專利名稱：發(fā)光裝置及陣列單元、打印頭、成像設(shè)備及發(fā)光控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置、發(fā)光陣列單元、打印頭、圖像形成設(shè)備及光發(fā)射控制方法。
背景技術(shù)：
在諸如打印機(jī)、復(fù)印機(jī)或傳真機(jī)之類的電子照相圖像形成設(shè)備中，以如下方式在記錄紙張上形成圖像。首先，通過使光記錄單元發(fā)光以將圖像信息轉(zhuǎn)印到感光體上來在均勻帶電的感光體上形成靜電潛像。然后，利用調(diào)色劑對靜電潛像進(jìn)行顯影使其可視。最后， 將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印并定影到記錄紙張上。除了利用激光束沿第一掃描方向進(jìn)行激光掃描來執(zhí)行曝光的光掃描記錄單元以外，近年來響應(yīng)于對設(shè)備小型化的要求，還采用了利用下面的LED打印頭(LPH)的記錄裝置作為這種光記錄單元。該LPH包括大量沿第一掃描方向排列的發(fā)光二極管(LED)，這些發(fā)光二極管用作發(fā)光元件。日本專利申請?zhí)卦S公開第2001-219596號描述了一種自掃描發(fā)光裝置陣列，其中，每個發(fā)光元件芯片都設(shè)有用于在各發(fā)光元件芯片接收到點(diǎn)亮信號時控制其是否發(fā)光的端子。此外，在該自掃描發(fā)光裝置陣列中，通過單條數(shù)據(jù)線分別對多個數(shù)據(jù)流進(jìn)行多路傳輸，從而通過使用通用移位寄存器IC來使多個芯片發(fā)光。在配置有使用多個自掃描發(fā)光裝置陣列(SLED)芯片的LPH的記錄裝置中，要求用于向SLED芯片發(fā)送點(diǎn)亮信號的配線具有低阻抗，這是因?yàn)樵撆渚€是用于提供點(diǎn)亮電流的配線。因此，為多個SLED芯片中的每一個都提供用于進(jìn)行點(diǎn)亮的配線會造成在安裝有多個 SLED芯片的電路板上設(shè)置大量的用于發(fā)送點(diǎn)亮信號的寬且低電阻的配線。這使得電路板的寬度更寬，從而妨礙了小型化。此外，如果將這些配線構(gòu)造為具有多層，以使電路板的寬度更窄，則該構(gòu)造會妨礙成本降低。本發(fā)明的一個目的在于提供能夠減少配線數(shù)量的發(fā)光裝置等。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種發(fā)光裝置，其包括多個發(fā)光陣列單元，每個發(fā)光陣列單元都包括多個發(fā)光元件，并且每個發(fā)光元件的點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮都是利用用于選擇點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的控制對象的選擇信號、和用于向構(gòu)成所述多個發(fā)光元件的每個發(fā)光元件提供點(diǎn)亮電源的點(diǎn)亮信號的組合進(jìn)行控制；選擇信號產(chǎn)生單元，其向所述多個發(fā)光陣列單元發(fā)送包括所述選擇信號的多個選擇信號；以及點(diǎn)亮信號產(chǎn)生單元，其向所述多個發(fā)光陣列單元發(fā)送包括所述點(diǎn)亮信號的多個點(diǎn)亮信號。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，在第一方面的發(fā)光裝置中，針對通過對所述多個發(fā)光陣列單元進(jìn)行劃分而形成的多個級來逐一分別發(fā)送所述多個選擇信號。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，在第二方面的發(fā)光裝置中，所述多個選擇信號中的每一個都按時間順序發(fā)送給所述多個級中對應(yīng)的一個級中所包含的發(fā)光陣列單元。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，在第一至第三方面的發(fā)光裝置中，對于通過對所述多個發(fā)光陣列單元進(jìn)行劃分而形成的多個組，逐一分別提供所述多個發(fā)光信號。
根據(jù)本發(fā)明的第五方面，在第一至第三方面的發(fā)光裝置中，該發(fā)光裝置還包括傳遞信號產(chǎn)生單元，其發(fā)送傳遞信號，該傳遞信號將所述多個發(fā)光陣列單元中每一個發(fā)光陣列單元中包含的所述多個發(fā)光元件順序設(shè)置為進(jìn)行點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的控制對象。根據(jù)本發(fā)明的第六方面，提供了一種發(fā)光陣列單元，其包括多個發(fā)光元件；多個傳遞元件，其分別用于所述多個發(fā)光元件，以及將構(gòu)成所述多個發(fā)光元件的發(fā)光元件順序設(shè)置為點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的控制對象；控制端子，通過該控制端子來接收選擇信號以控制是否點(diǎn)亮被設(shè)置為控制對象的發(fā)光元件；以及點(diǎn)亮信號端子，通過該點(diǎn)亮信號端子接收點(diǎn)亮信號，以向被設(shè)置為控制對象的發(fā)光元件提供點(diǎn)亮電源。根據(jù)本發(fā)明的第七方面，在第六方面的發(fā)光陣列單元中，該發(fā)光陣列單元還包括多個AND電路，每個AND電路都設(shè)置在所述多個發(fā)光元件之一和對應(yīng)于所述多個發(fā)光元件之一而提供的所述多個傳遞元件之一之間，每個AND電路都對發(fā)送給控制端子的選擇信號的輸入和來自所述多個傳遞元件之一的信號進(jìn)行接收，并向所述多個發(fā)光元件之一輸出信號。根據(jù)本發(fā)明的第八方面，在第七方面的發(fā)光陣列單元中，發(fā)光陣列單元中的多個傳遞元件是多個傳遞晶間管，每個傳遞晶間管都具有第一柵極端子、第一陽極端子和第一陰極端子，以及所述多個發(fā)光元件是多個發(fā)光晶間管，每個發(fā)光晶間管都具有第二柵極端子、第二陽極端子和第二陰極端子。發(fā)光陣列單元還包括多個第一電氣部件，每個第一電氣部件都將所述多個傳遞晶間管的第一柵極端子中的兩個相互連接。根據(jù)本發(fā)明的第九方面，在第八方面的發(fā)光陣列單元中，發(fā)光陣列單元中的所述多個AND電路中的每一個都包括第二電氣部件，其一端連接至相應(yīng)的一個傳遞晶間管的第一柵極端子，其另一端連接至相應(yīng)的一個發(fā)光晶間管的第二柵極端子；以及第三電氣部件，其設(shè)置在控制端子和相應(yīng)的一個發(fā)光晶間管的第二柵極端子之間。根據(jù)本發(fā)明的第十方面，提供了一種打印頭，其包括曝光單元，其對圖像載體進(jìn)行曝光以形成靜電潛像；以及光學(xué)單元，其將由所述曝光單元發(fā)射的光聚焦到圖像載體上。 曝光單元包括多個發(fā)光陣列單元，每個發(fā)光陣列單元都包括多個發(fā)光元件，并且每個發(fā)光元件的點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮都是利用用于選擇點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的控制對象的選擇信號、和用于向構(gòu)成所述多個發(fā)光元件的每個發(fā)光元件提供點(diǎn)亮電源的點(diǎn)亮信號的組合進(jìn)行控制；選擇信號產(chǎn)生單元，其向所述多個發(fā)光陣列單元發(fā)送包括所述選擇信號的多個選擇信號；以及點(diǎn)亮信號產(chǎn)生單元，其向所述多個發(fā)光陣列單元發(fā)送包括所述點(diǎn)亮信號的多個點(diǎn)亮信號。根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，提供了一種圖像形成設(shè)備，其包括充電單元，其對圖像載體進(jìn)行充電；曝光單元，其對圖像載體進(jìn)行曝光以形成靜電潛像；光學(xué)單元，其將由所述曝光單元發(fā)射的光聚焦到圖像載體上；顯影單元，其對形成在圖像載體上的靜電潛像進(jìn)行顯影；以及轉(zhuǎn)印單元，其將在圖像載體上顯影的圖像轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印體。曝光單元包括多個發(fā)光陣列單元，每個發(fā)光陣列單元都包括多個發(fā)光元件，并且每個發(fā)光元件的點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮都是利用用于選擇點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的控制對象的選擇信號、和用于向構(gòu)成所述多個發(fā)光元件的每個發(fā)光元件提供點(diǎn)亮電源的點(diǎn)亮信號的組合進(jìn)行控制；選擇信號產(chǎn)生單元，其向所述多個發(fā)光陣列單元發(fā)送包括所述選擇信號的多個選擇信號；以及點(diǎn)亮信號產(chǎn)生單元，其向所述多個發(fā)光陣列單元發(fā)送包括所述點(diǎn)亮信號的多個點(diǎn)亮信號。根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，提供了一種用于多個發(fā)光陣列單元的光發(fā)射控制方法，其中的每個發(fā)光陣列單元都包括多個發(fā)光元件，這些發(fā)光元件的點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮都是利用用于選擇點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的控制對象的選擇信號、和用于向構(gòu)成所述多個發(fā)光元件的每個發(fā)光元件提供點(diǎn)亮電源的點(diǎn)亮信號的組合進(jìn)行控制。該光發(fā)射控制方法包括向通過對所述多個發(fā)光陣列單元進(jìn)行劃分而形成的多個級逐一分別發(fā)送包括所述選擇信號的多個選擇信號；以及向通過對所述多個發(fā)光陣列單元進(jìn)行劃分而形成的多個組逐一分別發(fā)送包括所述點(diǎn)亮信號的多個點(diǎn)亮信號。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，相比于未采用該構(gòu)造的情況，可以減少配線數(shù)量。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，相比于未采用該構(gòu)造的情況，可以分別控制多個發(fā)光陣列單元的點(diǎn)亮周期。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，相比于未采用該構(gòu)造的情況，可以容易地控制多個發(fā)光陣列單元的點(diǎn)亮。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，相比于未采用該構(gòu)造的情況，可以分別控制多個發(fā)光陣列單元。根據(jù)本發(fā)明的第五方面，相比于未采用該構(gòu)造的情況，可以進(jìn)一步減少配線數(shù)量。根據(jù)本發(fā)明的第六方面，相比于未采用該構(gòu)造的情況，可以提供配線數(shù)量減少了的發(fā)光陣列單元。根據(jù)本發(fā)明的第七方面，相比于未采用該構(gòu)造的情況，發(fā)光陣列單元的構(gòu)造變得
更簡單。根據(jù)本發(fā)明的第八方面，相比于未采用該構(gòu)造的情況，可以容易地形成發(fā)光陣列單元。根據(jù)本發(fā)明的第九方面，相比于未采用該構(gòu)造的情況，發(fā)光元件工作穩(wěn)定。根據(jù)本發(fā)明的第十方面，相比于未采用該構(gòu)造的情況，可以實(shí)現(xiàn)尺寸更小的打印頭。根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，相比于未采用該構(gòu)造的情況，可以實(shí)現(xiàn)尺寸更小的圖像形成設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，相比于未采用該構(gòu)造的情況，可以減少配線數(shù)量。


