專利名稱：相機(jī)模塊及包括相機(jī)模塊的系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及相機(jī)模塊，且更特定地但并不只是涉及具有集成電磁干擾(EMI)保護(hù)的數(shù)碼相機(jī)模塊。
背景技術(shù)：
具有圖像捕捉能力的移動(dòng)電子裝置(例如蜂窩式電話)變得越來(lái)越流行。用于制作圖像傳感器且尤其互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)及電荷耦合裝置(CCD)圖像傳感器的技術(shù)已持續(xù)快速進(jìn)步。對(duì)于較高分辨率、較低電力消耗及較小裝置的需求已助長(zhǎng)圖像傳感器及構(gòu)成數(shù)碼相機(jī)模塊所需要的其它相關(guān)聯(lián)的元件的進(jìn)一步的小型化及集成。許多數(shù)碼相機(jī)模塊需要保護(hù)以免受當(dāng)相機(jī)靠近其它電子組件安裝時(shí)可能發(fā)生的電磁干擾(EMI)。圖1是現(xiàn)有技術(shù)相機(jī)模塊的說(shuō)明。相機(jī)模塊100包括印刷電路板型襯底101，布置在襯底102上的圖像傳感器，安置在圖像傳感器上的玻璃蓋板103，及定位在玻璃蓋板之上的透鏡固持組合件104。金屬支撐殼110覆蓋透鏡固持組合件104及圖像傳感器襯底102，且焊接到PCB襯底101的接地連接件。金屬支撐殼可提供EMI保護(hù)以及防震保護(hù)。如所示，這種類型的獨(dú)立屏蔽組件變得比相機(jī)模塊自身更大且更重。同樣，金屬屏蔽殼典型通過折彎及按壓過程的組合來(lái)制作，其將殼形狀限制為全部覆蓋相機(jī)模塊的矩形柱。對(duì)于小、薄、輕質(zhì)便攜式裝置，這是不適宜的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例可包含一種相機(jī)模塊。所述相機(jī)模塊包括襯底，其包含多個(gè)成像像素；成像透鏡單元，其安置在所述襯底的頂側(cè)上；多個(gè)導(dǎo)電連接件，其安置在所述襯底的底側(cè)上，其中所述導(dǎo)電連接件中的至少一者包括接地連接件；穿硅通孔(TSV)，其延伸穿過通過所述襯底且從所述襯底的所述頂側(cè)可進(jìn)入且以通信方式耦合到在所述底側(cè)上的所述接地連接件；及電磁干擾(EMI)屏蔽罩蓋，其安置在所述成像透鏡單元之上且以通信方式耦合到所述TSV。本發(fā)明的另一實(shí)施例可包含一種系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括數(shù)碼相機(jī)模塊。所述數(shù)碼相機(jī)模塊包含圖像傳感器襯底，其具有多個(gè)成像像素；成像透鏡單元，其安置在所述圖像傳感器襯底的頂側(cè)上；及多個(gè)導(dǎo)電連接件，其安置在所述圖像傳感器襯底的底側(cè)上，其中所述導(dǎo)電連接件中的至少一者包括接地連接件；穿硅通孔(TSV)，其延伸穿過通過所述襯底且從所述襯底的所述頂側(cè)可進(jìn)入且以通信方式耦合到在所述底側(cè)上的所述接地連接件。所述系統(tǒng)進(jìn)一步包括電磁干擾(EMI)屏蔽罩蓋，其安置在所述數(shù)碼相機(jī)模塊之上且耦合到所述圖像傳感器襯底的所述TSV ;及印刷電路板(PCB)襯底，其耦合到所述多個(gè)導(dǎo)電連接件以接收來(lái)自所述數(shù)碼相機(jī)模塊的圖像數(shù)據(jù)。


本發(fā)明內(nèi)容的非限制及非詳盡實(shí)施例參考下文圖式而描述，其中除非另有指明，否則貫穿多種視圖的相同參考數(shù)字指的是相同部件。圖1是現(xiàn)有技術(shù)相機(jī)模塊的說(shuō)明。圖2說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的實(shí)施例的數(shù)碼相機(jī)模塊。圖3說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的實(shí)施例的數(shù)碼相機(jī)模塊的剖面圖。圖4說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的實(shí)施例的具有集成EMI屏蔽的數(shù)碼相機(jī)組合件。圖5說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的實(shí)施例的具有集成EMI屏蔽的數(shù)碼相機(jī)組合件。圖6說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的實(shí)施例的成像系統(tǒng)。
