專利名稱：二線微音器電路的制作方法
電路關(guān)聯(lián)申請的旁引本申請是2006年9月26日提交的No. 11/527， 430號美國專利申請的延續(xù)， 該申請要求2006年3月17日提交的No. 60/783， 688號美國臨時申請專利的優(yōu)先權(quán)。 兩者均全部引用于此供參考。技術(shù)領(lǐng)域本專利涉及換能器，尤其涉及微音器和用于所有電子裝置中的微音器電路。
技術(shù)背景助聽儀今日被廣泛使用并通常包括微音器電路、放大電路和接收器電路。微 音器電路接收音頻能量并隨后將音頻能量轉(zhuǎn)換成電信號。電信號再由放大電路放大 (或作其它處理)并饋送至接收器。接收器電路隨后將經(jīng)放大的信號轉(zhuǎn)換成助聽儀 用戶能聽到的音頻信號。其它電子裝置也可使用上述電路。為了保護(hù)和其它目的，微音器電路一般設(shè)置于機(jī)殼或殼體內(nèi)。引腳從機(jī)殼伸 出以提供從殼體外的實體至微音器電路的連接。例如，在之前的助聽儀中，使用三 個引腳來提供這些需要的連接。具體地說，電源引腳為微音器電路供電。另外，輸 出引腳允許訪問電路的輸出。此外，接地引腳為微音器電路提供接地連接。在向微 音器電路提供所需的訪問時，這類三引腳("三線")配置具有若干相關(guān)缺點。例 如，三線配置有時由于使用三個引腳而使用起來很復(fù)雜、制造成本高并難以維護(hù)。商用微音器在一些其它應(yīng)用場合中己使用二引腳("二線")配置。具體地 說，在二線配置中，輸出引腳既為裝置提供輸出又接收電力。遺憾的是，這些之前 的二線方法，盡管不需要輸出引腳，但遭遇到使它們不適于應(yīng)用并且不適用于助聽 儀或其它電子通信裝置的許多缺點和問題。例如，助聽儀微音器(和其它電子裝置的微音器)在使用高通濾波器(HPF) 時表現(xiàn)出良好的性能。遺憾的是，之前的二線方法(例如使用共源極N溝道JEFT
放大器或增強(qiáng)型P溝道源極跟隨緩沖器)無法適應(yīng)完全處于微音器內(nèi)部的HPF。其 它之前的方法己嘗試使用PM0S晶體管作為微音器前置放大器中的最初級。然而， 由于難以獲得PMOS晶體管所想要的最大信噪比(SNR)性能，而且PMOS晶體管限 制了由HPF提供的低頻衰減，因此這些也方法無法令人滿意地用于帶高通濾波器的 助聽儀中。由于上述問題，令人滿意地用于電子裝置(例如助聽儀)中的二線微音器電 路一直不能實現(xiàn)，這導(dǎo)致必須依靠三線電路。結(jié)果，制造這些裝置變得更難和更昂 貴，并且裝置的可靠性降低。另外，在二線微音器中使用高通濾波器的一些優(yōu)點(例 如顯著提高的靈敏度穩(wěn)定性，對風(fēng)噪聲、馬路噪聲和其它低頻聲音的降低的易感度， 更好的制造性以及使微音器適于方向應(yīng)用，還有顯著提高的瞬時過載特性)也一直 無從利用。


為了完全地理解本公開，參照下面的詳細(xì)說明和附圖，在附圖中-圖1是根據(jù)本發(fā)明的微音器電路的方框圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的微音器緩沖電路的電路圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的微音器前置放大電路的電路圖；本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可以理解，附圖中的各元件為簡單和清楚起見被示出并且 不一定按比例繪制。例如，附圖中某些元件的尺寸和/或相對位置相對于其它元件 可以是夸大的，以幫助增進(jìn)對本發(fā)明各實施例的理解。還要理解，某些動作和/或 步驟是以具體的發(fā)生順序描述或描繪的，盡管本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可以理解這些針對 順序的專一性實際上并非必要。還應(yīng)當(dāng)理解，本文中使用的術(shù)語和表達(dá)具有一般的 含義，所述含義與這些術(shù)語和表達(dá)在其相應(yīng)的調(diào)查和研究領(lǐng)域中的含義相對應(yīng)，除 非在本文中已另行闡述了特定的含義。
