載波調(diào)度方法及系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及通信【技術領域】，公開了一種載波調(diào)度方法及系統(tǒng)，具體包括：構(gòu)建基本處理單元，所述基本處理單元為一個光口的相鄰m個chip的數(shù)據(jù)，并基于所述基本處理單元將RRU數(shù)據(jù)存儲入緩存區(qū)，其中m≥2；對每個天線載波Binding實行串并轉(zhuǎn)換，產(chǎn)生n路并行數(shù)據(jù)，所述一個天線載波Binding為連續(xù)n個天線載波位，其中n≥2；根據(jù)預先配置的調(diào)度信息將所述存儲的RRU數(shù)據(jù)調(diào)度至所述n路并行數(shù)據(jù)。本發(fā)明的載波調(diào)度方法及系統(tǒng)，采用chip結(jié)合CA調(diào)度策略，能夠降低高光口速率下的CA并行需求。
【專利說明】載波調(diào)度方法及系統(tǒng)
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及通信【技術領域】，特別涉及一種載波調(diào)度方法及系統(tǒng)。
【背景技術】
[0002]光纖拉遠技術廣泛應用于全球陸上無線接入(Universal Terrestrial RadioAccess, UTRAN)系統(tǒng)(含TD-SCDMA和WCDMA)中，在LTE中也使用和發(fā)展了這一技術。然而和UTRAN系統(tǒng)支持固定系統(tǒng)帶寬不同，LTE支持多種可變系統(tǒng)帶寬，即包含有1.4M/3M/5M/10M/15M/20M多種帶寬模式(其中10M/15M/20M有最廣泛的應用)；并且LTE支持多種MMO形式，兼之TDD-LTE支持智能天線，TD-LTE設備中包含有1A/2A/4A/8A等多種通道形態(tài)的射頻拉遠單元(Radio Remote Unit, RRU);與此同時隨著光模塊/光纖技術的發(fā)展，速率支持IOGbps的光模塊業(yè)已進入商用階段，而現(xiàn)網(wǎng)中還有大量1.25G/2.5G/5G/6G等速率的光模塊存在，且通常要求新引入的板卡兼容現(xiàn)有RRU設備的接入，且滿足其向LTE單模或雙模的演進。以上這些因素都為TD-LTE階段的光纖拉遠技術增加了復雜度。
[0003]載波調(diào)度技術是光纖拉遠技術的核心之一，載波調(diào)度技術將各種光口速率接入的各種制式和天線形態(tài)的RRU小區(qū)調(diào)度至基帶單元(Base Band Unit, BBU)上對應功能處理單元。調(diào)度功能的設計會對實際布設形態(tài)形成一定約束和限制。
[0004]現(xiàn)有基礎載波調(diào)度技術的實現(xiàn)模型可以簡化為圖1中的形式，以6個光口、2個電口(通向背板)為例，RRU數(shù)據(jù)由6個光口連接至BBU板卡，經(jīng)過串并轉(zhuǎn)換單元后輸出IQ(Inphase-Quadrature )數(shù)據(jù)進入到各自的輸入緩沖區(qū)，然后由主調(diào)度單元根據(jù)調(diào)度信息將各光口的數(shù)據(jù)分配至本板對應處理單元的緩沖區(qū)和/或背板調(diào)度的緩沖區(qū)中。因為在IR(Interface between the RRU and the BBU)協(xié)議之初僅定義了支持 1.25G/2.5G 速率,速率較低，因此現(xiàn)有設計都以I個chip內(nèi)光口可承載的天線載波(AC)位為交換目標。chip是一個時間單位，表示光纖在(1/1.28M)s的時間片內(nèi)能夠承載的CA數(shù)(采樣)，光口速率越高，承載的點數(shù)越多?；竟芾韱卧ㄟ^控制一個chip內(nèi)承載的AC位和RRU天線實際采樣點數(shù)的映射關系來達到調(diào)度的目的。
[0005]在TD-SCDMA階段，光口速率相對較低，如1.25G光口場景下，此時6光口的總數(shù)據(jù)速率為30bX 184.32M，現(xiàn)有方案的一般η取為I。η表示主調(diào)度單元支持顆粒度為I個TD-SCDMA載波的調(diào)度，最低工作頻率為184.32MHz。
