專利名稱：閃爍信號檢測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及閃爍信號(blinking-Signal)檢測裝置。
背景技術(shù)：
固體攝像裝置包括受光部，將分別具有光電二極管及電荷儲存部的MXN個像素部Pu PM,N 二維排列為M行N列；行選擇部，對于受光部的各像素部Pm,n，使在某個期間中由光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部中，并且逐行地輸出與各像素部Pm, n的該儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)；及讀出部，輸入自受光部的各像素部Pm, n輸出的數(shù)據(jù)并輸出與各像素部Pm,n的光電二極管的產(chǎn)生電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)，另外，有時還包括對自該讀出部輸出的數(shù)據(jù)進行AD轉(zhuǎn)換而輸出數(shù)字值的AD (analog-digital，模擬-數(shù)字)轉(zhuǎn)換部。這樣的固體攝像裝置可檢測到達受光部的各像素部Pm, n的光的強度而進行攝像。 另外，近年來，不僅使用這樣的固體攝像裝置進行攝像，也嘗試進行光通信。例如，在專利文獻1所公開的發(fā)明中，根據(jù)由固體攝像裝置的攝像所獲得的圖像數(shù)據(jù)，檢測受光部的所有像素部的各自的時間性強度變化是否為規(guī)定圖案，并將判斷為時間性強度變化為規(guī)定圖案的像素部特定為接收到光信號。而且，將來自該特定的像素部的數(shù)據(jù)設(shè)為光信號數(shù)據(jù)，由此，進行光通信。專利文獻專利文獻1 日本特開2007-3M705號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問題在專利文獻1所公開的發(fā)明中，為了特定受光部的MXN個像素部中接收光信號的像素部，需要用以存儲多幀的圖像數(shù)據(jù)的大容量的存儲部。另外，在專利文獻1所公開的發(fā)明中，為了特定接收光信號的像素部，需要光信號的閃爍圖案是已知的。本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的發(fā)明，其目的在于，提供一種無需大容量的存儲部，另外，無需光信號的閃爍圖案是已知的，而可特定接收光信號那樣的閃爍信號的像素部的閃爍信號檢測裝置。解決問題的技術(shù)手段本發(fā)明所涉及的閃爍信號檢測裝置的特征在于，包括(1)受光部，將MXN個像素部Pu PM,N 二維排列為M行N列，該MXN個像素部Pia PM,N分別具有產(chǎn)生與入射光量對應(yīng)的量的電荷的光電二極管、儲存該電荷的電荷儲存部、及用以輸出與電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)的開關(guān)；(2)行選擇部，將共同的時間寬度的第1期間及第2期間一前一后地設(shè)定，在第1期間，對于受光部的第Oi-D行的各像素部P2^n，使由光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部中，在第2期間，對于受光部的第2i行的各像素部P2i,η，使由光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部中，在第1期間及第2期間之后選擇受光部的各行，逐行地對于各像素部Pm, η閉合開關(guān)而輸出與電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)；(3)讀出部，輸入從行選擇部所選擇的受光部的各行的各像素部Pm,n輸出的數(shù)據(jù)，并輸出與各像素部Pm,n的光電二極管所產(chǎn)生的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)Dm,n ；及(4)檢測部，輸入自讀出部輸出的各數(shù)據(jù)Dm,n，并根據(jù)數(shù)據(jù)D2H^D2iin的差，檢測到達像素部P2H,n、P2i,n的光是否為閃爍信號。其中，M、N為2以上的整數(shù)，m為1以上且M以下的整數(shù)，η為1以上且N以下的整數(shù)， i為1以上且(M/2)以下的整數(shù)。本發(fā)明所涉及的閃爍信號檢測裝置中，通過行選擇部，將共同的時間寬度的第1 期間及第2期間一前一后地設(shè)定，在第1期間，使受光部的第Qi-I)行的各像素部I32^nW 光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部，在第2期間，使受光部的第2i行的各像素部 P2i, n的光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部，在第1期間及第2期間之后選擇受光部的各行，逐行地閉合各像素部Pm,n的開關(guān)而輸出與電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)。 在讀出部中，輸入從行選擇部所選擇的受光部的各行的各像素部Pm,n輸出的數(shù)據(jù)，并輸出與各像素部Pm, n的光電二極管所產(chǎn)生的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)Dm, n。而且，在檢測部中，輸入自讀出部輸出的各數(shù)據(jù)Dm,n，并根據(jù)數(shù)據(jù)D2H^D2iin的差，檢測到達像素部Ρ2Η,η、Ρ2 ,η的光是否為閃爍信號。本發(fā)明所涉及的閃爍信號檢測裝置也可以為，行選擇部一前一后地選擇受光部的第Oi-D行及第2i行，讀出部一前一后地輸出數(shù)據(jù)D2^n及數(shù)據(jù)D2i, η。本發(fā)明所涉及的閃爍信號檢測裝置更優(yōu)選為，(a)行選擇部同時選擇受光部的第Oi-I)行及第2i行，輸出與第Qi-I)行的各像素部P2^n的電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)，輸出與第2i行的各像素部P2i,n的電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)；(b)讀出部同時輸出與第Oi-I) 行的各像素部P2H, n的光電二極管所產(chǎn)生的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)D2^n、及與第2i行的各像素部P2i, n的光電二極管所產(chǎn)生的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)D2i, n ； (c)檢測部運算自讀出部同時輸出的數(shù)據(jù)D2iIP D2i的差。再者，也可以為，設(shè)置有第1行選擇部及第2行選擇部作為行選擇部，設(shè)置有第1讀出部及第2讀出部作為讀出部，通過第1行選擇部及第1讀出部而進行第Oi-D行的各像素部n的數(shù)據(jù)的讀出動作，通過第2行選擇部及第2讀出部而進行第2i行的各像素部P2i,n的數(shù)據(jù)的讀出動作，并列地進行由第1行選擇部及第1讀出部進行的數(shù)據(jù)讀出動作及由第2行選擇部及第2讀出部進行的數(shù)據(jù)讀出動作?；蛘撸景l(fā)明所涉及的閃爍信號檢測裝置的特征在于，包括(1)受光部，將MXN 個像素部Pu PM,n 二維排列為M行N列，該MXN個像素部Pu PM, n分別具有產(chǎn)生與入射光量對應(yīng)的量的電荷的光電二極管、儲存該電荷的電荷儲存部、及用以輸出與電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)的開關(guān)；( 行選擇部，依次設(shè)定共同的時間寬度的第1 第4 期間，在第1期間，對于受光部的第行的各像素部n，使由光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部中，在第2期間，對于受光部的第Gj-2)行的各像素部P^ n，使由光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部中，在第3期間，對于受光部的第Gj-I)行的各像素部P4H,n，使由光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部中，在第4期間，對于受光部的第4j行的各像素部，使由光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部中，在第4 期間之后，選擇受光部的各行，逐行地對于各像素部Pm,n閉合開關(guān)而輸出與電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)；C3)讀出部，輸入從行選擇部所選擇的受光部的各行的各像素部Pm, n 輸出的數(shù)據(jù)，并輸出與各像素部Pm, n的光電二極管所產(chǎn)生的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)Dm,n ；及
