專利名稱：：具有雙換能器的傳聲器的制作方法
技術領域：
：0002本發(fā)明總體上涉及傳聲器，并且更特別的，涉及一種具有雙電聲換能器的傳聲器。
背景技術：
：0003典型的例如用于傳聲器中的聲學換能器，包括柔性隔膜和與柔性隔膜基本平行的堅硬背板。隔膜將聲學換能器分為前容積和后容積，并通過該背板構成電容器。對于MEMS(微電機系統(tǒng))傳聲器，電壓發(fā)生器在背板上提供和維持電壓。MEMS傳聲器的例子可以在例如共同轉讓的美國公開的申請No.20040120540中找到，其結合于此用于參考。在傳統(tǒng)的駐極體電容傳聲器(ECM)的背肚不需要電壓發(fā)生器來維持電壓。在操作中，聲波撞擊隔膜使得隔膜根據由聲波施加的壓力而運動。隔膜的運動包括背板上電壓的波動，所述波動被放大離測為電信號。放大器將這雖號進行放大，并將它們傳輸?shù)絺髀暺鲀炔亢蘌/或外部的其它電子部件Jlia行處理。0004對于MEMS傳聲器和傳統(tǒng)的駐極體電#[專聲器而言，挑戰(zhàn)在于改善信噪比。一種方法是這可以通過提供具有非常小的聲音阻抗值的傳聲器系統(tǒng)來實現(xiàn)。但遺感的是，低的聲音阻抗值將導致非常高的無阻尼峰值頻率。一般情況下，例如在助聽器中使用的傳聲器的峰值頻率對于最佳性能而言應該在9到15kHz之間。9kHz下限由例如助聽器的應用的帶寬要求來規(guī)定。大多數(shù)的助聽器需要高于6kHz的峰值頻率，且較高的峰值頻率;m選的。但是高于15kHz的峰值頻率在存在超聲信號的情況下可能會導致傳聲器的過載。例如，25到40kHz的信號可能具有IIO犯SPL(聲壓級)頓大的幅度，其可能使傳聲器過載。0005因此，需要一種能劃gJ:述峰值頻率問題和其它問題的傳聲器。特別是，需要一種提供改善的信噪比同時保持位于可接受的范圍內的峰值頻率和/或幅度的傳聲器。
發(fā)明內容0006本發(fā)明涉及一種具有不匹配的電聲換能器的傳聲器。該傳聲器可以是傳統(tǒng)的ECM傳聲器，也可以是MEMS傳聲器。每一個不匹配的電聲換能器可以有自B^定的峰值頻率，以使得電聲換能:^同產生期望的合成峰值頻率。所述不匹配的電聲換能器可以有不同的封裝尺寸、前容積、后容積、和/或隔膜張力、厚度、長度、寬度、和/驢徑。在一些實施例中，傳聲器可以有用于電聲換能器的不同的背板充電和/或輸出信號放大配置。傳聲器是MEMS傳聲器時，由集成電,供電壓產生和輸出信號放大，該集成電路可以安裝在其中一個電聲換能器的前容積內，或者在其中一個電聲換能器附近。0007一鵬，一方面，本發(fā)明涉及傳聲器組件。該組件包括具有第一峰值頻率的第一電聲換能器，和電并聯(lián)于第一電聲換能器并具有第二峰值頻率的第二電聲換能器。該第二峰值頻率基本上區(qū)別于第一峰值頻率預定的最小量，以使得兩^NI值頻率為傳聲器產生期望的合成峰值頻率。0008一般地，另一方面，本發(fā)明涉及一種傳聲器。該傳聲器包括具有第一峰值頻率的第一電聲換能器，和電并聯(lián)于第一電聲換能器并具有第二峰值頻率的第二電聲換能器。此外，該傳聲器還包括連接到第一和第二電聲換能器中的一個或多個的至少一個電壓發(fā)生器和連接到第一和第二電聲換能器中的一個或多個的至少一個放大器。該第二峰值頻率基本上區(qū)別于第一峰值頻率預定的最小量，使得兩^1#值頻率為傳聲器產生期望的合成峰值頻率。0009一m，另一方面，本發(fā)明還涉及一種裝配傳聲器的方法。該方法包括安裝具有第一峰值頻率的第一電聲換能器在基板上，并且將具有第二峰值頻率的第二電聲換能器安裝于基板上電并聯(lián)于第一電聲換能器。該第二峰值頻率基本上區(qū)別于第一峰值頻率預定的最小量，使得兩個峰值頻率為傳聲器組件產生期望的合成峰值頻率。0010本發(fā)明的另一方面，提供了傳聲器組件，包括用于產生第一電輸出信號的第一電聲換能器，和用于產生第二電輸出信號的第二電聲換能器。該傳聲器組件進一步包括一個或多個偏置電壓發(fā)生器，用于分別提供相反極性的第一和第二DC偏置電壓給所述第一和第二電聲換能器，以及放大器電連接至嘴一和第二電輸出信號以提供從第一和第二電輸出信號獲得的放大器輸出信號。優(yōu)選的，該一個或多個偏置電壓發(fā)生器和放大驗鵬單個半導體繊上，例如亞MCMOS集成電路，其還包括用于互連到第一和第二電聲換能器的一對輸入，(inputpad)，以及用于傳送傳聲器組件輸出信號的輸出焊盤(outputpad)。0011M閱讀依據附圖進fi^細描述的不同實施例，本發(fā)明的其它方面對于本領域技術人員而言將變得顯而易見，附圖的簡要說明在下面列出。0012通3i下面的詳細描述以及參考附圖，本發(fā)明的上述優(yōu)點以及其它優(yōu)點得明顯，其中0013圖1A-1是匹配和不匹配換能驗峰值幅度為5dB時的噪聲阻尼的圖形比較并且^出單個換能器的噪聲阻尼；0014圖1A-1B分別是示例的MEMS傳聲器的透視圖和截面圖，該傳聲器依據本發(fā)明實施例具有安裝在其中一個聲學換能器的前容積內的集成電路；0015圖2^^例的依據本發(fā)明實施例具有安裝在其中一個聲學換能器附近的集成電路的MEMS傳聲器的透視0016圖3是依據本發(fā)明實施例的示例的MEMS傳聲器透視亂其中聲學換能器之一具有不同的封裝尺寸；0017圖4是依據本發(fā)明實施例的示例的MEMS傳聲器透視亂其中聲學換能器具有不同的隔JM徑；0018圖5是依據本發(fā)明實施例的示例的MEMS傳聲器透視圖，其中聲學換能器具有不同的隔膜厚度；0019圖6是依據本發(fā)明實施例的示例的MEMS傳聲^t視圖，其中聲學換能器具有不同的后容積；0020圖7是依據本發(fā)明實施例的示例的MEMS傳聲器透視圖，其中聲學換能器具有不同的前容積；禾口0021圖8-20是依據本發(fā)明實施例的具有不同電壓發(fā)生器和輸出信號放大KS的示例傳聲器組件的圖。具體實ltt"式0022以下是參照附圖詳細說明的本發(fā)明的多個實施例。需要說明的是，附圖僅用于示例性的目的，并非用于制作附圖或圖紙，附圖也并非描繪成任何特定比例。0023如上所述，在如助聽器之類的應用中，為了最佳性能傳聲器的峰值頻率應在9到15kHz之間。依據本發(fā)明的實施例，iliiJI供具有兩個電聲換能器的單個傳聲器就可以得到期望的峰值頻率，每一個電聲換能器具有與其它的峰值頻率分開了預定的最小量的峰值頻率。不匹配的電聲換能器的專用的和特定的使用可以在無需折中噪聲阻尼量的情況下為傳聲器產生期望的合成峰值頻率。該設置和電聲換能器完全偶然的不匹配的情況完全不同(例如，它們被制造在不同的晶片上)。此外，ffli^[柳兩個(或更多)的不匹配換能器，傳聲器的峰值響應會斷氏。這意味著，對于給定幅度的任何峰值頻率而言，需要更少的阻尼，如果^ffi兩個(或更多)不匹配換能器相對于使用單個換能器或兩個匹配的換能驗現(xiàn)了峰繊率，貝咽此可以引入較低的阻尼噪聲。