專利名稱：一種矩陣微電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種關(guān)于由基本單元或矩陣元素所形成的微電子裝置，特別涉及一種 應(yīng)用在每一元素中具有電源源的矩陣微電子裝置。本發(fā)明允許同質(zhì)消耗(homogeneous consumption)并可獲得一矩陣裝置(其中該 單元分別設(shè)有電流源)的元素或基本單元間的性能。本發(fā)明提供由基本單元所形成的矩陣微電子裝置的使用，其中該基本單元分別包 含一電流源(其消耗取決于二個(gè)偏壓電位差)以及用以補(bǔ)償一或數(shù)條導(dǎo)線(將該二電位的 其中一者載送至該單元)的歐姆壓降的手段。
背景技術(shù)：
在一矩陣微電子裝置(如一 X射線檢測(cè)器矩陣)中，自該矩陣的基本單元或元素 所送出的信號(hào)一般由掃描該矩陣的水平線或列來(lái)讀取。選擇該矩陣的一已知導(dǎo)線或者已知 水平列可例如容許來(lái)自此已知線的元素的輸出信號(hào)將在該矩陣的垂直行或列上被獲得。由一導(dǎo)電網(wǎng)路(其可為由導(dǎo)線或者導(dǎo)電柵極所構(gòu)成)將該電源供應(yīng)或領(lǐng)航電壓供 應(yīng)至該等元素。該電源供應(yīng)或領(lǐng)航電壓在此導(dǎo)電網(wǎng)路(其可在大矩陣上)中的歐姆壓降達(dá) 到數(shù)十毫伏特或者甚至更高。X射線檢測(cè)矩陣微電子裝置(由2個(gè)水平列以及2個(gè)垂直列的基本單元(也稱為 元素IO11,1012，1021，IO22)的2*2矩陣所構(gòu)成)的范例如圖1所示。在此裝置中，每一元素 的消耗主要為由晶體管T1所形成的電流源。此電流源僅在選擇該矩陣的水平列或行時(shí)才 啟動(dòng)。由此電流源所供應(yīng)的電流取決于此晶體管T1的電壓Vgs= (Vg-Vs)。該電流源晶體管T1在低反轉(zhuǎn)(low inversion)偏壓的情況下，其介于漏極及源極 之間的電流Ids可由下列關(guān)系式來(lái)定義Ids = (I。*e(WkTAl)))，其中I0 為特別取決于該晶體管T的幾何條件的常數(shù)，K:為波茲曼常數(shù)，T 為凱氏溫度，g:為電荷。此關(guān)系顯示出電流Ids在環(huán)境溫度下可能變化非常快，例如，針對(duì)比較少變動(dòng)的柵 源極電壓Vgs (約為18mV)而為因子2。在對(duì)該晶體管T1施以高反向偏壓的情況下，定義該電流Ids的方程式是不同的，但 問(wèn)題仍相同。將電位Vg施加至該晶體管T1的柵極，在柵極造成非常小的電流消耗。因此， 在供應(yīng)電位Vg至作為電流源的該晶體管T1的所有柵極的導(dǎo)電網(wǎng)路中，歐姆壓降比較低。反 過(guò)來(lái)，將電位Vs施加至晶體管T1的源極，在源極處造成較大的電流消耗。設(shè)計(jì)以自該晶體 管1\的源極載送該電流Ids的對(duì)應(yīng)導(dǎo)電網(wǎng)路接著會(huì)承受主要?dú)W姆壓降且明顯不同于矩陣 中該晶體管位置的功能。