具體實(shí)施例方式本文描述具有集成電磁干擾(EMI)保護(hù)的低高度的相機(jī)模塊的實(shí)施例。在下文描述中，陳述許多詳細(xì)細(xì)節(jié)以提供對(duì)實(shí)施例的透徹理解。然而所屬相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到可在沒有一個(gè)或一個(gè)以上所述詳細(xì)細(xì)節(jié)的情況下或與其它方法、組件、材料等一起實(shí)踐本文描述的技術(shù)。在其它例子中，眾所周知的結(jié)構(gòu)、材料或操作未詳細(xì)展示或描述，以避免模糊某些方面。貫穿本說(shuō)明書所涉及的“一個(gè)實(shí)施例”或“一實(shí)施例”意思是結(jié)合所述實(shí)施例所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包含在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，貫穿本說(shuō)明書在多處出現(xiàn)的詞組“在一個(gè)實(shí)施例中”或“在一實(shí)施例中”并非必要地均指同一實(shí)施例。此外，特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可在一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例中以任意適宜方式組合。如在本文中使用的術(shù)語(yǔ)“或”通常意味著涵蓋包含`性功能(比如“及/或”)的意思。圖2說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的實(shí)施例的數(shù)碼相機(jī)模塊。數(shù)碼相機(jī)模塊可一件一件地制作及裝配，或用晶片級(jí)相機(jī)(WLC)技術(shù)制作及裝配。在WLC技術(shù)中，許多光學(xué)組件可在包括硅、玻璃或塑料的襯底晶片上制作。這些光電子晶片與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器晶片安裝在一起且接著切割成單個(gè)相機(jī)模塊。使用可得的半導(dǎo)體技術(shù)，完成的相機(jī)(包含光學(xué)元件)可以晶片級(jí)來(lái)制作及封裝。通過用完全自動(dòng)的晶片級(jí)處理來(lái)代替許多的人工操作，WLC技術(shù)降低了制作及封裝成本，且改進(jìn)了質(zhì)量。晶片級(jí)相機(jī)模塊200包含傳感器封裝202，及安置在傳感器封裝的頂部上的透鏡組合件204 (具有一個(gè)或一個(gè)以上透鏡)。在此實(shí)施例中，透鏡組合件204是立方體形狀。在其它實(shí)施例中，透鏡組合件可包括配合在傳感器封裝202之上的任何形狀(例如圓柱形、無(wú)限制的造型等)。傳感器封裝202的厚度可小于透鏡立方體204的厚度，但傳感器封裝202的寬度可大于透鏡立方體204的寬度。在其它實(shí)施例中，傳感器封裝202與透鏡立方體204的寬度可相同。此外，其它大小及形狀組合是可能的。圖3說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的實(shí)施例的數(shù)碼相機(jī)模塊的剖面圖。相機(jī)組合件300包含透鏡立方體304、圖像傳感器封裝302及印刷電路板(PCB)襯底306。PCB 306包含安置在其表面上以將圖像傳感器封裝302連接到其它電路元件(即，與主機(jī)移動(dòng)電話或平板計(jì)算機(jī)裝置的其它組件交換數(shù)據(jù)的電路)的金屬跡線310。傳感器封裝302包含圖像傳感器襯底312，圖像傳感器襯底312可包含多個(gè)圖像傳感器。在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)圖像傳感器可為安置在圖像傳感器襯底312內(nèi)的成像像素的前側(cè)照明(FSI)陣列，其中每一 FSI成像像素包含光電二極管區(qū)域，其用于響應(yīng)于在FSI陣列的前側(cè)上入射的光而積累圖像電荷。在一些實(shí)施例中，安置在圖像傳感器襯底312內(nèi)的FSI成像像素中的每一者同樣可包含在光電二極管區(qū)域下面安置在圖像傳感器襯底的前側(cè)上且經(jīng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)以聚焦從前側(cè)接收到光電二極管區(qū)域上的光的微透鏡，及安置在微透鏡與光電二極管區(qū)域之間以過濾從前側(cè)接收的光的濾色器。