檢測部，輸入自讀出部輸出的各數(shù)據(jù)Dm, n，并根據(jù)數(shù)據(jù)D4j_3,n、D4j-U的差與數(shù)據(jù)D4j_2,n、D4j, n的差之和，檢測到達像素部P4j-3,n、P4j-2,n、P4H^P4jin的光是否為閃爍信號。其中，M、N為2 以上的整數(shù)，m為1以上且M以下的整數(shù)，η為1以上且N以下的整數(shù)，j為1以上且(M/4) 以下的整數(shù)。本發(fā)明所涉及的閃爍信號檢測裝置中，通過行選擇部，依次設(shè)定共同的時間寬度的第1 第4期間，在第1期間使受光部的第行的各像素部Ρ4ρ,η的光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部，在第2期間使受光部的第Gj-幻行的各像素部P^n的光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部，在第3期間使受光部的第Gj-I)行的各像素部 Ρ4Η,η的光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部，在第4期間使受光部的第4j行的各像素部P4“的光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部，在第4期間之后選擇受光部的各行，逐行地閉合各像素部Pm,n的開關(guān)而輸出與電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)。在讀出部中，輸入從行選擇部所選擇的受光部的各行的各像素部Pm,n輸出的數(shù)據(jù)，并輸出與各像素部Pm,n的光電二極管所產(chǎn)生的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)Dm,n。而且，在檢測部中，輸入自讀出部輸出的各數(shù)據(jù)Dm,n，并根據(jù)數(shù)據(jù)D4^n、D4H,n的差與數(shù)據(jù)D4^,n，D4j,n的差之和，檢測到達像素部P4j_3,n> P4j-2, > P4j-I, > P4j,n的光是否為閃爍信號。發(fā)明的效果本發(fā)明所涉及的閃爍信號檢測裝置，無需大容量的存儲部，無需光信號的閃爍圖案是已知的，而可特定接收光信號那樣的閃爍信號的像素部。


圖1是表示第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的概略構(gòu)成的圖。圖2是表示第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的讀出部30的構(gòu)成的圖。圖3是表示第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的像素部Pm,n及保持部31n 的電路構(gòu)成的圖。圖4是表示第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的差運算部33的電路構(gòu)成的圖。圖5是表示第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的行選擇部20的構(gòu)成的一部分的圖。圖6是表示第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的檢測部40的構(gòu)成的圖。圖7是表示第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的動作的一例的時序圖。圖8是對第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的動作進行說明的圖。圖9是表示第2實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置2的概略構(gòu)成的圖。圖10是表示第2實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置2的第1讀出部SO1及第2 讀出部302的各自的構(gòu)成的圖。圖11是表示第2實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置2的像素部Pm,n及第1讀出部SO1的保持部3 In的電路構(gòu)成的圖。圖12是表示第3實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置3的概略構(gòu)成的圖。圖13是表示第3實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置3的檢測部40B的構(gòu)成的圖。圖14是對第3實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置3的動作進行說明的圖。
符號的說明1 3閃爍信號檢測裝置10受光部20、20!、202、20B 行選擇部30、3(ν302 讀出部SI1-SIn 保持部32列選擇部33差運算部40、40Α、40Β 檢測部41、41! 413 存儲部42、43 運算部50、50A、50B 控制部Plil PM,N 像素部L1 Ln、Ll1 LIn, 12, L2N讀出信號線LT1 LTm、LR1 LIV LH1 LHM、LAl1 LA1M、LA2, LA& 控制信號線
具體實施例方式以下，參照附圖，詳細地說明用以實施本發(fā)明的方式。再者，附圖的說明中，對于相同要素附上相同符號，省略重復的說明。(第1實施方式)圖1是表示第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的概略構(gòu)成的圖。該圖所示的閃爍信號檢測裝置1包括受光部10、行選擇部20、讀出部30、檢測部40及控制部50。受光部10包含MXN個像素部Plil PM,N。MXN個像素部Pia PM, N具有共同的構(gòu)成，二維排列為M行N列。各像素部Pm,n位于第m行第η列。此處，Μ、Ν為2以上的整數(shù)， m為1以上且M以下的各整數(shù)，η為1以上且N以下的各整數(shù)。各像素部Pm, η具有產(chǎn)生與入射光量對應(yīng)的量的電荷的光電二極管、及儲存該電荷的電荷儲存部。各像素部Pm,η根據(jù)經(jīng)由控制信號線而自行選擇部20接收的各種控制信號， 將光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部，并向讀出信號線1^輸出與該電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)。行選擇部20輸出用以控制受光部10的各像素部Pm,η的動作的各種控制信號。更具體而言，行選擇部20，在第1期間，對于受光部10的第Qi-I)行的各像素部P2^n，使由光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部中。另外，行選擇部20，在第2期間，對于受光部10的第2i行的各像素部P2i,n，使由光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部中。而且，行選擇部20，在第1期間及第2期間之后，選擇受光部10的各行，并逐行地對于各像素部Pm,n輸出與電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)。此處，第1期間及第2期間是一前一后的期間且具有共同的時間寬度，i為1以上且(M/2)以下的各整數(shù)。讀出部30與N根讀出信號線L1 Ln連接，輸入從行選擇部20所選擇的受光部10 的第m行的各像素部Pm,n向讀出信號線Ln輸出的數(shù)據(jù)，并向檢測部40輸出與第m行的各像素部Pm,n的光電二極管所產(chǎn)生的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)Dm,n。