0024下面表l給出了和兩個匹配換能器相比，使用兩個(或更多)不匹配換能器可以獲得的在阻尼噪聲方面的改進。假設換能器除了匹配和不匹配頻率之外其他都是相同的。表1中，是兩個匹配換能器的峰值幅度，而'波動(ripple)，M樣了兩個不匹配換能器的峰值幅度(其和S-相等，并且它們互相之間也相等)。類1她，Qo是兩個匹配換能器的Q，而Q!&Q2是兩個不匹配換能器的Q。類似的，(Do是兩個匹配換能器的峰飾頻率的倍數(shù)，而W&叱是兩個不匹配換能器的峰值角頻率的^lt對于匹配和不匹配換能器而言，阻尼噪聲是和表1所示的平方根項成比例的。注意在由表1列出的特定實施方式中，兩個不匹配換能器的角頻率W&叱關于峰值頻率隔開了基本_稱的距離。還要注意，凝巨離是在變化的，從在峰值幅度為3dB時大約為峰值頻率的0.72倍變化到在峰值幅度為10dB時大約為峰值頻率的0.40倍?？梢钥闯?，在阻尼噪聲上的改善是在峰值幅度為3dB時大約為1.3dB到峰值幅度為10dB時大約為2.5dB的范圍內變化。當然，本發(fā)明并不僅限于表1所示的特定實施方式，而是本領域的普通技術人員可以意識到，其它范圍，關于峰值頻率對稱和不對稱，都可以用于兩個不匹配換能器的頻率(0!&叱。10<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>表l0025圖1A-1以圖形化的方式比較了對于匹配和不匹配換能皿峰值幅度為5dB時的噪聲ffljg，也給出了例如使用單個換能器時的噪聲阻尼。0026該傳聲器可以是傳統(tǒng)的駐極體電割專聲器，或者可以為MEMS傳聲器。在任一種情況下，和兩個具有相同峰值頻率和相同峰值頻率高度的換能器相比，專門用兩個不匹配的電聲換能器用于傳聲器育,在基本上相同的峰值頻率高度下獲得較低的噪聲量。不匹配電聲換能器還可以使得噪聲更加擴展(即，噪聲盼'Q"MM低)，這改善了傳聲器產生的輸出的質量。0027在一些實施例中，兩個不匹配電聲換能器互相電并i^接，同時電聲換能器的前容積^容積互相對立設置。傳聲器是MEMS傳聲器時，兩個不匹配電聲換能器可以面對面安裝，并且包括電壓發(fā)生器和放大器的集成電路可以安裝在一個電聲換能器的前容積內。傳聲器是傳統(tǒng)的駐極體電容傳聲器時，則不需要電壓發(fā)生器。在一些實施例中，兩個不匹配電聲換能器可以有不同的隔膜張力，厚度，和/或直徑。在后一種情況下，集成電路可以安裝在具有較小直徑的用于MEMS傳聲器的電聲換能器的附近。在一些實施例中，傳聲器可以有用于兩個電聲換能器的不同的背板充電和/或輸出信號放大配置。這些不同的背板充電和/或輸出信號放大配置可以用于平衡電聲換能器敏感度上的差異。0028現(xiàn)在參見圖1A，示出依據本發(fā)明實施方式的具有不匹配電聲換能器的MEMS傳聲器100的透視圖。MEMS傳聲器100可以是硅基傳聲器，或也可以用某種其它適合的MEMS材料制成，例如玻璃。正如可以看到的，傳聲器100包括兩個電聲換能器102和104，所述電聲換能器102和104具有基本上相同的封裝大小，并且基本安裝在或載體的相對側上且彼此面對，例如柔性印刷帶106。兩個電聲換能器102和104具有不同的峰^1率，并且安皿它們互相電并聯(lián)，同時它們的前容積^ffiil柔性印刷帶106而互相面對。聲波首先通過在電聲換能器和柔性印刷106之間的空間iSA電聲換能器102和104。因為兩個電聲換能器102和104在結構和功能上互相類似，故只有其中一個電聲換能器，即第一電聲換能器102在此詳細描述。0029在一種實施方式中，電聲換能器102可以是本領域普通技術人員熟知的普通MEMS電聲換能器。這種電聲換能器102典型的包括玻璃基或硅基外殼108，該外殼108具有形成在其中的環(huán)形壁110。環(huán)110在外殼108內限定和外殼108的后表面112基本上垂直的圓柱形空腔。該圓柱形空腔又在外殼108的前表面(此^e示出)切開開口，通過該開口聲波可以itA電聲換能器102。柔性隔膜134和堅硬背板136(在圖1B中能更好地看至IJ)相互平行的構成在圓柱形空腔內，并且基本上與該圓柱形空腔共軸。0030根據本發(fā)明的實船式，集成電路114安裝在由外殼108的環(huán)鵬110限定的圓柱形空腔內的柔性印刷帶106上。集成電路114可以是ASIC，用于為兩個電聲換能器102和104提供電壓和輸出信號放大。優(yōu)選的，集成電路114的封駅寸充分的小，以不以倒可明顯方式改變該電聲換能器的聲學所有特性。在一個實施方式中，集成電路114可以有測量大約為O.lOmm厚，0.6mm寬，1.50.6mm長的封裝尺寸。經由位于外殼108的背表面112上的引線120和122，導％(trace)116和118將柔性隔膜134和堅硬背板136分別連接到集成電路114。雖然沒有清楚的示出，但是每一個引線120和122有各自的電連接(例如，M、線接合等)連接到集成電路114。位于外殼108的背表面112上的一個或多個引線124及126分別提供到集成電路114的接地和電源連接。位于柔性印刷帶106上的導電焊盤126，128和130允許將兩個電聲換能器102和104互相連接，并連接至帷聲器100的其它電子部件。0031圖1B示出傳聲器100在線B-B方向的截面圖?？梢钥闯?，集成電路114安裝在電聲糊識102的環(huán),110所限定的圓柱形空腔內。柔性隔膜134和堅硬背板136也安裝在該圓柱形空腔內(互相之間基本上平行安裝并且禾口圓柱形空腔共軸)。本領域普通技術人員可以知曉，可利用環(huán)鵬110支撐凝性隔膜134和堅硬背板136，或者將它們附著于環(huán)形壁110上。在一些瞎況下，穿孔138可以構,背板136中以允許聲波退出電聲換能器102。如果電聲換能器102封閉卜殼或者夕卜套(casing)(未明確示出)內，則聲波退出到由背板136和外殼嫩卜套所限定的后容積中。否則，聲波將僅退出到外部空間中。利用一組焊料凸塊140將電聲換能器102安裝于柔性印刷帶106上。利用一組類似的焊料凸塊142將集成電路114安裝在并連接至隊性印刷帶106上。0032雖然給出了將集成電路114安裝在第一電聲換能器102的示例，但是本領域普通技術人員可以知曉，也可以將集成電路114安裝在第二電聲換能器104上。應該清楚的認識到，每個電聲換能器102和104都可以包括安裝在它們各自的圓柱形空腔內的單獨的集成電路114，而并不脫離本發(fā)明的范圍。另外，雖然示出了圓形的隔膜134和背板136，但是如果需要的話，該隔膜134和/或背板136顯然也可以采用包括矩形形狀在內的其它合適的形伏。在一種實施方式中，依據專利號為No.6859542的美國專利來制作隔膜134和背板136，該專利艦被并入作為參考。