在其它實(shí)施例中，所述多個(gè)圖像傳感器可為安置在圖像傳感器襯底312內(nèi)的成像像素的背側(cè)照明(BSI)陣列，其中每一 BSI成像像素包含光電二極管區(qū)域，其用于響應(yīng)于在BSI陣列的背側(cè)上入射的光而積累圖像電荷。在一些實(shí)施例中，安置在圖像傳感器襯底312內(nèi)的BSI成像像素中的每一者同樣可包含在光電二極管區(qū)域下面安置在圖像傳感器襯底的背側(cè)上且經(jīng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)以聚焦從背側(cè)接收到光電二極管區(qū)域上的光的微透鏡，及安置在微透鏡與光電二極管區(qū)域之間以過濾從背側(cè)接收的光的濾色器。在此實(shí)施例中，罩蓋玻璃314安置在圖像傳感器襯底312之上，用粘合劑316固定。焊球318將圖像傳感器襯底312既在電上又在結(jié)構(gòu)上連接到PCB 306的金屬跡線310。焊球318可經(jīng)由各種工藝(例如，使用回流工藝，使用球柵陣列布置，使用倒裝芯片技術(shù)，使用接合線，及/或類似者)以通信方式耦合到圖像傳感器襯底312。在一些例子中，當(dāng)相機(jī)組合件300遭受EMI時(shí)，此EMI可發(fā)射到傳感器封裝302-明確地是發(fā)射到圖像傳感器襯底312，從而產(chǎn)生電噪聲，這可導(dǎo)致圖像降級(jí)。本發(fā)明的實(shí)施例提供符合移動(dòng)應(yīng)用需求的具有集成EMI保護(hù)的小相機(jī)模塊(例如相機(jī)模塊300)。圖4說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的實(shí)施例的具有集成EMI屏蔽的數(shù)碼相機(jī)組合件。相機(jī)模塊400包含透鏡立方體404、圖像傳感器襯底412及PCB襯底406。所述PCB包含安置在其表面上的金屬跡線410，其可操作以將圖像傳感器襯底412通過焊球418連接到其它系統(tǒng)電路元件。圖像傳感器襯底412通過粘合劑結(jié)構(gòu)416直接固定到透鏡立方體404。因此，代替如圖3中展示的罩蓋玻璃314，數(shù)碼相機(jī)模塊400僅包含隔開透鏡立方體404與圖像傳感器襯底412的最小空隙。在這個(gè)實(shí)施例中，在沒有罩蓋玻璃的情況下，為相機(jī)模塊400提供了低高度。為了提供保護(hù)免受EMI，保護(hù)封圍物401固定到透鏡立方體404。封圍物401是由金屬制成的罐式屏蔽件，且除了一個(gè)用于光通過的開口外無(wú)開口，以使得沒有電磁場(chǎng)可穿透封圍物。在此實(shí)施例中，封圍物401具有頂部片元件及四個(gè)側(cè)壁。所述側(cè)壁無(wú)開口。頂部片元件具有中心開口以允許光及圖像經(jīng)過而進(jìn)入相機(jī)模塊400。EMI保護(hù)封圍物401可通過在透鏡立方體404的頂部表面上滴涂膠水402，通過表面到表面配合而在透鏡立方體404之上安置封圍物401，及固化膠水402，而固定到透鏡立方體404。封圍物401可通過中間電饋通結(jié)構(gòu)420來(lái)形成到PCB 406的表面上的金屬跡線410的電連接。在此實(shí)施例中，不是如圖1的現(xiàn)有技術(shù)相機(jī)模塊100中展示的直接接觸PCB 406，而是保護(hù)封圍物401接觸圖像傳感器襯底412的其中形成金屬著陸襯墊417的頂部表面。在封圍物401與襯墊417之間的電連接可用導(dǎo)電粘合劑(其未展示)或其它已知的電連接方法來(lái)促成。 圖4另外說(shuō)明饋通420的展開圖。展開圖展示穿過圖像傳感器襯底412形成的孔或通孔，所述孔或通孔在其側(cè)上由絕緣體413加襯。所述通孔可經(jīng)由已知芯片級(jí)封裝廠CSP”)或穿硅通孔(“TSV”)工藝形成。金屬層414在絕緣體413之上形成且沿著襯底412的下部表面延伸以連接到焊球418。金屬層414同樣連接到金屬襯墊417，金屬襯墊417與封圍物401直接電接觸。絕緣層411可沿著襯底412的頂部表面橫向地包圍金屬襯墊417。結(jié)構(gòu)完整性及電絕緣可通過層415的形成而促成，層415填充通孔且可由焊接掩模材料或另一方便的絕緣材料組成。封圍物401的沿著襯底410的頂部表面從其垂直部件離開的水平延伸可在其它位置修改，且(舉例來(lái)說(shuō))在這些位置移除以阻止與可能未經(jīng)指派用于EMI保護(hù)的饋通(例如饋通420)的不需要的電接觸。