檢測部40輸入自讀出部30輸出的各數(shù)據(jù)Dm,n，并根據(jù)數(shù)據(jù)D2^nJ2iin的差，檢測到達像素部P2H,n、P2i,n的光是否為閃爍信號?？刂撇?0通過控制行選擇部20、讀出部30及檢測部40的各自的動作，而控制閃爍信號檢測裝置1整體的動作。更具體而言，控制部50控制行選擇部20的向受光部10的各種控制信號的發(fā)送、讀出部30的來自各像素部Pm,n的數(shù)據(jù)的輸入、讀出部30的各數(shù)據(jù)Dm, 的輸出、及檢測部40的處理的各動作時序。圖2是表示第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的讀出部30的構(gòu)成的圖。 該圖中，在受光部10中代表性地表示有MXN個像素部Pu PM, N中的第m行第η列的像素部Pm,η，另外，在讀出部30中表示有與該像素部Pm,η關(guān)聯(lián)的構(gòu)成要素。讀出部30包含N個保持部31i 31N、列選擇部32及差運算部33。N個保持部 31! 31n具有共同的構(gòu)成。各保持部31n可經(jīng)由讀出信號線Ln而與受光部10的第η列的 M個像素部P1, η Pm, 連接，輸入從行選擇部20所選擇的第m行的像素部Pm, n向讀出信號線1^輸出的數(shù)據(jù)，保持該數(shù)據(jù)，并輸出所保持的數(shù)據(jù)。各保持部31 優(yōu)選為輸入并保持重疊有噪聲成分的信號成分的數(shù)據(jù)，并且輸入并保持僅有噪聲成分的數(shù)據(jù)。N個保持部 31N可根據(jù)自列選擇部32接收的各種控制信號，以相同時序采樣并保持數(shù)據(jù)，且依次輸出所保持的數(shù)據(jù)。差運算部33輸入自N個保持部 31n的各個依次輸出的數(shù)據(jù)，并自重疊有噪聲成分的信號成分的數(shù)據(jù)中減去僅有噪聲成分的數(shù)據(jù)， 輸出與信號成分對應(yīng)的數(shù)據(jù)Dm,n。差運算部33可將與信號成分對應(yīng)的數(shù)據(jù)作為模擬數(shù)據(jù)輸出，也可具有AD轉(zhuǎn)換功能而輸出數(shù)字數(shù)據(jù)，如此，讀出部30可輸出與第m行的各像素部Pm, n的光電二極管所產(chǎn)生的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)Dm,n。圖3是表示第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的像素部Pm,n及保持部31n 的電路構(gòu)成的圖。該圖中，在受光部10中也代表性地表示有MX N個像素部P1, i PM, N中的第m行第η列的像素部Pm,η，另外，在讀出部30中也表示有與該像素部Pm,η關(guān)聯(lián)的保持部 31η。各像素部Pm,η為APS(Active Pixel Sensor，主動像素傳感器)方式的像素部，包括光電二極管PD及5個MOS (Metal Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導體)晶體管Tl、 T2、T3、T4、T5。如該圖所示，晶體管Tl、晶體管T2及光電二極管PD依次串聯(lián)連接，對晶體管Tl的漏極端子輸入基準電壓，且光電二極管PD的陽極端子接地。晶體管Tl與晶體管T2 的連接點經(jīng)由晶體管T5而連接于晶體管T3的柵極端子。對晶體管T3的漏極端子輸入基準電壓。晶體管T3的源極端子與晶體管T4的漏極端子連接。各像素部Pm, n的晶體管T4的源極端子連接于讀出信號線Ln。在讀出信號線 Ln上連接有恒定電流源。對各像素部Pm, n的重置用的晶體管Tl的柵極端子輸入自行選擇部20輸出的 Reset(Hi)信號。對各像素部Pm,n的傳輸用的晶體管T2的柵極端子輸入自行選擇部20輸出的TransOii)信號。對各像素部Pm,n的保持用的晶體管T5的柵極端子輸入自行選擇部20 輸出的Hold(m)信號。對各像素部Pm,n的輸出選擇用的晶體管T4的柵極端子輸入自行選擇部20輸出的Address (m)信號。這些控制信號(Reset(m)信號、Trans (m)信號、Hold(m) 信號、Address (m)信號)共同地自行選擇部20輸入至第m行的N個像素部Pma Pm,N。當Reset (m)信號、Trans (m)信號及Hold(m)信號為高電平時，光電二極管PD的
8接合電容部放電，另外，連接于晶體管T3的柵極端子的擴散區(qū)域(電荷儲存部)放電。當 Trans (m)信號為低電平時，將光電二極管PD所產(chǎn)生的電荷儲存于接合電容部。當Reset (m) 信號為低電平、Trans (m)信號及Hold(m)信號為高電平時，光電二極管PD的接合電容部中儲存的電荷傳輸并儲存于與晶體管T3的柵極端子連接的擴散區(qū)域(電荷儲存部)中。當Address (m)信號為高電平時，經(jīng)由晶體管T4而向讀出信號線Ln輸出與連接于晶體管T3的柵極端子的擴散區(qū)域(電荷儲存部)中所儲存的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)(重疊有噪聲成分的信號成分的數(shù)據(jù))。即，晶體管T4作為用以向讀出信號線Ln輸出與電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)的開關(guān)而發(fā)揮作用。再者，當電荷儲存部處于放電狀態(tài)時，僅有噪聲成分的數(shù)據(jù)經(jīng)由晶體管T4向讀出信號線Ln輸出。各保持部31 包含2個電容元件C^C2、及4個開關(guān)SW11、SW12、SW21、SW^2。該保持部 31n中，開關(guān)SW11及開關(guān)SW12串聯(lián)連接并設(shè)置于讀出信號線Ln與配線Hline_S之間，電容元件(^的一端連接于開關(guān)SW11與開關(guān)SW12之間的連接點，且電容元件C1的另一端接地。另夕卜，開關(guān)SW21及開關(guān)SW22串聯(lián)連接并設(shè)置于讀出信號線Ln與配線Hline_n之間，電容元件 C2的一端連接于開關(guān)SW21與開關(guān)SW22之間的連接點，且電容元件C2的另一端接地。該保持部31n中，開關(guān)SW11根據(jù)自列選擇部32供給的set_s信號的電平而開閉。 開關(guān)SW21根據(jù)自列選擇部32供給的set_n信號的電平而開閉。set_s信號及Set_n信號共同地輸入至N個保持部 31n。開關(guān)SW12、SW22根據(jù)自列選擇部32供給的hshift (η) 信號的電平而開閉。該保持部31η中，當Set_n信號自高電平轉(zhuǎn)向低電平而開關(guān)SW21打開時，自像素部Pm,n向讀出信號線Ln輸出的噪聲成分隨后通過電容元件C2而作為電壓值0ut_n(η)加以保持。當set_s信號自高電平轉(zhuǎn)向低電平而開關(guān)SW11打開時，自像素部Pm, n向讀出信號線 Ln輸出的重疊有噪聲成分的信號成分隨后通過電容元件C1而作為電壓值out_s (η)加以保持。而且，若hshift (η)信號成為高電平，則開關(guān)SW12閉合，向配線Hline_S輸出通過電容元件C1而保持的電壓值out_s (η)，另外，開關(guān)SW22閉合，向配線Hline_n輸出通過電容元件 (2而保持的電壓值out_n(n)。這些電壓值out_s(n)與電壓值out_n(n)的差，表示與像素部Pm,n的光電二極管PD所產(chǎn)生的電荷量對應(yīng)的電壓值。