下面將參照附圖描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，附圖中圖1是示出應(yīng)用了第一示例性實(shí)施例的圖像形成設(shè)備的整體構(gòu)造的實(shí)例的示意圖；圖2是示出打印頭的結(jié)構(gòu)的截面示意圖；圖3是第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光裝置的俯視圖；圖4A至圖4C是示出第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元的構(gòu)造、發(fā)光裝置的信號產(chǎn)生電路的構(gòu)造以及電路板上的配線構(gòu)造的示意圖；圖5是示出第一示例性實(shí)施例中在發(fā)光裝置的電路板上被布置為矩陣元素的發(fā)光陣列單元的示意圖；圖6是用于說明第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元的電路構(gòu)造的等效電路圖；圖7是用于說明第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元的電路構(gòu)造的等效電路圖8A和圖8B分別是第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元的平面布局圖和截面示意圖；圖9是用于說明第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光裝置和發(fā)光陣列單元的操作的時序圖；圖IOA和圖IOB是示出第二示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元的構(gòu)造、發(fā)光裝置的信號產(chǎn)生電路的構(gòu)造以及電路板上的配線構(gòu)造的示意圖；圖11是用于示出第二示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元的電路構(gòu)造的等效電路圖；圖12是用于說明第二示例性實(shí)施例中的發(fā)光裝置和發(fā)光陣列單元的操作的時序圖；圖13是示出在第三示例性實(shí)施例中的發(fā)光裝置的電路板上被布置為矩陣元素的發(fā)光陣列單元的示意圖；圖14是用于說明第三示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元的電路構(gòu)造的等效電路圖；圖15是用于說明第三示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元的電路構(gòu)造的等效電路圖；圖16是用于說明第三示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元的電路構(gòu)造的等效電路圖；圖17是用于說明第三示例性實(shí)施例中的發(fā)光裝置和發(fā)光陣列單元的操作的時序圖；圖18A到圖18C是示出第四示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元的構(gòu)造、發(fā)光裝置的信號產(chǎn)生電路的構(gòu)造以及電路板上的配線構(gòu)造的示意圖；圖19是示出在第四示例性實(shí)施例中的發(fā)光裝置的電路板上被布置為矩陣元素的發(fā)光陣列單元的示意圖；圖20是用于說明第四示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元的電路構(gòu)造的等效電路圖；圖21是用于說明第四示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元的電路構(gòu)造的等效電路圖；圖22A和圖22B是示出第五示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元的構(gòu)造、發(fā)光裝置的信號產(chǎn)生電路的構(gòu)造以及電路板上的配線構(gòu)造的示意圖；圖23是用于說明第五示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元的電路構(gòu)造的等效電路圖；以及圖M是用于說明第五示例性實(shí)施例中的發(fā)光裝置和發(fā)光陣列單元的操作的時序圖。
具體實(shí)施例方式下文中，將參照附圖詳細(xì)給出本發(fā)明示例性實(shí)施例的描述。<第一示例性實(shí)施例>圖1是示出應(yīng)用了第一示例性實(shí)施例的圖像形成設(shè)備1的整體構(gòu)造的實(shí)例的示意圖。圖1所示的圖像形成設(shè)備1通常稱作串聯(lián)式(tandem)圖像形成設(shè)備。圖像形成設(shè)備 1包括圖像形成處理單元10、圖像輸出控制器30、和圖像處理器40。圖像形成處理單元10 根據(jù)不同顏色的圖像數(shù)據(jù)形成圖像。圖像輸出控制器30控制圖像形成處理單元10。連接至諸如個人計算機(jī)(PC) 2之類的裝置以及圖像讀取設(shè)備3的圖像處理器40對從上述裝置接收到的圖像數(shù)據(jù)執(zhí)行預(yù)定的圖像處理。圖像形成處理單元10包括圖像形成單元11，該圖像形成單元由以預(yù)先設(shè)定的間隔平行排列的多個引擎形成。圖像形成單元11由四個圖像形成單元11Y、11M、11C和IlK 形成。圖像形成單元11Y、11M、11C和IlK中的每一個都包括感光鼓12、充電裝置13、打印頭14和顯影裝置15。在感光鼓12 (其為圖像載體的一個實(shí)例)上，形成靜電潛像，且感光鼓12保持調(diào)色劑圖像。充電裝置13(作為充電單元的一個實(shí)例)以預(yù)定電位對感光鼓12 的表面進(jìn)行充電。打印頭14對由充電裝置13進(jìn)行了充電的感光鼓12進(jìn)行曝光。顯影裝置15 (作為顯影單元的一個實(shí)例)對由打印頭14形成的靜電潛像進(jìn)行顯影。此處，除了放置在顯影裝置15中的調(diào)色劑顏色不同以外，圖像形成單元11Y、11M、1IC和1IK具有近似相同的構(gòu)造。圖像形成單元11Y、11M、11C和IlK分別形成黃色(Y)、品紅色(M)、青色(C)和黑色⑷調(diào)色劑圖像。此外，圖像形成處理單元10還包括紙張傳輸帶21、驅(qū)動輥22、轉(zhuǎn)印輥23和定影裝置24。紙張傳輸帶21傳輸作為轉(zhuǎn)印體的記錄紙張，以通過多層轉(zhuǎn)印將分別形成在圖像形成單元11Y、11M、11C和IlK的感光鼓12上的不同顏色的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄紙張上。驅(qū)動輥22是驅(qū)動紙張傳輸帶21的輥。每個轉(zhuǎn)印輥23 (作為轉(zhuǎn)印單元的一個實(shí)例)將形成在相應(yīng)感光鼓12上的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄紙張上。定影裝置M將調(diào)色劑圖像定影到記錄紙張上。在該圖像形成設(shè)備1中，圖像形成處理單元10基于由圖像輸出控制器30提供的各種控制信號來執(zhí)行圖像形成操作。在圖像輸出控制器30的控制下，由圖像處理器40對從個人計算機(jī)(PC)2或圖像讀取設(shè)備3接收的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行圖像處理，然后將得到的數(shù)據(jù)提供給相應(yīng)的圖像形成單元11。然后，例如在黑色(K)圖像形成單元IlK中，在感光鼓12 沿箭頭A的方向轉(zhuǎn)動的同時，由充電裝置13以預(yù)定電位對感光鼓12進(jìn)行充電，然后由基于由圖像處理器40提供的圖像數(shù)據(jù)而發(fā)光的打印頭14對感光鼓12進(jìn)行曝光。通過該操作， 在感光鼓12上形成了黑色(K)圖像的靜電潛像。之后，由顯影裝置15對形成在感光鼓12 上的靜電潛像進(jìn)行顯影，從而在感光鼓12上形成了黑色(K)的調(diào)色劑圖像。類似地，分別在圖像形成單元IlYUlM和IlC中形成黃色(Y)、品紅色(M)和青色(C)的調(diào)色劑圖像。在各圖像形成單元11中形成的感光鼓12上的各種顏色的調(diào)色劑圖像按照次序被靜電轉(zhuǎn)印到隨著通過施加至轉(zhuǎn)印輥23的轉(zhuǎn)印電場所引起的紙張傳輸帶21的運(yùn)動而提供的記錄紙張上。此處，紙張傳輸帶21沿箭頭B的方向運(yùn)動。通過該操作，在記錄紙張上形成了合成調(diào)色劑圖像(其為疊加各種顏色的調(diào)色劑圖像)。此后，其上靜電轉(zhuǎn)印有合成調(diào)色劑圖像的記錄紙張被傳輸至定影裝置M。傳輸至定影裝置M的記錄紙張上的合成調(diào)色劑圖像由定影裝置M通過進(jìn)行利用加熱和加壓的定影處理而定影在記錄紙張上，然后從圖像形成設(shè)備1輸出。圖2是示出打印頭14的結(jié)構(gòu)的截面示意圖。打印頭14包括外殼61、發(fā)光裝置65、 和棒狀透鏡陣列64。發(fā)光裝置65 (作為曝光單元的一個實(shí)例)包括由多個發(fā)光元件(在
8第一示例性實(shí)施例中為發(fā)光晶間管)組成的對感光鼓12進(jìn)行曝光的發(fā)光部分63。棒狀透鏡陣列64 (作為光學(xué)單元的一個實(shí)例)將由發(fā)光部分63發(fā)出的光聚焦到感光鼓12的表面上。發(fā)光裝置65還包括電路板62，其上安裝有發(fā)光部分63、驅(qū)動發(fā)光部分63的信號產(chǎn)生電路100(見后面描述的圖幻等。外殼61例如由金屬制成并且支撐電路板62和棒狀透鏡陣列64。外殼61被設(shè)置為使得發(fā)光部分63中的各發(fā)光元件的發(fā)光點(diǎn)位于棒狀透鏡陣列64的焦平面上。此外，棒狀透鏡陣列64沿感光鼓12的軸向(第一掃描方向)布置。圖3是第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光裝置65的俯視圖。如圖3所示，在根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光裝置65中，發(fā)光部分63配置有二十個發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20(發(fā)光陣列單元組#a)以及二十個發(fā)光陣列單元S-Bl至 S-B20 (發(fā)光陣列單元組#b)，這些發(fā)光陣列單元在電路板62上以交錯方式沿第一掃描方向布置成兩行。換言之，在第一示例性實(shí)施例中，有兩個發(fā)光陣列單元組(發(fā)光陣列單元組#a 和發(fā)光陣列單元組#b)。此處，有時將每個發(fā)光陣列單元組都簡稱為一組。應(yīng)該注意，稍后將詳細(xì)描述發(fā)光陣列單元組#a和發(fā)光陣列單元組#b如何彼此面對。此外，如前所述，發(fā)光裝置65具有驅(qū)動發(fā)光部分63的信號產(chǎn)生電路110。發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20和發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20具有如稍后描述的不同構(gòu)造。從而，當(dāng)彼此不進(jìn)行區(qū)分時，將發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20稱為發(fā)光陣列單元 S-A。同樣，當(dāng)彼此不進(jìn)行區(qū)分時，將發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20稱為發(fā)光陣列單元S-B。應(yīng)該注意，發(fā)光陣列單元S-A和S-B中的每一個發(fā)光陣列單元都可以是通過在襯底80上形成發(fā)光元件等而構(gòu)造的發(fā)光芯片。