此類其它饋通可經(jīng)指派用于(舉例來(lái)說(shuō))圖像傳感器所需要的電源及信號(hào)功能，其同樣可利用到在襯底402的下表面上的類似指派的焊球的電連接。圖5說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的實(shí)施例的具有集成EMI屏蔽的數(shù)碼相機(jī)組合件。相機(jī)組合件500類似于圖4的相機(jī)組合件400，除了 EMI保護(hù)是由EMI涂層501提供，EMI涂層501可直接在透鏡立方體404的外表面、粘合劑416及圖像傳感器襯底412的上表面上、尤其在金屬襯墊417上形成。在沉積EMI涂層501之前，放置適當(dāng)?shù)难诒谓Y(jié)構(gòu)，(舉例來(lái)說(shuō))放置在透鏡立方 體404的頂部處的透鏡開口之上及已經(jīng)指派用于除EMI保護(hù)外的功能的類似于金屬襯墊417的金屬襯墊上面。EMI涂層501可通過濺鍍或噴涂或鍍敷或若干其它通常已知的薄膜沉積工藝來(lái)沉積。上述的掩蔽結(jié)構(gòu)可在EMI涂層501的沉積之后移除。圖6說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的實(shí)施例的成像系統(tǒng)。系統(tǒng)600如所說(shuō)明包含光學(xué)元件601，其可包含折射、衍射或反射光學(xué)元件或這些的組合，其耦合到圖像傳感器602以聚焦圖像到圖像傳感器的像素陣列604中的像素上。像素陣列604捕捉圖像且成像系統(tǒng)600的其余部分處理來(lái)自圖像的像素?cái)?shù)據(jù)。通過本發(fā)明的上述實(shí)施例中的任一者，可保護(hù)光學(xué)元件601及圖像傳感器602免受EMI干擾。像素傳感器602包含像素陣列604及信號(hào)讀取(B卩，讀出)及處理電路610。在一個(gè)實(shí)施例中，圖像傳感器602是包含像素陣列604的BSI圖像傳感器，像素陣列604是二維的且包含以行606及列608布置的多個(gè)像素，但在其它實(shí)施例中，圖像傳感器602可為FSI圖像傳感器或組合了 BSI與FSI的圖像傳感器。在像素陣列604捕捉圖像的操作期間，像素陣列604中的每一像素在某一曝光周期期間捕捉入射光(即，光子)且將收集的光子轉(zhuǎn)換為電荷。由每一像素產(chǎn)生的電荷可被讀出為模擬信號(hào)，且所述模擬信號(hào)的特性(例如其電荷、電壓或電流)代表在曝光周期期間入射在像素上的光的強(qiáng)度。所說(shuō)明的像素陣列604是規(guī)則形狀的，但在其它實(shí)施例中，所述陣列可具有不同于所展示情況的規(guī)則或不規(guī)則布置且可包含比所展示情況更多或更少的像素、行及列。而且，在不同的實(shí)施例中，像素陣列604可為經(jīng)設(shè)計(jì)以捕捉光譜的可見部分內(nèi)的圖像的包含紅、綠及藍(lán)像素的色彩圖像傳感器，或可為黑白圖像傳感器及/或經(jīng)設(shè)計(jì)以捕捉光譜的不可見部分內(nèi)(例如紅外線或紫外線)的圖像的圖像傳感器。圖像傳感器602包含信號(hào)讀取與處理電路610。除了別的之外，電路610可包含井然有序地從每一像素讀取模擬信號(hào)，過濾這些信號(hào)，對(duì)有缺陷的像素進(jìn)行校正等等的電路及邏輯。在其中電路610僅執(zhí)行一些讀取與處理功能的實(shí)施例中，剩余的功能可由一個(gè)或一個(gè)以上其它組件(例如信號(hào)調(diào)整器612或數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)616)來(lái)執(zhí)行。盡管圖中展示為與像素陣列604分開的元件，但是在一些實(shí)施例中，讀取與處理電路610可與像素陣列604集成在同一襯底上或可包括嵌入在像素陣列內(nèi)的電路及邏輯。然而，在其它實(shí)施例中，讀取與處理電路610可為如圖中展示的在像素陣列604之外的元件。在再其它實(shí)施例中，讀取與處理電路610可為不僅在像素陣列604之外而且在圖像傳感器602之外的元件。信號(hào)調(diào)整器612以通信方式耦合到圖像傳感器602以接收及調(diào)整來(lái)自像素陣列604及來(lái)自讀取與處理電路610的模擬信號(hào)。在不同的實(shí)施例中，信號(hào)調(diào)整器612可包含各種組件用于調(diào)整模擬信號(hào)?？