圖4是表示第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的差運算部33的電路構(gòu)成的圖。如該圖所示，差運算部33包含放大器A1 A3、開關(guān)SWpSW2及電阻器R1 R4。放大器A3的反轉(zhuǎn)輸入端子經(jīng)由電阻器隊而與緩沖放大器A1的輸出端子連接，并經(jīng)由電阻器 R3而與自身的輸出端子連接。放大器A3的非反轉(zhuǎn)輸入端子經(jīng)由電阻器&而與緩沖放大器 A2的輸出端子連接，并經(jīng)由電阻器R4而與接地電位連接。緩沖放大器A1的輸入端子經(jīng)由配線Hline_S而與N個保持部31工 31N連接，并經(jīng)由開關(guān)SW1而與接地電位連接。緩沖放大器A2的輸入端子經(jīng)由配線Hline_n而與N個保持部311 3In連接，并經(jīng)由開關(guān)SW2而與接地電位連接。差運算部33的開關(guān)SWpSW2由自列選擇部32供給的hreset信號控制而進行開閉動作。通過閉合開關(guān)SW1，而重置輸入至緩沖放大器A1的輸入端子的電壓值。通過閉合開關(guān)SW2，而重置輸入至緩沖放大器A2的輸入端子的電壓值。當開關(guān)SWp SW2O開時，自N個保持部 3In中的任意的保持部3In向配線Hline_s、Hline_n輸出的電壓值out_s (η)、 out_n (η)輸入至緩沖放大器Ap A2的輸入端子。若將緩沖放大器~、A2的各自的放大率設(shè)為1，且將4個電阻器R1 R4的各自的電阻值設(shè)為彼此相等，則自差運算部33的輸出端子輸出的電壓值表示分別經(jīng)由配線Hline_S及配線Hline_n而輸入的電壓值的差，且已除去噪聲成分。圖5是表示第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的行選擇部20的構(gòu)成的一部分的圖。行選擇部20除了具有M段的移位緩存器之外，相對于各個奇數(shù)行(第Qi-I) 行)而具有該圖(a)所示的電路，且相對于各個偶數(shù)行(第2i行)而具有該圖(b)所示的電路。M段的移位緩存器自其中的第m段輸出Address (m)信號并將其提供給第m行的各像
素部Pm, n°如該圖(a)所示，Trans(2i_l)信號制作成Address (2i_l)信號和S_odd信號的邏輯和、與T信號的邏輯積。ResetQi-I)信號制作成Address (2i_l)信號和S_odd信號的邏輯和、與R信號的邏輯積。HolcK2i-l)信號制作成Address (2i-l)信號和S_odd信號的邏輯和、與H信號的邏輯積。將這些Trans (2i_l)信號、Reset 信號及HolcK2i-l) 信號提供給第Oi-i)行的各像素部P2i_i,n。如該圖(b)所示，Trans (2i)信號制作成Address (2i)信號和S_eVen信號的邏輯和、與T信號的邏輯積。ResetQi)信號制作成Address (2i)信號和S_eVen信號的邏輯和、 與R信號的邏輯積。HolcK2i)信號制作成Address (2i)信號和S_even信號的邏輯和、與H 信號的邏輯積。將這些TranS(2i)信號、Reset (2i)信號及HolcK2i)信號提供給第2i行的各像素部P2i, n。自控制部50向行選擇部20提供S_odd信號、S_eVen信號、R信號、T信號及H信號，以此方式構(gòu)成的行選擇部20在由S_odd信號所指示的第1期間，可對于受光部10的第 (2 -1)行的各像素部P2^n，使由光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部中。另外，行選擇部20在由S_even信號所指示的第2期間，可對于受光部10的第2i行的各像素部P2i, n，使由光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部中。而且，行選擇部20在第1期間及第 2期間之后，可根據(jù)Address (m)信號而選擇受光部10的各行，并逐行地對于各像素部Pm, n 向讀出信號線Ln輸出與電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)。圖6是表示第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的檢測部40的構(gòu)成的圖。 檢測部40輸入自讀出部30逐行地輸出的各數(shù)據(jù)Dm, n。檢測部40包含存儲部41及運算部42。存儲部41存儲第Oi-I)行的N個數(shù)據(jù)D2^n及第2i行的N個D2i,n中先輸入的第 (2 -1)行的N個數(shù)據(jù)D2HV運算部42輸入后輸入的第2i行的N個D2i,n，并且也輸入通過存儲部41而存儲的第Qi-I)行的N個數(shù)據(jù)Dgn，運算出這些數(shù)據(jù)D2h,n、D2i,n的差(D2H, -D2i, n)。然后，檢測部40根據(jù)該差(D^n-D2iJ，檢測到達像素部Ρ2Η,η、P2i,η的光是否為閃爍信號。此處，保持于存儲部41中的數(shù)據(jù)并不限于數(shù)字數(shù)據(jù)，也可以模擬電壓的形式保持而求出差分。圖7是表示第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的動作的一例的時序圖。 該圖中，自上起依次顯示有向閃爍信號檢測裝置1的受光部10的光信號入射的有無；自控制部50向行選擇部20提供的S_odd信號、S_even信號、R信號、T信號及H信號；在讀出部30中自列選擇部32向各保持部31n提供的set_s信號及set_n信號；自行選擇部20向第1行的各像素部P1,n提供的Address(I)信號；自行選擇部20向第2行的各像素部P2,n提供的AddreSS(2)信號；及在讀出部30中自列選擇部32向各保持部31n提供的hshift(l)信號 hshift(N)信號。在向受光部10入射光信號的第1期間，S_odd信號成為高電平，S_even信號成為低電平。在該第1期間的某個一定期間，R信號、T信號及H信號成為高電平，且Reset (2i_l) 信號、Trans (2i-l)信號及HolcK2i-l)信號成為高電平，第行的各像素部Ρ2η,n的光電二極管PD的接合電容部放電，另外，連接于晶體管T3的柵極端子的擴散區(qū)域(電荷儲存部)放電。在第1期間中的接著的某個一定期間，R信號、T信號及H信號成為低電平， Reset (2 -1)信號、Trans (2 -1)信號及HolcK2i-l)信號成為低電平，且第(2 -1)行的各像素部n的光電二極管PD所產(chǎn)生的電荷儲存于接合電容部。然后，在第1期間中的再接著的某個一定期間，R信號成為低電平且T信號及H信號成為高電平，Reset (2 -1)信號成為低電平，Trans (2i-l)信號及HolcK2i-l)信號成為高電平，且第行的各像素部 Pnn的光電二極管PD的接合電容部中所儲存的電荷傳輸并儲存于與晶體管T3的柵極端子連接的擴散區(qū)域(電荷儲存部)。這些動作在受光部10的所有第奇數(shù)行的各像素部中并列地進行。在不向受光部10入射光信號的第2期間，S_odd信號成為低電平，S_even信號成為高電平。在該第2期間的某個一定期間，R信號、T信號及H信號成為高電平，Reset Qi) 信號、Trans(2i)信號及HolcK2i)信號成為高電平，且第2i行的各像素部P2i,n的光電二極管PD的接合電容部放電，另外，連接于晶體管T3的柵極端子的擴散區(qū)域(電荷儲存部)放電。在第2期間中的接著的某個一定期間，R信號、T信號及H信號成為低電平，Reset Qi) 信號、Trans(2i)信號及HolcK2i)信號成為低電平，且第2i行的各像素部P2i,n的光電二極管PD所產(chǎn)生的電荷儲存于接合電容部。然后，在第2期間中的再接著的某個一定期間，R 信號成為低電平且T信號及H信號成為高電平，ResetQi)信號成為低電平，Trans (2i)信號及HolcK2i)信號成為高電平，且第2i行的各像素部P2i, n的光電二極管PD的接合電容部中所儲存的電荷傳輸并儲存于與晶體管T3的柵極端子連接的擴散區(qū)域(電荷儲存部)。 這些動作在受光部10的所有第偶數(shù)行的各像素部中并列地進行。