下文中，將發(fā)光陣列單元S-A和S-B描述為發(fā)光芯片。盡管所述發(fā)光陣列單元S-A的數(shù)量和所述發(fā)光陣列單元S-B的數(shù)量均為二十，但是陣列的數(shù)量不限于此。圖4A至圖4C是示出第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元S-A和S-B的構(gòu)造、發(fā)光裝置65的信號產(chǎn)生電路110的構(gòu)造、和電路板62上的配線構(gòu)造的示意圖。圖4A示出了發(fā)光陣列單元S-A的構(gòu)造，而圖4B示出了發(fā)光陣列單元S-B的構(gòu)造。圖4C示出了發(fā)光裝置65的信號產(chǎn)生電路110的構(gòu)造和電路板62上的配線構(gòu)造。在第一示例性實(shí)施例中，發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20屬于發(fā)光陣列單元組#a，而發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20屬于發(fā)光陣列單元組#b。首先，給出圖4A所示的發(fā)光陣列單元S-A的構(gòu)造以及圖4B所示的發(fā)光陣列單元 S-B的構(gòu)造的描述。發(fā)光陣列單元S-A和S-B中的每一個發(fā)光陣列單元都包括矩形襯底80上的發(fā)光元件陣列102。發(fā)光元件陣列102包括沿襯底80的長邊且靠近該長邊排成一行的多個發(fā)光元件(第一示例性實(shí)施例中為發(fā)光晶閘管)。此外，發(fā)光陣列單元S-A和S-B中的每一個發(fā)光陣列單元都包括在襯底80的兩個端部上沿長邊方向的多個輸入端子(Vga端子、φ2 端子、φλ￥端子、φ 端子和φ 端子)。這些輸入端子是用于讀取各種控制信號等的焊盤。這些輸入按以下方式設(shè)置從襯底80的一端開始按照Vga端子、φ2端子、和φ\￥端子的順序設(shè)置，并且從襯底80的另一端開始按照φ 端子、和φ 端子的順序設(shè)置。發(fā)光元件陣列102設(shè)置在cpW端子和φ 端子之間。
如圖4A和圖4B所示，發(fā)光陣列單元S-A和發(fā)光陣列單元S-B具有相同的外形和輸入端子構(gòu)造，然而，如稍后描述的圖6和圖7所示，發(fā)光陣列單元S-A和S-B是彼此之間具有不同電路構(gòu)造的自掃描發(fā)光裝置陣列(SLED)。接下來，利用圖4C來描述發(fā)光裝置65的信號產(chǎn)生電路110的構(gòu)造和電路板62上的配線構(gòu)造。如前所述，發(fā)光裝置65的電路板62具有信號產(chǎn)生電路110、發(fā)光陣列單元S_A (發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20)和發(fā)光陣列單元S-B(發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20)。配線被提供用來將信號產(chǎn)生電路110連接至發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20和發(fā)光陣列單元S-Bl至 S-B20。首先，描述信號產(chǎn)生電路110的構(gòu)造。盡管未示出，但是進(jìn)行了圖像處理后的圖像數(shù)據(jù)和各種控制信號被從圖像輸出控制器30和圖像處理器40 (見圖1)輸入至信號產(chǎn)生電路110?；谠搱D像數(shù)據(jù)和各種控制信號，信號產(chǎn)生電路110對圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行重排列、光量校正等。信號產(chǎn)生電路110包括傳遞信號產(chǎn)生部件120，其基于各種控制信號將第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2發(fā)送給發(fā)光陣列單元組發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20)和發(fā)光陣列單元組#b (發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20)。此外，信號產(chǎn)生電路110包括點(diǎn)亮信號產(chǎn)生部件140a和點(diǎn)亮信號產(chǎn)生部件140b。 基于各種控制信號，點(diǎn)亮信號產(chǎn)生部件140a向發(fā)光陣列單元組#a(發(fā)光陣列單元S-Al至 S-A20)發(fā)送點(diǎn)亮信號cpla，以及點(diǎn)亮信號產(chǎn)生部件140b向發(fā)光陣列單元組#b (發(fā)光陣列單元S-B 1至S-B20)發(fā)送點(diǎn)亮信號cplb。此外，信號產(chǎn)生電路110包括選擇信號產(chǎn)生部件150，其基于各種控制信號向各發(fā)光陣列單元級發(fā)送選擇信號cpWl至φ\￥20，其中每個發(fā)光陣列單元級都包括屬于發(fā)光陣列單元組#a的一個發(fā)光陣列單元S-A和屬于發(fā)光陣列單元組#b的一個發(fā)光陣列單元S-B。 此處，所述發(fā)光陣列單元級有時簡稱為一對。例如，選擇信號產(chǎn)生部件150向發(fā)光陣列單元級#1發(fā)送選擇信號cpWl，該發(fā)光陣列單元級#1由屬于發(fā)光陣列單元組fe的發(fā)光陣列單元S-Al和屬于發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-Bl組成。選擇信號產(chǎn)生部件150向發(fā)光陣列單元級#2發(fā)送選擇信號q>W2， 該發(fā)光陣列單元級#2由屬于發(fā)光陣列單元組fe的發(fā)光陣列單元S-A2和屬于發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-B2組成。對于其余對，以相同的方式，選擇信號產(chǎn)生部件150向發(fā)光陣列單元級#20發(fā)送選擇信號cpW20，該發(fā)光陣列單元級#20由屬于發(fā)光陣列單元組 #a的發(fā)光陣列單元S-A20和屬于發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-B20組成。盡管圖4C中分開示出了點(diǎn)亮信號產(chǎn)生部件140a和點(diǎn)亮信號產(chǎn)生部件140b，但是可將它們統(tǒng)稱為點(diǎn)亮信號產(chǎn)生部件140。當(dāng)對點(diǎn)亮信號CpIa和點(diǎn)亮信號(plb彼此之間不進(jìn)行區(qū)分時，將它們統(tǒng)稱為點(diǎn)亮信號φ 。當(dāng)對選擇信號cpW垤(pW20彼此之間不進(jìn)行區(qū)分時，將它們統(tǒng)稱為選擇信號<pW。接下來，給出發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20和發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20的布置的描述。屬于發(fā)光陣列單元組#a的發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20沿其長邊方向以預(yù)訂間隔排列成一行。同樣，屬于發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20沿其長邊方向以預(yù)訂間隔排列成一行。屬于發(fā)光陣列單元組#a的發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20和屬于發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20彼此面對，并交錯排列，從而發(fā)光元件可以沿第一掃描方向以預(yù)訂間隔布置。下面給出將信號產(chǎn)生電路110連接至發(fā)光陣列單元S_A(發(fā)光陣列單元S-Al至 S-A20)和發(fā)光陣列單元S-B(發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20)的配線的描述。電路板62設(shè)有電源線200a，其連接至設(shè)置在與具有發(fā)光陣列單元S-A和S-B的一側(cè)相反的另一側(cè)上的Vsub端子(見稍后描述的圖6至圖8A)，并且通過該電源線200a提供基準(zhǔn)電位Vsub0此外，電路板62提供有電源線200b，其連接至提供給發(fā)光陣列單元S-A和 S-B中的每個發(fā)光陣列單元的Vga端子，通過該電源線200b提供電源的電源電位Vga。此外，電路板62設(shè)有第一傳遞信號線201和第二傳遞信號線202。自信號產(chǎn)生電路110的傳遞信號產(chǎn)生部件120，通過第一傳遞信號線201將第一傳遞信號φ 發(fā)送至發(fā)光陣列單元組#a的發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20中每個發(fā)光陣列單元的φ 端子，以及通過第二傳遞信號線202將第二傳遞信號φ2發(fā)送至發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-Bl至 S-B20中每個發(fā)光陣列單元的φ2端子。第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2被共同(并行) 發(fā)送至發(fā)光陣列單元組fe的發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20以及發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20。此外，電路板62設(shè)有點(diǎn)亮信號線20 ，通過其將來自信號產(chǎn)生電路110的點(diǎn)亮信號產(chǎn)生部件140a的點(diǎn)亮信號q>Ia發(fā)送至發(fā)光陣列單元組#a的發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20 中的每個發(fā)光陣列單元的φ 端子。該點(diǎn)亮信號<pla通過為各發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20 設(shè)置的限流電阻器RI被共同(并行)發(fā)送至發(fā)光陣列單元組的發(fā)光陣列單元S-Al至 S-A20。同樣，電路板62設(shè)有點(diǎn)亮信號線204b，通過其將點(diǎn)亮信號CpIb從信號產(chǎn)生電路110 的點(diǎn)亮信號產(chǎn)生部件140b發(fā)送至發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20中的每一個的φ 端子。點(diǎn)亮信號(plb通過為各發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20設(shè)置的限流電阻器RI 被共同(并行)發(fā)送至發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20。 此外，電路板62設(shè)有選擇信號線205至224，通過其將選擇信號cpWl至cp\V20人信號產(chǎn)生電路110的選擇信號產(chǎn)生部件150發(fā)送至各發(fā)光陣列單元級，其中每個發(fā)光陣列單元級均包括屬于發(fā)光陣列單元組#a的一個發(fā)光陣列單元S-A和屬于發(fā)光陣列單元組#b的一個發(fā)光陣列單元S-B。 例如，選擇信號線205連接至發(fā)光陣列單元組#a的發(fā)光陣列單元S-Al的(pW端子 (其為控制端子的一個實(shí)例)和發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-Bl的cpW端子(其為控制端子的一個實(shí)例)。通過選擇信號線205，將選擇信號cpWl發(fā)送至包括發(fā)光陣列單元 S-Al和發(fā)光陣列單元S-Bl的發(fā)光陣列單元級#1。選擇信號線206連接至發(fā)光陣列單元組 #a的發(fā)光陣列單元S-A2的CpW端子和發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-B2的CpW端子，以將選擇信號cpW2發(fā)送至包括發(fā)光陣列單元S-A2和發(fā)光陣列單元S-B2的發(fā)光陣列單元級#2。對于其余各對均采用同一方式，選擇信號線2M連接至發(fā)光陣列單元組fe的發(fā)光陣列單元S-A20的cpW端子和發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-B20的cpW端子，以將選擇信號cpW20發(fā)送至包括發(fā)光陣列單元S-A20和發(fā)光陣列單元S-B20的發(fā)光陣列單元級 #20。