發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明提出一種矩陣微電子裝置，特別是用于 電磁輻射(例如，X射線)的檢測(cè)，其中該裝置的基本單元或元素分別設(shè)有一不具有上述缺 失的電流源。本發(fā)明可通過(guò)以下技術(shù)方案予以解決本發(fā)明一種矩陣微電子裝置，其包含依照一矩陣來(lái)排列的多個(gè)基本單元(100n，IOO12, IOO21, IOO22)，其中所述各個(gè)基本 單元至少包含一由至少一個(gè)電流源晶體管(T1)所形成的電流源；-所述晶體管(T1)的源極連接至多個(gè)電源偏壓導(dǎo)線(1051;1052)中的一電源偏 壓導(dǎo)線，其中所述電源偏壓導(dǎo)線分別連接所述矩陣的列單元的各個(gè)電流產(chǎn)生器晶體管的源 極；-所述晶體管(T1)的柵極連接至多個(gè)柵極偏壓導(dǎo)線中的一柵極偏壓導(dǎo)線(107” 1072)，其中所述柵極偏壓導(dǎo)線連接所述矩陣列單元的各個(gè)電流產(chǎn)生器晶體管的各柵極；其中該裝置還包含用以偏壓所述柵極偏壓導(dǎo)線的手段，其包含-至少一第一連接線(108，218)，其可連接至至少若干所述柵極偏壓導(dǎo)線，-用以產(chǎn)生電流(210)或電壓(110-120)的手段，其設(shè)在所述第一連接線的至少一 端上，以及提供用以產(chǎn)生沿所述第一連接線的電位變化。本發(fā)明所述產(chǎn)生手段為用以產(chǎn)生包含有施加一第一電位(Vg1)至所述第一連接線 的第一端的手段(110)以及施加一第二電位(Vg2)至所述第一連接線相對(duì)于所述第一端的 第二端的手段(120)。本發(fā)明所述第一電位(Vg1)以及所述第二電位(W2)在功能上提供至少一電源偏 壓線端間的電位降低的至少一個(gè)評(píng)估。本發(fā)明所述產(chǎn)生手段為用以產(chǎn)生一參考電流(I1)的手段(210)，其中所述矩陣的 一或若干列還包含至少一個(gè)相配合的附加晶體管(T’ J，以便分別與所述矩陣的所述列單 元的電流產(chǎn)生器晶體管(T1)形成電流鏡，其中所述參考電流(I1)作為所述電流鏡的輸入電流。本發(fā)明所述偏壓線(1051; 1052)由一第二連接線(106)而互相連接，其中所述附加 晶體管沿一連接至所述第二連接線的附加導(dǎo)線(208)而設(shè)置。本發(fā)明所述附加導(dǎo)線(208)與所述電源偏壓導(dǎo)線相同。本發(fā)明所述矩陣的一或若干列還包含受控于一用以選擇一列單元的信號(hào)(phi_ line(i))的切換晶體管(T’ 2)，其中所述選擇信號(hào)的狀態(tài)在功能上可將所述參考電流(I1) 傳送至一列單元的電流鏡的輸入。本發(fā)明所述電流鏡的電流增益等于1/K(其中K> 1)，其中所述附加導(dǎo)線(208)具 有一比所述電源偏壓導(dǎo)線(1051; 1052)的電阻小K倍的線性電阻。本發(fā)明所述第一連接線(108)設(shè)有一線性電阻(R_lat(i))，其相等或?qū)嵸|(zhì)上相等 于所述電源偏壓導(dǎo)線(1051; 1052)的各線性電阻(R_pix(i，j))。本發(fā)明一連續(xù)電流源晶體管(T1)的晶體管分別具有連接到相同電源偏壓導(dǎo)線的 源極，以及分別連接至所述其中一個(gè)柵極偏壓導(dǎo)線的柵極，其中產(chǎn)生手段以及所述些第一 連接線設(shè)置為用以設(shè)定所述連續(xù)晶體管柵極的柵極電位為減少電位。


圖1為先前技術(shù)的矩陣微電子裝置；圖2為本發(fā)明的矩陣微電子裝置的第一實(shí)施例；圖3為本發(fā)明的矩陣微電子裝置的第二實(shí)施例。圖中，IO11,1012，1021，1022，元素；T1，晶體管；100n,10012, ···, IOO21, IOO22,…，IOOij, 100·，基本單元；101，區(qū)塊；102，定址電路；1051; 1052，導(dǎo)線；106，連接區(qū)；lOTplOTylOSJOSJIS，導(dǎo)線；210，電流源；T’ 2，切換晶體管。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施方式