具體實施方式
盡管本公開可以有多種修改和替代形式，然而一些實施例以圖示實例的形式 示出并且在本文中對這些實施例進(jìn)行詳細(xì)說明。然而，應(yīng)當(dāng)理解本公開不旨在將本 發(fā)明限定在所述具體形式，相反地，本發(fā)明旨在覆蓋落在本發(fā)明精神和范圍內(nèi)的所 有修改、替換和等同物。
提供一些方法，所述方法允許微音器的二線連接用于電子裝置(例如助聽儀 或使用低功率的其它儀器)。另外，這些方法允許引入完全設(shè)置于微音器機(jī)殼內(nèi)的 高通濾波器(HPF)或其它類型的處理或耦合電路。結(jié)果，由于可利用二線方法， 制造成本和復(fù)雜性得以降低。這類裝置的可靠性也得以提高。此外，高通濾波器或 其它類型的處理或耦合電路的引入允許這些裝置具有提高的工作特性，例如顯著提 高的靈敏度穩(wěn)定性，對風(fēng)噪聲、馬路噪聲和其它低頻聲音的降低的易感度，更好的 制造性以及使微音器適于方向應(yīng)用，還有提高的瞬時過載特性。本文所給出的方法適用于許多種類的電子裝置。例如，這些方法可用于助聽器、電子通信裝置(例如頭戴式耳機(jī)、蜂窩電話機(jī)、MP3播放器)或便攜式電子裝 置(例如個人或膝上計算機(jī))。其它可適用裝置的例子也是可行的。在許多這樣的實施例中，第一電路級包括至少一個NMOS晶體管并耦合于微音 器換能器。耦合電路耦合于第一電路級。第二電路級適于經(jīng)由耦合電路從第一電路 級接收信號并緩沖該信號。第一電路級、第二電路級和耦合電路完全內(nèi)置于微音器 機(jī)殼內(nèi)。第一觸點部分從微音器機(jī)殼向外延伸并電耦合于第二電路級的輸出端。第 一觸點部分有選擇地從外部電源接收電力，以向微音器電路供電。耦合電路可包括高通濾波器(HDF)電路或一些其它的處理或耦合電路。為此， HPF電路可包括至少一個電阻器和至少一個電容器。第二電路級可以是緩沖器。為此，第二電路級可包括至少一個PMOS晶體管。 第二電路級也可包括放大電路。為此，放大電路可包括至少一個醒OS晶體管。在其它這些實施例中，第二觸點部分從微音器機(jī)殼向外延伸并電耦合于外部 電路接地點和至少下列其中之一第一電路級、第二電路級、耦合電路和一個或多 個偏置網(wǎng)絡(luò)。第二觸點部分提供二線連接中的第二導(dǎo)線。上述不同電路級可位于各種電器件上。例如，第一電路級和第二電路級可位 于同一集成電路上?；蛘撸谝浑娐芳壷辽俨糠值匚挥诘谝患呻娐飞希诙?路級至少部分地位于第二集成電路上。因此，提供允許在助聽儀和其它電子裝置中使用二線連接的方法。這類方法 還將高通濾波器或其它類型的處理或連接電路引入到微音器機(jī)殼中，以提高微音器 電路和整個裝置的性能。另外，制造成本和復(fù)雜性得以減少，并且微音器電路和裝 置的可靠性得以提高?，F(xiàn)在參照附圖，特別參照圖1來描述微音器電路100的一個例子。微音器電 路100包括駐極體換能器104、第一電路級106、耦合電路108和第二電路級110。