如上所述，電路板62上的所有發(fā)光陣列單元S-A和S-B都被共同提供有基準(zhǔn)電位 Vsub和電源電位Vga。同樣，電路板62上的所有發(fā)光陣列單元S-A和S-B都被共同提供有第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2。點(diǎn)亮信號(pla被共同發(fā)送至發(fā)光陣列單元組#a的所有發(fā)光陣列單元S-A。點(diǎn)亮信號cplb被共同發(fā)送至發(fā)光陣列單元組#b的所有發(fā)光陣列單元S-B。選擇信號cpWl至(f)W20被共同發(fā)送至各發(fā)光陣列單元級#1至#20，這些發(fā)光陣列單元級均包括屬于發(fā)光陣列單元組的一個發(fā)光陣列單元S-A和屬于發(fā)光陣列單元組#b 的一個發(fā)光陣列單元S-B。圖5是示出第一示例性實(shí)施例中的在發(fā)光裝置65的電路板62上布置為矩陣元素的發(fā)光陣列單元S-A和S-B的示意圖。圖5中，發(fā)光陣列單元S-A (發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20)和發(fā)光陣列單元S_B (發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20)被布置為2X20矩陣中的元素。圖5僅示出了用于將上述信號產(chǎn)生電路110連接至發(fā)光陣列單元S-A(發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20)和發(fā)光陣列單元 S_B(發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20)的信號(點(diǎn)亮信號cpla和φΠ)以及選擇信號cpW垤(pW20 )的線路。電源線200a和200b、第一傳遞信號線201、以及第二傳遞信號線202為所有的發(fā)光陣列單元S-A和S-B所共用，因此此處未被示出?？梢匀菀桌斫獾氖牵缜八?，點(diǎn)亮信號(pla被共同發(fā)送至發(fā)光陣列單元組#a的發(fā)光陣列單元S-A,而點(diǎn)亮信號φΠ)被共同發(fā)送至發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-B。此外，可以容易理解的是，選擇信號(pWl至cp\V20被共同發(fā)送至各發(fā)光陣列單元級#1至#20，這些發(fā)光陣列單元級均包括屬于發(fā)光陣列單元組#a的一個發(fā)光陣列單元S-A 和屬于發(fā)光陣列單元組#b的一個發(fā)光陣列單元S-B。換句話說，根據(jù)點(diǎn)亮信號cpla或CpD5以及選擇信號CpWl至cp\V20中的一個的組合來選擇第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光裝置65的發(fā)光陣列單元S-A和S-B中的每一個。此處，描述配線的數(shù)量。假設(shè)未采用第一示例性實(shí)施例以及也未將發(fā)光裝置65的發(fā)光陣列單元S-A和S-B 分成多個發(fā)光陣列單元組以及發(fā)光陣列單元對。于是，點(diǎn)亮信號φ 被發(fā)送至發(fā)光陣列單元 S-A和S-B (此處其總數(shù)為四十)中的每一個；因此，需要四十條點(diǎn)亮信號線204 (對應(yīng)于圖 5中的點(diǎn)亮信號線20 和204b)。此外，還需要第一傳遞信號線201、第二傳遞信號線202、 以及電源線200a和200b。相應(yīng)地，為發(fā)光裝置65提供的配線數(shù)量為四十四條。此外，由于用于點(diǎn)亮發(fā)光元件的電流是通過點(diǎn)亮信號線204發(fā)送的，因此需要點(diǎn)亮信號線204具有小的電阻。因此，點(diǎn)亮信號線204需要寬的配線。為此，如果未采用第一示例性實(shí)施例，就會在發(fā)光裝置65的電路板62上提供許多寬的配線，這就會增加電路板62 的面積。另一方面，如圖4A和圖5所示，在第一示例性實(shí)施例中，有兩組發(fā)光陣列單元。因此，有兩條點(diǎn)亮信號線20 和204b。此外，除了第一傳遞信號線201、第二傳遞信號線202、 以及電源線200a和200b以外，還需要用于選擇信號(pWl至(pW20的選擇信號線205至 224。因此，在第一示例性實(shí)施例中，配線數(shù)量是二十六條。第一示例性實(shí)施例中的配線數(shù)量是未采用第一示例性實(shí)施例情形中配線數(shù)量的 2/3或更少。
此外，在第一示例性實(shí)施例中，用于發(fā)送點(diǎn)亮發(fā)光元件的電流的寬的配線的數(shù)量減少至兩條，即，點(diǎn)亮信號線20 和204b。應(yīng)該注意，大電流不流經(jīng)選擇信號線205至224。 因此，選擇信號線205至2M無需是寬的配線。為此，第一示例性實(shí)施例不需要在電路板62 上提供許多的寬的配線，這防止了電路板62面積的增大。圖6是用于說明第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元S-A的電路構(gòu)造的等效電路圖。發(fā)光陣列單元S-A是自掃描發(fā)光裝置陣列(SLED)。應(yīng)該注意，在圖6中，除了輸入端子 (Vga端子、φ2端子、tpW端子、φ 端子、和φ 端子)之外，基于將在后面圖8Α和圖8Β中描述的發(fā)光陣列單元S-A上的布局來布置下面描述的各元件。此處，以發(fā)光陣列單元S-Al為實(shí)例對發(fā)光陣列單元S-A進(jìn)行描述。因此圖6中將發(fā)光陣列單元S-A稱為發(fā)光陣列單元S-Al (S-A)。其他的發(fā)光陣列單元S-A2至S-A20與發(fā)光陣列單元S-Al具有相同的構(gòu)造。為了便于說明，在圖6中，在不同于圖4Α中所示的輸入端子(Vga端子、φ2端子、 CpW端子、φ 端子、和φ 端子)的位置示出這些輸入端子，即在圖6的左側(cè)。如前所述，發(fā)光陣列單元S-Al (S-A)具有傳遞晶閘管陣列，該傳遞晶閘管陣列包括在襯底80上布置成一行的多個傳遞晶閘管Τ1，Τ2，Τ3，…(見稍后描述的圖8Α和圖8Β)。 此外，發(fā)光陣列單元S-Al (S-A)具有用于各傳遞晶閘管113233，*"的電源線電阻器1^乂1， Rgx2, Rgx3,…。當(dāng)彼此不進(jìn)行區(qū)分時，傳遞晶閘管Tl，T2，T3，…和電源線電阻器Rgxl， Rgx2, Rgx3,…分別被稱為傳遞晶閘管T和電源線電阻器Rgx。此外，發(fā)光陣列單元S-Al (S-A)具有發(fā)光晶閘管陣列(發(fā)光元件陣列102(見圖 4A和圖4B))，該發(fā)光晶閘管陣列包括布置成一行的多個奇數(shù)編號的發(fā)光晶閘管Li，L3， L5，…。發(fā)光晶閘管是發(fā)光元件的一個實(shí)例。一個發(fā)光晶閘管用于一對傳遞晶閘管T。當(dāng)彼此不進(jìn)行區(qū)分時，發(fā)光晶閘管L1，L3，L5，…被稱為發(fā)光晶閘管L。應(yīng)該注意，發(fā)光陣列單元S-Al (S-A)不具有偶數(shù)編號的發(fā)光晶閘管L2，L4，L6，…。此外，發(fā)光陣列單元S-Al (S-A)具有耦合二極管Dxl，Dx2，Dx3，…，這些耦合二極管分別設(shè)置在傳遞晶閘管Tl，T2，T3，…中按編號順序成對的相鄰兩個傳遞晶閘管之間。發(fā)光陣列單元S-Al (S-A)還在奇數(shù)編號的傳遞晶閘管Tl，T3，T5，…和發(fā)光晶閘管Li，L3，L5，…之間分別具有連接電阻器Ral，Ra3, Ra5,…和肖特基寫入二極管SDwl， SDw3,SDw5,…。每個連接電阻器都是第二電氣部件的一個實(shí)例，每個肖特基寫入二極管都是第三電氣部件的一個實(shí)例。此處，與發(fā)光晶閘管L等相同，當(dāng)彼此不進(jìn)行區(qū)分時，耦合二極管Dxl，Dx2，Dx3，…、連接電阻器fell，I a3，I a5，…、以及肖特基寫入二極管SDwl，SDw3， SDw5,…分別稱為耦合二極管Dx、連接電阻器Ra、和肖特基寫入二極管SDw。應(yīng)該注意，上述晶閘管(發(fā)光晶閘管L和傳遞晶閘管Τ)為各自具有三個端子的半導(dǎo)體器件，三個端子為陽極端子、陰極端子、和柵極端子。此處，傳遞晶閘管T的陽極端子、陰極端子、和柵極端子有時分別稱作第一陽極端子、第一陰極端子、和第一柵極端子。同樣，發(fā)光晶間管L的陽極端子、陰極端子、和柵極端子有時分別稱作第二陽極端子、第二陰極端子、和第二柵極端子。此外，發(fā)光陣列單元S-Al (S-A)具有一個啟動二極管DxO。此外，發(fā)光陣列單元 S-Al (S-A)具有限流電阻器Rl和限流電阻器R2，用于防止過電流流入分別用于發(fā)送第一傳遞信號φ 1和第二傳遞信號φ2的第一傳遞信號線72和第二傳遞信號線73 (稍后將進(jìn)行描述)ο應(yīng)該注意，傳遞晶閘管陣列的傳遞晶閘管Tl，T2，T3，…、電源線電阻器Rgxl， Rgx2, Rgx3,…、和耦合二極管Dxl，Dx2，Dx3，…從圖6的左側(cè)開始按編號順序排列。同樣，發(fā)光晶閘管陣列的發(fā)光晶閘管Li，L3，L5，...、連接電阻器1^1，1^3，1^5，…和肖特基寫入二極管SDwl，SDw3, SDw5,…從圖6的左側(cè)開始按編號順序排列。傳遞晶閘管陣列和發(fā)光晶閘管陣列按此順序從圖6頂部開始排列。接下來，給出發(fā)光陣列單元S-Al (S-A)的元件之間的電氣連接的描述。傳遞晶閘管T的陽極端子和發(fā)光晶閘管L的陽極端子連接至發(fā)光陣列單元 S-Al (S-A)的襯底80(8卩，共陽極)。于是，這些陽極端子通過Vsub端子連接至電源線200a (見圖4C)，該Vsub端子是設(shè)置在襯底80背面上的背面電極85 (稍后將在圖8B中描述)。電源線200a提供有基準(zhǔn)電位 Vsub0根據(jù)傳遞晶閘管T的排列為奇數(shù)編號的傳遞晶閘管Tl，T3，T5，…的陰極端子連接至第一傳遞信號線72。第一傳遞信號線72通過限流電阻器Rl連接至作為第一傳遞信號 φ 的輸入端子的φ 端子。第一傳遞信號線201(見圖4C)連接至該φ 1端子，并且第一傳遞信號φ 1發(fā)送至該φ 1端子。另一方面，根據(jù)傳遞晶閘管T的排列為偶數(shù)編號的傳遞晶閘管Τ2，Τ4，Τ6，…的陰極端子連接至第二傳遞信號線73。第二傳遞信號線73通過限流電阻器R2連接至作為第二傳遞信號φ2的輸入端子的φ2端子。第二傳遞信號線202(見圖4C)連接至該φ2端子，并且第二傳遞信號φ2發(fā)送至該φ2端子。耦合二極管Dxl，Dx2，Dx3，…分別連接在傳遞晶閘管Tl，T2，T3，…的柵極端子 Gtl，Gt2，Gt3，…中按編號順序成對的相鄰的兩個柵極端子之間。換言之，耦合二極管Dxl， Dx2，Dx3，…串聯(lián)連接，同時它們中的每一個都順序地夾置在相鄰的一對柵極端子Gtl，Gt2， Gt3，…之間。耦合二極管Dxl連接為使得電流可以從柵極端子Gtl向柵極端子Gt2流動。 對于其他的耦合二極管Dx2，Dx3，Dx4，…也是這樣。當(dāng)彼此不進(jìn)行區(qū)分時，柵極端子Gtl， Gt2，Gt3，…被稱作柵極端子Gt。傳遞晶閘管T的柵極端子Gt分別通過用于傳遞晶閘管T的電源線電阻器Rgx連接至電源線71。電源線71連接至Vga端子。Vga端子連接至電源線200b (見圖4C)，并被供給電源點(diǎn)位Vga。傳遞晶閘管T的奇數(shù)編號的柵極端子Gtl，Gt3，Gt5，…分別通過連接電阻器Ral， Ra3, Ra5,…逐一連接至也為奇數(shù)編號的發(fā)光晶閘管Li，L3，L5，…的柵極端子Gll，G13， G15，…。當(dāng)彼此不進(jìn)行區(qū)分時，柵極端子G11，G13，G15，…被稱作柵極端子G1。肖特基寫入二極管SDw的陰極端子連接至選擇信號線74。選擇信號線74連接至屮界端子，其中選擇信號( \￥垤( \￥20之一被發(fā)送至該屮\￥端子。選擇信號線205 (見圖4C) 連接至發(fā)光陣列單元S-Al的cpW端子，且選擇信號cpWl發(fā)送至該cpW端子。肖特基寫入二極管SDw的陽極端子連接至發(fā)光晶閘管L的各柵極端子G1。發(fā)光晶閘管L的陰極端子連接至點(diǎn)亮信號線75。點(diǎn)亮信號線75連接至作為點(diǎn)亮信號φ 的輸入端子的φ 端子。點(diǎn)亮信號線20 (見圖4C)連接至發(fā)光陣列單元S-Al的cpl 端子，且點(diǎn)亮信號cpla發(fā)送至該φ 端子。