財卜雖然此處描述繊或載體為柔性印刷帶106，但是也可以使用其它非柔性的基板或載體，例如印刷電路板。事實上，在一些實施方式中，或載體可以是玻璃或硅基層，以使得傳聲器完全由半導體材料構成。最后，雖然示出糊述的電聲換能器102和104的示例具有基本上相同的封裝尺寸，但是顯然可以使用不同的封裝尺寸而不會脫離本發(fā)明的范圍。需要注意的是，隔膜和背板的尺寸不一定要追隨封裝尺寸，也可以對于不同的封裝尺寸是相同尺寸的隔膜和背板，并且^t亦然。0033圖2給出了依據本發(fā)明實施方式描述的具有不匹配電聲換能器的另一個MEMS傳聲器200的透視圖。傳聲器200和圖1A-1B所示的傳聲器100結構相1以的部分在于它包括具有基本上相同的封裝尺寸的不匹配電聲換能器202和204，并且所述不匹配電聲換能器202和204互相面對面的安裝在柔性印刷帶206的相對側上。但是不同于圖1A-1B的傳聲器100，圖2所示的傳聲器200具有集成電路208，該集成電路208安裝在位于柔性印刷帶206上的電聲換能器202和204中的一個的附近。在示出的例子中，集成電路208具有大約3.1mm長，0.4mm寬，0.15mm厚的封裝尺寸，并安裝在第一電聲換肯識202的前端210Pf爐。當然也可以將集成電路208安裝在第一電聲換能器202的后端212的附近，或者甚至是安裝到第二電聲換能器204上，或者兩個電聲換能器202和204都包括安裝在其附近的它們各自的集成電路208。電聲換能器202和204之間的電連接，柔性印刷帶206以及集成電路208可以用和關于圖1A-1B描述的實施方式相類似的方式實現(xiàn)。0034如圖1和圖2所述的實施方式，所給出的以及描述的不匹配電聲換能器102和104以及202和204具有基本上相同的封裝尺寸。圖3給出了依據本發(fā)明實施例描述的其中不匹配電聲換能器的封裝尺寸不同的MEMS傳聲器300的透視圖。正如可以看到的，傳聲器300和圖1A-1B，及圖2描述的傳聲器組件100和200相類似，它包括兩個面對面安裝在柔性印刷帶306的相對側上的不匹配電聲換能器302和304。但是在圖3中，其中一個電聲換能器，例如第一電聲換能器302，在一個方向上，例如沿著柔性印刷帶306的長度方向，具有比第二電聲換能器304更小的封裝尺寸。具有較小封裝尺寸的第一電聲換能器302可以性印刷帶306上留出更多的空間以安裝其它元件，例如集成電路308。在一個實例中，集成電路308可以安裝在第一電聲換能器302的前端310Pf傲。在另一個實例中，集成電路308可以安裝在第一電聲換能器302的后端312附近。可選的(或另外的)，第一電聲換能器302可以,性印刷帶306的寬度方向上更小，在此情況下集成電路308可以安裝在電聲換能器302的一側。0035除了不同封裝尺寸之外，在一些例子中，可能需要有一個電聲換能器，其中隔膜和/或背板具有一個或多^f寺性(例如張力，長度，寬度，直徑，和/或厚度)與另一個電聲換能器不同。本領域普通技術人員可以知曉，具有一組特性的隔膜相比于具有另一組特性的隔膜而言，會產生不同的峰值頻率。在雙電聲換能器的配置中，由不同峰值頻率所得到的合成峰值頻率通常會比單個的峰值頻率更加符合預期。該現(xiàn)象使得聲學傳感器制造商通過為一個或兩個電聲換能器混合和匹配隔膜的特賊得到期望的合成峰值頻率，如圖4—5所示。0036圖4示出了MEMS傳聲器400的截面圖，其中不匹配電聲換能器包括具有不同尺寸特性的隔膜。當前示例中隔膜是圓形的，因此隔膜的直徑是最相關的尺寸特性。但是需要清楚的說明，本發(fā)明的教導也可以完，用于包括矩形在內的其它的隔膜形狀。傳聲器400和之前的傳聲器組件(參見圖1A-1B,2,3)類似，它也包括面對面安裝據性印刷帶406的相對側上的兩個電聲換能器402和404。旨電聲換育g器402和404都具有形^其中的各自的環(huán),408和410，M每個電聲換能器402和404的內部限定圓柱形空腔。柔性隔膜412和414和堅硬背板416和418位于各自的圓柱形空腔內，并且基本上互相平行并且與各自的圓柱形空腔共軸。背板416和418具有形成在其中的穿孔420和422，用于頻率衰減目的。雖然未詳細示出，但是也可以存在集成電路。該集成電路可以安裝性印刷帶406上，位于電聲換能器402和404中的一個的圓柱形空腔內(如圖1A-1B所示)，或者位于電聲換能器402和404中的一個的附近(如圖2-3所示)。0037根據本發(fā)明的實施方式，隔膜412和414可以有不同的直徑。例如位于第一電聲換能器402中的隔膜412可具有直徑D，其小于位于第二電聲換肯識404中的隔膜414的直徑D'?？蛇x的，位于第一電聲換能器402中的隔膜412可具有直徑D，其大于位于第二電聲換能器404中的隔膜414的直徑D'。兩個電聲換能器402和404也可以具有相同尺寸的隔膜412和414以及相同尺寸的背板416和418，但是圍繞結構限定了不同的直徑(盡管圍繞結構應該形成為盡可能的小，因為它占據空間，但是并不改變換能器402和404的電聲性能)。無論何種情況，直&i:的不同造成兩個電聲換能器402和404具有不同的峰值頻率。因此，通過認真選擇隔膜的直徑D和/或D'，可以使f別專聲器400獲得期望的合成i!4iS頻率。0038在一些實施例中，代替尺寸特性(或者除此之外)，混合和匹配隔膜的張力(即彈性)和/或厚度也可以得到期望的合成峰值頻率。圖5給出了MEMS傳聲器500的截面圖，其中不匹配電聲換能器具有不同厚度的隔膜。傳聲器500和之前的傳聲器組件(參見圖1A-1B,2,3,4)相對以，它包括面對面安裝錢性印刷帶506的相對側上的兩個電聲換能器502和504。齡電聲換能器502和504包括各自的形成在其中的環(huán)形壁508和510，其在每個電聲換能器502和504內部限定圓柱形空腔。柔性隔膜512和514和堅硬背板516和518基本上互相平行的安裝在各自的圓柱形空腔內，并和各自的圓柱形空腔共軸。背板516和518具有形皿其中的穿孔520和522，用于頻率衰減的目的。集成電路(未明確示出)也可以安裝在柔性印刷帶506上，位于電聲換能器502和504中的一個的圓柱形空腔內(如圖1A-1B所示)，或者位于電聲換能器502和504中的一個的Pf卿如圖2—3所示)。0039根據本發(fā)明的實施方式，隔膜512和514可以具有不同的厚度。例如，第一電聲換能器502中的隔膜512可具有厚度為T，其比第二電聲換能器504上的隔膜514的厚度T'薄。另一方面，第一電聲換能器502中的隔膜512可具有厚度T，其比第二電聲換能器504中的隔膜514的厚度T，更厚。在任一情況下，厚度上的不同可以使得兩個電聲換能器502和504得到不同的峰值頻率。因此，ffiii認真選擇隔膜厚度T禾卩/或T'，使衞專聲器500可以獲得期望的合鵬值頻率。