cè)電流生成部分包括連接在所述電流鏡電路的所述參考電流輸入節(jié)點(diǎn)與用于接收所述第二輸入信號(hào)的第二輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間的第一MOS晶體管；以及連接在所述電流鏡電路的所述參考電流輸入節(jié)點(diǎn)與所述第二輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間的一系列第一輔助MOS晶體管和第一開關(guān)，所述第二倒相側(cè)電流生成部分包括連接在所述電流鏡電路的所述鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)與用于接收所述第一輸入信號(hào)的第一輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間的第二MOS晶體管；以及連接在所述電流鏡電路的所述鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)與所述第一輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間的一系列第二輔助MOS晶體管和第二開關(guān)，將偏置電壓施加至所述第一和第二MOS晶體管以及所述第一和第二輔助MOS晶體管的柵極，根據(jù)所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)之一接通和關(guān)斷所述第一開關(guān)，根據(jù)所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)中的另一個(gè)接通和關(guān)斷所述第二開關(guān)。
14.權(quán)利要求3所述的接收機(jī)，其中所述非倒相放大信號(hào)生成電路進(jìn)一步包括第一電流鏡電路，所述第一電流鏡電路具有連接至所述第一非倒相側(cè)電流生成部分的第一參考電流輸入節(jié)點(diǎn)、和連接至所述第二非倒相側(cè)電流生成部分的第一鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)，并且其中所述倒相放大信號(hào)生成電路進(jìn)一步包括第二電流鏡電路，所述第二電流鏡電路具有連接至所述第二倒相側(cè)電流生成部分的第二參考電流輸入節(jié)點(diǎn)、和連接至所述第一倒相側(cè)電流生成部分的第二鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)，所述第一非倒相側(cè)電流生成部分包括第一MOS晶體管，所述第一MOS晶體管連接在所述第一電流鏡電路的所述第一參考電流輸入節(jié)點(diǎn)與用于接收所述第一輸入信號(hào)的第一輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間，所述第二非倒相側(cè)電流生成部分包括第二MOS晶體管，所述第二MOS晶體管連接在所述第一電流鏡電路的第一鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)與用于接收所述第二輸入信號(hào)的第二輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間，所述第一倒相側(cè)電流生成部分包括第三MOS晶體管，所述第三MOS晶體管連接在所述第二電流鏡電路的所述第二參考電流輸入節(jié)點(diǎn)與所述第二輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間，所述第二倒相側(cè)電流生成部分包括第四MOS晶體管，所述第四MOS晶體管連接在所述第二電流鏡電路的所述第二鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)與所述第一輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間；以及將第一偏置電壓施加至所述第一和第四MOS晶體管的柵極，而將第二偏置電壓施加至所述第二和第三MOS晶體管。
15.權(quán)利要求14所述的接收機(jī)，進(jìn)一步包括適于接收所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)之一以生成所述第一偏置電壓的第一偏置電路；適于接收所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)中的另一個(gè)以生成所述第二偏置電壓的第二偏置電路，所述第一偏置電路包括第一恒流源；與所述第一恒流源串聯(lián)的第一漏-柵相連MOS晶體管；以及與所述第一恒流源并聯(lián)、并由所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)之一激活的第一開關(guān)，所述第二偏置電路包括第二恒流源；與所述第二恒流源串聯(lián)的第二漏-柵相連MOS晶體管；以及與所述第二恒流源并聯(lián)、并由所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)中的另一個(gè)激活的第二開關(guān)。
16.權(quán)利要求1所述的接收機(jī)，其中所述放大信號(hào)由非倒相放大信號(hào)形成，從而所述信號(hào)接收電路包括非倒相放大信號(hào)生成電路，所述第一電流由第一非倒相側(cè)電流形成，所述第二電流由第二非倒相側(cè)電流形成，其中所述非倒相放大信號(hào)生成電路進(jìn)一步包括電流鏡電路，所述電流鏡電路具有連接至所述第一非倒相側(cè)電流生成部分的參考電流輸入節(jié)點(diǎn)、和連接至所述第二非倒相側(cè)電流生成部分的鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)，所述第一非倒相側(cè)電流生成部分包括第一MOS晶體管，所述第一MOS晶體管連接在所述電流鏡電路的參考電流輸入節(jié)點(diǎn)與用于接收所述第一輸入信號(hào)的第一輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間，所述第二非倒相側(cè)電流生成部分包括第二MOS晶體管，所述第二MOS晶體管連接在所述電流鏡電路的所述鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)與用于接收所述第二輸入信號(hào)的第二輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間，將第一偏置電壓施加至所述第一MOS晶體管的柵極，而將第二偏置電壓施加至所述第二MOS晶體管。