微音器電路i00的許多器件內(nèi)置于微音器機(jī)殼102中。例如，第一電路級106、耦 合電路108和第二電路級110包含在機(jī)殼102內(nèi)。駐極體換能器104較佳地完全包 含在機(jī)殼102內(nèi)，但也可部分地位于機(jī)殼外以接收來自外部源的聲能。第一引腳 112耦合于并延伸自諸部件中的至少一個(典型配置具有與部件104、 105、 108和 110的連接)，并且第二引腳114耦合于并延伸自至少第二電路級110 (典型配置 具有與部件106和110的連接)。本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，圖1所示器件的位 置、大小、值和尺寸可變，并且這取決于各種因素，例如所使用的具體材料和用戶 要求。駐極體換能器104是駐極體電容微音器，它將聲(聲音)能轉(zhuǎn)換成電信號。 例如，該換能器可以是用于助聽儀或其它電子裝置的任何類型的換能器。第一電路級106包括一個或多個NMOS晶體管，例如一個或多個耗盡型 NMOS晶體管。較為有利地，耗盡型NMOS晶體管一般在跨導(dǎo)一電容比(Gm/C) 方面具有明顯(例如將近兩倍)的優(yōu)勢，由此提高信噪比(SNR)。除一個或多個 NMOS晶體管外，附加器件也可用于第一級，以幫助提高其功能性或提供其它功 能。第一電路級106 (例如耗盡型NMOS晶體管)形成第一阻抗緩沖級并直接耦 合于駐極體換能器104。偏置網(wǎng)絡(luò)105將恒流提供給第一電路級106。例如，當(dāng)使 用耗盡型NMOS晶體管時，偏置網(wǎng)絡(luò)105通過使用由另一耗盡型NMOS晶體管和 電阻器構(gòu)成的低噪聲恒流源來設(shè)定NMOS晶體管(用于第一電路級106)的漏極-源極電流。又如，可使用其它低噪聲基準(zhǔn)電流產(chǎn)生方法。由于第一電路級106在恒流下偏置，因此在第一電路級106的輸出端(例如 標(biāo)示為V0UT1的耗盡型NMOS晶體管的源極端)和第二電路級110的輸出端(作 為微音器的外部輸出并標(biāo)示為V0UT2的輸出引腳114)之間獲得高效的音頻信號 隔離。只要向電路100提供偏壓的外部電源提供明顯大于偏置第一電路級106所用 的電流，隔離就會發(fā)生。除了所提供的信噪比(SNR)性能優(yōu)勢，本方法的音頻信號隔離相比先前的 方法在低于高通濾波器轉(zhuǎn)角頻率的低音頻率實現(xiàn)顯著提高的信號衰減。這種隔離也 有助于提高微音器對來自風(fēng)、馬路和其它環(huán)境噪聲源的干擾的免疫力。此外，第一 電路級106和第二電路級110的電絕緣允許將附加器件(例如耦合電路108)插入 兩級之間。耦合電路108包括一電路并與第一電路級106和第二電路級110串聯(lián)耦合。
耦合電路108也為電路IOO提供信號處理改善，這種信號處理改善提高了電路100 的工作性能。為此，耦合電路可以是使用一個或多個電容器和一個或多個電阻器的 高通濾波器。例如，高通濾波器可具有選擇以提供一3dBHPF轉(zhuǎn)角頻率的器件。另 外，附加的HPF可用來驅(qū)動集成電路的基板(其中形成有部件105、 106、 108和 110)并用來屏蔽和/或防護(hù)微音器機(jī)殼102內(nèi)的離散寄生電容，以進(jìn)一步提高經(jīng)組 裝的微音器的SNR性能。再如，低通濾波器、帶通濾波器或任何形式的耦合和/ 或處理電路可用作耦合電路108。這些例子可采用任何器件的組合。在有些例子中， 可省去耦合電路108。第二電路級110在微音器電路100中提供多種功能。例如，第二電路級110 可提供緩沖功能。在這種情形下，第二電路級110可包括PMOS晶體管。再如，第二電路級110可以是前置放大電路并用來放大經(jīng)由耦合電路108從 第一電路級106接收到的信號。