應(yīng)該注意，盡管圖6中未示出，但是實(shí)際上如圖4C所示在點(diǎn)亮信號產(chǎn)生部件140 和φ 端子之間設(shè)置有限流電阻器RI。處于傳遞晶閘管陣列的一端的傳遞晶閘管Tl的柵極端子Gtl連接至啟動二極管 DxO的陰極端子。啟動二極管DxO的陽極端子連接至第二傳遞信號線73。圖7是用于說明第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元S-B的電路構(gòu)造的等效電路圖。發(fā)光陣列單元S-B是自掃描發(fā)光裝置陣列(SLED)。此處，以發(fā)光陣列單元S-Bl作為實(shí)例來描述發(fā)光陣列單元S-B。因此，在圖7中將發(fā)光陣列單元S-B稱作發(fā)光陣列單元 S-Bl (S-B)。其他的發(fā)光陣列單元S-B2至S-B20與發(fā)光陣列單元S-Bl具有相同的構(gòu)造。在圖6所示的發(fā)光陣列單元S-A中，分別給第On-I)個(即，奇數(shù)編號的)傳遞晶閘管T提供發(fā)光晶閘管L。相反，在發(fā)光陣列單元S-B中，分別給第2η個(即，偶數(shù)編號的)傳遞晶閘管T提供發(fā)光晶閘管L。對于發(fā)光陣列單元S-B，描述與發(fā)光陣列單元S-A的不同之處，并以相同的參考標(biāo)號表示相同的構(gòu)造，并不再進(jìn)行詳細(xì)描述。發(fā)光陣列單元S-Bl (S-B)具有發(fā)光晶閘管陣列(發(fā)光元件陣列102(見圖4Α和圖4B))，該發(fā)光晶閘管陣列包括布置成一行的偶數(shù)編號的發(fā)光晶閘管L2，L4，L6，…。發(fā)光晶閘管是發(fā)光元件的一個實(shí)例。為每兩個傳遞晶閘管T提供一個發(fā)光晶閘管。發(fā)光陣列單元S-Bl (S-B)具有分別位于偶數(shù)編號的傳遞晶閘管T2，T4，T6，…和偶數(shù)編號的發(fā)光晶閘管L2，L4，L6，…之間的連接電阻器Ra2, Ra4, Ra6,…和肖特基寫入二級管SDw2, SDw4, SDw6,…。每個連接電阻器是第二電氣部件的一個實(shí)例，以及每個肖特基寫入二極管是第三電氣部件的一個實(shí)例。應(yīng)該注意，發(fā)光陣列單元S-Bl (S-B)沒有偶數(shù)編號的發(fā)光晶閘管 L0當(dāng)不在發(fā)光陣列單元S-A的奇數(shù)編號的發(fā)光晶閘管L1，L3，L5，…和發(fā)光陣列單元 S-B的偶數(shù)編號的發(fā)光晶閘管L2，L4，L6，…之間進(jìn)行區(qū)分時，將這些發(fā)光晶閘管稱作發(fā)光晶閘管L。當(dāng)不在發(fā)光陣列單元S-A的奇數(shù)編號的連接電阻器Ral，Ra3，Ra5，…和發(fā)光陣列單元S-B的偶數(shù)編號的連接電阻器Ra2，Ra4，Ra6，…之間進(jìn)行區(qū)分時，將它們稱作連接電阻器Ra。當(dāng)不在發(fā)光陣列單元S-A的奇數(shù)編號的肖特基寫入二極管SDwl，SDw3，SDw5，… 和發(fā)光陣列單元S-B的偶數(shù)編號的肖特基寫入二極管SDw2，SDw4, SDw6,…之間進(jìn)行區(qū)分時，將它們稱作肖特基寫入二極管SDw。與發(fā)光陣列單元S-A類似，有時分別將發(fā)光陣列單元S-B的每個發(fā)光晶閘管L的陽極端子、陰極端子和柵極端子稱作第二陽極端子、第二陰極端子、和第二柵極端子。肖特基寫入二極管SDw的陰極端子連接至選擇信號線74。選擇信號線74連接至 (pW端子，選擇信號φ\￥1至cp\V20之一被發(fā)送至該φλ￥端子。選擇信號線205 (見圖4C)連接至發(fā)光陣列單元S-Bl的cpW端子，并選擇信號(pWl被發(fā)送至該φλΥ端子。肖特基寫入二極管SDw的陽極端子連接至發(fā)光晶閘管L的各柵極端子G1。發(fā)光晶閘管L的陰極端子連接至點(diǎn)亮信號線75。點(diǎn)亮信號線75連接至作為點(diǎn)亮信號φ 的輸入端子的φ 端子。點(diǎn)亮信號線204b (見圖4C)連接至發(fā)光陣列單元S-Bl的φ 端子，并點(diǎn)亮信號(plb被發(fā)送至該φι端子。應(yīng)該注意，盡管圖7中未示出，但是實(shí)際上如圖4C所示在點(diǎn)亮信號產(chǎn)生部件140 和φ 端子之間設(shè)置有限流電阻器RI。
如上所述，發(fā)光陣列單元S-A具有奇數(shù)編號的發(fā)光晶閘管L、連接電阻器Ra、和肖特基寫入二極管SDw，而發(fā)光陣列單元S-B具有偶數(shù)編號的發(fā)光晶閘管L、連接電阻器Ra、和肖特基寫入二極管SDw。發(fā)光陣列單元S-A和S-B可以在發(fā)光晶閘管陣列中具有任意預(yù)定數(shù)量的發(fā)光晶閘管L。例如，如果第一示例性實(shí)施例中發(fā)光晶閘管L的數(shù)量是128，則連接電阻器Ra的數(shù)量和肖特基寫入二極管SDw的數(shù)量也各為128。在發(fā)光陣列單元S-A中，分別給第On-I)個傳遞晶閘管T (η為1或更大的整數(shù)) 提供發(fā)光晶閘管L。因此，傳遞晶閘管T的數(shù)量至少是125，且電源線電阻器Rgx的數(shù)量也至少是255。耦合二極管Dx的數(shù)量是254，比傳遞晶閘管T的數(shù)量少1。另一方面，在發(fā)光陣列單元S-B中，分別給第2η個傳遞晶閘管T提供發(fā)光晶閘管 L.傳遞晶閘管T的數(shù)量至少是256，且電源線電阻器Rgx的數(shù)量也至少是256。耦合二極管Dx的數(shù)量是255，比傳遞晶閘管T的數(shù)量少1。應(yīng)該注意，在發(fā)光陣列單元S-A和S-B中，傳遞晶閘管T的數(shù)量可以多于發(fā)光晶閘管L的數(shù)量的兩倍。圖8Α和圖8Β分別是第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光陣列單元S-A的平面布局圖和截面示意圖。此處，以發(fā)光陣列單元S-Al作為實(shí)例描述發(fā)光陣列單元S-A。因此，在圖8Α和圖8Β中將發(fā)光陣列單元S-A稱作發(fā)光陣列單元S-Al (S-A)。其他的發(fā)光陣列單元S-A2至 S-A20與發(fā)光陣列單元S-Al具有相同的構(gòu)造。圖8Α是示出發(fā)光陣列單元S-Al(S-A)的平面布局示意圖，其示出了具有發(fā)光晶閘管Li，L3，和L5以及傳遞晶閘管Tl，Τ2，Τ3，和Τ4的部分。圖8Β是沿圖8Α所示的 VIIIB-VIIIB線截取的截面視圖。圖8Β中的截面視圖從圖8Β的底部開始示出了發(fā)光晶閘管Li、肖特基寫入二極管SDwl、電源線電阻器Rgxl、耦合二極管Dxl、和傳遞晶閘管Tl的截面。在圖8A和圖8B中，以其名稱來表示主要元件和端子。應(yīng)該注意，圖8A以實(shí)線示出了連接各元件的配線。圖8B未示出連接各元件的配線。如圖8B所示，發(fā)光陣列單元S-Al (S-A)包括多個島(第一島141、第二島142、第三島143、第四島144、第五島145、和第六島146)。這些島如下形成。例如，利用GaAs、GaAlAs 等復(fù)合半導(dǎo)體，按照如下順序在P型襯底80上層壓P型第一半導(dǎo)體層81、η型第二半導(dǎo)體層82、Ρ型第三半導(dǎo)體層83、和η型第四半導(dǎo)體層84。在外圍連續(xù)對P型第一半導(dǎo)體層81、 η型第二半導(dǎo)體層82、P型第三半導(dǎo)體層83、和η型第四半導(dǎo)體層84進(jìn)行蝕刻。從而形成了相互分離的各島。如圖8Α所示，平面視圖中的第一島141為具有突出部分的矩形形狀，并且具有發(fā)光晶閘管Li、肖特基寫入二極管SDwl、和連接電阻器Ral。平面視圖中的第二島142為在兩端部具有較寬部分的形狀，并具有電源線電阻器Rgxl。平面視圖中的第三島143具有矩形形狀，并具有傳遞晶閘管Tl和耦合二極管Dxl。平面視圖中的第四島144具有矩形形狀并具有啟動二極管DxO。平面視圖中的第五島和第六島中的每一個都具有在兩端部具有較寬部分的形狀。第五島145具有限流電阻器R1，而第六島146具有限流電阻器R2。此外，在發(fā)光陣列單元S-Al (S-A)中，并列形成類似于第二島142的島以及類似于第三島143的島。和第二島142以及第三島143 —樣，這些島具有電源線電阻器Rgx2，Rgx3, Rgx4,…、傳遞晶閘管T2，T3，T4，…等。此外，在發(fā)光陣列單元S-Al (S-A)中，并列形成類似于第一島141的島。和第一島141 一樣，這些島都具有發(fā)光晶閘管L3，L5，…。此處省略了對這些島的描述。此外，作為Vsub端子的背面電極85設(shè)置在襯底80的背面上。基于圖8A和圖8B，對第一島141、第二島142、第三島143、第四島144、第五島145、 和第六島146進(jìn)行詳細(xì)描述。在設(shè)置在第一島141中的發(fā)光晶閘管Ll中，陽極端子是襯底80，陰極端子是形成在η型第四半導(dǎo)體層84的區(qū)111中的η型歐姆電極121，以及柵極端子Gll是通過蝕刻并移除η型第四半導(dǎo)體層84而露出的ρ型第三半導(dǎo)體層83。應(yīng)該注意，柵極端子Gll未形成為電極，從而未示出。光從η型第四半導(dǎo)體層84的區(qū)111的表面上除了形成η型歐姆電極 121的部分以外的部分發(fā)出。在設(shè)置在第一島141中的肖特基寫入二極管SDwl中，陽極端子是ρ型第三半導(dǎo)體層83，陰極端子是形成在通過蝕刻并移除η型第四半導(dǎo)體層84而露出的ρ型第三半導(dǎo)體層 83上的肖特基電極151。發(fā)光晶閘管Ll的柵極端子Gll和肖特基寫入二極管SDwl的陽極端子是第一島 141的公共ρ型第三半導(dǎo)體層83。設(shè)置在第一島141中的平面形狀的突出部分處的ρ型第三半導(dǎo)體層83是連接電阻器Ral，P型歐姆電極132形成在該突出部分的端部處。換言之，肖特基電極151和ρ型歐姆電極132之間的ρ型第三半導(dǎo)體層83用作連接電阻器Ral的電阻。設(shè)置在第二島142中的電源線電阻器Rgxl形成在形成于ρ型第三半導(dǎo)體層83上的兩個P型歐姆電極133和134之間。這兩個ρ型歐姆電極133和134之間的ρ型第三半導(dǎo)體層83用作電源線電阻器Rgxl的電阻。在設(shè)置在第三島143中的傳遞晶閘管Tl中，陽極端子是襯底80，陰極端子是形成在η型第四半導(dǎo)體層84的區(qū)115中的η型歐姆電極124，以及柵極端子Gtl是形成在通過蝕刻并移除η型第四半導(dǎo)體層84而露出的ρ型第三半導(dǎo)體層83上的ρ型歐姆電極135。在設(shè)置在同一第三島143中的耦合二極管Dxl中，陰極端子是設(shè)置在η型第四半導(dǎo)體層84的區(qū)113中的η型歐姆電極123，而陽極端子是ρ型第三半導(dǎo)體層83。用作陽極端子的P型第三半導(dǎo)體層83連接至傳遞晶間管Tl的柵極端子Gtl。在設(shè)置在第四島144中的啟動二極管DxO中，陰極端子是設(shè)置在η型第四半導(dǎo)體層84的區(qū)(無參考標(biāo)號)上的η型歐姆電極(無參考標(biāo)號)，陽極端子是形成在通過蝕刻并移除η型第四半導(dǎo)體層84而露出的ρ型第三半導(dǎo)體層83上的ρ型歐姆電極(無參考標(biāo)號)。與設(shè)置在第二島142中的電源線電阻器Rgxl —樣，分別設(shè)置在第五島145和第六島146中的限流電阻器Rl和R2均使用形成在通過蝕刻并移除η型第四半導(dǎo)體層84而露出的P型第三半導(dǎo)體層83上的成對的ρ型歐姆電極(無參考標(biāo)號)之間的ρ型第三半導(dǎo)體層83作為其電阻?；趫D8Α描述如何連接這些元件。在第一島141中，用作發(fā)光晶閘管Ll的柵極端子Gll的ρ型第三半導(dǎo)體層83用于肖特基寫入二極管SDwl的陽極端子和連接電阻器Ral的一個端子這二者。CN 102244071 A