在第1期間及第2期間之后，自行選擇部20向第1行的各像素部P1,n提供的 Address(I)信號成為高電平。在Address(I)信號成為高電平的期間，向各保持部31 提供的set_s信號僅在一定期間成為高電平，繼而R信號及T信號僅在一定期間成為高電平，且第1行的各像素部Ρ1>η的電荷儲存部放電，繼而向各保持部31n提供的Set_n信號僅在一定期間成為高電平。由此，自各像素部P1,n向讀出信號線Ln輸出的重疊有噪聲成分的信號成分通過保持部31n的電容元件C1而作為電壓值0ut_S(n)加以保持。另外，自各像素部P1,n 向讀出信號線Ln輸出的噪聲成分通過保持部31n的電容元件C2而作為電壓值out_n(n)加以保持。其后，hshift (1)信號hshift (N)信號依次成為高電平，依次輸出由各保持部 31N所保持的電壓值，并通過差運算部33自重疊有噪聲成分的信號成分的數(shù)據(jù)中減去僅有噪聲成分的數(shù)據(jù)，輸出與第1行的各像素部P1>n的信號成分對應(yīng)的數(shù)據(jù)Dlil D1,N。之后也同樣地，逐行輸出各行的各像素部Pm,n的數(shù)據(jù)Dm,n。然后，檢測部40中，首先輸入第1行的各像素部P1, n的數(shù)據(jù)D1, n并通過存儲部41 而加以存儲。繼而，當輸入第2行的各像素部P2,n的數(shù)據(jù)D2,n時，將該數(shù)據(jù)D2,n輸入至運算部42，并且將通過存儲部41而存儲的數(shù)據(jù)D1, n輸入至運算部42，在運算部42中運算出這些數(shù)據(jù)D1^UAg (Dlin-D2J。然后，檢測部40根據(jù)該差(D1J2J而檢測到達像素部P1,n，p2,n的光是否為閃爍信號。繼而，檢測部40中，輸入第3行的各像素部P3,n的數(shù)據(jù)D3,n并通過存儲部41而加以存儲。繼而，當輸入第4行的各像素部P4,n的數(shù)據(jù)D4,n時，將該數(shù)據(jù)D4,n輸入至運算部42， 并且將通過存儲部41而存儲的數(shù)據(jù)D3, n輸入至運算部42，在運算部42中運算出這些數(shù)據(jù) D3,n、D4,n的差(D3jn-D4jn) 0然后，檢測部40根據(jù)該差(D3jn-D4jn)而檢測到達像素部P3,n，P4, 的光是否為閃爍信號。之后也同樣地，檢測部40根據(jù)數(shù)據(jù)D2H^D2iin的差(D2^n-D2iJ而檢測到達像素部己^丨P2i, 的光是否為閃爍信號。圖8是對第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的動作進說明的圖。該圖中，自上起依次表示有光信號入射時序、受光部10的第Oi-I)行的像素部中的電荷儲存時序A、及受光部10的第2i行的像素部中的電荷儲存時序B。之前的圖7中，受光部10的第 Oi-I)行的像素部中的電荷儲存時序A設(shè)為與光信號入射時序一致，但該圖8中，電荷儲存時序A、B均是一部分與光信號入射時序重疊。電荷儲存時序A、B的各相位僅相差1/2周期。圖中以陰影線所示的范圍表示電荷儲存時序A、B分別與光信號入射時序重疊的范圍，相當于數(shù)據(jù)D2^pD2iin的大小。若閃爍信號到達像素部P2^pP2iin，且在電荷儲存時序A、B之間的陰影線范圍的大小不同，即差(D2^n-D2iJ不為零，則可通過檢測部40檢測出閃爍信號到達的情況。另一方面，若一定強度的光到達像素部P^,n、P2i,n，則由于在電荷儲存時序A、B之間的陰影線范圍的大小相等，因而可通過檢測部40檢測出閃爍信號未到達。如此，本實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1僅具備存儲1行的數(shù)據(jù)的存儲部 41即可，無需大容量的存儲部。另外，本實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1無需光信號的閃爍圖案是已知的，而可特定接收光信號那樣的閃爍信號的像素部。再者，為了檢測如上所述的閃爍的光信號，該光信號必需到達至少某2個像素部 P2H,n、P2i,n。因此，也可有意地使設(shè)置于受光部10的前面的光學系統(tǒng)向受光面10的成像變得模糊，從而使光信號到達受光部10的較廣范圍。另外，若到達受光部10的光的強度分布在鄰接的行之間不同，則有時會誤檢測為光信號已到達，但通過有意地使光學系統(tǒng)向受光面10的成像變得模糊，可防止這樣的誤檢測。(第2實施方式)圖9是表示第2實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置2的概略構(gòu)成的圖。該圖所示的閃爍信號檢測裝置2包括受光部10、第1行選擇部201、第2行選擇部202、第1讀出部 301、第2讀出部302、檢測部40A及控制部50A。若與圖1所示的第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的構(gòu)成加以比較，則該圖9所示的第2實施方式的閃爍信號檢測裝置2的不同點在于受光部10的各像素部Pm, n的構(gòu)成不同；具備第1行選擇部20i及第2行選擇部202來代替行選擇部20 ；具備第1讀出部SO1及第2讀出部302來代替讀出部30 ；具備檢測部40A來代替檢測部40 ；及具備控制部50A來代替控制部50。第1行選擇部20i及第1讀出部SO1對受光部10的奇數(shù)行(第行)的各像素部Ρ2Η,η進行放電、電荷儲存及數(shù)據(jù)讀出。第2行選擇部202及第2讀出部302對受光部10的偶數(shù)行(第2i行)的各像素部P2i, 進行放電、電荷儲存及數(shù)據(jù)讀出。第1行選擇部20i及第1讀出部SO1、與第2行選擇部202及第2讀出部302彼此并列地進行數(shù)據(jù)讀出的動作?？刂撇?0A控制第1行選擇部201、第2行選擇部202、第1讀出部SO1及第2讀出部302的各自的動作，以進行上述的并列動作。另外，由于進行上述并列動作，因而第2實施方式的檢測部40A具有與第1實施方式的檢測部40不同的構(gòu)成。另外，由于進行上述并列動作，因而第2實施方式的各像素部Pm,n具有與第1實施方式的各像素部不同的構(gòu)成。圖10是表示第2實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置2的第1讀出部SO1及第2 讀出部302各自的構(gòu)成的圖。該圖中，受光部10中代表性表示有MXN個像素部Plil Pm, N中的第m行第η列的像素部Pm,η，另外，第1讀出部SO1及第2讀出部302分別表示有與該像素部Pm,n相關(guān)的構(gòu)成要素。第1讀出部SO1及第2讀出部302分別具有與第1實施方式的讀出部30相同的構(gòu)成。其中，第1讀出部SO1的各保持部31n可經(jīng)由讀出信號線Lln而與受光部10的第η列的M個像素部P1,η ΡΜ,η連接，輸入從第1行選擇部20i所選擇的第m行的像素部Pm,n向讀出信號線1^ 輸出的數(shù)據(jù)并保持該數(shù)據(jù)，且輸出所保持的數(shù)據(jù)。另外，第2讀出部302的各保持部31n可經(jīng)由讀出信號線Un而與受光部10的第η列的M個像素部P1, η ΡΜ, η連接， 輸入從第2行選擇部202所選擇的第m行的像素部Pm, n向讀出信號線Un輸出的數(shù)據(jù)并保持該數(shù)據(jù)，且輸出所保持的數(shù)據(jù)。圖11是表示第2實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置2的像素部Pm,n及第1讀出部SO1的保持部31n的電路構(gòu)成的圖。該圖中，受光部10中也代表性地表示有MXN個像素部Pu PM, N中的第m行第η列的像素部Pm, η，另外，第1讀出部SO1中也表示有與該像素部Pm,n相關(guān)的保持部31η。各像素部Pm, η是APS (Active Pixel Sensor)方式的像素部，包含光電二極管PD 及6個肌5晶體管11、1233、1141、1142、15。如該圖所示，晶體管Tl、晶體管T2及光電二極管PD依次串聯(lián)連接，對晶體管Tl的漏極端子輸入基準電壓，且光電二極管PD的陽極端子接地。晶體管Tl與晶體管T2的連接點經(jīng)由晶體管T5而連接于晶體管T3的柵極端子。