[0006]在TD-LTE階段，基帶采樣速率增高需要更高的光口速率，以當前廣泛使用的光口速率5G為例，現(xiàn)有方案一般η取為4，這就要求單天線的4個采樣點連續(xù)放置。即主調(diào)度單元支持顆粒度為4個采樣數(shù)據(jù)的并行調(diào)度，最低工作頻率為184.32MHz。
[0007]在給定的光口速率下，調(diào)度的顆粒度和調(diào)度單元的工作時鐘存在互斥關系。如果要求低顆粒度要求，則需要提高工作時鐘，如果降低工作時鐘則需要提高顆粒度。對于高光口速率，采用傳統(tǒng)的調(diào)度單元設計會限制調(diào)度顆粒度的選擇。現(xiàn)有方案在應對更高光口速率時，只能單純提高單chip內(nèi)的AC并行度，這難以滿足LTE可變帶寬特性的需求，并且對TD-SCDMA載波調(diào)度顆粒度的也有較強限制。[0008]現(xiàn)有TD-LTE調(diào)度技術難以有效兼容各種帶寬，以5G光口速率n=4的設計，此時一個chip可以容納96個采樣點，對于20M的TD-LTE系統(tǒng)；一個chip采樣周期內(nèi)產(chǎn)生24個采樣點，此時一個光口可以容納4個天線的采樣數(shù)據(jù)；對于5M的TD-LTE系統(tǒng)，一個chip采樣周期內(nèi)產(chǎn)生6個采樣點，此時由于調(diào)度要求并行度為4的調(diào)度，6個采樣點需要占據(jù)8個AC位，從而造成資源浪費。
[0009]現(xiàn)有的TD-SCDMA支持從單載波調(diào)度，但隨著光口速率的提高，保持這一調(diào)度顆粒度的難度將增高，并且隨著TD-SCDMA網(wǎng)絡的逐漸成熟和H載波，單載波調(diào)度的需求已經(jīng)基本不存在，并且在各種光口速率混和接入時，難以保持調(diào)度顆粒度的一致性。
[0010]現(xiàn)有技術支持缺乏對TD-SCMDA和TD-LTE共光纖/光口的有效支持，需要分開接入和調(diào)度，無法充分利用光纖的接入能力，且對RRU的接入形成一定限制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011](一)要解決的技術問題
[0012]本發(fā)明要解決的技術問題是:在光口速率混合接入和/或小區(qū)混合帶寬接入時，如何保持調(diào)度顆粒度的一致性。
[0013](二)技術方案
[0014]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種載波調(diào)度方法，其包括步驟:
[0015]構(gòu)建基本處理單元，所述基本處理單元為一個光口的相鄰m個chip的數(shù)據(jù)，并基于所述基本處理單元將RRU數(shù)據(jù)存儲入緩存區(qū)，其中m > 2 ;
[0016]對每個天線載波Binding實行串并轉(zhuǎn)換，產(chǎn)生η路并行數(shù)據(jù)，所述一個天線載波Binding為連續(xù)η個天線載波位,其中η≤2 ;
[0017]根據(jù)預先配置的調(diào)度信息將所述存儲的RRU數(shù)據(jù)調(diào)度至所述η路并行數(shù)據(jù)。
[0018]可選的，所述方法還包括:
[0019]接收調(diào)度后的η路并行數(shù)據(jù)；
[0020]對接收的調(diào)度后的η路并行數(shù)據(jù)執(zhí)行并串轉(zhuǎn)換。
[0021]可選的，所述η=3。
[0022]可選的，所述m=2。
[0023]可選的，利用第一復用單元實行所述串并轉(zhuǎn)換。
[0024]可選的，利用第二復用單元執(zhí)行所述并串轉(zhuǎn)換。
[0025]本發(fā)明提供一種載波調(diào)度系統(tǒng)，其包括:
[0026]處理裝置，用于構(gòu)建基本處理單元，并基于所述基本處理單元將RRU數(shù)據(jù)存儲入緩存區(qū)，所述基本處理單元為一個光口的相鄰m個chip的數(shù)據(jù)，其中m > 2 ；