，進(jìn)一步闡述本發(fā)明本發(fā)明的矩陣微電子裝置的實(shí)施例如下此裝置包含一 η個(gè)水平列以及m個(gè)垂直 列基本單元IOO11,10012，-,IOO21, IOO22,…，IOOij, IOOmn的矩陣，其中η可等于m并且其可 介于1至10000之間，例如等于2000。該些基本單元可為電磁輻射感測(cè)器元素以及可分別包含至少一個(gè)電磁輻射檢測(cè) 器元件(例如X射線檢測(cè))，以及至少一個(gè)與該檢測(cè)器有關(guān)聯(lián)的電子電路。依照一變形，該些基本單元可為讀取矩陣的單元，其中該些單元分別與一混合生 成或裝配或沈積于該矩陣上的光電導(dǎo)元件(例如，CdTe, CdZnTe, PbI2, HgI2, PbO, Se類型) 有關(guān)聯(lián)。本發(fā)明可應(yīng)用于其它類型的大矩陣微電子裝置，特別是可應(yīng)用于分別設(shè)有電流源 的元素矩陣?；締卧木仃嚳蔀榇蟪叽?，例如約十平方公分或者數(shù)百平方公分，例如約 IOcmxlOcm 或者 20cmx20cm 的大小。在X射線檢測(cè)器的矩陣的情況下，該些基本單元可分別包含可感光的光檢測(cè)器 (例如以光二極管或光晶體管構(gòu)成)連接至一或若干個(gè)以閃光層為基礎(chǔ)的CsI或Gd2O2S,例 如，其容許檢測(cè)X光子并且將其轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光子。使用CMOS技術(shù)所制成的構(gòu)件將可見(jiàn)光子 轉(zhuǎn)換成電荷來(lái)實(shí)行該檢測(cè)。如圖2所示，一實(shí)施例顯示其中η = 2以及m = 2的基本單元或元素100n、10012、 IOO21UOO22O該矩陣裝置的每一基本單元或元素可包含如一光二極管以及多個(gè)晶體管(每一 元素的該光二極管以及該些晶體管如圖2中的元件符號(hào)101的區(qū)塊的形式來(lái)概略顯示)。 該裝置也包含一或若干定址電路，以及針對(duì)該矩陣的水平線或列特別包含至少一個(gè)定址電 路102，例如由一或若干差值寄存器(offset registers)來(lái)形成。依照該裝置的一個(gè)可行 實(shí)施例，由該些元素所檢測(cè)以及以信號(hào)形式來(lái)轉(zhuǎn)譯的該些尺寸可使用一由該定址電路102 所產(chǎn)生的列i (其中1彡i彡η)的選擇信號(hào)Phi_line(i)來(lái)逐線讀取。
設(shè)置資料線(沒(méi)有顯示于此圖式中)以載有來(lái)自該矩陣的垂直列或行的該些單元 或元素的信號(hào)，其中這些信號(hào)接著被多路傳輸。每一元素的一或若干晶體管可被連接至供應(yīng)電源供應(yīng)電位Vdd的偏壓線。該矩陣的每一單元或元素也包含一電流源，其可由一晶體管T1來(lái)構(gòu)成，對(duì)該晶體 管偏壓使得其處于飽和操作。導(dǎo)線IOS1UOS2(例如為垂直方式)設(shè)置為用以作為該矩陣的(例如垂直的)列的 每一元素的晶體管Tl的各源極的偏壓線。該些源極偏壓導(dǎo)線IOS1UOS2可在該矩陣的邊緣 處由一連接區(qū)106而被互相連接。該些源極偏壓導(dǎo)線IOS1UOS2分別具有一標(biāo)有R_pix(i， j)的線性電阻。沿著該些源極偏壓線Ios1Uos2，該些晶體管T1的源極的電位可能被降低。