在這種情形下，第二電路級IIO提供信號放大并由 一個或多個增強(qiáng)型NMOS晶體管和偏置網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成。微音器機(jī)殼102可由塑料、金屬或其它適宜材料形成并用來保護(hù)電路100。第 一引腳112是用來向電路100的器件提供電路接地的任何接頭或接頭配置。第二引 腳114是為電路IOO提供外部輸出的任何接頭或接頭配置。另外，將電力施加于引 腳114以將電力提供給微音器電路100的各個器件。在圖1的系統(tǒng)操作的一個例子中，第一電路級106 (例如至少一個NMOS晶 體管)從微音器換能器104接收信號。這些信號是來自外部源的音頻信號，例如人 的講話、音樂或任何其它形式的音頻能量。耦合電路108——它可以是高通濾波 器——處理從第一電路級106接收到的信號。耦合電路108例如通過提供大為改善 的靈敏度穩(wěn)定性、風(fēng)噪聲/馬路噪聲和其它低頻聲音的降低的易感度或提高的瞬時 過載特性來提高信號質(zhì)量。選擇用于耦合電路108中的器件的類型和值，以提供期 望的特性提高。第二電路級IIO從耦合電路108接收信號并緩沖該信號。如果第二電路級110 是放大器，則將信號放大。引腳114提供來自第二電路級110的輸出并從外部電源 接收電力以向微音器電路100供電。引腳112為電路100提供接地。結(jié)果，僅外部 的兩個引腳用于微音器電路IOO,從而提供二線配置。在一個方法中，上述微音器電路(例如電阻器、電容器和晶體管)的各個器 件在單塊集成電路(IC)上制造并彼此隔離?；蛘撸瑑删彌_級(例如第一電路級 106和第二電路級110)和/或器件也可位于電耦合在一起的兩塊集成電路上。為此， 集成電路可以是獨立的IC芯片或網(wǎng)面印刷(screened)在微音器的混合電路板上的 厚膜器件。例如，第一電路級106位于第一器件(例如第一IC)上而第二電路級110位 于第二器件(例如第二 IC)上。其它的器件(例如高通濾波器)位于第一、第二 或其它集成器件上。集成電路可通過市面上可得的硅BiCMOS IC技術(shù)制造而成，這類技術(shù)具有工 藝延伸，這種工藝延伸允許在單塊硅IC上制造和電絕緣低門限電壓耗盡型NMOS、 增強(qiáng)型NMOS和增強(qiáng)型PMOS晶體管所需的注入和擴(kuò)散。BiCMOS技術(shù)也容許用 于將多個完整的、高性能的二線微音器電路集成在同一塊硅集成電路芯片上的二極 管、電阻器、電容和ESD保護(hù)裝置?；蛘?，也可使用其它制造工藝或制造工藝的 組合?，F(xiàn)在參照圖2，圖中示出微音器緩沖電路200的一個例子。耗盡型NMOS晶 體管206 (MN1)(或晶體管)形成第一阻抗緩沖級并通過終端節(jié)點220 (標(biāo)示為 "IN")直接耦合于微音器駐極體換能器(未示出)。除NMOS晶體管206外， 還可采用其它器件來幫助提高其功能性或提供其它功能。節(jié)點220的直流(DC)偏置是通過將反并聯(lián)的二極管202和204連接在節(jié)點 220和基準(zhǔn)電壓之間而實現(xiàn)的，所述基準(zhǔn)電壓在本例中為接地電壓。設(shè)定晶體管206 的漏極一源極電流的偏置網(wǎng)絡(luò)由低噪聲恒流源構(gòu)成，所述低噪聲恒流源由耗盡型 NMOS晶體管208 (MN2)和電阻器210 (R2)構(gòu)成。然而，偏置網(wǎng)絡(luò)可藉由其它 低噪聲IREF產(chǎn)生方法來實現(xiàn)。例如，電阻器210為7K歐姆。也可使用其它值。電連接點221從電路向外伸出并提供兩個功能。首先，接頭221使外部電源 222 (例如電池)向電路200供電。