[0027]串并轉(zhuǎn)換裝置，用于對每個天線載波Binding實行串并轉(zhuǎn)換，產(chǎn)生η路并行數(shù)據(jù)，其中η≤2,所述天線載波Binding為連續(xù)η個天線載波位；
[0028]調(diào)度裝置，用于將存儲的所述RRU數(shù)據(jù)調(diào)度至所述η路并行數(shù)據(jù)。
[0029]可選的，所述系統(tǒng)還包括:`[0030]接收裝置，用于接收調(diào)度后的η路并行數(shù)據(jù)；
[0031]并串轉(zhuǎn)換裝置，用于對接收的調(diào)度后的η路并行數(shù)據(jù)執(zhí)行并串轉(zhuǎn)換。
[0032]可選的，所述η=3。[0033]可選的，m=2。
[0034]可選的，所述串并轉(zhuǎn)換裝置采用第一復用單元進行所述串并轉(zhuǎn)換。
[0035]可選的，所述并串轉(zhuǎn)換裝置采用第二復用單元執(zhí)行所述并串轉(zhuǎn)換。
[0036](三)有益效果
[0037]本發(fā)明的載波調(diào)度方法及系統(tǒng)，采用chip結(jié)合CA調(diào)度策略，能夠降低高光口速率下的CA并行需求，尤其在CA并行3的情況下，可以高效支持5M/10M/15M/20M等最廣泛應用的場景。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0038]圖1是現(xiàn)有技術中載波調(diào)度示意圖；
[0039]圖2是本發(fā)明的載波調(diào)度方法流程圖；
[0040]圖3是是本發(fā)明中的3CA結(jié)合雙chip的調(diào)度示意圖；
[0041]圖4是本發(fā)明中的一種載波調(diào)度系統(tǒng)的框圖；
[0042]圖5是本發(fā)明中的另一種載波調(diào)度系統(tǒng)的框圖。
【具體實施方式】
[0043]下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0044]本發(fā)明提出一種結(jié)合chip并行和天線載波(AC)并行的調(diào)度方法，具體流程如圖2所示，包括:
[0045]步驟S210，構(gòu)建基本處理單元，并基于所述基本處理單元將RRU數(shù)據(jù)存儲入緩存區(qū)，具體以每個所述光口相鄰的m個chip的數(shù)據(jù)為一個基本處理單元，分別對每個基本處理單元的數(shù)據(jù)進行合并處理并輸入至緩存區(qū)中，m ≥ 2 ；
[0046]步驟S220，對每個天線載波Binding實行串并轉(zhuǎn)換，產(chǎn)生η路并行數(shù)據(jù)，定義一個天線載波Binding為連續(xù)η個天線載波位,η≥2 一個chip內(nèi)光口可承載的天線載波位總數(shù)為一個天線載波Group。
[0047]步驟S220，根據(jù)預先配置的調(diào)度信息將所述存儲的RRU數(shù)據(jù)調(diào)度至所述η路并行數(shù)據(jù)。其中調(diào)度信息的內(nèi)容主要包括標記一個chip內(nèi)所有被調(diào)光口承載的采樣點總數(shù)為目的和來源。例如對于圖1，調(diào)度信息為:主調(diào)度單元入口的總Buffer的位置索引(6個Buffer合并編址)和出口處的Buffer的位置索引(5個Buffer合并編址)間的映射關系。可以理解為以入口 buffer總長度為單位的一個指針數(shù)組,每個指針指向出口 buffer的一個具體存儲位置。此處以Binding為調(diào)度單位,要求調(diào)度信息以Binding為單位進行，即可以認為每個指針指向Binding單元而非單個地址。
[0048]本實施例中，為了兼顧TD-SCDMA3載波或TD-LTE5M帶寬的應用，取n=3，即以3個連續(xù)的AC位為一個AC Binding，在串并轉(zhuǎn)換時，也將每個AC Binding轉(zhuǎn)換為3路并行數(shù)據(jù)。n=3時能夠高效支持LTE多種可變帶寬中5M/10M/15M/20M等多種帶寬模式的應用場景。其中，m=2，即采用2個chip為一個基本處理單元，也可以是3個以上chip為一個基本