0040雖然未明確示出，圖5中的隔膜512和514可以另外的(或可選的)具有不同的隔膜張力。如上所述，不同的隔膜張力可以使得兩個電聲換能器502和504得到不同的峰,率。因此認真選擇隔膜張力也可以(或^換的)用于使得傳聲器500獲得期望的合成峰值頻率。0041在一些實施例中，除了(或代替)調整隔膜的直徑，隔膜的張力，和/或隔膜的厚度，S31仔細改變后容積也可以得到期望的合成峰值頻率。后容積指的是電聲換能器的背板和外殼或外套之間的距離。圖6給出了MEMS傳聲器600的截面圖，其中不匹配電聲換能器具有不同大小的后容積。傳聲器600和之前的傳聲器組件(如圖1A-1B,2,3,4,5)相似，它包括面對面安裝性印刷帶606的相對側上的兩個電聲換能器602和604。每一個電聲換能器602和604在其中具有環(huán)自608和610，所述環(huán)形壁在每個電聲換能器602和604內限定了各自的圓柱形空腔。柔性隔膜612和614和堅硬背板616和618基本上相互平fi^安裝在圓柱形空腔內，并且與圓柱形空腔共軸。在背板616和618中形成穿孔620和622，用于頻率衰減的目的。在柔性印刷帶606上還可安裝有集成電路(未明確示出)，安裝在電聲換能器602和604中的一個的圓柱形空腔內部(參見圖1A-1B)，或者安裝在電聲換能器602和604中的一個的Pf爐(參見圖2—3)。外殼激卜套的部分在624和626處示出，該外殼或外套與背板616和618一起為每一個電聲換能器602和604限定后容積。0042依據本發(fā)明的實施方式，電聲換能器602和604具有不同大小的后容積。例如，第一電聲換能器602可具有后容積BV，其比第二電聲換能器604的后容積BV'小。可選擇的，第一電聲換能器602可具有后容積BV，其比第二電聲換能器604的后容積BV'大。在任一情況下，后容積大小上的不同可使得兩個電聲換能器602和604產生不同的峰值頻率。因lltiiil認真選擇BV和/或BV'，使得傳聲器600可以得到預期的合成峰值頻率。還可參見段落37。0043注意在圖6所示的實施方式中，兩個電聲換能器602和604具有相同大小的前容積。但是在一些實施例中，可能期望改變兩個電聲換能器的前容積大小。圖7給出了依據本發(fā)明實施方式的MEMS傳聲器700的截面圖。傳聲器700和之前的傳聲器組件(如圖1A-1B，2,3,4,5,6)類似，它包括兩個面對面安裝性印刷帶706的相對側上的兩個不匹配電聲換能器702和704。每個電聲換能器702和704具有形成在其中的各自的環(huán)JM708和710，，每個電聲換能器702和704內限定圓柱形空腔。柔性隔膜712和714和堅硬背板716和718基本上相互平4fi也安裝在各自的圓柱形空腔內，并且和各自的圓柱形空腔共軸。背板716和718具有形鵬其中的穿孔720和722，用于頻率衰減的目的。0044根據本發(fā)明的實施方式，電聲換能器702和704可以有不同大小的前容積。前容積是隔膜和換能器開口之間的空間，在圖7中用"FV"標。例如，第一電聲換能器702可具有前容積FV，其比第二電聲換能器704的前容積FV，小。另一方面，第一電聲換能器702可具有前容積FV，其比第二電聲換能器704的前容積FV'大。在任"f青況下，前容積大小上的不同可以使得兩個電聲換能器702和704具有不同的峰值頻率。因雌過認真選擇前容積FV和/或FV'，使得傳聲器700可以獲得期望的合成峰值頻率。還可以性印刷帶706上安裝集成電路(未明確示出)，可以安裝在電聲換能器702和704中的一個的前容積內部(參見圖1A-1B)，或可以安裝在電聲換能器702和704中的一個的附近(參見圖2-3)。0045妝B上所述，集成電路為電聲換能鵬供充電電壓(也稱作'偏置電壓")和輸出信號放大。所述偏置電壓和輸出信號放大典型的在5—14伏偏置和6—12dB增益的范圍內，但是可根據特定應用的需要加以選擇。注意通過在輸出信號放大之前或者之后集成模擬一數(shù)字轉換器到傳聲器可以獲得數(shù)字信號輸出。如果集鵬之前，則不需要進一步的信號放大。本領域普通技術人員可以知曉，然后數(shù)字輸出信號可以在數(shù)字,行處理。如果需要或期望信號放大，該放大可以由集成電,供。該集成電路可以為兩個電聲換能器提供單個偏置電壓發(fā)生器或者可以提供多個偏置電壓發(fā)生器，和/或可以有一個放大器或者可以有多個放大器。圖8—20以圖形的方式給出了幾個示例的偏置電壓發(fā)生器和放大器，，所述偏置電壓發(fā)生器和放大器由與圖1A-1B和2-7中示出的電路相類似的集成電1W^，并可用于具有雙電聲換能器的傳聲器組件中，與圖1A-1B和2-7中的描述類{以。本領域的普通技術人員可以知曉，也可以采用其它偏置電壓發(fā)生器和放大器設置而不會脫離本發(fā)明的范圍。0046現(xiàn)在參見圖8，示出依據本發(fā)明實施方式的傳聲器800，其具有為雙電聲換能器設計的示例性偏置電壓發(fā)生器和放大器設置。該傳聲器800包括相互電并聯(lián)的兩個不匹配電聲換能器802和804，并且在一定的頻率范圍(即其中電聲換能器的i^度保持相對平坦)內具有基本上相同的聲學敏感度(例如，基本上相同的隔膜尺寸和/或張力)。兩個電聲換能器802和804連接到放大器806，其例如可以是CMOS源IP艮隨電壓放大器，其可操作地用于將來自電聲換能器802和804的輸出信號進行放大。放大器806以單邊結構被連接，這意味著其中一個輸入(例如負輸入)接地，并且只有另一個輸入被放大。偏置電壓發(fā)生器808為兩個電聲換能器802和804提^^扁置電壓，同時Cl和C2用作耦合電容器。偏置M發(fā)生器808以這樣的方式連接到電聲換能器802和804使得能為兩個電聲換能器802和804提供大約相同幅度和極性的電壓(即為電聲換能器802和804的背板("bp")提供正偏置電壓，而隔膜("dia")接地)。0047因為在可用偏置電壓范圍內，聲學敏感度的改變是和偏置電壓成比例的，因此，在不匹配電聲換能器不具有大約相同的聲學敏感度的情況下，可以艦調^電聲換能器的偏置電壓來修正敏感度的差異。圖9詳細說明了本發(fā)明的這個方面。在圖9中，傳聲器900包括具有不同聲學度的雙電聲換能器902和904。該雙電聲換能器902和904互相電并m接，并且連接到放大器906，放大器906可以例如是設置成單邊結構的CMOS源t鄉(xiāng)艮隨電壓放大器。偏置電壓發(fā)生器908被連接到并為兩個電聲換能器902和904提供具有基本上相同極性的偏置電壓，同時Cl和C2再次用作耦合電容器。0048為了調整聲^i(感度的差異，可將分壓器910插入電聲換能器902和904和偏置電壓發(fā)生器908之間。該分壓器910使得其中一個電聲換能器，例如第二電聲換能器904相比于另一個電聲換能器而言，減小(例如大約40%)偏置電壓大小，因此調整了聲學敏感度方面的差異。