另外，電路200的輸出(VOUT)可經(jīng)由接頭 221予以采樣。應(yīng)當(dāng)理解，電源222實際在電路200的外部。電源222 (例如電池) 可提供電流IEXT和電壓Vdd并可以是用于低電源電壓便攜電子應(yīng)用(例如由一塊 電池組運(yùn)作并一般提供1.3V—1.6V低電壓的助聽儀應(yīng)用)的低噪聲電流源。第二阻抗緩沖級由增強(qiáng)型PMOS晶體管207 (MP1)和外部電流源222形成。 至第二緩沖級的輸入(節(jié)點VB1)通過電阻器214 (Rl)偏置至VREF (在本例中 正好為GND)。例如，電阻器214具有3.88M歐姆的值。也可以是其他值。又如， PMOS晶體管207可以是任何其它類型的P型晶體管，例如具有低噪聲和合理的高 3特征的橫向PNP晶體管或垂直PNP晶體管。由于晶體管206在恒流下偏置，因此在第一阻抗緩沖級的輸出端(晶體管206
的源極端)和電路第二級的輸出端(標(biāo)示為VOUT的節(jié)點216，它是微音器的外部 輸出)的輸出之間，可以實現(xiàn)高效音頻信號隔離。只要向電路200提供偏置的外部 電源222提供明顯大于用來偏置晶體管206的電流(即由晶體管208和電阻器210 產(chǎn)生的電流)并且只要晶體管206工作在其飽和工作區(qū)，就能保持隔離。除了本電 路的SNR功能優(yōu)勢，本方法的音頻信號隔離在低于先前方法的高通濾波器轉(zhuǎn)角頻 率的低音頻率下具有明顯更好的信號衰減。這有助于提高微音器對來自風(fēng)、馬路和 其它環(huán)境噪聲源的干擾的免疫力。兩電路級的電隔離允許提供電子高通濾波器(HPF)網(wǎng)絡(luò)(電容器212(C1)和 電阻器214(Rl)以設(shè)定一3dBHPF的有效轉(zhuǎn)角頻率)，從而將第一緩沖級的輸出耦 合于第二級的輸入，同時有效地保持前述的合需工作特性。另外，也可提供第二電 子器件HPF網(wǎng)絡(luò)以驅(qū)動集成電路的基板并作為將微音器殼體內(nèi)的離散寄生電容屏 蔽和/或排斥在外的裝置，從而獲得來自經(jīng)組裝微音器的更好的總SNR性能。例如， 電容器212是329pF電容器。也可使用其它值。在電路200的一個工作例中，偏置電流一般由晶體管208和電阻器210設(shè)定 為2.5 — 5uA。 一般將緩沖電路(IEXT)的外部偏置電流222設(shè)置為17-25uA。 這樣，電路的總功耗合理地低并可比擬先前的三線微型助聽儀駐極體換能器微音器 緩沖電路或在其它電子裝置中找到的微音器電路。這種程度的外部偏置電流也維持 異常的低噪聲微音器性能并為電路200提供低輸出電阻值(ROUT)而無需引入系 統(tǒng)額外的功耗。如前面提到的那樣，只提供兩個電路節(jié)點(例如引腳)以實現(xiàn)電路200的外 部訪問(即在VOUT(節(jié)點221)和GND(節(jié)點211)提供來自微音器的引腳)。應(yīng)當(dāng) 理解，為清楚起見，用于這兩個外部微音器引腳的靜電放電(ESD)保護(hù)和電磁干 擾(EMI)濾波網(wǎng)絡(luò)未曾示出。圖示出的所有其它電路節(jié)點保持在微音器殼體內(nèi)， 節(jié)點IN (節(jié)點220)連接于從微音器駐極體換能器出來的信號?，F(xiàn)在參照圖3，圖中示出微音器前置放大電路的一個例子。耗盡型NMOS晶 體管306 (MN1)(或晶體管)形成第一阻抗緩沖級并通過終端節(jié)點320 (標(biāo)示為 "IN")直接耦合于微音器駐極體換能器(未示出)。除NMOS晶體管306外， 還可采用附加起見來幫助或改善其功能或提供其它功能。