專(zhuān)利名稱(chēng)：硅晶微麥克風(fēng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種微麥克風(fēng)，尤其涉及一種硅晶微麥克風(fēng)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今的可攜式電子產(chǎn)品，例如MP3、手機(jī)、PDA、上網(wǎng)本等，其發(fā)展趨勢(shì)越來(lái)越小越來(lái)越輕，而且復(fù)合更多功能，而麥克風(fēng)是一般可攜式電子產(chǎn)品中常見(jiàn)的零部件，自然其發(fā)展趨勢(shì)也是輕、薄、短、小，同時(shí)也要求更佳的效能與輸出表現(xiàn)?，F(xiàn)今技術(shù)中，微麥克風(fēng)裝置中的鍵合用焊盤(pán)直接設(shè)置在背極板中的背極板上，沒(méi)有任何保護(hù)以及固定措施，容易導(dǎo)致鍵合用焊盤(pán)氧化、松動(dòng)、甚至脫落的問(wèn)題，以至微麥克風(fēng)效能降低、輸出表現(xiàn)較差。

實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)因鍵合用焊盤(pán)沒(méi)有任何保護(hù)措施或固定措施而導(dǎo)致鍵合用焊盤(pán)松動(dòng)或脫落的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種能克服上述缺陷的硅晶微麥克風(fēng)裝置。本實(shí)用新型提供一種硅晶微麥克風(fēng)裝置，包括硅基、振膜、背極板、背電極以及至少兩鍵合用焊盤(pán)，該硅基支撐該背極板及該振膜，該背極板支撐該背電極，該兩鍵合用焊盤(pán)之一設(shè)置于該背電極上，該兩鍵合用焊盤(pán)之二一部分設(shè)置于該振膜上，另一部分設(shè)置于該背電極上，還包括保護(hù)層，該保護(hù)層一部分不完全覆蓋該兩鍵合用焊盤(pán)表面，另一部分連接該背電極。作為對(duì)所述硅晶微麥克風(fēng)裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，該保護(hù)層是金屬鈍化層，覆蓋該鍵合用焊盤(pán)周邊的表面。作為對(duì)所述硅晶微麥克風(fēng)裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，該金屬鈍化層是氮化硅材料，或者是氮化硅與氧化硅的復(fù)合層材料。作為對(duì)所述硅晶微麥克風(fēng)裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，該保護(hù)層還包括金屬支架層，該金屬支架層部分地覆蓋該鍵合用焊盤(pán)表面，該金屬支架層還與該背電極連接，該金屬鈍化層設(shè)置于該金屬支架層表面。作為對(duì)所述硅晶微麥克風(fēng)裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，該鍵合用焊盤(pán)是兩個(gè)或多個(gè)。作為對(duì)所述硅晶微麥克風(fēng)裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，該保護(hù)層是單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。作為對(duì)所述硅晶微麥克風(fēng)裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，該保護(hù)層厚度是0. 1到4. 0微米。作為對(duì)所述硅晶微麥克風(fēng)裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，其中該背極板厚度為0. 5-7. 0微米。作為對(duì)所述硅晶微麥克風(fēng)裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，其中該振膜的厚度為0. 1-4.0微米。作為對(duì)所述硅晶微麥克風(fēng)裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，其中該振膜的厚度為0. 1-4.0微米。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型硅晶微麥克風(fēng)裝置，通過(guò)增加保護(hù)層，可以有效的防止鍵合用焊盤(pán)的氧化問(wèn)題，還能提高鍵合用焊盤(pán)與背極板或與振膜結(jié)構(gòu)的固定性，解決現(xiàn)有技術(shù)中，鍵合用焊盤(pán)易松動(dòng)、甚至脫落的問(wèn)題，從而提高硅晶微麥克風(fēng)效能和輸出表現(xiàn)。
圖1是本實(shí)用新型硅晶微麥克風(fēng)裝置第一實(shí)施方式的截面示意圖；圖2是本實(shí)用新型硅晶微麥克風(fēng)裝置第二實(shí)施方式的截面示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種硅晶微麥克風(fēng)裝置，請(qǐng)參閱圖1，圖1是本實(shí)用新型硅晶微麥克風(fēng)裝置第一實(shí)施方式的截面示意圖。該硅晶微麥克風(fēng)裝置1包括硅基10、振膜20、 背極板30、保護(hù)層40和鍵合用焊盤(pán)50。該背極板30進(jìn)一步包括背電極32，該硅基10支撐該背極板30及該振膜20，該背極板30支撐該背電極32，該鍵合焊盤(pán)50至少包括兩個(gè)，該兩鍵合用焊盤(pán)50之一設(shè)置于該背電極32上，該兩鍵合用焊盤(pán)50之二的一部分設(shè)置于該振膜20上，另一部分設(shè)置于該背電極32上。該保護(hù)層40該保護(hù)層一部分不完全覆蓋該兩鍵合用焊盤(pán)50表面，另一部分連接該背電極32。本實(shí)用新型硅晶微麥克風(fēng)裝置第一實(shí)施方式，該硅晶微麥克風(fēng)裝置1通過(guò)增加保護(hù)層40，可以有效的防止鍵合用焊盤(pán)50的氧化問(wèn)題，該保護(hù)層40還能起到卡槽作用，所以還能提高鍵合用焊盤(pán)50與背極板30或與振膜20結(jié)構(gòu)的固定性，解決現(xiàn)有技術(shù)中，鍵合用焊盤(pán)50易松動(dòng)、甚至脫落的問(wèn)題，從而提高硅晶微麥克風(fēng)效能和輸出表現(xiàn)。