專利名稱：電流驅(qū)動(dòng)型設(shè)備和顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電流驅(qū)動(dòng)型設(shè)備，顯示設(shè)備，和照相機(jī)，其具有在襯底上設(shè)置有多個(gè)組成部分的區(qū)域，每個(gè)組成部分包括電流驅(qū)動(dòng)型裝置和用于控制通過電流驅(qū)動(dòng)型裝置的電流的裝置控制電路。本發(fā)明適用于采用電致發(fā)光(EL)裝置的顯示設(shè)備，該電致發(fā)光裝置通過注入其中的電流產(chǎn)生發(fā)光。
背景技術(shù)：
近年來，使用EL裝置的顯示設(shè)備作為取代CRT或LCD的顯示設(shè)備吸引了人們的注意。在這些EL裝置中，作為電流控制型光發(fā)射裝置的有機(jī)EL裝置的應(yīng)用和開發(fā)得到有效開展，該電流控制型的光發(fā)射裝置中亮度由裝置中流過的電流控制。在包括外圍電路的有機(jī)EL顯示器中，薄膜晶體管(TFT)不僅在顯示區(qū)域使用，而且也應(yīng)用在外圍電路中。
用在外圍電路或信號(hào)處理電路中的TFT通常是多晶硅TFT。多晶硅TFT是通過低溫晶化技術(shù)制造的，低溫晶化技術(shù)被用來制造高性能和廉價(jià)的用于外圍驅(qū)動(dòng)電路的TFT。當(dāng)前實(shí)用和典型的晶化技術(shù)是使用準(zhǔn)分子激光器的低溫晶化方法，該方法可在低熔點(diǎn)玻璃材料上形成高質(zhì)量的硅晶體薄膜(日本公開的專利申請(JP-A)Hei 09-082641)。
附帶說明，使用有機(jī)EL裝置的顯示設(shè)備伴隨有這樣的問題，即存在這樣的區(qū)域(暗斑)，這些區(qū)域中由于濕氣或氧氣滲透到或進(jìn)入有機(jī)EL裝置中導(dǎo)致不發(fā)光，或伴隨亮度衰退的問題。因此，需要抑制濕氣或氧氣滲透的密封技術(shù)。
JP-A Hei 11-074074已經(jīng)公開了這樣一種技術(shù)，其中以預(yù)定間隔被設(shè)置在有機(jī)EL裝置上的密封板利用密封粘合劑被固定在襯底上，從而與外界隔絕地密封顯示區(qū)域。作為減少濕氣滲透同時(shí)增強(qiáng)在這樣的結(jié)構(gòu)中密封能力的方法，也采用了這樣的構(gòu)造，即環(huán)境空氣進(jìn)入EL裝置是通過增加密封粘合劑寬度而防止的。然而在該情形中，從可靠性的觀點(diǎn)出發(fā)，有必要確保從襯底邊緣到密封粘合劑的外圍有一定冗余。此外，顯示區(qū)域位于密封粘合劑的內(nèi)部，使得當(dāng)密封粘合劑的寬度被增加以增強(qiáng)密封能力同時(shí)保持面板的外部形狀時(shí)，最終的框面積被自然增加，因此減小顯示區(qū)域。
顯示面板優(yōu)選是輕型的、緊湊的，從而要求減小框部分的尺寸，但是，在上述的傳統(tǒng)方法中難于實(shí)現(xiàn)框尺寸減小。
圖4是傳統(tǒng)顯示設(shè)備的實(shí)施例的示意圖。圖4中所示的顯示設(shè)備包括顯示區(qū)域6和用于將連接到EL裝置的輸出的透明電極與公共電壓線相連接的接觸孔2，在顯示區(qū)域6中EL裝置和像素電路被以矩陣方式設(shè)置。進(jìn)一步，顯示設(shè)備包括外部(連接)端子5，通過它從外部供應(yīng)圖像信號(hào)、控制信號(hào)、和功率；用于實(shí)現(xiàn)密封襯底的粘合的粘合區(qū)域4。在顯示設(shè)備中，相對顯示區(qū)域6，用于輸出數(shù)據(jù)信號(hào)至像素電路的列控制電路37被設(shè)置在接觸孔2的外側(cè)。顯示設(shè)備進(jìn)一步包括用于輸出掃描信號(hào)至每行像素的掃描線的掃描線驅(qū)動(dòng)電路3，用于產(chǎn)生待輸出至列控制電路37的采樣信號(hào)的移位寄存器10，用于將輸入的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為顯示面板中待輸出的操作電壓電平的輸入電路9。進(jìn)一步，該顯示設(shè)備包括用于將功率供應(yīng)至像素電路的電源線1，電源線1和公共電壓線被連接到外部端子5。附帶說明，連接到外部端子5的互連線在圖4中被略去。