說明書
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作為連接電阻器Ral的另一個端子的P型歐姆電極132連接至作為第三島143中的傳遞晶閘管Tl的柵極端子Gtl的P型歐姆電極135。作為發(fā)光晶閘管Ll的陰極端子的η型歐姆電極121連接至點(diǎn)亮信號線75。點(diǎn)亮信號線75連接至φ 端子。作為肖特基寫入二極管SDwl的陰極端子的肖特基電極151連接至選擇信號線74。 選擇信號線74連接至cpW端子。作為設(shè)置在第二島142中的電源線電阻器Rgxl的一個端子的ρ型歐姆電極133 連接至作為設(shè)置在第一島141中的連接電阻器Ral的另一個端子的ρ型歐姆電極132。作為電源線電阻器Rgxl的另一個端子的P型歐姆電極134連接至電源線71。電源線71連接至Vga端子。作為設(shè)置在第三島143中的傳遞晶閘管Tl的陰極端子的η型歐姆電極IM連接至第一傳遞信號線72。第一傳遞信號線72通過設(shè)置在第五島145中的限流電阻器Rl連接至φ 端子。作為設(shè)置在第三島143中的耦合二極管Dxl的陰極端子的η型歐姆電極123連接至作為相鄰設(shè)置的傳遞晶閘管Τ2的柵極端子Gt2的ρ型歐姆電極(無參考標(biāo)號)。另一方面，作為設(shè)置在第三島143中的傳遞晶閘管Tl的柵極端子Gtl的ρ型歐姆電極135連接至作為設(shè)置在第四島144中的啟動二極管DxO的陰極端子、且形成在η型第四半導(dǎo)體層84上的η型歐姆電極(無參考標(biāo)號)。作為設(shè)置在第四島144中的啟動二極管DxO的陽極端子、并形成在ρ型第三半導(dǎo)體層83上的ρ型歐姆電極(無參考標(biāo)號)連接至η型歐姆電極(無參考標(biāo)號)，該η型歐姆電極是各偶數(shù)編號的傳遞晶閘管Τ2，Τ4，Τ6，…的陰極端子、且形成在η型第四半導(dǎo)體層 84上，且該ρ型歐姆電極還通過設(shè)置在第六島146中的限流電阻器R2連接至φ2端子。盡管此處未描述，但是對于其他的發(fā)光晶閘管L、傳遞晶閘管Τ、耦合二極管Dx、肖特基寫入二極管SDw、連接電阻器Ra、和電源線電阻器Rgx來說，也是這樣。圖6所示的發(fā)光陣列單元S-Al (S-A)的電路構(gòu)造如上所述。應(yīng)該注意，發(fā)光陣列單元S-B被構(gòu)造為使得設(shè)置在第一島141(其具有發(fā)光陣列單元S-A中的發(fā)光晶閘管Li)中的ρ型歐姆電極132連接至傳遞晶閘管T2的柵極端子Gt2。 換言之，發(fā)光陣列單元S-B的平面布局是可通過使發(fā)光晶閘管L的位置向圖8A的右側(cè)移動一定距離來得到，其中該距離為圖8A所示的發(fā)光陣列單元S-A的平面構(gòu)造中的發(fā)光晶閘管 Ll和發(fā)光晶閘管L3之間的距離的1/2。因此，此處不詳細(xì)描述發(fā)光陣列單元S-B的平面布局和截面。接下來，描述發(fā)光裝置65的操作。發(fā)光裝置65包括屬于發(fā)光陣列單元組#a的發(fā)光陣列單元S_A1至S-A20和屬于發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20 (見圖3至圖5)。如圖4C所示，基準(zhǔn)電位Vsub和電源電位Vga被共同提供至電路板62上的所有的發(fā)光陣列單元S-A (發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20)和發(fā)光陣列單元S-B (發(fā)光陣列單元S-Bl 至 S-B20)。此外，第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2被共同發(fā)送至電路板62上的所有的發(fā)光陣列單元S-A(發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20)和發(fā)光陣列單元S-B (發(fā)光陣列單元S-Bl至 S-B20)。點(diǎn)亮信號cpla被共同發(fā)送至發(fā)光陣列單元組#a的發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20。從而，發(fā)光陣列單元組#a的發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20被并行驅(qū)動。點(diǎn)亮信號φΠ 被共同發(fā)送至發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20。從而，發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20被并行驅(qū)動。同時，選擇信號CpWl至φW20 (φ\ν)被共同發(fā)送至各發(fā)光陣列單元級#1至#20，
每個發(fā)光陣列單元級都包括發(fā)光陣列單元組#a的一個發(fā)光陣列單元S-A和發(fā)光陣列單元組#b的一個發(fā)光陣列單元S-B。例如，選擇信號cpWl被共同發(fā)送至發(fā)光陣列單元級#1，其中發(fā)光陣列單元級#1包括發(fā)光陣列單元組#a的發(fā)光陣列單元S-Al和發(fā)光陣列單元組#b 的發(fā)光陣列單元S-B1。在同一時刻并行發(fā)送這二十個選擇信號cpWl至(pW20。從而，并行驅(qū)動發(fā)光陣列單元級#1至#20。應(yīng)該注意，可以在不同時刻發(fā)送選擇信號(pW 1至φ W20。由于發(fā)光陣列單元組fe的發(fā)光陣列單元S-A2至S-A20與發(fā)光陣列單元S-Al并行驅(qū)動，因此此處只需要描述發(fā)光陣列單元S-Al的操作。此外，由于發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-B2至S-B20與發(fā)光陣列單元S-Bl并行驅(qū)動，因此此處只需要描述發(fā)光陣列單元S-Bl的操作。同樣，由于發(fā)光陣列單元級#2至#20與發(fā)光陣列單元級#1并行驅(qū)動， 因此此處只需描述具有發(fā)光陣列單元S-Al和S-Bl的發(fā)光陣列單元級#1的操作。圖9是用于說明第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光裝置65和發(fā)光陣列單元S-A和S-B 的操作的時序圖。盡管如上所述只需描述發(fā)光陣列單元S-A和S-B的操作，但是圖9示出了不僅說明發(fā)光陣列單元級#1 (發(fā)光陣列單元S-Al和S-B1)的操作，而且還說明發(fā)光陣列單元級 #2 (發(fā)光陣列單元S-A2和S-B^和發(fā)光陣列單元級#3 (發(fā)光陣列單元S-A3和S-B； )的操作的時序圖。圖9所示的時序圖示出了用于控制點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮發(fā)光陣列單元S-A中每一個的發(fā)光晶閘管Li，L3，L5，和L7、以及發(fā)光陣列單元S-B中每一個的發(fā)光晶閘管L2，L4，L6， 和L8的部分。應(yīng)該注意，以下將對發(fā)光晶閘管L的點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的控制稱作點(diǎn)亮控制。此處，在發(fā)光陣列單元級#1中，發(fā)光陣列單元S-Al中的發(fā)光晶閘管L1，L3，L5，和 L7、以及發(fā)光陣列單元S-Bl中的發(fā)光晶閘管L2，L4，L6，和L8將被點(diǎn)亮。在發(fā)光陣列單元級#2中，發(fā)光陣列單元S-A2中的發(fā)光晶閘管L3，L5，和L7、以及發(fā)光陣列單元S-B2中的發(fā)光晶閘管L2，L6，和L8將被點(diǎn)亮，且發(fā)光陣列單元S-A2中的發(fā)光晶閘管Ll和發(fā)光陣列單元S-B2中的發(fā)光晶閘管L4將不被點(diǎn)亮(未被點(diǎn)亮)。在發(fā)光陣列單元級#3中，發(fā)光陣列單元S-A3中的發(fā)光晶閘管Li，L3，L5，和L7、以及發(fā)光陣列單元S-B3中的發(fā)光晶閘管L2， L4, L6，和L8將被點(diǎn)亮，且在不同于選擇信號cpWl的時刻發(fā)送選擇信號φ\Υ3。下面主要描述發(fā)光陣列單元級#1的發(fā)光陣列單元S-Al和S-Bl的操作。假設(shè)在圖9中時間按字母順序從時間點(diǎn)a推移到時間點(diǎn)U。在發(fā)光陣列單元組#a中，在從時間點(diǎn)c到時間點(diǎn)η的周期Ta(I)中對發(fā)光陣列單元S-A1，S_A2，和S-A3中每一個的發(fā)光晶閘管Ll進(jìn)行點(diǎn)亮控制。在從時間點(diǎn)η到時間點(diǎn)q 的周期T乂2)中對發(fā)光陣列單元S-Al，S-A2，和S-A3中每一個的發(fā)光晶閘管L3進(jìn)行點(diǎn)亮控制。在從時間點(diǎn)q到時間點(diǎn)s的周期Ta(3)中對發(fā)光陣列單元S_A1，S_A2，和S_A3中每一個的發(fā)光晶閘管L5進(jìn)行點(diǎn)亮控制。在從時間點(diǎn)s到時間點(diǎn)u的周期T乂4)中對發(fā)光陣
19列單元S-A1，S-A2，和S-A3中每一個的發(fā)光晶閘管L7進(jìn)行點(diǎn)亮控制。以相同的方式，對發(fā)光晶閘管L9和其余的發(fā)光晶閘管L進(jìn)行點(diǎn)亮控制。在發(fā)光陣列單元組#b中，在從時間點(diǎn)h到時間點(diǎn)ρ的周期Tb (1)中對發(fā)光陣列單元S-B1，S-B2，和S-B3中每一個的發(fā)光晶閘管L2進(jìn)行點(diǎn)亮控制。在從時間點(diǎn)ρ到時間點(diǎn)r 的周期TM2)中對發(fā)光陣列單元S-Bl，S-B2，和S-B3中每一個的發(fā)光晶閘管L4進(jìn)行點(diǎn)亮控制。在從時間點(diǎn)r到時間點(diǎn)t的周期Tb (3)中對發(fā)光陣列單元S-B1，S-B2，和S-B3中每一個的發(fā)光晶閘管L6進(jìn)行點(diǎn)亮控制。在從時間點(diǎn)t開始的周期TM4)中對發(fā)光陣列單元 S-Bl, S-B2，和S-B3中每一個的發(fā)光晶閘管L8進(jìn)行點(diǎn)亮控制。以相同的方式，對發(fā)光晶閘管LlO和其余的發(fā)光晶閘管L進(jìn)行點(diǎn)亮控制。在第一示例性實(shí)施例中，周期Ta⑴，Ta (2), Ta (3),…和周期Tb(I)，Tb (2), Tb (3)，…具有相同的長度，并且當(dāng)彼此不進(jìn)行區(qū)分時將它們稱為周期T。對發(fā)光陣列單元組#a的發(fā)光陣列單元S-Al至S-A20進(jìn)行控制的周期Ta(I)， Ta (2)，Ta (3)，…與對發(fā)光陣列單元組#b的發(fā)光陣列單元S-Bl至S-B20進(jìn)行控制的周期 Tb(I), Tb (2), Tb (3),…錯開周期T的半個長度(在相位上為180度)。換言之，在周期 Ta(I)啟動后經(jīng)過周期T的半個周期長度之后，啟動周期Tb(I)。