因為偏置電壓發(fā)生器908典型的具有非常高的阻抗，因此的，分壓器910是非常高阻抗的電路(例如，采用有源電路元件的電路)。該分壓器910可以是本領域普通技術人員所熟知的任何適合的分壓器，包括由以所示方式連接的兩個電阻器R1和R2構成的基于電阻器的分壓器。電阻器R1和R2的值則可以根擗時定應用的需要來選定。0049在一些實施例中，不，分壓器，而可，"倍增分支(multiplicationbranch)"，,將倍增電路分接在不同的點來獲得期望的偏置電壓，從而修正電聲換能器在聲學敏感度方面的差異。在一些情況下，當在聲學敏感度上出現(xiàn)很娃異時，采用該倍增分支會比采用分壓器更有效。圖10A-10B給出了本發(fā)明這方面的詳細說明。在圖10A中，傳聲器1000包括了具有不同聲學敏感度并且互相電并聯(lián)的不匹,電聲換能器1002和1004。該電聲換能器1002和10043Bi接到放大器1006，該放大器1006可以是例如設置成單邊結構的CMOS源豐鄉(xiāng)艮隨電壓放大器。0050為了修正聲^iC感度方面的差異，可以采用倍增分支電路1008來為電聲換能器1002和1004提供偏置電壓。電聲換能器1002和1004可以在不同分支處連接到倍增分支電路1008，以使得齡電聲換能器勵2和1004獲得期望的偏置電壓。圖10B描述了稱為"四級狄克遜充電泵"(four-stageDicksonchargepump)的普i^f咅增分支電路1008。電路的輸入是DC電壓Vin，電路通過兩個反向的時鐘CM和Clk2驅動，^h時^ft號Vclk有相同的幅度。輸出電壓Vout可以，為Vout=Vin+N(Vclk-Vd)，其中Vd是經過*二極管Dl-D5的電壓降，N是二極管的數(shù)量。假設Vin-Vclk二lV，Vd=0.5V，則Vout=0.5+0.5N。在所示的實施方式中，電聲換能器1002和1004在分別,到第四個二極管D4(V4)和第五個二極管D5(V5二Vout)之后，連接至U倍增分支電路1008，其中二極管的電壓降V4比V5低。也可以分接倍增分支電路畫8的其它分支以用于平衡電聲換能器1002和1004的敏感度而不會脫離本發(fā)明的范圍。0051在一些實施例中，不Ji^用單個放大器，而是采用設置成單邊結構的兩個或更多個放大器。在一些實施方式中，使用兩個放大器比使用單個放大KE發(fā)射電信號的靈活性方面提供優(yōu)越性。例如，為了最小化阻抗，信號線路應盡可能的短。具有第二放大器可以允許信號線比否則如果僅有單個放大器可用所可能延伸的路徑延伸更短的路徑。圖11給出了本發(fā)明這方面的詳細說明。在圖11中，傳聲器1100包括互相電并聯(lián)并且具有大約相同的聲學敏感度的兩個不匹配電聲換能器1102和1104?？梢允抢缭O置成單邊結構的CMOS源豐誕艮隨電壓放大器的放大器1106和1108連接到電聲換能器1102和1104，并且可操作地用于對來自電聲換能器1102和1104的輸出信號進行放大。放大器1106和1108優(yōu)選具有大約相同的電壓增益(即，Al-A2)，但是當然可以根據實際應用情況具有不同的4E增益。放大器1106和1108的輸出則連接到求和節(jié)點1110，其可操作地將來自放大器1106和1108的輸出信號合并為單個傳聲器輸出信號。偏置電壓發(fā)生器1112被3^接到并且為電聲換能器1102和1104提供具有大約相同幅度和極性的偏置電壓，同時Cl和C2用作耦合電容器。0052當不匹配電聲換能器不具有大約相同的聲學敏感度時，體異可以M31調整每個電聲換能器的偏置電壓加以修正。圖12給出了本發(fā)明這方面的詳細說明。在圖12中，傳聲器1200包括互相電并聯(lián)并且具有不同聲，感度的不匹配電聲換能器1202和1204。可以是例如設置成單邊結構的CMOS源l朋艮隨電壓放大器的放大器1206和1208分別連接到電聲換能器1202和1204。放大器1206和1208，具有大約相同的電壓增益(g卩，Al-A2)，但是當然也可以具有不同的電壓增益。放大器1206和1208的輸出連接到求和節(jié)點1210，其可操作的將來自放大器1206和1208的輸出信號合并為單個傳聲器輸出信號。偏置電壓發(fā)生器1212被連接至拼且為兩個電聲換能器1202和1204提供具有相同極性的偏置電壓，同時Cl和C2再次用作耦合電容器。0053為了調整聲^il感度方面的差異，可將分壓器1214插入電聲換能器1202和1204和偏置電壓發(fā)生器1212之間。該分壓器1214為其中一個電聲換育識，例如第二電聲換能器1204柳匕于另一個電聲換能器減小偏置電壓大小，從而調整了聲學鵬度方面的差異。該分壓器1214可以是本領域普通技術人員所熟知的招可適合的分壓器，包括由以所示的方式連接的兩個電阻器R1和R2構成的基于電阻器的分壓器。電阻器R1和R2的值則可以根據待定應用的需要総定。0054如上所述，有時不采用分壓器，而是可釆用"倍增分支"來修正電聲換能器在聲學it感度方面的差異。該倍增分支用于修正實際上大的聲學敏感度差異時，可能比分壓器更加有效。圖13在本發(fā)明這方面給出了詳細說明。在圖13中，傳聲器1300包括互相電并聯(lián)并且具有不同聲學敏感度的不匹配電聲換能器1302和1304。電聲換育g器1302和1304還分別連接至肪夂大器1306和1308，所^^文大器1306和1308可以是例如設置成單邊結構的CMOS源l殿艮隨電壓放大器。放大器1306和1308具有大約相同的電壓增益(即，Al-A2)，但是也可以具有不同的電壓增益。放大器1306和1308的輸出連接到求和節(jié)點1310，來自放大器1306和1308的輸出信號合并為單個傳聲器輸出信號。0055為了修正聲學tte度方面的差異，可以采用倍增分支電路1312來為電聲換能器1302和1304提供偏置電壓。倍增分支電路1312和圖10B所示的倍增分支電路1008相同或類似，因此在此不再贅述。電聲換能器1302和1304然后可在不同分支^Bi接到倍增分支電路1312，從而為每個電聲換能器1302和1304獲得預期的偏置電壓。在本實施方式中，電聲換能器1302和1304可在分別連接到第四個二極管D4(V4)和第五個二極管D5(V5二Vout)之后，連接至賠增分支電路1312，并且作為一個二極管電壓降的V4比V5低(如圖10B所示)。也可以分樹咅增分支電路的其它分支以用于平衡電聲換能器1302和1304的敏感度，而不會脫離本發(fā)明的范圍。0056在一些實施例中，兩個放大器可以有不同的電壓增益(即A1M2)，如圖14所示。在圖14中，傳聲器1400包括相互電并聯(lián)并且具有大約相同的聲^it感度的兩個不匹配電聲換能器1402和1404?？