該振膜20的厚度為0. 1-4. 0微米。該背極板30厚度為0.5-7.0微米。該保護(hù)層40是單層或多層結(jié)構(gòu)。該硅晶微麥克風(fēng)裝置2該保護(hù)層40是金屬鈍化層，覆蓋該鍵合用焊盤(pán)50周邊的表面，該金屬鈍化層是氮化硅(氮化硅是一種超硬物質(zhì)，本身具有潤(rùn)滑性，并且耐磨損，高溫時(shí)抗氧化)材料，或者是氮化硅與氧化硅的復(fù)合層材料。 該保護(hù)層厚度是0. 1到4. 0微米。該鍵合用焊盤(pán)50是兩個(gè)或多個(gè)，該鍵合用焊盤(pán)50的材質(zhì)選自鋁、銅、金、銀、鎳、 鉬、鈦、鉻材料所構(gòu)成的群組。請(qǐng)參閱圖2，圖2是本實(shí)用新型硅晶微麥克風(fēng)裝置第二實(shí)施方式的截面示意圖。其與本實(shí)用新型第一實(shí)施方式的區(qū)別僅在于該保護(hù)層240是雙層結(jié)構(gòu)，它還包括金屬支架層242部分地覆蓋該鍵合用焊盤(pán)50表面，該金屬支架層242還與該背電極32連接，該金屬鈍化層244設(shè)置于該金屬支架層242表面。本實(shí)用新型硅晶微麥克風(fēng)裝置第二實(shí)施方式，通過(guò)增加保護(hù)層240，該保護(hù)層240 為雙層結(jié)構(gòu)，該保護(hù)層240還包括金屬支架層242，該金屬支架層242表面設(shè)置有金屬鈍化層244，該金屬支架層242部分地設(shè)置在該鍵合用焊盤(pán)50表面，還與該背電極32連接，可以有效的防止鍵合用焊盤(pán)50的氧化問(wèn)題，還能起到卡槽的作用，所以還能進(jìn)一步提高鍵合用焊盤(pán)50與背極板30或與振膜20結(jié)構(gòu)的固定性，解決現(xiàn)有技術(shù)中，鍵合用焊盤(pán)50易松動(dòng)、 甚至脫落的問(wèn)題，從而提高硅晶微麥克風(fēng)效能和輸出表現(xiàn)。以上僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施案例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之
4內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種硅晶微麥克風(fēng)裝置，包括硅基、振膜、背極板、背電極以及至少兩鍵合用焊盤(pán)，該硅基支撐該背極板及該振膜，該背極板支撐該背電極，該兩鍵合用焊盤(pán)之一設(shè)置于該背電極上，該兩鍵合用焊盤(pán)之二的一部分設(shè)置于該振膜上，另一部分設(shè)置于該背電極上，其特征在于還包括保護(hù)層，該保護(hù)層一部分不完全覆蓋該兩鍵合用焊盤(pán)表面，另一部分連接該背電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶微麥克風(fēng)裝置，其特征在于該保護(hù)層是金屬鈍化層，覆蓋該鍵合用焊盤(pán)周邊的表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅晶微麥克風(fēng)裝置，其特征在于該金屬鈍化層是氮化硅材料，或者是氮化硅與氧化硅的復(fù)合層材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅晶微麥克風(fēng)裝置，其特征在于該保護(hù)層還包括金屬支架層，該金屬支架層部分地覆蓋該鍵合用焊盤(pán)表面，該金屬支架層還與該背電極連接，該金屬鈍化層設(shè)置于該金屬支架層表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶微麥克風(fēng)裝置，其特征在于該鍵合用焊盤(pán)是兩個(gè)或多個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶微麥克風(fēng)裝置，其特征在于該保護(hù)層是單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶微麥克風(fēng)裝置，其特征在于該保護(hù)層厚度是0.1到4. 0 微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶微麥克風(fēng)裝置，其特征在于其中該背極板厚度為 0. 5-7. 0 微米。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶微麥克風(fēng)裝置，其特征在于其中該振膜的厚度為 0. 1-4. 0 微米。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種硅晶微麥克風(fēng)裝置。所述硅晶微麥克風(fēng)裝置包括硅基、振膜、背極板、背電極以及至少兩鍵合用焊盤(pán)，該硅基支撐該背極板及該振膜，該背極板支撐該背電極，該兩鍵合用焊盤(pán)之一設(shè)置于該背電極上，該兩鍵合用焊盤(pán)之二的一部分設(shè)置于該振膜上，另一部分設(shè)置于該背電極上，還包括保護(hù)層，該保護(hù)層一部分不完全覆蓋該兩鍵合用焊盤(pán)表面，另一部分連接該背電極通過(guò)上述方式，本實(shí)用新型能夠可以有效的防止鍵合用焊盤(pán)的氧化問(wèn)題，還能提高鍵合用焊盤(pán)與背極板或與振膜結(jié)構(gòu)的固定性，從而解決現(xiàn)有技術(shù)中，鍵合用焊盤(pán)易松動(dòng)、甚至脫落的問(wèn)題，從而提高硅晶微麥克風(fēng)效能和輸出表現(xiàn)。
文檔編號(hào)H04R19/04GK202004962SQ20112000794
公開(kāi)日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2011年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月12日
發(fā)明者孟珍奎, 張小麟, 張睿, 楊斌, 王琳琳, 葛舟, 顏毅林 申請(qǐng)人:瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司, 瑞聲科技(新加坡)有限公司