處理單元。
[0049]以下采用雙chip+3AC并行調(diào)度為例進行說明，即n=3, m=2。[0050]該方案的原理框圖如圖3所示，并以TD-SCDMA和TD-LTE共光纖復雜場景進行解析。
[0051]定義連續(xù)3個CA位為一個AC Binding(以下簡稱ACBi)，定義一個光口的chip的AC位總數(shù)為一個AC Group (以下簡稱ACGr)。該技術方案以相鄰的兩個chip即奇ACGr和偶ACGr的數(shù)據(jù)為一個基本處理單元，即2個chip為一個基本處理單元?；谏鲜鲈砜驁D的載波調(diào)度方法流程如下:
[0052]將ACBi經(jīng)由解復用單元sub_mux_p完成串并轉(zhuǎn)換，分解為3路數(shù)據(jù)，并且將EvenACGr和Odd ACGr (分別如圖中實線和虛線所示)數(shù)據(jù)合并為一 64位寬的數(shù)據(jù)(串行時位寬為32，并行時2個chip為一個處理單元)，該處理分光口進行。
[0053]主調(diào)度單元根據(jù)配置的調(diào)度信息對每個緩沖區(qū)進行調(diào)度，調(diào)度的位寬3X64個數(shù)據(jù)，即相當于單周期完成主調(diào)度單元支持的顆粒度為6 (nXm)個TD-SCDMA載波的調(diào)度。
[0054]接收側(cè)的3路數(shù)據(jù)再經(jīng)由復用單元SUb_mUX_q完成并串轉(zhuǎn)換，即完成步驟S310中的逆過程。
[0055]本發(fā)明的方法采用chip結(jié)合CA調(diào)度策略，能夠降低高光口速率下的CA并行需求，在CA并行3的情況下，可以高效支持5M/10M/15M/20M等最廣泛應用的場景。當前推薦CA并行度為3的設置，能夠匹配現(xiàn)網(wǎng)實際應用且能夠簡化實現(xiàn)。同時平滑支持TD-LTE和TD-SCDMA雙模RRU單光纖接入，在光口速率混合接入和/或小區(qū)混合帶寬接入時，保持了調(diào)度顆粒度的一致性。
[0056]本發(fā)明將光口數(shù)據(jù)經(jīng)過處理，可以顯著降低調(diào)度單元的工作時鐘，同時保持較低的顆粒度，該方案對于高光口速率和低光口速率均可適用。采用引入時間緯度，在一定的折中條件下:如選取3載波TD-SCDMA或5M TD-LTE，平衡調(diào)度顆粒度和工作時鐘間的矛盾。例如:在當前器件的工作時鐘限制條件下，傳統(tǒng)調(diào)度只能有效支持10M8A的帶寬或至少6載波TD-SCDMA，則將對于少于IOM帶寬和6載波的場景下，將會造成帶寬的浪費。此時以IOG光纖為例，其理論容量可以支持4個5M8A TD-LTE小區(qū)，但由于調(diào)度最小單位10M8A小區(qū)，此時將限制光纖僅能承載2個5M8A小區(qū)。本發(fā)明的方案則可以充分利用IOG光口帶寬，支持5i M (i=l-4)的任意組合，如5M+15M或5M+5M+10M等多種接入模式。
[0057]本發(fā)明還提供了一種載波調(diào)度系統(tǒng)，包括:
[0058]本發(fā)明提供一種載波調(diào)度系統(tǒng)，如圖4所示，其包括:
[0059]處理裝置1，用于構(gòu)建基本處理單元，并基于所述基本處理單元將RRU數(shù)據(jù)存儲入緩存區(qū)，所述基本處理單元為一個光口的相鄰m個chip的數(shù)據(jù)，其中m > 2 ;
[0060]串并轉(zhuǎn)換裝置2，用于對每個天線載波Binding實行串并轉(zhuǎn)換，產(chǎn)生η路并行數(shù)據(jù)，其中η≥2,所述天線載波Binding為連續(xù)η個天線載波位；
[0061]調(diào)度裝置3，用于將存儲的所述RRU數(shù)據(jù)調(diào)度至所述η路并行數(shù)據(jù)。
[0062]可選的，如圖5所示，所述系統(tǒng)還包括:
[0063]接收裝置4，用于接收調(diào)度后的η路并行數(shù)據(jù)；
[0064]并串轉(zhuǎn)換裝置5，用于對接收的調(diào)度后的η路并行數(shù)據(jù)執(zhí)行并串轉(zhuǎn)換。