對晶體管T3的漏極端子輸入基準電壓。晶體管T3的源極端子與晶體管Tl、T42 的各自的漏極端子連接。各像素部Pm,η的晶體管1^的源極端子連接于讀出信號線Lln。各像素部Pm,n的晶體管T42的源極端子連接于讀出信號線L2n。讀出信號線Lln及讀出信號線 L2n上分別連接有恒定電流源。各像素部Pm,n的傳輸用的晶體管T2的柵極端子與控制信號線LTm連接，且輸入自第1行選擇部20i或第2行選擇部202輸出的TransOii)信號。各像素部Pm,n的重置用的晶體管Tl的柵極端子與控制信號線LRm連接，且輸入自第1行選擇部20i或第2行選擇部202 輸出的Reset(Hi)信號。各像素部Pm, n的保持用的晶體管T5的柵極端子與控制信號線LHm 連接，且輸入自第1行選擇部20i或第2行選擇部202輸出的Hold(m)信號。各像素部Pm, n的輸出選擇用的晶體管Tl的柵極端子與控制信號線LAlm連接，且輸入自第1行選擇部20i輸出的AddresslOii)信號。各像素部Pm,n的輸出選擇用的晶體管 T42的柵極端子與控制信號線LA、連接，且輸入自第2行選擇部202輸出的AddreSS2 (m) 信號。這些控制信號(Reset (m)信號、Trans (m)信號、Hold(m)信號、Addressl (m)信號、Address2(m)信號)對第m行的N個像素部Pnbl Pm,N共同地輸入。控制信號線LTm、控制信號線LRm及控制信號線LHm對應(yīng)于每行而設(shè)置，傳輸指示第 m行的各像素部Pm,n的光電二極管PD的接合電容部及電荷儲存部各自的放電及電荷儲存部的電荷儲存的控制信號(ResetOii)信號、Trans (m)信號、Hold(m)信號)。這些控制信號線的第1端經(jīng)由開關(guān)而連接于第1行選擇部201;另外，這些控制信號線的第2端經(jīng)由開關(guān)而連接于第2行選擇部202。設(shè)置于這些控制信號線的各自的兩端的2個開關(guān)并不會同時閉合，而是始終至少一方打開。再者，也可使用三態(tài)緩沖器來代替這些開關(guān)，該情況下，設(shè)置于這些控制信號線的各自的兩端的2個三態(tài)緩沖器并不會同時處于導通狀態(tài)，而是始終至少一方處于高阻抗狀態(tài)。控制信號線LAlm及控制信號線LA、對應(yīng)于每行而設(shè)置，傳輸指示向第m行的各像素部Pm, n的讀出信號線Lln或讀出信號線Un的數(shù)據(jù)輸出的控制信號(Addressl (m)信號、 Address2 (m)信號)。各控制信號線LAlm連接于第1行選擇部2(^。各控制信號線LA^1連接于第2行選擇部202。Addressl(m)信號與AddreSS2 (m)信號并不會同時為高電平，晶體管Tl與晶體管T42不會同時成為接通狀態(tài)。當Reset (m)信號、Trans (m)信號及Hold(m)信號為高電平時，光電二極管PD的接合電容部放電，另外，連接于晶體管T3的柵極端子的擴散區(qū)域(電荷儲存部)放電。當 Trans (m)信號為低電平時，光電二極管PD所產(chǎn)生的電荷儲存于接合電容部。當Reset(Hi) 信號為低電平、且Trans (m)信號及Hold(m)信號為高電平時，光電二極管PD的接合電容部中所儲存的電荷傳輸并儲存于與晶體管T3的柵極端子連接的擴散區(qū)域(電荷儲存部)。當Addressl (m)信號為高電平時，與連接于晶體管T3的柵極端子的擴散區(qū)域(電荷儲存部)中所儲存的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)(重疊有噪聲成分的信號成分的數(shù)據(jù))，經(jīng)由晶體管Tl而向讀出信號線Lln輸出，并向第1讀出部SO1的保持部31n輸入。S卩，晶體管T+作為用以將與電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)向讀出信號線1^1 輸出的第1開關(guān)而發(fā)揮作用。再者，當電荷儲存部處于放電狀態(tài)時，僅有噪聲成分的數(shù)據(jù)經(jīng)由晶體管Tl向讀出信號線Lln輸出。當AddreSS2(m)信號為高電平時，與連接于晶體管T3的柵極端子的擴散區(qū)域(電荷儲存部)中所儲存的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)(重疊有噪聲成分的信號成分的數(shù)據(jù))，經(jīng)由晶體管T42向讀出信號線ΙΛ輸出，并向第2讀出部302的保持部31n輸入。S卩，晶體管T42作為用以將與電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)向讀出信號線Un輸出的第2開關(guān)而發(fā)揮作用。再者，當電荷儲存部處于放電狀態(tài)時，僅有噪聲成分的數(shù)據(jù)經(jīng)由晶體管T42向讀出信號線IA1輸出。第1行選擇部20i及第2行選擇部202分別具有M段的移位緩存器。第1行選擇部20J々M段的移位緩存器自其中的第m段將AddresslOii)信號向控制信號線LAlm輸出并提供給第m行的各像素部Pm, n。第2行選擇部202的M段的移位緩存器自其中的第m段將 Address2(m)信號向控制信號線LA^11輸出并提供給第m行的各像素部Pm,n。另外，第1行選擇部201相對于各奇數(shù)行(第Qi-I)行)而具有圖5(a)所示的電路，第2行選擇部202相對于各偶數(shù)行(第2i行)而具有圖5(b)所示的電路。第1行選擇部20i在由S_odd信號所指示的第1期間，可對于受光部10的第行的各像素部P2H,n，使由光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部中。另外，第2行選擇部202在由S_even信號所指示的第2期間，可對于受光部10的第2i行的各像素部P2i, n，使由光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部中。各像素部P2i,n的放電及電荷儲存的時序與第1實施方式的情況相同。第1行選擇部20i在第1期間及第2期間之后，可根據(jù)Addressl (2 -1)信號而選擇受光部10的奇數(shù)行(第Oi-D行)，并逐行地對于各像素部Ρ2Η,η向讀出信號線Lln輸出與電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)。第2行選擇部202在第1期間及第2期間之后， 根據(jù)AddreSS2 (2i)信號而選擇受光部10的偶數(shù)行(第2i行)，并逐行地對于各像素部P2i, n向讀出信號線Un輸出與電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)。自第Qi-I)行的各像素部P^n經(jīng)由讀出信號線Lln及第1讀出部SO1而向檢測部40A的數(shù)據(jù)讀出，以及自第2i行的各像素部P2i, 經(jīng)由讀出信號線Un及第2讀出部302而向檢測部40A的數(shù)據(jù)讀出，彼此并列地進行。S卩，第1行選擇部20i及第2行選擇部202同時選擇受光部10的第行及第 2i行，并使與第Oi-I)行的各像素部P2^n的電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)輸出， 并使與第2i行的各像素部P2i,η的電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)輸出。第1讀出部 SO1及第2讀出部302將與第Qi-I)行的各像素部P2^n的光電二極管所產(chǎn)生的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)D^n、及與第2i行的各像素部P2i,η的光電二極管所產(chǎn)生的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)D2i, η，同時向檢測部40Α輸出。檢測部40Α運算出自讀出部3(^3 同時輸出的數(shù)據(jù)D2i+n、D2i的差，并根據(jù)該差而檢測到達像素部P2H,n、P2i,n的光是否為閃爍信號。第2實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置2以如下方式進行動作。