稍谛盘?hào)調(diào)整器中建立的組件的實(shí)例包含濾波器、放大器、補(bǔ)償電路、自動(dòng)增益控制等。在其中信號(hào)調(diào)整器612僅包含這類元件中的某些且僅執(zhí)行某些調(diào)整功能的實(shí)施例中，剩余的功能可由一個(gè)或一個(gè)以上其它組件(例如電路610或DSP 616)來(lái)執(zhí)行。模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC) 614以通信方式耦合到信號(hào)調(diào)整器612以從信號(hào)調(diào)整器612接收對(duì)應(yīng)于像素陣列604中的每一像素的經(jīng)調(diào)整的模擬信號(hào)，且將這些模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字值。DSP 616以通信方式耦合到模/數(shù)轉(zhuǎn)換器614以從ADC 614接收經(jīng)數(shù)字化的像素?cái)?shù)據(jù)且處理所述數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)以產(chǎn)生最終的數(shù)字圖像。DSP 616可包含處理器及內(nèi)部存儲(chǔ)器，在所述內(nèi)部存儲(chǔ)器中其可存儲(chǔ)及檢索數(shù)據(jù)。在圖像由DSP 616處理后，其可輸出到存儲(chǔ)單元618 (例如快閃存儲(chǔ)器或者光學(xué)或磁存儲(chǔ)單元)及顯示器單元620 (例如LCD屏幕)中的一者或兩者。本發(fā)明的所說(shuō)明的實(shí)施例的上文描述(包含摘要中所描述)并非意欲為詳盡的，或?qū)⒈景l(fā)明限制于所揭示的精確形式。盡管本文描述本發(fā)明的特定實(shí)施例及實(shí)例以用于說(shuō)明的目的，但如所屬相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，在本發(fā)明的范圍內(nèi)的各種修改是可能的。可鑒于上文詳細(xì)的描 述而對(duì)本發(fā)明做出這些修改。所附權(quán)利要求書中使用的術(shù)語(yǔ)不應(yīng)解釋為將本發(fā)明限制于說(shuō)明書中所揭示的特定實(shí)施例。相反，本發(fā)明的范圍完全由所附權(quán)利要求書決定，其是根據(jù)權(quán)利要求書解釋的確立的教義而解釋。
權(quán)利要求
1.一種相機(jī)模塊,其包括 襯底，其包含多個(gè)成像像素； 成像透鏡單元，其安置在所述襯底的頂側(cè)上； 多個(gè)導(dǎo)電連接件，其安置在所述襯底的底側(cè)上，其中所述導(dǎo)電連接件中的至少一者包括接地連接件； 穿硅通孔TSV，其延伸穿過所述襯底且從所述襯底的所述頂側(cè)可進(jìn)入且以通信方式耦合到在所述底側(cè)上的所述接地連接件；及 電磁干擾EMI屏蔽罩蓋，其安置在所述成像透鏡單元之上且以通信方式耦合到所述TSV。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相機(jī)模塊，其中所述EMI屏蔽罩蓋包括金屬罐型屏蔽件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相機(jī)模塊，其中所述EMI屏蔽罩蓋包括沉積在所述相機(jī)模塊之上的金屬涂層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的相機(jī)模塊，其中所述金屬涂層包括經(jīng)由濺鍍沉積工藝沉積在所述相機(jī)模塊之上的金屬層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相機(jī)模塊，其中所述成像透鏡單元包括透鏡立方體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相機(jī)模塊，其中所述多個(gè)導(dǎo)電連接件包括多個(gè)焊球。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相機(jī)模塊，其進(jìn)一步包括 用于所述多個(gè)成像像素中的每一者的多個(gè)微透鏡，其安置在所述襯底上以聚焦接收到相應(yīng)成像像素上的光 '及 用于所述多個(gè)成像像素中的每一者的多個(gè)濾色器，其安置在所述相應(yīng)成像像素與其微透鏡之間以過濾所述光。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的相機(jī)模塊，其進(jìn)一步包括安置在所述多個(gè)微透鏡與所述透鏡單元之間的空隙。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相機(jī)模塊，其中所述多個(gè)成像像素包括前側(cè)照明FSI成像像素陣列。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相機(jī)模塊，其中所述多個(gè)成像像素包括背側(cè)照明BSI成像像素陣列。