如上所述，在列控制電路37和移位寄存器10被設(shè)置在顯示區(qū)域6的上側(cè)(部分)的顯示面板中，當(dāng)列控制電路37被設(shè)置在接觸孔2的外側(cè)時(shí)，顯示區(qū)域6和列控制電路37之間的距離大。結(jié)果，顯示面板的框部分的尺寸增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種顯示設(shè)備，通過適當(dāng)設(shè)計(jì)電路和布線結(jié)構(gòu)，其具有窄框部分。
按照本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供一種電流驅(qū)動(dòng)型設(shè)備，其包括其上限定有顯示區(qū)域和外圍區(qū)域的襯底；電流驅(qū)動(dòng)型裝置和用于控制通過電流驅(qū)動(dòng)型裝置電流的裝置控制電路，其被設(shè)置在顯示區(qū)域中；用于逐列控制裝置控制電路的列控制電路，其被設(shè)置在外圍區(qū)域；和被設(shè)置在外圍區(qū)域以便包圍顯示區(qū)域的公共連接線，其中電流驅(qū)動(dòng)型裝置被設(shè)置在下部第一電極和上部第二電極之間，第一電極被電連接到裝置控制電路，而第二電極通過接觸孔電連接到公共互連線，和其中列控制電路被分成兩個(gè)電路，其中一個(gè)被設(shè)置在接觸孔和顯示區(qū)域之間，而另一個(gè)被設(shè)置在接觸孔外側(cè)。
按照本發(fā)明的電流驅(qū)動(dòng)型設(shè)備，在設(shè)置列控制電路的區(qū)域中，可以實(shí)現(xiàn)小的布線和小的電路區(qū)域。
本發(fā)明的這些和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)在結(jié)合附圖考慮本發(fā)明下面的優(yōu)選實(shí)施例后將是顯然的。


圖1是示意平面圖，其示出按照本發(fā)明的顯示設(shè)備。
圖2是列控制電路的電路圖的實(shí)施例。
圖3是電路圖的實(shí)施例，其示出本發(fā)明中劃分的列控制電路的布置方法。
圖4是示意平面圖，其示出傳統(tǒng)的顯示設(shè)備。
圖5是沿圖1中所示的線A-A’的示意剖面圖。
圖6是方框圖，其示出數(shù)字靜物相機(jī)的實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
如上面參考圖4所述，當(dāng)列控制電路37被設(shè)置在接觸孔2外時(shí)，顯示區(qū)域6和列控制電路37之間的距離大，因此導(dǎo)致框尺寸增加。
在本發(fā)明中，列控制電路被分成兩個(gè)列控制電路，它們被設(shè)置在接觸孔和顯示區(qū)域之間并在接觸孔之外，從而抑制了框尺寸的增加。
然而，當(dāng)列控制電路37的具有高操作速度的電路構(gòu)成部分被設(shè)置在接觸孔2和顯示區(qū)域6之間時(shí)，有可能減小列控制電路37的操作速度，這是由于在該電路構(gòu)成部分和透明電極之間產(chǎn)生的寄生電容。因此，對于劃分的列控制電路，希望要求高操作速度的電路被設(shè)置在接觸孔的外側(cè)，而相對地不要求高操作速度的電路被設(shè)置在顯示區(qū)域和接觸孔之間。
(第一實(shí)施例)圖1示出按照本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意布局。