該連接區(qū)106可由至少一垂直于該些源極偏壓線IOS1UOS2W導(dǎo)線來(lái)構(gòu)成，其設(shè)定 為電位Vs (例如約0V)，以及使得該些導(dǎo)線IOS1UOS2與可忽略的連接區(qū)106 (例如至少低 于ImV)間的交互連接點(diǎn)處的電位差可充分導(dǎo)電。依照一可行性，提供可充分與該些導(dǎo)線IOS1UOS2導(dǎo)電的連接區(qū)106，或者允許該 連接區(qū)106傳送一比該些導(dǎo)線IOS1UOS2的電流還大的電流，該連接區(qū)106可被作成較大尺 寸，例如該些導(dǎo)線IOS1UOS2還大十或數(shù)十倍。該連接區(qū)106可被設(shè)置為例如約IOOym的 寬度，同時(shí)該些導(dǎo)線IOS1UOS2可被設(shè)置為約2 μ m的寬度。該連接區(qū)106也可被用在比該些導(dǎo)線IOS1UOS2更多金屬互相連接層上。例如，該 連接區(qū)106可使用CMOS技術(shù)而被用在2層互相連接層上，同時(shí)該些導(dǎo)線IOS1UOS2可被用
在單一層上。該連接區(qū)可包含多個(gè)連接器接腳，其沿著一導(dǎo)線而作規(guī)則間距。導(dǎo)線107^1072(例如水平方向)設(shè)置為用以作為該矩陣的(例如，水平的)列的 每一元素的電流源晶體管T1的各個(gè)閘極的偏壓線。這些導(dǎo)線107^101可由一連接區(qū)108而被互相連接。該連接區(qū)108可以至少一 條垂直于該些閘極偏壓線IOT1UOT2的第二導(dǎo)線來(lái)構(gòu)成。該連接區(qū)108可具有一線性電阻 R_lat(i)，以致使關(guān)系式R_lat(i)/R_pix(i，j)為常數(shù)?？稍O(shè)計(jì)該些導(dǎo)線IOS1UOS2以及該 導(dǎo)線108，使得關(guān)系式R_lat(i)/R_pix(i，j)等于1。在此情況下，該連接區(qū)108可以一相 同于該些導(dǎo)線IOS1UOS2的導(dǎo)線形式。該導(dǎo)線108使用包含允許提供該第一電位Vg1的手段110的產(chǎn)生手段而具有一設(shè) 有第一電位Vg1的一端，以及設(shè)有一第二電位的另一端，例如左邊不受控制或者連接至允許 提供一不同于該第一電位的第二電位Vg2的手段120?？墒褂靡栽试S供應(yīng)該第二電位Vg2的 手段為特征的該產(chǎn)生手段來(lái)施加該第二電位V&。依照一范例，當(dāng)Vs約為OV且Rlat約為 1 Ω時(shí)，元素電流約為0. ImA并且導(dǎo)線數(shù)約為2000，該些電位與Vg1可為約0. 7伏特以 及0.5伏特。由施加不同電位Vg1與Vg2至該導(dǎo)線108的端部，對(duì)此導(dǎo)線108 (其連接至該些電 流源晶體管T1的柵極)導(dǎo)入一電流。沿著該導(dǎo)線108發(fā)生電位上的改變或者電位變動(dòng)或 電位減少，以便在具有該第二導(dǎo)線的每一柵極導(dǎo)線IOT1UOT2的相互連接處獲得一電位差。如圖2所示，在點(diǎn)Pltl、該第一連接區(qū)108與一柵極偏壓導(dǎo)線IOT1的互相連接處上 的電位，不同于在點(diǎn)P2tl、該第一連接區(qū)108與另一柵極偏壓導(dǎo)線1072的互相連接處上的電 位。