因此，下面將給出關(guān)于對發(fā)光陣列單元組#a的發(fā)光陣列單元S-Al進(jìn)行控制的周期 Ta(I)，TaO)，Ta(3)，…的描述。應(yīng)該注意，只要保持下述各信號間的關(guān)系，周期T的長度就可變。除了根據(jù)圖像數(shù)據(jù)改變的選擇信號CpW (tpWl至(pW20)的波形外，周期Ta(I)， Ta (2)，Ta (3)，…中的信號波形是相同波形的重復(fù)。因此，下面描述從時間點(diǎn)c到時間點(diǎn)η的周期Ta(I)。應(yīng)該注意，從時間點(diǎn)a到時間點(diǎn)c的周期是發(fā)光陣列單元S-Al和S-Bl開始操作的周期。下面在操作說明中描述該周期期間的各信號。首先，給出第一傳遞信號φι和第二傳遞信號φ2在周期Ta(I)中的信號波形的描述。第一傳遞信號φ 在時間點(diǎn)c為低電平電位(以下稱為“L”)，在時間點(diǎn)g從“L”變換為高電平電位(以下稱為“H”)，在時間點(diǎn)k從“H”變換為“L”，以及在時間點(diǎn)η保持為 “L”。第二傳遞信號φ2在時間點(diǎn)c為“H”，在時間點(diǎn)f從“H”變換為“L”，在時間點(diǎn)1從 “L”變換為“H”，以及在時間點(diǎn)η保持為“H”。在周期Ta⑵，Ta (3)，…中重復(fù)第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2在周期Ta⑴ 中的信號波形。第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2具有以周期T重復(fù)的波形。在第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2之間進(jìn)行比較，第二傳遞信號φ2的信號波形為將第一傳遞信號φ 在周期Ta(I)中的信號波形在時間軸上移動周期T的半個長度(相位上為180度)而到達(dá)一個延遲點(diǎn)。第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2的信號波形交替重復(fù)“H”和“L”，其間有兩者皆為“L”的周期(諸如從時間點(diǎn)f到時間點(diǎn)g)。除了從時間點(diǎn)a到時間點(diǎn)b的周期以外， 第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2不具有二者同時為“H”的周期。成對的傳遞信號，即第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2，使圖6和圖7所示的傳遞晶閘管T如稍后所述那樣順序進(jìn)入ON狀態(tài)，從而將(要進(jìn)行點(diǎn)亮控制的)發(fā)光晶閘管L設(shè)置為點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的控制對象。接下來，給出點(diǎn)亮信號CpIa和φΠ)在周期Ta⑴中的信號波形的描述。點(diǎn)亮信號cpla和樹b為發(fā)光晶閘管L提供點(diǎn)亮(發(fā)光)所需的電流，如稍后所述。點(diǎn)亮信號(pla在周期Ta (1)開始處的時間點(diǎn)C從“H”變換為“L”，在時間點(diǎn)m從 “L”變換為“H”，以及在周期Ta⑴結(jié)束處的時間點(diǎn)η從“H”變換為“L”。在周期Ta⑵， Ta(3),…中重復(fù)點(diǎn)亮信號CpIa在周期Ta⑴中的波形。點(diǎn)亮信號糾b在時間點(diǎn)c為“H”，在時間點(diǎn)h(周期Tb(I)開始處)從“H”變換為 “L”，并在時間點(diǎn)η保持為“L”。然后，點(diǎn)亮信號(plb在周期Ta⑵中的時間點(diǎn)ο從“L”變換為“H”，并在時間點(diǎn)ρ(周期Tb(I)結(jié)束處)從“H”變換為“L”。因此，聚焦于周期Tb(l)， 點(diǎn)亮信號φΠ 在周期Tb(I)中的波形與點(diǎn)亮信號(pla在周期Ta(I)中的波形相同。點(diǎn)亮信號 (plb的波形為將點(diǎn)亮信號cpla在時間軸上移動周期T的半個長度(相位上為180度)而到達(dá)一個延遲點(diǎn)。在周期TM2)，Tb(3)，…中重復(fù)點(diǎn)亮信號φΠ)在周期Tb(I)中的波形。接下來，描述選擇信號q>W ((pWl至cpW20 )。發(fā)送至發(fā)光陣列單元S-Al和S-Bl的選擇信號CpWl在時間點(diǎn)c為“L”，在時間點(diǎn) d從“L”變換為“H”，并在時間點(diǎn)e從“H”變換為“L”。此外，選擇信號CpWl在時間點(diǎn)i從 “L”變換為“H”，并在時間點(diǎn)j從“H”變換為“L”。換言之，選擇信號cpWl在周期Ta⑴中具有兩個“L”周期。第一傳遞信號φ 、第二傳遞信號φ2、和選擇信號(pWl間的關(guān)系如下。選擇信號 cpWl在從時間點(diǎn)d到時間點(diǎn)e的周期期間為“H”，該周期包括在其中第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2中只有第一傳遞信號φ 為“L”的從時間點(diǎn)c到時間點(diǎn)f的周期中。此外，選擇信號cpWl在從時間點(diǎn)i到時間點(diǎn)j的周期期間為“H”，該周期包括在其中第一傳遞信號 φ 和第二傳遞信號φ2中只有第二傳遞信號φ2為“L”的從時間點(diǎn)g到時間點(diǎn)k的周期中。換言之，在周期Ta(I)中，發(fā)光陣列單元S-Al的發(fā)光晶閘管Ll在其中選擇信號 (pWl首先變?yōu)椤癏”的周期(從時間點(diǎn)d到時間點(diǎn)e)中變換為點(diǎn)亮狀態(tài)，而發(fā)光陣列單元 S-Bl的發(fā)光晶閘管L2在其中選擇信號cpWl后來變?yōu)椤癏”的周期(從時間點(diǎn)i到時間點(diǎn)j) 中變換為點(diǎn)亮狀態(tài)。因此，在周期Tb(I)中，選擇信號cpWl在其中選擇信號cpWl后來變?yōu)?“H”的周期(從時間點(diǎn)i到時間點(diǎn)j)中為“H”。點(diǎn)亮信號cpla和(plb，以及選擇信號cpWl間的關(guān)系如下。在周期Ta⑴中，選擇信號 cpWl為“H”的周期(從時間點(diǎn)d到時間點(diǎn)e)在其中點(diǎn)亮信號cpla為“L”的周期(從時間點(diǎn) c到時間點(diǎn)m)的周期中。類似地，在周期Tb(I)中，選擇信號cpWl為“H”的周期(從時間點(diǎn)i到時間點(diǎn)j)在其中點(diǎn)亮信號樹b為“L”的周期(從時間點(diǎn)h到時間點(diǎn)ο)的周期中。如稍后描述，發(fā)光晶閘管L在選擇信號(pW (cpW垤tpW20)為“H”以及點(diǎn)亮信號 cpl ((pla和cplb)為“L”時變換為點(diǎn)亮狀態(tài)。具體地，假設(shè)選擇信號cpW (cpWl至cpW20)的“H”和“L”分別為“1”和“0”以及點(diǎn)亮信號φ (cpla和cplb)的“L”和“H”分別為“ 1，，和“0”，則發(fā)光晶閘管L在選擇信號cpW (cpWl至cpW20)與點(diǎn)亮信號φ (cpla和(plb)的邏輯乘積為“ 1”時變換為點(diǎn)亮狀態(tài)。如圖9所示，共同發(fā)送至發(fā)光陣列單元S-Al和S-Bl的選擇信號cpWl在時間軸上 (時序上)具有彼此錯開的“H”周期，各“H”周期都使發(fā)光陣列單元S-Al和S-Bl中相應(yīng)的一個發(fā)光陣列單元的發(fā)光晶閘管L進(jìn)入點(diǎn)亮狀態(tài)。在描述發(fā)光裝置65和發(fā)光陣列單元S-A和S-B的操作之前，先給出晶閘管(傳遞晶閘管T和發(fā)光晶閘管L)的基本操作。這些晶閘管均為具有三個端子的半導(dǎo)體器件，這三個端子是陽極端子、陰極端子和柵極端子。下面作為實(shí)例，提供給作為圖6至圖8A中所示的晶閘管的陽極端子的Vsub端子的基準(zhǔn)電位Vsub被設(shè)置為0V( “H”)，以及提供給Vga端子的電源電位Vga被設(shè)置為-3. 3V( “L”)。此外，如圖8A和圖8B所示，這些晶閘管通過層壓由GaAsjGaAlAs等形成的P型半導(dǎo)體層和η型半導(dǎo)體層而形成。ρη結(jié)的擴(kuò)散電位Vd(正向電位)設(shè)置為1. 5V，肖特基結(jié)(勢壘)的正向電位Vs設(shè)置為0.5V。下面的描述使用了這些數(shù)字值。當(dāng)將低于閾值電壓V的電位(負(fù)的大電位)施加至晶閘管的陰極端子時，沒有電流在其陽極端子和陰極端子之間流過的該晶閘管變換為ON狀態(tài)(S卩，導(dǎo)通)。導(dǎo)通時，該晶閘管處于其中電流在其陽極端子和陰極端子之間流過的狀態(tài)(ON狀態(tài))。此處，該晶閘管的閾值電壓為通過從柵極端子的電位中減去擴(kuò)散電位而得到的值。從而，當(dāng)晶閘管的柵極端子的電位為-I. 5V時，閾值電壓為-3. 0V。因此，當(dāng)將低于-3. OV的電壓施加至晶閘管的陰極端子時，該晶閘管導(dǎo)通。在處于ON狀態(tài)的晶閘管中，其柵極端子的電位變?yōu)榻咏谄潢枠O端子的電位。由于此處將陽極端子設(shè)置為OV( “H”)，因此在假設(shè)柵極端子的電位變?yōu)镺V( “H”)的情況下給出下述描述。此外，處于ON狀態(tài)的晶閘管的陰極端子變?yōu)榈扔讦薛墙Y(jié)的擴(kuò)散電位Vd。因此，此處陰極端子的電位變?yōu)?1. 5V。一旦晶閘管導(dǎo)通，該晶閘管就保持其ON狀態(tài)直到陰極端子的電位達(dá)到高于使其保持ON狀態(tài)所需的電位(保持電位)的電位(即，達(dá)到負(fù)的小電位)。由于處于ON狀態(tài)的晶閘管的陰極端子的電位為-1. 5V，因此當(dāng)將高于-1. 5V的電位施加至陰極端子時，晶閘管變換為OFF狀態(tài)(即，關(guān)斷)。例如，當(dāng)陰極端子變?yōu)椤癏”(OV)時，陰極端子和陽極端子具有相同的電位，從而該晶閘管關(guān)斷。另一方面，當(dāng)將低于-1. 5V的電位持續(xù)施加至晶閘管的陰極并且提供使該晶閘管保持處于ON狀態(tài)的電流時，該晶閘管保持其ON狀態(tài)。如上所述，處于ON狀態(tài)的晶閘管根據(jù)柵極端子的電位保持有電流流過的狀態(tài)，并且不變換為ON狀態(tài)。換言之，該晶閘管具有保持(記憶或維持)其ON狀態(tài)的功能。如所述，持續(xù)施加至陰極端子以使晶閘管保持其ON狀態(tài)的保持電位可以高于(絕對值小于)施加至陰極端子的電位，以使該晶閘管導(dǎo)通。應(yīng)該注意，發(fā)光晶閘管L導(dǎo)通時點(diǎn)亮(發(fā)光)，而在關(guān)斷時熄滅(不點(diǎn)亮)。晶閘管L的發(fā)光輸出(亮度)取決于陰極端子和陽極端子間流過的電流。此外，在描述發(fā)光裝置65和發(fā)光陣列單元S-A和S-B的操作之前，先給出對肖特基寫入二極管SDw的操作的描述。每個肖特基寫入二極管SDw和連接電阻器Ra對都形成兩輸入AND電路ANDl。利用圖6所示的發(fā)光陣列單元S-Al中的點(diǎn)滑線所包圍的肖特基寫入二極管SDwl 和連接電阻器Ral來描述該兩輸入AND電路ANDl。該兩輸入AND電路ANDl被構(gòu)造為將肖特基寫入二極管SDwl的陽極端子連接至作為連接電阻器Ral的一個端子的0端子。然后，作為連接電阻器Ral的另一個端子的X端子連接至傳遞晶閘管Tl的柵極端子Gtl。作為肖特基寫入二極管SDwl的陰極端子的Y端子連接至選擇信號線74。如前所述，選擇信號線74連接至cpW端子，選擇信號cpWl被發(fā)送至該φ W端子。連接電阻器Ral的0端子連接至發(fā)光晶閘管Ll的柵極端子G11。X端子和Y端子用作輸入端子，而0端子用作輸出端子。對于連接電阻器Ral的X端子的電位(稱作Gt (X))為“H”(OV)，-1. 5V，以及小于-2. 8V(Gt (X) < -2. 8V)這三種情況中的每一種情況，表1示出了(pW端子(兩輸入AND 電路ANDl的Y端子)的電位和作為發(fā)光晶閘管Ll的柵極端子Gll的0端子的電位之間的關(guān)系。下文中，(pW端子的電位稱作φλ￥(Υ)，0端子的電位稱作Gl (0)。