專利名稱:小體積高分辨率cmos圖像傳感器模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及CMOS圖像傳感器模組產(chǎn)品,特別涉及一種高分辨率小體積低高度的CMOS圖像傳感器模組,屬于圖像處理技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù):
隨著CMOS圖像傳感器產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展的日新月異,高分辨率的CMOS圖像傳感器逐漸開(kāi)始占領(lǐng)市場(chǎng),顯示更高像素圖像,更清晰畫(huà)面變得輕而易舉。但隨之而來(lái)的問(wèn)題是CMOS圖像傳感器的像素量級(jí)不斷提高,芯片上單位像素的尺寸也逐步接近光學(xué)極限,降低CMOS圖像傳感器芯片的體積,特別是芯片高度越來(lái)越困難。而目前CMOS圖像傳感器市場(chǎng)最為熱點(diǎn)的產(chǎn)品——具有攝像功能的便攜式設(shè)備對(duì)圖像傳感器芯片模組的體積越來(lái)越敏感,特別是3G應(yīng)用手機(jī)、雙攝像頭手機(jī)、可視電話等等,正向著高分辨率、超薄機(jī)身的方向發(fā)展。
如圖I所示,是現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖,芯片中占據(jù)面積比例最大的是感光陣列,而根據(jù)近期的研究發(fā)現(xiàn)表明,CMOS圖像傳感器模組的高度與感光陣列的面積成正比。因此目前各類(lèi)產(chǎn)品紛紛追求越來(lái)越高的CMOS圖像傳感器像素分辨率,將必然導(dǎo)致感光陣列面積的增大,同時(shí)增大芯片模組高度和體積,對(duì)芯片的成本和應(yīng)用范圍都產(chǎn)生巨大的影響。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型提供了一種降低CMOS圖像傳感器模組高度的方法及CMOS圖像傳感器模組,用于解決現(xiàn)有的圖像傳感器中陰感光陣列的面積增大而導(dǎo)致的芯片模組高度和體積也隨之增大的問(wèn)題。本實(shí)用新型的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的小體積高分辨率CMOS圖像傳感器模組,其特征在于,包括感光陣列、模擬電路和數(shù)字電路,所述感光陣列被劃分為兩個(gè)或者兩個(gè)以上,并且每個(gè)劃分的感光陣列設(shè)有獨(dú)立的光學(xué)成像系統(tǒng),每個(gè)劃分的感光陣列的圖像數(shù)據(jù)輸出端與所述模擬電路的圖像信號(hào)輸入端連接,所述模擬電路的圖像信號(hào)輸出端與所述數(shù)字電路的圖像信號(hào)輸入端連接。由上述本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案可以看出,本實(shí)用新型的小體積高分辨率CMOS圖像傳感器模組,通過(guò)將芯片中的大面積高分辨率感光陣列進(jìn)行切分,使之成為多個(gè)面積和分辨率相同的小分辨率感光陣列,各個(gè)感光陣列采用獨(dú)立的光學(xué)系統(tǒng)成像,由于圖像傳感器模組高度與感光陣列面積成正比,當(dāng)高分辨率感光陣列被切分后,每一個(gè)小的感光陣列的面積均縮小,高度也隨之縮小,因此,通過(guò)這種方式,在不改變CMOS圖像傳感器模組的分辨的情況下,將模組高度減小。
為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)中的的現(xiàn)有高分辨率CMOS圖像傳感器模組結(jié)構(gòu)圖;圖2為本實(shí)用新型具體實(shí)施例一提供的CMOS圖像傳感器模組結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本實(shí)用新型具體實(shí)施例二提供的CMOS圖像傳感器模組結(jié)構(gòu)示意圖;圖4為本實(shí)用新型具體實(shí)施例三提供的CMOS圖像傳感器模組結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí) 施例?;诒緦?shí)用新型的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。本具體實(shí)施方式