圖1中顯示設(shè)備包括顯示區(qū)域6，在顯示區(qū)域6中各個(gè)像素(組成部分)和包含薄膜晶體管(TFT)的像素電路(裝置控制電路)以矩陣方式被設(shè)置，每個(gè)像素包括諸如有機(jī)EL裝置等等這樣的EL裝置。顯示設(shè)備進(jìn)一步包括接觸孔2、外部端子5、和粘合區(qū)域4接觸孔2用于將連接到EL裝置的輸出端的透明電極與公共電壓線(公共互連線)相連接；通過外部端子5，圖像信號(hào)，控制信號(hào)，和功率得以從外部供應(yīng)；粘合區(qū)域4用于實(shí)現(xiàn)密封板(襯底)的粘合。
在該實(shí)施例中，用于輸出數(shù)據(jù)信號(hào)至像素電路的列控制電路37被分成兩個(gè)列控制電路，這兩個(gè)列控制電路被設(shè)置成使得接觸孔2被夾在其之間。
劃分的列控制電路的布置方法將在下面描述。
雖然列控制電路的操作在下面說明，對于列控制電路37的構(gòu)成模塊，有要求高操作速度的構(gòu)成模塊和相對地不要求高操作速度的構(gòu)成模塊。
在水平掃描周期中，在由脈沖寬度小于水平掃描周期的信號(hào)控制的電路中要求高操作速度。另一方面，在由脈沖寬度與水平掃描周期相同的信號(hào)控制的電路中不要求高操作速度。
在圖1中，由接觸孔2包圍的區(qū)域的內(nèi)側(cè)，即靠近顯示區(qū)域6的一側(cè)是這樣的區(qū)域，其中相對于透明電極引起大寄生電容。
在該實(shí)施例中，對于列控制電路37，要求高操作速度的電路37a被相對于顯示區(qū)域6設(shè)置在接觸孔2外側(cè)的區(qū)域中，而不要求高操作速度的電路38a被設(shè)置在接觸孔2和顯示區(qū)域6之間的區(qū)域中。
通過設(shè)置如上所述的劃分的列控制電路，可以減小電路區(qū)域和布線區(qū)域的面積，而不降低電路的操作速度。作為結(jié)果，在設(shè)置顯示設(shè)備的列控制電路的一側(cè)，可以減小框尺寸。
圖2示出列控制電路的構(gòu)成的實(shí)施例。
在圖2中，附圖標(biāo)記M1到M4，M6到M10，和M12表示n型TFT，M5和M12是p型TFT，C1到C4是電容器，SPa和SPb是采樣信號(hào)，VCC是電源，P1到P6是列控制信號(hào)。
圖3是電路圖，其中一個(gè)列控制電路Gma被分成電壓-電流轉(zhuǎn)換電路41和開關(guān)42。另一個(gè)列控制電路Gmb也被類似地劃分。在圖3中，與圖2中相同的附圖標(biāo)記表示與圖2中所示的電路組成部分相同的電路組成部分。
電壓-電流轉(zhuǎn)換電路41通過在水平掃描周期中連續(xù)地接收采樣脈沖Spa而采集輸入信號(hào)Video，并由信號(hào)SPa，P1和P2控制，這些信號(hào)SPa，P1和P2具有小于水平掃描周期的脈沖寬度。另一方面，開關(guān)42由信號(hào)P3控制，該信號(hào)P3具有與水平掃描周期相同的脈沖寬度。對于電壓-電流轉(zhuǎn)換電路41，要求高速電路操作，但對開關(guān)42，相對于電壓-電流轉(zhuǎn)換電路41不要求高速電路操作。
在圖1和圖4中，被接觸孔2包圍的區(qū)域是相對透明電極具有大寄生電容的區(qū)域。在圖3中所示的實(shí)施例中，要求高操作速度的電壓-電流轉(zhuǎn)換電路41被設(shè)置在相對顯示區(qū)域6位于接觸孔2外側(cè)的區(qū)域44中，相對地不要求高操作速度的開關(guān)42被設(shè)置在位于接觸孔和顯示區(qū)域6之間的區(qū)域45中。如上所述，通過設(shè)置劃分的電路和開關(guān)，不降低電路操作速度，電路區(qū)域和布線區(qū)域的面積可減小。作為結(jié)果，在顯示設(shè)備的列控制電路被設(shè)置的一側(cè)，可以減小框尺寸。
在圖3中，還增加了像素電路43。下面將描述像素電路43。
參考圖3，驅(qū)動(dòng)晶體管M21的源極被連接到電力線VCC，其柵極被連接到電容器C21和晶體管M22的源極，其漏極經(jīng)晶體管M24連接到EL裝置EL。