沿著每一刪極導(dǎo)線107^101(實(shí)質(zhì)上相同于沿著其整體長(zhǎng)度)的電位(給定該些 電流源晶體管T1的柵極電壓)導(dǎo)致非常小的消耗。例如，在點(diǎn)Pltl、該第一連接區(qū)108與柵 極偏壓導(dǎo)線IOT1的交互連接處的電位實(shí)質(zhì)上相同于在該柵極偏壓導(dǎo)線IOT1的第二點(diǎn)P11處 (其位在該電流源晶體管T1的柵極處)的電位，以及實(shí)質(zhì)上相同于在該柵極編壓導(dǎo)線IOT1 的第三點(diǎn)P12處(其位于另一電流源晶體管T1的柵極處)的電位?？商峁┒娢粊V由及Vg1以作用為評(píng)估該些源極偏壓導(dǎo)線IOS1UOS2的各端間的電 位差。此評(píng)估可由實(shí)驗(yàn)方式或者例如由使用軟體(諸如，Pspice (Cadence)或者 Eldo (Mentor Graphics))的電腦模擬來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，可設(shè)定該二電位Ng2及Vg1使得該二電位間的電位差Ng2 Vg1相等于 Vs(N)-Vs(I)的評(píng)估，其中1及N指定該矩陣的垂直列端部處的元素。在此方式下，將來(lái)源電位載送至該矩陣的元素的垂直列的導(dǎo)線IOS1UOS2中的歐 姆壓降，可由產(chǎn)生一改變或減少對(duì)應(yīng)于一導(dǎo)線(垂直于載送該柵極電位的導(dǎo)線)的電位而 被補(bǔ)償。因此，可獲得該柵極電位與源極電位間的電位差Vg-Vs，其對(duì)于所有電流源晶體管 T1實(shí)質(zhì)上都均等。因此，可獲得一大體上為常數(shù)的消耗(從該矩陣的一元素至另一元素)。依照本發(fā)明的裝置的第二實(shí)施例如圖3所示。此裝置不同于前述裝置，特別是其包含一元件符號(hào)為208的導(dǎo)線(當(dāng)已移除該導(dǎo) 線108時(shí))，其連接至該第一連接區(qū)106 (其連接該些源極偏壓導(dǎo)線IOS1、1052)。該導(dǎo)線208 最好相同于該源極導(dǎo)線105^105”特別是在線性電阻方面，并且其可與后者并聯(lián)。該裝置也設(shè)有形成一電流源I1的手段210，例如，有助于電晶體偏壓使其為飽和操 作，例如一 PMOS電晶體，其具有設(shè)有一電位Vref的閘極以及設(shè)有電位Vdd的漏極。該電流 源210可被設(shè)在一導(dǎo)線218的端部處。當(dāng)選擇這些電晶體并且其接著供應(yīng)一輸出信號(hào)以及 供應(yīng)電流時(shí)，可將該電流I1供應(yīng)至該矩陣的元素的電流源晶體管T1的各柵極。為此，可設(shè)置多個(gè)切換電晶體T’ 2。該些切換晶體管T’ 2可受控于該矩陣的元素 的水平線或列的選擇信號(hào)phi_line。該些切換晶體管T’2可設(shè)有例如一連接至一提供該線 選擇信號(hào)phi_line的定址電路輸出的柵極，其中將一源極連接至產(chǎn)生該電流I1的手段210 的輸出，以及將一漏極連接至柵極線IOT1或1072?？稍O(shè)置該裝置使其于每一水平線或列包 含一切換電晶體Τ’ 2，其可將該電流源210連接至所選定的矩陣的線或列的柵極導(dǎo)線107” 1072。該矩陣的每一列也可包含一裝配于二極管中的附加晶體管T’工，其中該晶體管的 源極連接至該導(dǎo)線208以及其柵極與漏極互相連接并連接至該些柵極偏壓導(dǎo)線107^101 中的柵極偏壓線。安裝該矩陣的水平列或線的晶體管T’ 1；以致使其與該矩陣的水平列或線的電流 產(chǎn)生器晶體管T1的每一個(gè)裝配形成一電流鏡。此裝置的操作可如下述當(dāng)選擇該矩陣的線i時(shí)，由該電流產(chǎn)生手段210所產(chǎn)生的電流I1通過(guò)由該線選擇 信號(hào)phi_line的啟動(dòng)始可導(dǎo)通的該切換晶體管。此電流I1由該導(dǎo)線208而被導(dǎo)流至電位 Vs?！须娏麋R分別由裝配一晶體管T’工以及一電流源電晶體T1而形成。