提供了一種小體積高分辨率CMOS圖像傳感器模組,包括感光陣列、模擬電路和數(shù)字電路,所述感光陣列被劃分為兩個(gè)或者兩個(gè)以上,并且每個(gè)劃分的感光陣列設(shè)有獨(dú)立的光學(xué)成像系統(tǒng),每個(gè)劃分的感光陣列的圖像數(shù)據(jù)輸出端與所述模擬電路的圖像信號(hào)輸入端連接,所述模擬電路的圖像信號(hào)輸出端與所述數(shù)字電路的圖像信號(hào)輸入端連接。本具體實(shí)施方式
提供的降低CMOS圖像傳感器模組高度的方法的基本原理是通過(guò)將芯片中的大面積高分辨率感光陣列切分成為多個(gè)面積和分辨率相同的小分辨率感光陣列,并根據(jù)圖像傳感器模組高度與感光陣列面積成正比,縮小模組高度。其可應(yīng)用于3G應(yīng)用手機(jī),雙攝像頭手機(jī),可視電話等超薄機(jī)型的攝像頭模組設(shè)計(jì)和生產(chǎn)中。下面通過(guò)具體的實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。實(shí)施例一如圖2所示,本實(shí)施例的小體積高分辨率CMOS圖像傳感器模組包括感光陣列,模擬電路和數(shù)字電路,其中感光陣列數(shù)量為4個(gè),全部感光陣列的分辨率之和為該CMOS圖像傳感器模組的分辨率;模擬電路,用于接收感光陣列的模擬信號(hào),處理完成后發(fā)送給數(shù)字電路;數(shù)字電路,包括圖像處理模塊和圖像拼接模塊,所述圖像處理模塊用于接收模擬電路發(fā)送的感光陣列的圖像信號(hào),并進(jìn)行圖像處理,所述圖像拼接模塊用于將處理完成的感光陣列的圖像拼接成一幅完整的圖像。優(yōu)選的,數(shù)字電路與感光陣列和模擬電路集成于同一模組內(nèi)。優(yōu)選的,所有4個(gè)感光陣列共用一個(gè)模擬電路和一個(gè)數(shù)字電路。本實(shí)施例的模組集成度高,可應(yīng)用于3G應(yīng)用手機(jī),雙攝像頭手機(jī),可視電話等超薄機(jī)型,并且集成簡(jiǎn)單,其外部電路連接方式與現(xiàn)有技術(shù)的單一感光陣列模組相同。實(shí)施例二如圖3所示,本實(shí)施例的小體積高分辨率CMOS圖像傳感器模組包括感光陣列和模擬電路,數(shù)字電路不集成到該模組內(nèi)。其中感光陣列數(shù)量為4個(gè),全部感光陣列的分辨率之和為該CMOS圖像傳感器模組的分辨率;模擬電路,用于接收感光陣列的模擬信號(hào),且每一個(gè)感光陣列都有對(duì)應(yīng)的模擬電路完成模擬信號(hào)處理,處理完成后發(fā)送給數(shù)字電路。數(shù)字電路,包括圖像處理模塊和圖像拼接模塊,所述圖像處理模塊用于接收模擬電路發(fā)送的感光陣列的圖像信號(hào),并進(jìn)行圖像處理,所述圖像拼接模塊用于將處理完成的感光陣列的圖像拼接成一幅完整的圖像。本實(shí)施例的模組將數(shù)字電路部分分置于另一芯片中,不與感光陣列及模擬電路集成,是感光陣列部分設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單,且便于數(shù)字電路部分增加其他數(shù)字處理模塊。實(shí)施例三如圖4所示,本實(shí)施例的小體積高分辨率CMOS圖像傳感器模組包括感光陣列,模擬電路和數(shù)字電路,其中感光陣列數(shù)量為4個(gè),全部感光陣列的分辨率之和為該CMOS圖像傳感器模組的分辨率;模擬電路,用于接收感光陣列的模擬信號(hào),處理完成后發(fā)送給數(shù)字電路;數(shù)字電路,包括圖像處理模塊和圖像拼接模塊,所述圖像處理模塊用于接收模擬電路發(fā)送的感光陣列的圖像信號(hào),并進(jìn)行圖像處理,所述圖像拼接模塊用于將處理完成的感光陣列的圖像拼接成一幅完整的圖像。 