節(jié)點320的直流電(DC)偏壓是通過將反并聯(lián)的二極管302和304連接在節(jié) 點320和基準(zhǔn)電壓之間而獲得的，在本例中基準(zhǔn)電壓為接地電壓。設(shè)定晶體管306 的漏極一源極電流的偏置網(wǎng)絡(luò)由低噪聲恒流源構(gòu)成，所述低噪聲恒流源由耗盡型NMOS晶體管308 (MN2)和電阻器310 (R2)構(gòu)成。然而，偏置網(wǎng)絡(luò)可藉由其它 低噪聲IREF產(chǎn)生方法來實現(xiàn)。例如，電阻器310為7K歐姆。也可采用其它值。電接頭321 (例如引腳或類似配置)從電路向外延伸并提供兩種功能。接頭 321允許外部電源322 (例如來自具有電壓Vdd和電流IEXT的電池)向電路300 供電。另外，可藉由接頭321對電路300的輸出(VOUT)進(jìn)行采樣。應(yīng)當(dāng)理解， 電源322位于電路300外部。電源322是用于超低電源電壓便攜電子應(yīng)用(例如由 一塊電池組運(yùn)作并一般提供1.3V—1.6V低電壓的助聽儀應(yīng)用)的低噪聲電流源。第二電路級提供信號放大功能并由增強(qiáng)型NMOS晶體管326 (MN4)及其自 偏置網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成。自偏置網(wǎng)絡(luò)由連接在晶體管326的柵極端和VOUT之間的電阻器 314 (Rl)構(gòu)成。NMOS晶體管326也可由其它類型的N型晶體管代替，例如具有 低噪聲和合理的高e特征的橫向或垂直NPN晶體管。例如，晶體管314為3.7M 歐姆。也可取其它值。耗盡型NMOS裝置323 (MN5)作為共發(fā)共基放大元件，它防止晶體管306 的CGS電容的任何密勒倍增在VOUT產(chǎn)生放大的輸出。這使總電路提供異常好的 增益和SNR性能。兩個電路級的電隔離允許提供電子器件高通濾波器(HPF)網(wǎng)絡(luò)(電容器 312(Cl)和電阻器314(Rl沐設(shè)定一3dB HPF的有效轉(zhuǎn)角頻率)以將第一緩沖級的輸 出耦合于第二級的輸入，同時有效地維持前面列出的所有要求的工作特性。另外， 還能提供第二電子器件HPF網(wǎng)絡(luò)來驅(qū)動集成電路的基板并用來將微音器殼體內(nèi)的 離散寄生電容屏蔽和/或排斥在外，從而獲得更好的經(jīng)組裝微音器的總SNR性能。如上所述，只有兩個電路節(jié)點(例如引腳)用來實現(xiàn)對電路300的外部訪問 (即在VOUT(節(jié)點321)和GND(節(jié)點311)提供來自微音器的引腳)。應(yīng)當(dāng)理解， 為清楚起見，與這兩個外部微音器引腳配合使用的靜電放電(ESD)保護(hù)和電磁干 擾(EMI)濾波網(wǎng)絡(luò)未曾示出。圖示出的所有其它電路節(jié)點保持在微音器殼體內(nèi)， 節(jié)點IN (節(jié)點320)連接于從微音器駐極體換能器出來的信號。因此，提供在助聽和其它電子裝置中使用二線配置的方法。這些方法也使用 完全在微音器機(jī)殼內(nèi)的高通濾波器或其它類型的處理和/或耦合電路，以提高微音 器電路和整個裝置的性能。另外，制造成本和復(fù)雜性降低，并且微音器電路和裝置 的可靠性提高。此外，當(dāng)將HPF電路引入本文所述的微音器電路時，該微音器電 路享有理想的增益和瞬時過載特性、低噪聲、低輸出電阻(ROUT)和低功耗。本發(fā)明的較佳實施例在本文中進(jìn)行了描述，包括發(fā)明人實現(xiàn)本發(fā)明的最佳模
式。應(yīng)當(dāng)理解，所給出的實施例僅為示例性的，并且不作為對本發(fā)明范圍的限制。