該導(dǎo)線208可相等或?qū)嵸|(zhì)上相等于該些源極偏壓導(dǎo)線IOS1UOS2，特別是就線性電 阻來(lái)說(shuō)，以及使用該電流鏡使得該電流I1等于由該些元素所供應(yīng)的電流，其中裝配于二極 管中的該電晶體T’工的源極電位以相同于此相同線的電流源電晶體T1的各源極電位的值
來(lái)建立。依照另一個(gè)可行性，可設(shè)置該電流產(chǎn)生手段210以致使于該電流鏡的輸入電流I1 與該電流鏡的輸出電流(由該些元素的電流源晶體管T1所供應(yīng))之間存有一種等于K的 關(guān)系式。在此情況下，由該晶體管T1以及T1所形成的該電流鏡的增益最好也等于1/K，同 時(shí)也可設(shè)置該導(dǎo)線208使得其具有一比該些源極偏壓導(dǎo)線IOS1UOS2的電阻小K倍的線性 電阻。此可讓阻抗值降低至所供應(yīng)的柵極電壓以下。為獲得具有此增益的電流鏡，可配合 該晶體管的尺寸W及L，通道寬度及通道長(zhǎng)度，使得該電流I1大于該電流源晶體管T1所流 出的電流K倍。在上述的二個(gè)實(shí)施例中，在該矩陣的邊緣處使用一導(dǎo)線，其可被連接至該柵極偏 壓導(dǎo)線，以及其中所產(chǎn)生的電壓可相等于或成比例于該矩陣的源極偏壓導(dǎo)線中的電壓。于源極導(dǎo)線中的歐姆壓降現(xiàn)象因而獲得補(bǔ)償，并且于不同元素中維持該電流源晶 體管的該源極電位與該柵極電位間的固定差值。依照所提供的實(shí)施例的說(shuō)明，僅藉由范例將參照隨附圖式而可更清楚了解本發(fā) 明，但絕不局限于此。在各個(gè)圖式中相同、相似或者等效部位具有相同元件符號(hào)，以便從一圖式變換至
另一圖式。于圖式中所示的各個(gè)部位不必依照相同比例，以更易于閱讀該等圖式。
權(quán)利要求
一種矩陣微電子裝置，其特征在于其包含依照一矩陣來(lái)排列的多個(gè)基本單元(10011，10012，10021，10022)，其中所述各個(gè)基本單元至少包含一由至少一個(gè)電流源晶體管(T1)所形成的電流源； 所述晶體管(T1)的源極連接至多個(gè)電源偏壓導(dǎo)線(1051，1052)中的一電源偏壓導(dǎo)線，其中所述電源偏壓導(dǎo)線分別連接所述矩陣的列單元的各個(gè)電流產(chǎn)生器晶體管的源極； 所述晶體管(T1)的柵極連接至多個(gè)柵極偏壓導(dǎo)線中的一柵極偏壓導(dǎo)線(1071，1072)，其中所述柵極偏壓導(dǎo)線連接所述矩陣列單元的各個(gè)電流產(chǎn)生器晶體管的各柵極；其中該裝置還包含用以偏壓所述柵極偏壓導(dǎo)線的手段，其包含 至少一第一連接線(108，218)，其可連接至至少若干所述柵極偏壓導(dǎo)線， 用以產(chǎn)生電流(210)或電壓(110 120)的手段，其設(shè)在所述第一連接線的至少一端上，以及提供用以產(chǎn)生沿所述第一連接線的電位變化。
2.如權(quán)利要求1所述的矩陣微電子裝置，其特征在于所述產(chǎn)生手段為用以產(chǎn)生包含 有施加一第一電位(Vg1)至所述第一連接線的第一端的手段(110)以及施加一第二電位 (vg2)至所述第一連接線相對(duì)于所述第一端的第二端的手段(120)。
3.如權(quán)利要求2所述的矩陣微電子裝置，其特征在于所述第一電位(Vg1)以及所述第 二電位(Vg2)在功能上提供至少一電源偏壓線端間的電位降低的至少一個(gè)評(píng)估。