梢允抢缭O置成單邊結構的CMOS源l郞艮隨電壓放大器的放大器1406和1408分別連接到電聲換能器1402和1404。放大器1406和1408，具有不同的電壓增益(即A1^A2)，同時放大器1406和1408的較高增益可以使得電聲換能器1402和1404具有較低的敏感度，并且反之亦然。電壓增益也可以大約相同，而并不脫離本發(fā)明的范圍。放大器1406和1408的輸出連接到求和節(jié)點1410，其可操作地將來自放大器1406和1408的輸出信號合并為單個傳聲器輸出信號。偏置電壓發(fā)生器1412被連接到并且為兩個電聲換能器1402和1404提供具有相同極性的偏置電壓。在一些實式中，可以分別并聯(lián)連接耦合電容器C1和C2到電聲換能器1402和1404以及分別連接到放大器1406和1408。電容器Cl和C2的大小可用本領域普通技術人員辦啲方式根撤寺定應用的需要総定。0057在一些瞎況中，可以細基本上差另批的放大器電壓增調節(jié)聲學敏感度方面的^M異，如圖15所示。在圖15中，傳聲器1500包括相互電并聯(lián)并且具有不同聲，感度的兩個不匹配電聲換能器1502和1504。電聲換能器1502和1504還分別連接到可以是例如lfia成單邊結構的CMOS源豐殿艮隨電壓放大器的放大器1506和1508。偏置電壓發(fā)生器1510被連接到并為兩個電聲換能器1502和1504提供具有相同極性的偏置電壓，同時Cl和C2又用作耦合電容器。0058為了修正聲學敏感度方面的差異，放大器1506和1508雌具有不同的電壓增益(即A1^A2)，并且電容性分壓器1512可被插入在電聲換能器1502和1504與偏置電壓發(fā)生器1510之間。該電容式分壓器1512為其中一個電聲換育巨器，例如第二電聲換能器1204相比于另一個電聲換能器減小偏置電壓大小，從而調整了聲學,度方面的差異。該電容式分壓器1512可以是本領域普通技術人員所熟知的任何適合的電容式分壓器，包括以所示的方式連接的兩個電容器Ca和Cb。電容器Ca和Cb的大小然后可以根據特定應用的需要來選定。0059在一些實施例中，可以使用至少兩個偏置電壓發(fā)生器，每一個電聲換能器提供一個。兩個電聲換能器分別JOT單獨的偏置電壓發(fā)生器可以提供更大的靈活性，并且控制施加于電聲換能器的偏置電壓。圖16給出了本發(fā)明這方面的詳細說明。在圖16中，傳聲器1600包括相互電并聯(lián)并且具有大約相同的聲^i度的兩個不匹配電聲換能器1602和1604。電聲換能器1602和1604還連接到可以是例如OT成單邊結構的CMOS源豐朋艮隨電壓放大器的放大器1606和1608。放大器1606和1608的輸出連接到求和節(jié)點1610，其可操作地將來自放大器1606和1608的輸出信號合并為單個傳聲器輸出信號。0060依據本發(fā)明的實施方式，至少兩個偏置電壓發(fā)生器1612和1614被連接到并分別為電聲換能器1602和1604提側扁置電壓。偏置電壓發(fā)生器1612和1614雌具有大約相同的電壓幅度但是極性相反，以使得一個偏置電壓發(fā)生器，例如第一偏置電壓發(fā)生器1612,正偏置電壓，而另一個偏置電壓發(fā)生器麟負偏置電壓。類似的，在一些實驗式中，放大器1606和1608可以具有大約相同的電壓增益，但是極性相反，以使得一個放大器，例如第一放大器1606具有正電壓增益，而另一個放大器具有負電壓增益。該實施方式和其它實施方式相比，在一些情況下被認為可以提供改善的EM(電磁干擾)保護，下文將進一步進fi^釋。當然，也可以根據特定應用的需要來反轉偏置電壓發(fā)生器1612和1614和MJ文大器1606和1608的極性。0061，Jtk0描述的實施方式中，放大配置為單邊結構的放大器，其中每個放大器的輸A^—接地，并且只對另一鋪入實1^大。在一些實施方式中，可以4頓m結構或者平衡放大器來替代單邊結構的放大器。平衡放大器結構指的是其中兩個放大器的輸入都接收信號，并且兩個信號之間的差異然后被放大的結構。0062但是，因為在雙電聲換能器結構中，來自齡電聲換能器的輸出信號由相同的聲波引起，信號很可能相同或者基本上相同(通常稱為"共模效大)。因此在一些實施方式中，可以根據需要反轉其中一個電聲換能器的偏置電壓(即，漏置電壓施力盱隔膜，而將背板接地)從而使得來自該電聲換能器的輸出信號基本上是來自另一個電聲換能器的輸出信號的鏡像(通常稱為"差模"放大)。如上所述，M反轉其中一個電聲換能器的偏置電壓，可以提供在改善EMI保護性能方面的另一個優(yōu)點。原因在于電聲換能器中的任何EMI不會M^文大，但M替代的a3i反轉偏置而被消減。圖17—20給出了依據本發(fā)明這方面的實施方式的說明。0063首先參見圖17，傳聲器1700包括互相電并聯(lián)并且具有大約相同的聲學it感度的兩個不匹配電聲換能器1702和1704。在一些實施方式中，第一和第二電聲換能器1702和1704可以為MEMS傳聲器換能器。其中一個電聲換能器，例如第一電聲換育識1802，具有和另一個電聲換能器相比反相的偏置，從而使得它們的輸出信號基本上^^像的。0064放大器1706，例如可以為，^i^邊結構的CMOS源t郞艮隨放大器，分別雜到電聲換能器1702和1704，并且可操作地放大兩個電聲換能器1702和1704的不同信號。放大器1706具有高的共模抑制比(CMRR)，以使得樹可在放大器塌陷區(qū)域附近的信號失真都被消除。0065偏置電壓發(fā)生器1708被連接到并為兩個電聲換能器1702和1704皿偏置電壓。用于電聲換能器1702和1704的偏置電壓可以具有例如大約4和20伏DC的幅度。在一些實施方式中，上拉電阻器1710和1712可插入偏置電壓發(fā)生器1708和電聲換能器1702和1704之間。雌的，上拉電阻器1710和1712的大小使得用于電聲換能器1702和1704的偏置電壓的大小大約相同。0066臟一些實lt^式中，還可以在電聲換能器1702和1704和放大器1706之間使用電容器Cl和C2作為DC耦合電容器。這種DC耦合電容器可以包括，例如具有上層和下層電容器極板的集成電路多晶一多晶電容器。該集成電路多晶一多晶電容器又可以包括材料和位于下層電容器極板之下的電浮動的阱區(qū)。上拉電阻器1710和1712和電容器C1和C2的大小則可以根據瞎定應用的需要総擇。0067如果兩個電聲換能器的聲學敏感度并不是大約相同，則tfei度上的差異可以通過調整一個或兩個電聲換能器的偏置電壓^it行修正。圖18給出了本發(fā)明這方面的詳細說明。在圖18中，傳聲器1800包括具有不同聲學敏感度的兩個不匹配電聲換能器1802和1804。兩個電聲換能器1802和1804互相電并聯(lián)，但是一個電聲換能器，例如第一電聲換能器1802具有和另一個電聲換能器相比反相的偏置。