權(quán)利要求
1. 一種微音器電路，包括第一電路級，所述第一電路級包括至少一個NMOS晶體管并耦合于微音器換能器；耦合電路，其耦合于所述第一電路級；以及第二電路級，所述第二電路級經(jīng)由所述耦合電路從所述第一電路級接收信號并緩沖所述信號。
2. 如權(quán)利要求l所述的微音器電路，其特征在于，所述第一電路級、第二電 路級和耦合電路完全位于微音器機(jī)殼內(nèi)。
3. 如權(quán)利要求1所述的微音器電路，其特征在于，還包括偏置電路，所述偏 置電路耦合于所述第一電路級。
4. 如權(quán)利要求3所述的微音器電路，其特征在于，還包括從微音器機(jī)殼向外 延伸并電耦合于所述耦合電路、偏置電路和第二電路級中的至少一個的第一連接部 分。
5. 如權(quán)利要求4所述的微音器電路，其特征在于，還包括從微音器機(jī)殼向外 延伸并電耦合于所述第一電路級、第二電路級和外部電路接地點中的至少一個的第 二連接部分。
6. 如權(quán)利要求l所述的微音器電路，其特征在于，所述耦合電路包括第一高 通濾波器(HPF)電路。
7. 如權(quán)利要求6所述的微音器電路，其特征在于，所述第一HPF電路包括至 少一個電阻器和至少一個電容器。
8. 如權(quán)利要求6所述的微音器電路，其特征在于，還包括第二HPF電路，所 述第二HPF電路驅(qū)動微音器電路的基板。
9. 如權(quán)利要求l所述的微音器電路，其特征在于，所述第二電路級包括至少 一個PMOS晶體管。
10. 如權(quán)利要求1所述的微音器電路，其特征在于，所述第二電路級包括至 少一個PNP晶體管。
11. 如權(quán)利要求1所述的微音器電路，其特征在于，所述第二電路級包括放 大電路。
12. 如權(quán)利要求ll所述的微音器電路，其特征在于，所述放大電路包括至少 一個NMOS晶體管。
13. 如權(quán)利要求ll所述的微音器電路，其特征在于，所述放大電路包括至少 一個NPN晶體管。
14. 如權(quán)利要求1所述的微音器電路，其特征在于，所述第一電路級至少部 分地位于第一集成電路上，而所述第二電路級至少部分地位于第二集成電路上。
15. 如權(quán)利要求1所述的微音器電路，其特征在于，所述第一電路級和第二 電路級位于單塊集成電路上。
16. —種微音器緩沖器，包括NMOS電路級，所述NMOS電路級耦合于微音器換能器；第一高通濾波器(HPF)電路級，其耦合于所述NMOS電路級；PMOS電路級，所述PMOS電路級經(jīng)由所述第一 HPF電路級從所述NMOS電路級接收信號，所述PMOS電路級與所述NMOS電路級電隔離；以及其中微音器機(jī)殼完全包圍住所述NMOS電路級、第一 HPF電路級和PMOS電路級。
17. 如權(quán)利要求16所述的微音器緩沖器，其特征在于，還包括從所述微音器 機(jī)殼向外伸出并電耦合于所述PMOS電路級的輸出端的第一連接部分，所述第一 連接部分有選擇地從外部電源接收電力。
18. 如權(quán)利要求17所述的微音器緩沖器，其特征在于，還包括從所述微音器 機(jī)殼向外伸出并電耦合于所述NMOS電路級、PMOS電路級和外部電路接地點的 第二連接部分。
19. 如權(quán)利要求16所述的微音器緩沖器，其特征在于，所述NMOS電路級 包括至少一個NMOS晶體管和至少一個偏置電路。
20. 如權(quán)利要求19所述的微音器緩沖器，其特征在于，至少一個偏置電路用 來向至少一個NMOS晶體管提供恒流。
21. 如權(quán)利要求16所述的微音器緩沖器，其特征在于，所述PMOS電路級包 括至少一個PMOS晶體管。
22. 如權(quán)利要求16所述的微音器緩沖器，其特征在于，所述PMOS電路級包 括至少一個PNP晶體管。