假設(shè)傳遞晶閘管Tl的柵極端子Gtl (Gt⑴)為“H” (OV)。如果發(fā)送至φW端子的選擇信號CpWl為“L” (-3. 3V) (tpW(Y))，則在正向上給肖特基寫入二極管SDwl施加了一個電壓(即，肖特基寫入二極管SDwl正偏)。于是0端子(Gl(O))變?yōu)?2. 8V，該電壓可以由從“L”(-3.3V)減去為0.5V的肖特基結(jié)(勢壘)的正向電位Vs得到。于是，發(fā)光晶閘管 Ll的閾值電壓變?yōu)?4. 3V，從而即使點(diǎn)亮信號cpla為“L” (-3. 3V)，發(fā)光晶閘管Ll也不點(diǎn)亮 (發(fā)光)。另一方面，假設(shè)發(fā)送至(pW端子的選擇信號q>Wl為“H” (OV) ((pW(Y))。于是，由于此處的柵極端子Gtl (Gt (X))為“H”(OV)，因此Gl(O)也變?yōu)椤癏”(0V)。于是，發(fā)光晶閘管Ll的閾值電壓變?yōu)?1.5V，從而如果cpla為“L”(-3. 3V)，則發(fā)光晶閘管Ll點(diǎn)亮(發(fā)光)。接下來，假設(shè)傳遞晶閘管Tl的柵極端子Gtl (Gt (X))為-1. 5V。如果發(fā)送至φW端子的選擇信號cpWl為“L”(-3.3V) (cpW(Y))，則肖特基寫入二極管SDwl正偏。于是0端子的電位Gl(O)變?yōu)?2. 8V，該電壓可以由從“L” (-3. 3V)減去為0. 5V的肖特基寫入二極管SDwl的正向電位得到。另一方面，如果發(fā)送至cpW端子的選擇信號(pWl為“H”(OV) (φ\ν(Υ))，則在反向上給肖特基寫入二極管SDwl施加了一個電壓(即，肖特基寫入二極管SDwl反偏)。因此， 0端子的電位(Gl(O))變?yōu)?1.5V，該電壓是X端子的電位(Gt(X))。于是，發(fā)光晶閘管Ll 的閾值電壓變?yōu)?3V。現(xiàn)在假設(shè)傳遞晶閘管Tl的柵極端子Gtl (Gt⑴)小于_2. 8V (Gt⑴< _2. 8V)，其中-2.8V可以由從“L”(-3.3V)減去為0.5V的肖特基結(jié)(勢壘)的正向電位Vs得到。如果發(fā)送至cpW端子的選擇信號cpWl為“L”(-3. 3V) (cpW(Y))，則肖特基寫入二極管SDwl不正偏，從而0端子的電位(Gl(O))變?yōu)榈扔赬端子的電位(Gt(X))。此外，當(dāng)發(fā)送至(pW端子的選擇信號tpWl為“H” (OV) (cpW(Y))W，肖特基寫入二極管SDwl反偏，從而0端子的電位(Gl(O))變?yōu)榈扔赬端子的電位(Gt(X))。于是，當(dāng)Gt(X) < -2. 8V時，發(fā)光晶閘管Ll的閾值電壓小于_4. 3V。因此，當(dāng)Gt (X)和CpW(Y)的電位(信號)為“H” (OV)時，(Gl(O))的電位(信號) 變?yōu)椤?1”(0力，從而發(fā)光晶閘管1^點(diǎn)亮(發(fā)光)。因此，該兩輸入AND電路ANDl用作兩輸入 AND。表權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，包括多個發(fā)光陣列單元，每個發(fā)光陣列單元都包括多個發(fā)光元件，并且每個發(fā)光元件的點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮都是利用用于選擇點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的控制對象的選擇信號、和用于向構(gòu)成所述多個發(fā)光元件的每個發(fā)光元件提供點(diǎn)亮電源的點(diǎn)亮信號的組合進(jìn)行控制；選擇信號產(chǎn)生單元，其向所述多個發(fā)光陣列單元發(fā)送包括所述選擇信號的多個選擇信號；以及點(diǎn)亮信號產(chǎn)生單元，其向所述多個發(fā)光陣列單元發(fā)送包括所述點(diǎn)亮信號的多個點(diǎn)亮信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，針對通過對所述多個發(fā)光陣列單元進(jìn)行劃分而形成的多個級來逐一分別發(fā)送所述多個選擇信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其中，所述多個選擇信號中的每一個都按時間順序發(fā)送至所述多個級中相應(yīng)的一個級所包含的發(fā)光陣列單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，針對通過對所述多個發(fā)光陣列單元進(jìn)行劃分而形成的多個組，逐一分別提供所述多個發(fā)光信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其還包括傳遞信號產(chǎn)生單元，其發(fā)送傳遞信號，所述傳遞信號將所述多個發(fā)光陣列單元中的每一個發(fā)光陣列單元中所包含的所述多個發(fā)光元件順序設(shè)置為進(jìn)行點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的控制對象。
6.一種發(fā)光陣列單元，包括多個發(fā)光元件；多個傳遞元件，為所述多個發(fā)光元件分別提供所述多個傳遞元件，以及所述多個傳遞元件順序?qū)?gòu)成所述多個發(fā)光元件的發(fā)光元件設(shè)置為點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的控制對象；控制端子，通過所述控制端子來接收選擇信號以控制是否點(diǎn)亮被設(shè)置為控制對象的發(fā)光元件；以及點(diǎn)亮信號端子，通過所述點(diǎn)亮信號端子來接收點(diǎn)亮信號，以向被設(shè)置為控制對象的發(fā)光元件提供點(diǎn)亮電源。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光陣列單元，還包括多個AND電路，每個AND電路都設(shè)置在所述多個發(fā)光元件之一和對應(yīng)于所述多個發(fā)光元件之一而提供的所述多個傳遞元件之一之間，每個AND電路都對發(fā)送給所述控制端子的選擇信號和來自所述多個傳遞元件之一的信號的輸入進(jìn)行接收，并向所述多個發(fā)光元件之一輸出信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光陣列單元，其中，所述發(fā)光陣列單元中的所述多個傳遞元件是多個傳遞晶間管，每個傳遞晶間管都具有第一柵極端子、第一陽極端子和第一陰極端子，以及所述多個發(fā)光元件是多個發(fā)光晶間管，每個發(fā)光晶間管都具有第二柵極端子、第二陽極端子和第二陰極端子，所述發(fā)光陣列單元還包括多個第一電氣部件，每個第一電氣部件都將所述多個傳遞晶閘管的第一柵極端子中的兩個第一柵極端子相互連接起來。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光陣列單元，其中，所述發(fā)光陣列單元中的所述多個AND電路中的每一個都包括第二電氣部件，其一端連接至所述多個傳遞晶間管中相應(yīng)的一個傳遞晶間管的第一柵極端子，其另一端連接至所述多個發(fā)光晶間管中相應(yīng)的一個發(fā)光晶間管的第二柵極端子； 以及第三電氣部件，其設(shè)置在所述多個發(fā)光晶間管中相應(yīng)的一個發(fā)光晶間管的控制端子和第二柵極端子之間。
10.一種打印頭，包括曝光單元，其對圖像載體進(jìn)行曝光以形成靜電潛像；以及光學(xué)單元，其將由所述曝光單元發(fā)出的光聚焦到圖像載體上， 所述曝光單元包括多個發(fā)光陣列單元，每個發(fā)光陣列單元都包括多個發(fā)光元件，并且每個發(fā)光元件的點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮都是利用用于選擇點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的控制對象的選擇信號、和用于向構(gòu)成所述多個發(fā)光元件的每個發(fā)光元件提供點(diǎn)亮電源的點(diǎn)亮信號的組合進(jìn)行控制；選擇信號產(chǎn)生單元，其向所述多個發(fā)光陣列單元發(fā)送包括所述選擇信號的多個選擇信號；以及點(diǎn)亮信號產(chǎn)生單元，其向所述多個發(fā)光陣列單元發(fā)送包括所述點(diǎn)亮信號的多個點(diǎn)亮信號。
11.一種圖像形成設(shè)備，包括 充電單元，其對圖像載體進(jìn)行充電；曝光單元，其對所述圖像載體進(jìn)行曝光以形成靜電潛像； 光學(xué)單元，其將由所述曝光單元發(fā)出的光聚焦到所述圖像載體上； 顯影單元，其對形成在圖像載體上的所述靜電潛像進(jìn)行顯影；以及轉(zhuǎn)印單元，其將在所述圖像載體上顯影的圖像轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印體， 所述曝光單元包括多個發(fā)光陣列單元，每個發(fā)光陣列單元都包括多個發(fā)光元件，并且每個發(fā)光元件的點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮都是利用用于選擇點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的控制對象的選擇信號、和用于向構(gòu)成所述多個發(fā)光元件的每個發(fā)光元件提供點(diǎn)亮電源的點(diǎn)亮信號的組合進(jìn)行控制；選擇信號產(chǎn)生單元，其向所述多個發(fā)光陣列單元發(fā)送包括所述選擇信號的多個選擇信號；以及點(diǎn)亮信號產(chǎn)生單元，其向所述多個發(fā)光陣列單元發(fā)送包括所述點(diǎn)亮信號的多個點(diǎn)亮信號。
12.一種用于多個發(fā)光陣列單元的光發(fā)射控制方法，其中，每個發(fā)光陣列單元都包括多個發(fā)光元件，所述多個發(fā)光元件的點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮都是利用用于選擇點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的控制對象的選擇信號、和用于向構(gòu)成所述多個發(fā)光元件的每個發(fā)光元件提供點(diǎn)亮電源的點(diǎn)亮信號的組合進(jìn)行控制，該光發(fā)射控制方法包括向通過對所述多個發(fā)光陣列單元進(jìn)行劃分而形成的多個級逐一分別發(fā)送包括上述選擇信號的多個選擇信號；以及向通過對所述多個發(fā)光陣列單元進(jìn)行劃分而形成的多個組逐一分別發(fā)送包括所述點(diǎn)亮信號的多個點(diǎn)亮信號。
全文摘要
本發(fā)明提供了發(fā)光裝置及陣列單元、打印頭、成像設(shè)備及發(fā)光控制方法。所述發(fā)光裝置包括多個發(fā)光陣列單元，每個發(fā)光陣列單元都包括多個發(fā)光元件，并且每個發(fā)光元件的點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮都是利用用于選擇點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的控制對象的選擇信號、和用于向構(gòu)成所述多個發(fā)光元件的每個發(fā)光元件提供點(diǎn)亮電源的點(diǎn)亮信號的組合進(jìn)行控制；選擇信號產(chǎn)生單元，其向所述多個發(fā)光陣列單元發(fā)送包括所述選擇信號的多個選擇信號；以及點(diǎn)亮信號產(chǎn)生單元，其向所述多個發(fā)光陣列單元發(fā)送包括所述點(diǎn)亮信號的多個點(diǎn)亮信號。
文檔編號H04N5/235GK102244071SQ20101058877
公開日2011年11月16日 申請日期2010年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月10日
發(fā)明者大野誠治 申請人:富士施樂株式會社