可以是例如，成m結構的CMOS源t鄉(xiāng)艮隨放大器的放大器1806，分別驗到電聲換會巨器1802和1804。如同前述，的，放大器1806具有高共模抑制比，以使得任何在放大器塌陷區(qū)域附近的信號失真都被消除。偏置電壓發(fā)生器1808被連接至拼為兩個電聲換能器1802和1804鄉(xiāng)偏置電壓。在一些實施方式中，上拉電阻器1810和1812可插入在偏置電壓發(fā)生器1808和電聲換能器1802和1804之間，并且在一些實施方式中電容器1814和1816也可用在電聲換能器1802和1804和放大器1806之間。上拉電阻器1810和1812和電容器1814和1816的大小可根據特定應用的需要定。0068為了調整聲^it感度方面的差異，電容器C3可以連接到其中一個電聲換能器的兩端，例如第一電聲換能器1802。該電容器作為電容式分壓器起作用，以使得第一電聲換能器1802的有效敏感度斷氏。電容器C3的大小可以依,定應用的需要^^擇。0069在一些實皿式中，不是采用連接到其中一個電聲換能器的兩端的電容器，而是可，分壓器來修正聲，感度的差異。圖19對于本發(fā)明的這一方面給出了詳細的說明。在圖19中，傳聲器1900包括具有不同聲，感度的不匹配電聲換能器1902和1904。兩個電聲換能器1902和1904相互電并聯(lián)，但是一個電聲換能器，例如第一電聲換能器1902具有和另一個電聲換能器相比反相的偏置。放大器1906分別連接到電聲換能器1902和1904，i^文大器1906可以為例如^8成)5^者平衡結構的CMOS源t誕艮隨放大器。如同前述，的，放大器1906具有高共模抑制比，以使得任何在放大器塌陷區(qū)域Pf傲的信號失真都被消除。偏置電壓發(fā)生器1908被連接到并且為兩個電聲換能器1902和畫提纖置電壓。0070依據本發(fā)明的實施例，分壓器1910插入在偏置電壓發(fā)生器1908和其中一個電聲換能器之間，例如第二電聲換能器1904。該分壓器1910用于使得該第二電聲換能器1904相比于第一電聲換能器1902而言減小(例如一半)偏24置電壓，從而修正聲學敏感度上的差異。該分壓器1910可以是本領域技術人員熟知的任何適合的分壓器，包括由以所示的方式連接的兩個電阻器R1和R2構成的基于電P且器的分壓器。在一些實施方式中，上拉電阻器1912可插入在偏置電壓發(fā)生器和另一個電聲換能器1902之間，并且DC耦合電容器C1和C2可用在電聲換能器1902和1904和放大器1906之間。分壓器電阻器R1和R2、上拉電阻器1912以及電容器C1和C2的大小可以根#定應用的需要定。0071在一些實駄式中，不是細分壓器來調整施加于其中一個電聲換育g器的偏置電壓，而是可以為*電聲換能器提供單獨的偏置電壓生成器。這樣，每一個電聲換能器的偏置電壓可以通過該電聲換能器的各自的偏置電壓生皿^^it行控制。圖20給出了本發(fā)明這方面的詳細說明。在圖20中，傳聲器2000包括具有不同聲學敏感度且相互電并聯(lián)連接的兩個不匹配電聲換能器2002和2004。放大器2006，可以為例如設置]&結構的CMOS源t鄉(xiāng)艮隨放大器，分別連接到電聲換能器2002和2004。如同前述，4腿的，放大器2006具有高共模抑制比，以使得任何在放大器塌陷區(qū)域附近的信號失真都被消除。偏置電壓發(fā)生器2008被連接到并為兩個電聲換能器2002和2004提供偏置電壓，并且電容器Cl和C2用作耦合電容器。0072依據本發(fā)明的實施例，兩個電聲換能器2002和2004的偏置是相反的。此外，為其中一個電聲換能器，例如第二電聲換能器2004，提供負偏置電壓，而另一個電聲換能器接收正偏置電壓。這樣的設置可以使得每一個電聲換育巨器的偏置電壓可以被獨立的控制(即，不需要上拉電阻器)同時產生差分信號給放大器2006。然后該差分信號通過放大器2006放大，供作為傳聲器的輸出信號。0073另外，為了州嘗敏感度方面的差異，圖20中的傳聲器2000還有其它許多優(yōu)點，包括加強了EMI保護，改善了噪聲抵消，較高的CMRR等。具有這皿點是因為傳聲器2002和2004的設置產生的，而不論該換會g器是匹配的還是不匹配的，也不論它們是MEMS換能器，ECM換能器，種其它類型的換能器。一般而言，依據本發(fā)明的實施例，任何包括兩個或更多個換能器的傳聲器組件都可以具有±^優(yōu)點，只要換能器提供(1)互相電并聯(lián)，(2)具有反相的偏置極性，和(3)換能器的輸出通過使用如圖20所示的雙邊結構的放大器進行斜口。0074雖然本發(fā)明已經參考了一個或多1it定實施方微行描述，但是本領域技術人員可以意識到，也可以對其進行多種改變而不脫離本發(fā)明的思想以及范圍。例如，雖然本文提到了MEMS傳聲器組件，但是本發(fā)明的不同實施方式也完，用于傳統(tǒng)的ECM傳聲器組件。另外，雖然本文描述了使用兩個不匹配電聲換能器的傳聲器組件，但是，也可以釆用具有三個或更多個不匹配電聲換能器的傳聲器組件。因此，之前的每個實施方式以及其明顯的改變都旨在落入請求保護的本發(fā)明的思想和范圍內，其在下面的權利要求中被闡述。權利要求1、一種傳聲器組件，包括具有第一峰值頻率的第一電聲換能器；和具有第二峰值頻率并且與所述第一電聲換能器電并聯(lián)連接的第二電聲換能器，所述第二峰值頻率基本上不同于所述第一峰值頻率預定的最小量；其中所述第一峰值頻率和所述第二峰值頻率為所述傳聲器組件生成期望的合成峰值頻率。2、如權利要求1所述的組件，其中所述第一峰值頻率和所述第二峰值頻率^*上關于所述合成頻率對稱。3、如權利要求1所述的組件，其中所述第一峰值頻率和所述第二峰值頻率具有基本上相同的幅度。4、如1X利要求1所述的組件，其中所述預定的最小距離在所述合成頻率的大約0.72倍到所述合成頻率的大約0.40倍之間。5、如權利要求1所述的組件，進一步包括對及，其中所述第一電聲換能器安裝在所述基板的一側，并且所述第二電聲換能器安裝在所述基板的另一側上與所述第一電聲換能器相對。6、如權利要求5所述的組件，進一步包括安裝在所述繊上的集成電路，所述集成電路為所述第一和第二電聲換能器提供偏置電壓和輸出信號放大。7、如權利要求6所述的組件，其中所述第一和第二電聲換能器均具有前容積，并且所述集成電路安裝在所述基板上并位于所述第一和所述第二電聲換能器之一的所述前容積內。8、如權利要求6所述的組件，其中所述集成電路安裝在所述上與所述第一和第二電聲換能器之一相鄰。9、如權利要求6所述的組件，其中所述第一和第二電聲換能器之一具有比所述第一和第二電聲換能器中的另一個的封裝尺寸更小的封裝尺寸，并且所述集成電路安裝在所述對反上與所述具有所述更小封裝尺寸的所述第一和第二電聲換能器之一鄰近。