控制線P21和P22在編程操作和光發(fā)射操作之間切換電路，以便導(dǎo)通和截止各晶體管M22和M24。更具體地，在編程操作中，晶體管M22和M23導(dǎo)通而晶體管M24關(guān)閉，從而將電流值寫入電容器C21。電流數(shù)據(jù)I(data)流入晶體管M21，其中柵極和漏極經(jīng)數(shù)據(jù)信號(hào)線和晶體管M23短路。作為結(jié)果，電流值被寫入電容器C21。在光發(fā)射周期中，晶體管M22和M23被關(guān)閉且晶體管M24被導(dǎo)通。寫入電容器C21的電流經(jīng)晶體管M21至晶體管M24流入EL裝置EL。根據(jù)流入EL裝置EL的電流值，EL裝置EL發(fā)射光。
附帶地，在本實(shí)施例的顯示設(shè)備中，圖2和圖3中所示的電路組成部分是作為例子說明的，但本發(fā)明不局限于這些電路組成部分。
進(jìn)一步，在上面的描述中，作為構(gòu)成每個(gè)像素的EL裝置的熒光設(shè)定方法，使用電流設(shè)定(電流驅(qū)動(dòng))方法。然而，本發(fā)明不局限于這些，而也可以是例如電壓設(shè)定方法。
進(jìn)一步，在上述實(shí)施例中，電流經(jīng)構(gòu)成像素電路的用于實(shí)現(xiàn)電流控制的晶體管通過EL裝置，并流經(jīng)公共電壓線。然而，電流也可以從公共電壓線輸送至EL裝置，并經(jīng)過構(gòu)成像素電路的用于實(shí)現(xiàn)電流控制的晶體管。例如，在圖3所示的像素電路中，晶體管M21是PMOS晶體管。然而，也可以采用這樣的構(gòu)造，即NMOS晶體管被用作晶體管M21，EL裝置的陰極側(cè)部分被連接到晶體管M24，陽極側(cè)部分被連接到其電勢為VCC的公共電壓線，而晶體管M21被連接到被接地的電源線。
在第一實(shí)施例中的上述顯示設(shè)備是頂部發(fā)射型EL顯示設(shè)備，但本發(fā)明也可應(yīng)用至底部發(fā)射型的EL顯示設(shè)備，其中光是從形成有像素電路的透明襯底側(cè)發(fā)出的。在該情形中，透明電極被用作構(gòu)成襯底上形成的第一電極(下層)的像素電極。第二電極(上層)也可以是透明電極。然而，在使用反射光的情形中，可以使用由金屬材料如鋁形成的電極。
在上面的描述中，使用EL裝置的顯示設(shè)備是作為例子描述的，但本發(fā)明不局限于這些。例如，顯示設(shè)備也可以用其它顯示設(shè)備取代，只要本發(fā)明可應(yīng)用其中。
(第二實(shí)施例)上面描述的第一實(shí)施例的顯示設(shè)備能夠構(gòu)成信息顯示設(shè)備，該設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)移動(dòng)電話，移動(dòng)計(jì)算機(jī)，靜物照相機(jī)，視頻攝像機(jī)，和多功能設(shè)備。信息顯示設(shè)備包括信息輸入部分。例如，在移動(dòng)電話的情形中，信息輸入部分通過包含天線被構(gòu)成。在PDA或移動(dòng)計(jì)算機(jī)的情形中，輸入部分包括用于網(wǎng)絡(luò)的接口部分。在靜物照相機(jī)或視頻(電影)攝像機(jī)的情形中，信息輸入部分包括傳感器部分，如CCD或CMOS。
作為合適的實(shí)施例，將描述使用第一實(shí)施例中描述的顯示設(shè)備的數(shù)字照相機(jī)，其被用在電子裝備中。
圖6是數(shù)字靜物照相機(jī)例子的方框圖。參考圖6，整個(gè)系統(tǒng)129包括用于拍攝物體的圖像拍攝部分123，圖像信號(hào)處理電路124，顯示面板125，存儲(chǔ)器126，CPU127，和操作部分128。由拍攝部分123拍攝的或存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器126中的圖像是由圖像信號(hào)處理電路124處理的信號(hào)，并可通過顯示表面125觀看。CPU127根據(jù)來自操作部分的輸入控制拍攝部分123，存儲(chǔ)器126，圖像信號(hào)處理電路124等，因此根據(jù)情況執(zhí)行拍攝，記錄，再現(xiàn)，或顯示。