在光信號向受光部10入射的第1期間，通過第1行選擇部201;而將第Oi-D行的各像素部Ρ2Η,η的光電二極管PD所產(chǎn)生的電荷傳輸并儲存于與晶體管Τ3的柵極端子連接的擴散區(qū)域(電荷儲存部)。這些動作對于受光部10的所有第奇數(shù)行的各像素部并列地進行。另外，在光信號未向受光部10入射的第2期間，通過第2行選擇部202，而將第2i 行的各像素部P2i,n的光電二極管PD所產(chǎn)生的電荷傳輸并儲存于與晶體管T3的柵極端子連接的擴散區(qū)域(電荷儲存部)。這些動作在受光部10的所有第偶數(shù)行的各像素部中并列地進行。這些各像素部Pm,n的電荷儲存的時序與第1實施方式的情況相同。第2實施方式的數(shù)據(jù)讀出動作的時序與第1實施方式的情況不同。第2實施方式中，在第1期間及第2期間之后，自第1行選擇部20i向第1行的各像素部P1,n提供的Addressl (1)信號、自第2行選擇部202向第2行的各像素部P2,n提供的 Address2(2)信號在相同期間成為高電平。然后，自第1讀出部SO1向第1行的各像素部P1, 的數(shù)據(jù)D1,n的輸出、及自第2讀出部302向第2行的各像素部P2,n的數(shù)據(jù)D2,n的輸出同時進行。檢測部40A中，同時輸入第1行的各像素部P1,n的數(shù)據(jù)Du及第2行的各像素部P2, n的數(shù)據(jù)D2,n，并運算出這些數(shù)據(jù)D1^D2in的差(Du-D2J。然后，檢測部40A根據(jù)該差(D1, n_D2,n)，檢測到達像素部P1^P2in的光是否為閃爍信號。繼而，自第1行選擇部20i向第3行的各像素部P3,n提供的Addressl (3)信號、及自第2行選擇部202向第4行的各像素部P4,n提供的AddreSS2(4)信號在相同期間成為高電平。然后，自第1讀出部SO1向第3行的各像素部P3,n的數(shù)據(jù)D3,n的輸出、及自第2讀出
15部302向第4行的各像素部P4,n的數(shù)據(jù)D4,n的輸出同時進行。檢測部40A中，同時輸入第3 行的各像素部P3, n的數(shù)據(jù)D3, η及第4行的各像素部P4, η的數(shù)據(jù)D4, η，并運算出這些數(shù)據(jù)D3, n、D4,n的差(D3,n-D4,n)。然后，檢測部40A根據(jù)該差(03,11-04,11)，檢測到達像素部6,11、？4,11的光是否為閃爍信號。之后也同樣地，檢測部40A根據(jù)數(shù)據(jù)D2H^D2iin的差(D2i^n-D2iJ，檢測到達像素部己^丨P2i, 的光是否為閃爍信號。第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1必需具備存儲1行的數(shù)據(jù)的存儲部 41，但第2實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置2無需具備這樣的存儲部。另外，第2實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置2與第1實施方式的情況同樣地，無需光信號的閃爍圖案是已知的，而可特定接收光信號那樣的閃爍信號的像素部。(第3實施方式)圖12是表示第3實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置3的概略構(gòu)成的圖。該圖所示的閃爍信號檢測裝置3包括受光部10、行選擇部20B、讀出部30、檢測部40B及控制部 50B。若與圖1所示的第1實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置1的構(gòu)成加以比較，則該圖12所示的第3實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置3的不同點在于具備行選擇部 20B來代替行選擇部20 ；具備檢測部40B來代替檢測部40 ；及具備控制部50B來代替控制部50。行選擇部20B輸出用以控制受光部10的各像素部Pm,n的動作的各種控制信號。更具體而言，行選擇部20B在第1期間，對于受光部10的第行的各像素部P4j_3,n，使由光電二極管PD所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部中。行選擇部20B在第2期間，對于受光部 ο的第ai-幻行的各像素部P4j_2,n，使由光電二極管PD所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部中。行選擇部20B在第3期間，對于受光部10的第Gj-I)行的各像素部P^ n，使由光電二極管PD所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部中。另外，行選擇部20B在第4期間，對于受光部10的第4j行的各像素部P4j,n，使由光電二極管PD所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部中。然后，行選擇部20B在第4期間之后，選擇受光部10的各行，并逐行地對于各像素部Pm, n輸出與電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)。此處，第1 第4期間依次設(shè)定，且具有共同的時間寬度。另外，j是1以上且(M/4)以下的各整數(shù)。讀出部30與N根讀出信號線L1 Ln連接，且輸入從行選擇部20所選擇的受光部 10的第m行的各像素部Pm,n向讀出信號線Ln輸出的數(shù)據(jù)，并將與第m行的各像素部Pm,n的光電二極管所產(chǎn)生的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)Dm,n向檢測部40B輸出。檢測部40B輸入自讀出部30輸出的各數(shù)據(jù)Dm, n，并根據(jù)數(shù)據(jù)D4j_3, n、D4j^1, n的差與數(shù)據(jù)D4j_2,n、D4j,n的差之和，檢測到達像素部 F^j-3，η、Ρ”·-2，n、？4」·-l，n、j,η 的光是否為閃爍信號。控制部50Β通過控制行選擇部20Β、讀出部30及檢測部40Β的各自的動作，而控制閃爍信號檢測裝置1整體的動作。更具體而言，控制部50Β控制行選擇部20Β的向受光部 10的各種控制信號的發(fā)送、讀出部30的來自各像素部Pm,η的數(shù)據(jù)的輸入、讀出部30的各數(shù)據(jù)Dm,η的輸出、及檢測部40Β的處理的各動作時序。圖13是表示第3實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置3的檢測部40Β的構(gòu)成的圖。檢測部40B輸入自讀出部30逐行地輸出的各數(shù)據(jù)Dm,n。檢測部40B包含存儲部4h 413及運算部43。存儲部W1存儲第行的N個數(shù)據(jù)D4j_3,n。存儲部412存儲第Oj-2) 行的N個數(shù)據(jù)D4j_2,n。存儲部413存儲第Gj-I)行的N個數(shù)據(jù)D4^nt5運算部43輸入第4j行的N個D4j, n，并且也輸入通過存儲部41工 413而存儲的第Oj-3)行的N個數(shù)據(jù)D4j_3,n、第ai-2)行的N個數(shù)據(jù)D4j_2,n及第Oi-I)行的N個數(shù)據(jù) D4^ljn0然后，運算部43求出數(shù)據(jù)D4W^D4jIn的差與數(shù)據(jù)D4j_2,n、D4j,n的差之和S( = |D4j_3, H-D4jm, J +1 D4j_2,n-D4j,n I)，并根據(jù)該運算結(jié)果S，檢測到達像素部 P4j-3，n、P4j-2，n、？4』-1，11、j, η 白勺光是否為閃爍信號。圖14是對第3實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置3的動作進行說明的圖。該圖中，自上起依次表示有光信號入射時序、受光部10的第行的像素部的電荷儲存時序A、受光部10的第Gj-幻行的像素部中的電荷儲存時序B、受光部10的第Gj-I)行的像素部中的電荷儲存時序C、及受光部10的第4j行的像素部中的電荷儲存時序D。