10、如權禾腰求1所述的組件，其中所述第一和第二電聲換能器之一具有形成在其中的柔性隔膜，該柔性隔膜具有與形成在所述第一和第二電聲換能器中的另一個中的柔性隔膜不同的至少一M寺性。11、如權利要求io所述的組件，其中所述至少一1^爭性包括下述中的一個或多個直徑，長度，寬度，厚度和張力。12、如權利要求1所述的組件，其中所述第一和第二電聲換能器之一具有形成在其中的和在所述第一和第二電聲換能器中的另一個內形成的后容積不同的后容積。13、如權利要求1所述的組件，其中所述第一和第二電聲換能器之一具有形皿其中的和在所述第一和第二電聲換能器中的另一個內形成的前容積不同的前容積。14、如權利要求2所述的組件，其中所述是以下類型的對反之一柔性印刷帶，印刷電路板，和硅基層。15、如權利要求1所述的組件，其中所述合成峰值頻率在大約9kHz到15kHz之間。16、一種傳聲器，包括具有第一峰值頻率的第一電聲換能器；禾口具有第二峰值頻率并電并聯(lián)連接于所述第一電聲換能器的第二電聲換能器，所述第二峰值頻率基本上不同于所^&第一峰值頻率預定的最小量；至少一個電壓發(fā)生器，其連接到一個或多個所述第一和第二電聲換能器；和至少一個放大器，其連接到一個或多個所述第一禾嗨二電聲換能器；其中，所述第一峰值頻率和所述第二峰值頻率為所述傳聲器組件產生期望的合成峰值頻率。17、如權利要求16所述的傳聲器，其中所述第一和第二電聲換能器具有大約相同的聲學敏感度，并且所述至少一個電壓發(fā)生器包括單個電壓發(fā)生器，所述單個電壓發(fā)生器為所述第一和第二電聲換能^^供相同的偏置電壓。18、如權利要求16所述的傳聲器，其中所述第一和第二電聲換能器具有不同的聲學敏感度，并且所述至少一個電壓發(fā)生器包括單個電壓發(fā)生器，所述單個電壓發(fā)生器為所述第一和第二電聲換能器中的每一個提供不同的偏置電壓。19、如權利要求17所述的傳聲器，其中所述單個電壓發(fā)生器采用下述之一為所述第一和第二電聲換能器中的每一個提供所述不同的偏置電壓分壓器和倍增分支。20、如權利要求17所述的傳聲器，其中所蹈少一個放大器包括連接至斷述第一電聲換能器的第一放大器和連接至斷述第二電聲換能器的第二放大器。21、如權利要求17所述的傳聲器，其中所超少一個放大器包括連接至,述第一電聲換能器的第一放大器和連接至lj所述第二電聲換能器的第二放大器。22、如權利要求21所述的傳聲器，其中所述單個電壓發(fā)生器采用下述之一為所述第一和第二電聲換能器中的每一個提供所述不同的偏置電壓分壓器和倍增分支。23、如權利要求20所述的傳聲器，其中所述第一放大器具有第一放大器增益，并且所述第二放大器具有第二放大器增益，所述第二放大器增益與所述第一放大器增益不同。24、如權利要求23所述的傳聲器，其中所述第一和第二放大器增益i頓電容式分壓器獲得。25、如權利要求16所述的傳聲器，其中所述第一和第二電聲換能器具有大約相同的聲學敏感度，但是偏置極性相反，所述至少一個電壓發(fā)生器包括單個電壓發(fā)生器，所述單個電壓發(fā)生器為所述第一和第二電聲換能器提供相同的偏置電壓。26、如權利要求16所述的傳聲器，其中所述第一和第二電聲換能器具有不同的聲學敏感度以及相反的偏置板性，所述至少一個電壓發(fā)生器包括單個電壓發(fā)生器，所述單個電壓發(fā)生器為所述第一和第二電聲換能器中的每一個提供不同的偏置電壓。27、如權利要求26所述的傳聲器，其中所述單個電壓發(fā)生器使用下述之一為所述第一和第二電聲換能器中的每一個提供所述不同的偏置電壓連接到所述第一和第二電聲換能器之一兩端的電容性電路元件和分壓器。28、如權利要求16所述的傳聲器，其中所述第一和第二電聲換能器具有不同的聲學敏感度以及相反的偏置極性，所述至少一個電壓發(fā)生器包括連接到所述第一硅基電聲換能器的第一電壓發(fā)生器，以及連接到所述第二電聲換能器的第二電壓發(fā)生器。29、如權利要求28所述的傳聲器，其中所述相反的偏置極性為所述傳聲器提供改善的電磁干擾(EM)保護。30、一種傳聲器的組裝方法，包括在凝及上安裝具有第一峰值頻率的第一電聲換能器；禾口在所述基板上與所述第一電聲換能器電并聯(lián)地安裝具有第二峰值頻率的第二電聲換能器，所述第二峰值頻率基本上不同于所述第一峰值頻率預定的最小量；其中所述第一峰值頻率和所述第二峰值頻率為所述傳聲器組件產生期望的合成峰值頻率。31、如^5l利要求30所述的方法，其中所述第一電聲換能器安裝在所述凝及的一側，并且所述第二電聲換能器安裝在所述基板的另一側與所述第一電聲換能器相對。32、如權利要求30所述的方法，還包括將至少一個電壓發(fā)生器連接到一個或多個所述第一和第二電聲換能器；和將至少一個放大器連接到一個或多個所述第一和第二電聲換能器。33、一種傳聲器組件，包括用于產生第一電輸出信號的第一電聲換能器；禾口用于產生第二電輸出信號的第二電聲換能器，一個或多個偏置電壓發(fā)生器，用于分別為所述第一和第二電聲換能器提供相反極性的第一和第二DC偏置電壓；和電連接到第一和第二電輸出信號的放大器，用于提供由第一和第二電輸出信號獲得的放大器輸出信號。34、如權利要求33所述的傳聲器組件，其中放大器包括差分放大器，其具有連接到第一電輸出信號的第一輸A^連接至U第二電輸出信號的第二輸入。35、如權利要求33所述的傳聲器組件，其中第一和第二電輸出信號通過各自的DC耦合電容器連接到放大器。36、如禾又利要求33所述的傳聲器組件，其中所述DC耦合電容器包括具有上層和下層電容器極板的集成電路多晶一多晶電容器，并且其中所述集成電路多晶一多晶電容器包括基板材料和設置在下層電容器極板之下的電浮動的阱區(qū)。37、如權利要求36所述的傳聲器組件，其中第一和第二DC偏置電壓具有基本相等的大小。38、如權利要求33所述的傳聲器組件，其中第一和第二電聲換能器包括各自的MEMS傳聲器換能器，其具有各自的大小為4伏和20伏的DC偏置電壓。全文摘要本發(fā)明涉及具有雙換能器的傳聲器。公開了一種具有不匹配電聲換能器的傳聲器。該傳聲器可以是傳統(tǒng)的ECM傳聲器，或者可以是MEMS傳聲器。每一個不匹配電聲換能器可以具有各自選定的峰值頻率，使得所有電聲換能器一起產生期望的合成峰值頻率。不匹配電聲換能器可以有不同的封裝尺寸，前容積，后容積，和/或隔膜張力，厚度，長度，寬度，和/或直徑。在一些實施方式中，傳聲器可以具有用于電聲換能器的不同的背板充電和/或輸出信號放大配置。當傳聲器是MEMS傳聲器時，電壓產生和輸出信號放大由集成電路提供，該集成電路可以安裝在其中一個電聲換能器的前容積內，或者安裝在其中一個電聲換能器的附近。文檔編號H04R3/04GK101321406SQ200810095130公開日2008年12月10日申請日期2008年2月13日優(yōu)先權日2007年2月13日發(fā)明者A·Z·范哈爾特倫申請人:聲揚荷蘭有限公司