11.一種系統(tǒng)，其包括 數(shù)碼相機(jī)模塊，其包含 圖像傳感器襯底，其具有多個(gè)成像像素； 成像透鏡單元，其安置在所述圖像傳感器襯底的頂側(cè)上；及 多個(gè)導(dǎo)電連接件，其安置在所述圖像傳感器襯底的底側(cè)上，其中所述導(dǎo)電連接件中的至少一者包括接地連接件； 穿硅通孔TSV，其延伸穿過所述襯底且從所述襯底的所述頂側(cè)可進(jìn)入且以通信方式耦合到在所述底側(cè)上的所述接地連接件； 電磁干擾EMI屏蔽罩蓋，其安置在所述數(shù)碼相機(jī)模塊之上且耦合到所述圖像傳感器襯底的所述TSV ;及 印刷電路板PCB襯底，其耦合到所述多個(gè)導(dǎo)電連接件以接收來(lái)自所述數(shù)碼相機(jī)模塊的圖像數(shù)據(jù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述EMI屏蔽罩蓋包括金屬罐型屏蔽件。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述EMI屏蔽罩蓋包括沉積在所述晶片級(jí)相機(jī)模塊之上的金屬涂層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中所述金屬涂層包括經(jīng)由濺鍍沉積工藝沉積在所述晶片級(jí)相機(jī)模塊之上的金屬層。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述成像透鏡單元包含透鏡立方體。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述多個(gè)導(dǎo)電連接件包括多個(gè)焊球。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，所述數(shù)碼相機(jī)模塊進(jìn)一步包括 用于所述多個(gè)成像像素中的每一者的多個(gè)微透鏡，其安置在所述圖像傳感器襯底上以聚焦接收到相應(yīng)成像像素上的光；及 用于所述多個(gè)成像像素中的每一者的多個(gè)濾色器，其安置在所述相應(yīng)成像像素與其微透鏡之間以過濾所述光。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，所述數(shù)碼相機(jī)模塊進(jìn)一步包括安置在所述多個(gè)微透鏡與所述透鏡單元之間的空隙。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述多個(gè)成像像素包括前側(cè)照明FSI成像像素陣列。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述多個(gè)成像像素包括背側(cè)照明BSI成像像素陣列。
全文摘要
本申請(qǐng)案涉及一種相機(jī)模塊及一種包括所述相機(jī)模塊的系統(tǒng)。本發(fā)明的實(shí)施例描述安置在晶片級(jí)相機(jī)模塊之上的電磁干擾EMI屏蔽罩蓋。所述相機(jī)模塊包含具有多個(gè)成像像素的襯底，安置在所述襯底的頂側(cè)上的成像透鏡單元及安置在所述襯底的底側(cè)上的多個(gè)導(dǎo)電連接件，其中所述導(dǎo)電連接件中的至少一者包括接地連接件。所述襯底進(jìn)一步包含在所述襯底的所述頂側(cè)上可進(jìn)入且以通信方式耦合到所述接地連接件的穿硅通孔TSV。所述EMI屏蔽件以通信方式耦合到所述TSV，且因此耦合到數(shù)碼相機(jī)模塊的所述接地連接件。
文檔編號(hào)H04N5/225GK103066061SQ20121032764
公開日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2012年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者林蔚峰, 蔡陳緯 申請(qǐng)人:全視科技有限公司