23. 如權(quán)利要求16所述的微音器緩沖器，其特征在于，所述第一HPF電路級 包括至少一個電容器和至少一個電阻器。
24. 如權(quán)利要求16所述的微音器緩沖器，其特征在于，還包括直流(dc)偏 置電路，所述dc偏置電路耦合于所述NMOS電路級。
25. 如權(quán)利要求16所述的微音器緩沖器，其特征在于，所述NMOS電路級 至少部分地位于第一集成電路上，而所述PMOS電路級至少部分地位于第二集成 電路上。
26. 如權(quán)利要求16所述的微音器緩沖器，其特征在于，所述NMOS電路級 和PMOS電路級位于單塊集成電路上。
27. 如權(quán)利要求16所述的微音器緩沖器，其特征在于，還包括第二HPF電路 級，所述第二HPF電路級驅(qū)動微音器緩沖器的基板。
28. —種微音器前置放大器，包括NMOS電路級，所述NMOS電路級耦合于微音器換能器； 第一高通濾波器(HPF)電路級，其耦合于所述NMOS電路級； 耦合于所述第一 HPF電路級的放大電路級，所述放大電路級經(jīng)由所述第一HPF電路級從NMOS電路級接收和放大信號；其中所述NMOS電路級、第一HPF電路級和放大電路級完全由微音器機(jī)殼所包圍。
29. 如權(quán)利要求28所述的微音器前置放大器，其特征在于，還包括從所述微 音器機(jī)殼向外伸出并電耦合于所述放大電路級的輸出端的第一連接部分，所述第一 連接部分有選擇地從外部電源接收電力。
30. 如權(quán)利要求29所述的微音器前置放大器，其特征在于，還包括從微音器 機(jī)殼向外伸出并電耦合于NMOS電路級、放大電路級和外部電路接地點的第二連 接部分。
31. 如權(quán)利要求28所述的微音器前置放大器，其特征在于，所述NMOS電 路級包括至少一個NMOS晶體管和至少一個偏置電路。
32. 如權(quán)利要求31所述的微音器前置放大器，其特征在于，所述至少一個偏 置電路向至少一個NMOS晶體管提供恒流。
33. 如權(quán)利要求28所述的微音器前置放大器，其特征在于，所述放大電路級 包括至少一個NMOS晶體管。
34. 如權(quán)利要求28所述的微音器前置放大器，其特征在于，所述放大電路級 包括至少一個NPN晶體管。
35. 如權(quán)利要求28所述的微音器前置放大器，其特征在于，所述NMOS電 路級至少部分地位于第一集成電路上，而所述放大電路級至少部分地位于第二集成 電路上。
36. 如權(quán)利要求28所述的微音器前置放大器，其特征在于，所述NMOS電 路級和PMOS電路級位于單塊集成電路上。
37. 如權(quán)利要求28所述的微音器前置放大器，其特征在于，所述第一 HPF 電路級包括至少一個電阻器和至少一個電容器。
38. 如權(quán)利要求7所述的微音器前置放大器，其特征在于，還包括第二HPF 電路級，所述第二HPF電路級驅(qū)動所述微音器前置放大器的基板。
全文摘要
第一電路級包括至少一個NMOS晶體管并耦合于微音器換能器。耦合電路耦合于第一電路級。第二電路級經(jīng)由耦合電路從第一電路級接收信號并緩沖該信號。第一電路級、第二電路級和耦合電路完全位于微音器機(jī)殼內(nèi)。第一觸點部分從微音器機(jī)殼向外伸出并電耦合于第二電路級的輸出端。第一觸點部分有選擇地從外部電源接收電力以向微音器電路供電。
文檔編號H04R3/00GK101401451SQ200780009138
公開日2009年4月1日 申請日期2007年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月17日
發(fā)明者S·E·波爾 申請人:諾爾斯電子股份有限公司