[0065]可選的，所述η=3。
[0066]可選的，m=2。
[0067]可選的，所述串并轉(zhuǎn)換裝置采用第一復用單元進行所述串并轉(zhuǎn)換。[0068]可選的，所述并串轉(zhuǎn)換裝置采用第二復用單元執(zhí)行所述并串轉(zhuǎn)換。
[0069]以上實施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關【技術領域】的普通技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護范圍應由權(quán)利要求限定。
【權(quán)利要求】
1.一種載波調(diào)度方法，其特征在于，包括步驟: 構(gòu)建基本處理單元，所述基本處理單元為一個光口的相鄰m個chip的數(shù)據(jù)，并基于所述基本處理單元將RRU數(shù)據(jù)存儲入緩存區(qū)，其中m ≥ 2 ; 對每個天線載波Binding實行串并轉(zhuǎn)換，產(chǎn)生η路并行數(shù)據(jù)，所述一個天線載波Binding為連續(xù)η個天線載波位,其中η≥2 ; 根據(jù)預先配置的調(diào)度信息將所述存儲的RRU數(shù)據(jù)調(diào)度至所述η路并行數(shù)據(jù)。
2.如權(quán)利要求1所述的載波調(diào)度方法，其特征在于，所述方法還包括: 接收調(diào)度后的η路并行數(shù)據(jù)； 對接收的調(diào)度后的η路并行數(shù)據(jù)執(zhí)行并串轉(zhuǎn)換。
3.如權(quán)利要求1或2所述的載波調(diào)度方法，其特征還在于，所述η=3。
4.如權(quán)利要求1或2所述的載波調(diào)度方法，其特征還在于，所述m=2。
5.如權(quán)利要求1或2所述的載波調(diào)度方法，其特征還在于，利用解復用單元實行所述串并轉(zhuǎn)換。
6.如權(quán)利要求2所述的載波調(diào)度方法，其特征還在于，利用復用單元執(zhí)行所述并串轉(zhuǎn)換。
7.一種載波調(diào)度系統(tǒng)，其特征在于，包括: 處理裝置，用于構(gòu)建基本處理單元，并基于所述基本處理單元將RRU數(shù)據(jù)存儲入緩存區(qū)，所述基本處理單元為一個光口的相鄰m個chip的數(shù)據(jù)，其中m≥ 2 ; 串并轉(zhuǎn)換裝置，用于對每個天線載波Binding實行串并轉(zhuǎn)換，產(chǎn)生η路并行數(shù)據(jù)，其中η≥2,所述天線載波Binding為連續(xù)η個天線載波位； 調(diào)度裝置，用于將存儲的所述RRU數(shù)據(jù)調(diào)度至所述η路并行數(shù)據(jù)。
8.如權(quán)利要求7所述的載波調(diào)度系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括: 接收裝置，用于接收調(diào)度后的η路并行數(shù)據(jù)； 并串轉(zhuǎn)換裝置，用于對接收的調(diào)度后的η路并行數(shù)據(jù)執(zhí)行并串轉(zhuǎn)換。
9.如權(quán)利要求7或8所述的載波調(diào)度系統(tǒng)，其特征在于，所述η=3。
10.如權(quán)利要求7或8所述的載波調(diào)度系統(tǒng)，其特征在于，m=2。
11.如權(quán)利要求7或8所述的載波調(diào)度系統(tǒng)，其特征還在于，所述串并轉(zhuǎn)換裝置采用解復用單元進行所述串并轉(zhuǎn)換。
12.如權(quán)利要求8所述的載波調(diào)度系統(tǒng)，其特征還在于，所述并串轉(zhuǎn)換裝置采用復用單元執(zhí)行所述并串轉(zhuǎn)換。
【文檔編號】H04B10/25GK103442447SQ201310385143
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月29日
【發(fā)明者】徐英韜 申請人:大唐移動通信設備有限公司