優(yōu)選的,模擬電路數(shù)量為4個(gè),數(shù)字電路數(shù)量為4個(gè),每一個(gè)感光陣列均與唯一的數(shù)字電路和模擬電路對(duì)應(yīng),每一套包含了感光陣列、模擬電路和數(shù)字電路的電路系統(tǒng)都可以獨(dú)立完成圖像拍攝和處理工作。本實(shí)施例的模組中的每一套可單獨(dú)完成圖像拍攝和處理工作的小單元都可以單獨(dú)切分出來(lái)成為獨(dú)立的CMOS圖像傳感器芯片。不進(jìn)行切分時(shí),該模組仍可作為高分辨率CMOS圖像傳感器芯片使用。由上述技術(shù)方案可以看出,本實(shí)用新型的小體積高分辨率CMOS圖像傳感器模組,通過(guò)將芯片中的大面積高分辨率感光陣列進(jìn)行切分,使之成為多個(gè)面積和分辨率相同的小分辨率感光陣列,各個(gè)感光陣列采用獨(dú)立的光學(xué)系統(tǒng)成像,由于圖像傳感器模組高度與感光陣列面積成正比,當(dāng)高分辨率感光陣列被切分后,每一個(gè)小的感光陣列的面積均縮小,高度也隨之縮小,因此,通過(guò)這種方式,在不改變CMOS圖像傳感器模組的分辨的情況下,將模組高度減小。以上所述,僅為本實(shí)用新型較佳的具體實(shí)施方式
,但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到的變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.小體積高分辨率CMOS圖像傳感器模組,其特征在于,包括感光陣列、模擬電路和數(shù)字電路,所述感光陣列被劃分為兩個(gè)或者兩個(gè)以上,并且每個(gè)劃分的感光陣列設(shè)有獨(dú)立的光學(xué)成像系統(tǒng),每個(gè)劃分的感光陣列的圖像數(shù)據(jù)輸出端與所述模擬電路的圖像信號(hào)輸入端連接,所述模擬電路的圖像信號(hào)輸出端與所述數(shù)字電路的圖像信號(hào)輸入端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的小體積高分辨率CMOS圖像傳感器模組,其特征在于,所述數(shù)字電路與感光陣列和模擬電路集成于同一模組內(nèi),或者,所述數(shù)字電路與感光陣列分處兩個(gè)模組。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的小體積高分辨率CMOS圖像傳感器模組,其特征在于,所述感光陣列數(shù)量為4個(gè)。
專利摘要本實(shí)用新型提供了小體積高分辨率CMOS圖像傳感器模組,包括感光陣列、模擬電路和數(shù)字電路,所述感光陣列被劃分為兩個(gè)或者兩個(gè)以上,并且每個(gè)劃分的感光陣列設(shè)有獨(dú)立的光學(xué)成像系統(tǒng),每個(gè)劃分的感光陣列的圖像數(shù)據(jù)輸出端與所述模擬電路的圖像信號(hào)輸入端連接,所述模擬電路的圖像信號(hào)輸出端與所述數(shù)字電路的圖像信號(hào)輸入端連接。本實(shí)用新型通過(guò)將芯片中的大面積高分辨率感光陣列進(jìn)行切分,使之成為多個(gè)面積和分辨率相同的小分辨率感光陣列,各個(gè)感光陣列采用獨(dú)立的光學(xué)系統(tǒng)成像,在不改變CMOS圖像傳感器模組的分辨的情況下,將模組高度減小。
文檔編號(hào)H04N5/3745GK202503588SQ201120482040
公開(kāi)日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2011年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月28日
發(fā)明者劉志碧, 唐冕, 趙文霖, 陳杰 申請(qǐng)人:北京思比科微電子技術(shù)股份有限公司