該圖中， 電荷儲存時序A D及光信號入射時序為同一周期，電荷儲存時序A D均是一部分與光信號入射時序重疊。電荷儲存時序A D的各相位彼此相差1/4周期。圖中以陰影線所示的范圍表示電荷儲存時序A D分別與光信號入射時序重疊的范圍，相當于數(shù)據(jù)D4j_3,n、D4j_2,n、D4^1,n、D4j,n的大小。若閃爍信號到達像素部P4j_3,n、P4j_2,n、 Vi.n^P^.n,則由于運算部43的運算結(jié)果S不為零，因而檢測部40B可檢測出閃爍信號到達的情況。另一方面，若一定強度的光到達像素部P4j-3,n、P4j-2,^P4j-MP4jW則由于運算部43 的運算結(jié)果S為零，因而檢測部40B可檢測出閃爍信號未到達。特別是在本實施方式中，運算部43的運算結(jié)果S并不依賴于光信號入射時序與電荷儲存時序A D之間的相位差。因此，本實施方式中可與該相位差無關(guān)而進行高靈敏度的閃爍信號檢測。如此，本實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置3僅具備存儲3行的數(shù)據(jù)的存儲部 41! 413即可，無需大容量的存儲部。另外，本實施方式所涉及的閃爍信號檢測裝置3無需光信號的閃爍圖案是已知的，而可特定接收光信號那樣的閃爍信號的像素部。另外，本發(fā)明當然不限定于第1 第3的各實施方式。例如，上述實施方式中，列舉了連接于晶體管T3的柵極端子的擴散區(qū)域作為電荷儲存部，但光電二極管也可兼作電荷儲存部。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明可應(yīng)用于無需大容量的存儲部，無需光信號的閃爍圖案是已知的，而可特定接收光信號那樣的閃爍信號的像素部的用途中。
權(quán)利要求
1.一種閃爍信號檢測裝置，其特征在于， 包括受光部，將MXN個像素部Pia PM,N 二維排列為M行N列，該MXN個像素部Pia Pm, N分別具有產(chǎn)生與入射光量對應(yīng)的量的電荷的光電二極管、儲存該電荷的電荷儲存部、及用以輸出與所述電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)的開關(guān)；行選擇部，將共同的時間寬度的第1期間及第2期間一前一后地設(shè)定，在所述第1期間，對于所述受光部的第Oi-D行的各像素部P2^n，使由所述光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于所述電荷儲存部中，在所述第2期間，對于所述受光部的第2i行的各像素部P2i,n，使由所述光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于所述電荷儲存部中，在所述第1期間及所述第2期間之后，選擇所述受光部的各行，逐行地對于各像素部Pmn閉合所述開關(guān)而輸出與所述電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)；讀出部，輸入從所述行選擇部所選擇的所述受光部的各行的各像素部Pm,n輸出的數(shù)據(jù)， 并輸出與各像素部Pm,n的所述光電二極管所產(chǎn)生的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)Dm,n ；及檢測部，輸入自所述讀出部輸出的各數(shù)據(jù)Dm, n，并根據(jù)數(shù)據(jù)D^ n、D2i, n的差，檢測到達像素部P2H,n、P2i, 的光是否為閃爍信號，其中，M、N為2以上的整數(shù)，m為1以上且M以下的整數(shù)，η為1以上且N以下的整數(shù)， i為1以上且(M/2)以下的整數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的閃爍信號檢測裝置，其特征在于，所述行選擇部同時選擇所述受光部的第Oi-D行及第2i行，輸出與第Qi-I)行的各像素部P2i-U的所述電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)，且輸出與第2i行的各像素部 P2i,n的所述電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)，所述讀出部同時輸出與第Oi-D行的各像素部P2^n的所述光電二極管所產(chǎn)生的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)D2i-U、及與第2i行的各像素部P2i,n的所述光電二極管所產(chǎn)生的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)D2i, n，所述檢測部運算自所述讀出部同時輸出的數(shù)據(jù)D2^ n、D2i的差。
3.一種閃爍信號檢測裝置，其特征在于， 包括受光部，將MXN個像素部Pia PM,N 二維排列為M行N列，該MXN個像素部Pia Pm, N分別具有產(chǎn)生與入射光量對應(yīng)的量的電荷的光電二極管、儲存該電荷的電荷儲存部、及用以輸出與所述電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)的開關(guān)；行選擇部，依次設(shè)定共同的時間寬度的第1 第4期間，在所述第1期間，對于所述受光部的第行的各像素部P4M,n，使由所述光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于所述電荷儲存部中，在所述第2期間，對于所述受光部的第Gj-幻行的各像素部n，使由所述光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于所述電荷儲存部中，在所述第3期間，對于所述受光部的第 (4j-l)行的各像素部P^n，使由所述光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于所述電荷儲存部中， 在所述第4期間，對于所述受光部的第4j行的各像素部P4j, n，使由所述光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于所述電荷儲存部中，在所述第4期間之后，選擇所述受光部的各行，逐行地對于各像素部Pm,n閉合所述開關(guān)而輸出與所述電荷儲存部的儲存電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)；讀出部，輸入從所述行選擇部所選擇的所述受光部的各行的各像素部Pm,n輸出的數(shù)據(jù)，并輸出與各像素部Pm,n的所述光電二極管所產(chǎn)生的電荷量對應(yīng)的數(shù)據(jù)Dm,n ；及檢測部，輸入自所述讀出部輸出的各數(shù)據(jù)Dm, n，并根據(jù)數(shù)據(jù)D4j_3,n、D^n的差與數(shù)據(jù) D4J_2,n> D4j,n的差之和，檢測到達像素部P4j_3,n、P4j_2,n、P4^,n、P4j,n的光是否為閃爍信號，其中，M、N為2以上的整數(shù)，m為1以上且M以下的整數(shù)，η為1以上且N以下的整數(shù)， j為1以上且(M/4)以下的整數(shù)。
全文摘要
閃爍信號檢測裝置(1)包括受光部(10)、行選擇部(20)、讀出部(30)、檢測部(40)及控制部(50)。通過行選擇部(20)，在第1期間，使受光部(10)的第(2i-1)行的各像素部(P2i-1，n)的光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部，在第2期間使受光部(10)的第2i行的各像素部(P2i，n)的光電二極管所產(chǎn)生的電荷儲存于電荷儲存部。通過檢測部(40)，根據(jù)自讀出部(30)輸出的像素部(P2i-1，n、P2i，n)的數(shù)據(jù)(D2i-1，n、D2i，n)的差，檢測到達像素部(P2i-1，n、P2i，n)的光是否為閃爍信號。
文檔編號H04B10/105GK102474355SQ20108003389
公開日2012年5月23日 申請日期2010年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月30日
發(fā)明者凈法寺佑, 杉山行信 申請人:浜松光子學株式會社