4.如權(quán)利要求1所述的矩陣微電子裝置，其特征在于所述產(chǎn)生手段為用以產(chǎn)生一參 考電流(I1)的手段(210)，其中所述矩陣的一或若干列還包含至少一個(gè)相配合的附加晶 體管CT1),以便分別與所述矩陣的所述列單元的電流產(chǎn)生器晶體管(T1)形成電流鏡，其中 所述參考電流(I1)作為所述電流鏡的輸入電流。
5.如權(quán)利要求4所述的矩陣微電子裝置，其特征在于所述偏壓導(dǎo)線(1051;1052)由一 第二連接線(106)而互相連接，其中所述附加晶體管沿一連接至所述第二連接線的附加導(dǎo) 線(208)而設(shè)置。
6.如權(quán)利要求4或5所述的矩陣微電子裝置，其特征在于所述附加導(dǎo)線(208)與所 述電源偏壓導(dǎo)線相同。
7.如權(quán)利要求4至6所述的矩陣微電子裝置，其特征在于所述矩陣的一或若干列還 包含受控于一用以選擇一列單元的信號(hào)(phi_line(i))的切換晶體管(T’2)，其中所述選 擇信號(hào)的狀態(tài)在功能上可將所述參考電流(I1)傳送至一列單元的電流鏡的輸入。
8.如權(quán)利要求4至7中任一項(xiàng)所述的矩陣微電子裝置，其特征在于所述電流鏡的電 流增益等于1/Κ(其中K > 1)，其中所述附加導(dǎo)線(208)具有一比所述電源偏壓導(dǎo)線(105” 1052)的電阻小K倍的線性電阻。
9.如權(quán)利要求1至7項(xiàng)中任一項(xiàng)所述的矩陣微電子裝置，其特征在于所述第一連接 線(108)設(shè)有一線性電阻(R_lat(i))，其相等或?qū)嵸|(zhì)上相等于所述電源偏壓線(1051; 1052) 的各線性電阻(R_pix(i，j))。
10.如權(quán)利要求9所述的矩陣微電子裝置，其特征在于一連續(xù)電流源晶體管(T1)的晶 體管分別具有連接到相同電源偏壓導(dǎo)線的源極，以及分別連接至所述其中一個(gè)柵極偏壓導(dǎo) 線的柵極，其中產(chǎn)生手段以及所述些第一連接線設(shè)置為用以設(shè)定所述連續(xù)晶體管柵極的柵 極電位為減少電位。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種矩陣微電子裝置，其包含依照一矩陣來(lái)排列的多個(gè)基本單元(10011，10012，10021，10022)，其中各個(gè)基本單元至少包含一由至少一個(gè)電流源晶體管(T1)所形成的電流源；晶體管(T1)的源極連接至多個(gè)電源偏壓導(dǎo)線(1051，1052)中的一電源偏壓導(dǎo)線，其中電源偏壓導(dǎo)線分別連接矩陣的列單元的各個(gè)電流產(chǎn)生器晶體管的源極；晶體管(T1)的柵極連接至多個(gè)柵極偏壓導(dǎo)線中的一柵極偏壓導(dǎo)線(1071，1072)，其中柵極偏壓導(dǎo)線連接矩陣列單元的各個(gè)電流產(chǎn)生器晶體管的各柵極。本發(fā)明的一種矩陣微電子裝置，特別是用于電磁輻射(例如，X射線)的檢測(cè)，其中該裝置的基本單元或元素分別設(shè)有一不具有缺失的電流源。
文檔編號(hào)H04N5/32GK101981916SQ200880110422
公開(kāi)日2011年2月23日 申請(qǐng)日期2008年10月1日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月1日
發(fā)明者珍呂克馬丁, 阿爾諾佩澤拉, 馬克阿爾克 申請(qǐng)人:法國(guó)原子能與替代能委員會(huì)