如這里所述，按照本發(fā)明的電流驅(qū)動(dòng)型設(shè)備，可以采用由，例如有機(jī)EL裝置代表的EL裝置(構(gòu)成電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置)，這樣顯示設(shè)備可由電流驅(qū)動(dòng)型設(shè)備構(gòu)成。
雖然本發(fā)明已經(jīng)參考這里所揭示的結(jié)構(gòu)描述，但本發(fā)明不局限于這些細(xì)節(jié)，且本申請傾向于涵蓋權(quán)利要求的改進(jìn)目的或范疇的修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種電流驅(qū)動(dòng)型設(shè)備，包括襯底，其上限定有顯示區(qū)域和外圍區(qū)域；電流驅(qū)動(dòng)型裝置和用于控制通過電流驅(qū)動(dòng)型裝置的電流的裝置控制電路被設(shè)置在所述顯示區(qū)域中；列控制電路，其用于逐列控制所述裝置控制電路，被設(shè)置在所述外圍區(qū)域中；和公共互連線，其被設(shè)置在外圍區(qū)域中以便包圍所述顯示區(qū)域，其中所述電流控制型裝置被設(shè)置在下部第一電極和上部第二電極之間，所述第一電極被電連接至所述裝置控制電路，而所述第二電極通過接觸孔電連接至公共互連線，以及其中所述列控制電路被劃分為兩個(gè)電路，其中的一個(gè)被設(shè)置在所述接觸孔和顯示區(qū)域之間，而另一個(gè)被設(shè)置在所述接觸孔的外側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備進(jìn)一步包括設(shè)置在所述外圍區(qū)域中的連接端子，其用于允許外部電連接，而列控制電路被設(shè)置在與其中設(shè)置連接端子的區(qū)域相對的外圍區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中列控制電路包括設(shè)置在所述接觸孔外側(cè)的電壓-電流轉(zhuǎn)換電路。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中列控制電路包括由脈沖控制的設(shè)置在所述接觸孔外側(cè)的電路，該脈沖的周期短于水平掃描周期。
5.一種顯示設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流驅(qū)動(dòng)型設(shè)備，其中所述電流驅(qū)動(dòng)型裝置是光發(fā)射裝置。
6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述光發(fā)射裝置是電致發(fā)光裝置。
7.一種照相機(jī)，包括根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示設(shè)備；用于攝取拍攝物體的拍攝部分；和圖像信號(hào)處理部分，其用于處理通過所述拍攝部分?jǐn)z取的圖像的信號(hào)，其中所述圖像信號(hào)處理部分處理圖像信號(hào)，以便通過所述顯示設(shè)備顯示圖像。
全文摘要
一種顯示設(shè)備，其包括顯示區(qū)域和列控制電路，顯示區(qū)域中每個(gè)都包含EL裝置和像素電路的像素以矩陣方式被設(shè)置在襯底上，列控制電路用于逐列控制像素電路。EL裝置被設(shè)置在襯底上的下像素電極和上透明電極之間。像素電極被電連接到像素電路，透明電極經(jīng)接觸孔電連接到公共互連線。接觸孔和公共互連線被設(shè)置從而包圍顯示區(qū)域的外圍。列控制電路被劃分為設(shè)置在接觸孔和顯示區(qū)域之間以及相對于顯示區(qū)域在接觸孔外側(cè)的兩個(gè)電路。
文檔編號(hào)H04N5/225GK1983623SQ200610149388
公開日2007年6月20日 申請日期2006年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月16日
發(fā)明者中村恒一, 川崎素明 申請人:佳能株式會(huì)社