17.權(quán)利要求16所述的接收機(jī)，進(jìn)一步包括適于接收所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)之一以生成所述第一偏置電壓的第一偏置電路；適于接收所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)中的另一個(gè)以生成所述第二偏置電壓的第二偏置電路，所述第一偏置電路包括第一恒流源；與所述第一恒流源串聯(lián)的第一漏-柵相連MOS晶體管；以及與所述第一恒流源并聯(lián)、并由所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)之一激活的第一開關(guān)，所述第二偏置電路包括第二恒流源；與所述第二恒流源串聯(lián)的第二漏-柵相連MOS晶體管；以及與所述第二恒流源并聯(lián)、并由所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)中的另一個(gè)激活的第二開關(guān)。
18.權(quán)利要求1所述的接收機(jī)，其中所述放大信號(hào)由倒相放大信號(hào)形成，從而所述信號(hào)接收電路包括倒相放大信號(hào)生成電路，所述第一電流由第一倒相側(cè)電流形成，所述第二電流由第二倒相側(cè)電流形成，其中所述倒相放大信號(hào)生成電路進(jìn)一步包括電流鏡電路，所述電流鏡電路具有連接至所述第一倒相側(cè)電流生成部分的參考電流輸入節(jié)點(diǎn)、和連接至所述第二倒相側(cè)電流生成部分的鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)，所述第一倒相側(cè)電流生成部分包括第一MOS晶體管，所述第一MOS晶體管連接在所述電流鏡電路的所述參考電流輸入節(jié)點(diǎn)與用于接收所述第二輸入信號(hào)的第二輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間，所述第二倒相側(cè)電流生成部分包括第二MOS晶體管，所述第二MOS晶體管連接在所述電流鏡電路的所述鏡像電流輸出節(jié)點(diǎn)與用于接收所述第一輸入信號(hào)的第一輸入信號(hào)接收節(jié)點(diǎn)之間，將第一偏置電壓施加至所述第二MOS晶體管的柵極，而將第二偏置電壓施加至所述第一MOS晶體管。
19.權(quán)利要求18所述的接收機(jī)，進(jìn)一步包括適于接收所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)之一以生成所述第一偏置電壓的第一偏置電路；適于接收所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)中的另一個(gè)以生成所述第二偏置電壓的第二偏置電路，所述第一偏置電路包括第一恒流源；與所述第一恒流源串聯(lián)的第一漏-柵相連MOS晶體管；以及與所述第一恒流源并聯(lián)、并由所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)之一激活的第一開關(guān)，所述第二偏置電路包括第二恒流源；與所述第二恒流源串聯(lián)的第二漏-柵相連MOS晶體管；以及與所述第二恒流源并聯(lián)、并由所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)中的另一個(gè)激活的第二開關(guān)。
20.一種操作接收機(jī)的方法，該接收機(jī)包括適于響應(yīng)第一輸入信號(hào)生成第一電流的第一放大器部分、和適于響應(yīng)第二輸入信號(hào)生成第二電流的第二放大器部分，該方法包括根據(jù)所述第一和第二電流之間的差生成放大信號(hào)；根據(jù)所述放大信號(hào)生成反饋信號(hào)；以及根據(jù)所述反饋信號(hào)確定所述第一和第二放大器部分的驅(qū)動(dòng)能力。
21.權(quán)利要求20所述的方法，其中所述放大信號(hào)由非倒相放大信號(hào)和倒相放大信號(hào)形成，所述放大信號(hào)生成步驟包括響應(yīng)于所述第一輸入信號(hào)生成第一非倒相側(cè)電流；響應(yīng)于所述第二輸入信號(hào)生成第二非倒相側(cè)電流；根據(jù)所述第一和第二非倒相側(cè)電流之間的差生成所述非倒相放大信號(hào)；響應(yīng)于所述第二輸入信號(hào)生成第一倒相側(cè)電流；響應(yīng)于所述第一輸入信號(hào)生成第二倒相側(cè)電流；以及根據(jù)所述第一和第二倒相側(cè)電流之間的差生成所述倒相放大信號(hào)，所述驅(qū)動(dòng)能力確定步驟包括根據(jù)所述反饋信號(hào)確定生成所述第一和第二非倒相側(cè)電流的驅(qū)動(dòng)能力；以及根據(jù)所述反饋信號(hào)確定生成所述第一和第二倒相側(cè)電流的驅(qū)動(dòng)能力。
22.權(quán)利要求21所述的方法，其中所述放大信號(hào)生成步驟進(jìn)一步包括根據(jù)所述非倒相放大信號(hào)和所述倒相放大信號(hào)生成鎖存輸出信號(hào)；以及根據(jù)所述鎖存輸出信號(hào)生成非倒相反饋信號(hào)和倒相反饋信號(hào)，以及所述驅(qū)動(dòng)能力確定步驟包括根據(jù)所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)，使生成所述第一非倒相側(cè)電流的驅(qū)動(dòng)能力和生成所述第二非倒相側(cè)電流的驅(qū)動(dòng)能力彼此不同；以及根據(jù)所述非倒相反饋信號(hào)和所述倒相反饋信號(hào)，使生成所述第一倒相側(cè)電流的驅(qū)動(dòng)能力和生成所述第二倒相側(cè)電流的驅(qū)動(dòng)能力彼此不同。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種能夠利用抑制功率消耗的增加來提高操作速度的接收機(jī)。通過信號(hào)接收電路以及反饋信號(hào)生成電路構(gòu)成接收機(jī)，其中信號(hào)接收電路包括適于響應(yīng)第一輸入信號(hào)生成第一電流的第一放大器部分和適于響應(yīng)第二輸入信號(hào)生成第二電流的第二放大器部分，由此根據(jù)第一與第二電流差生成放大信號(hào)，而反饋信號(hào)生成電路適于根據(jù)所述放大信號(hào)生成反饋信號(hào)。根據(jù)該反饋信號(hào)確定第一與第二放大器部分的驅(qū)動(dòng)能力。
文檔編號(hào)H04L25/12GK1917370SQ200610110858
公開日2007年2月21日 申請(qǐng)日期2006年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月15日
發(fā)明者后藤正志 申請(qǐng)人:恩益禧電子股份有限公司