專利名稱：用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及高頻信號低噪聲放大降頻器，特別涉及一種用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭。
背景技術(shù)：
高頻頭的作用是接收Ku波段衛(wèi)星電視信號，并進行頻道選擇、信號放大及降頻處理，最終輸出穩(wěn)定的信號。目前，常規(guī)的高頻頭電路中混頻器一般都采用非線性元件來實現(xiàn)，但是只要是采用非線性器件去完成混頻操作的，就不可避免的會產(chǎn)生相對較高的交調(diào)失真，雜波響應(yīng)和其他的非線性失真。在傳統(tǒng)的二極管混頻器中，失真的缺陷明顯，另外，二極管混頻器的噪聲包括散粒噪聲和熱噪聲，其噪聲也是較高的。因此，獲取增益強、噪聲低的高頻頭成為一個新的重要課題。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的就是要克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種增益強、噪聲低的用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭。為達上述目的，本實用新型提供的用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭包括高頻轉(zhuǎn)接頭及其轉(zhuǎn)接頭座、導(dǎo)波筒、集波器和電路盒，所述電路盒內(nèi)安裝有電路板，所述電路板包括控制芯片單元、高頻放大單元、介質(zhì)DR本振單元、N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元和中頻輸出放大單元，所述高頻放大單元、N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元和中頻輸出放大單元依次相連，所述控制芯片單元與所述高頻放大單元、所述N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元和所述中頻輸出放大單元分別相連，所述控制芯片單元經(jīng)所述介質(zhì)DR本振單元與所述N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元相連，所述高頻放大單元接收Ku波段的衛(wèi)星RF信號，所述中頻輸出放大單元與所述高頻轉(zhuǎn)接頭相連；Ku波段的衛(wèi)星RF信號經(jīng)所述高頻放大電路放大后，接入所述N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元與介質(zhì)DR本振單元接入所述N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元的信號進行混頻，所述N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元輸出中頻信號并經(jīng)所述中頻輸出放大單元放大輸出至所述高頻轉(zhuǎn)接頭。本實用新型用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭，其中所述N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元包括N溝道場效應(yīng)管FET管、電阻R4、電容C18、電容C19和電容C21，所述電容C21 —端與所述高頻放大單元輸出端和所述控制芯片單元芯片第5腳分別相連，另一端與N溝道場效應(yīng)管FET管的柵極相連，電阻R4 —端與電容C18串聯(lián)接地，另一端與N溝道場效應(yīng)管FET管的柵極相連，電阻R4與電容C18的串聯(lián)結(jié)點與所述控制芯片單元芯片第6腳相連，所述N溝道場效應(yīng)管FET管的源極接地，所述N溝道場效應(yīng)管FET管的漏極與所述介質(zhì)DR本振單元輸出端相連，并經(jīng)一組印刷電感和電容C19與所述中頻輸出放大單元的輸入端相連。本實用新型用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭，其中所述控制芯片單元為所述電路板供電，所述控制芯片單元通過相互并聯(lián)的電阻R5和電阻R6并經(jīng)一組印刷電感連接到所述中頻輸出放大單元的輸出端，控制芯片單元經(jīng)過穩(wěn)壓提供5V電壓并為高頻前端放大單元提供偏置電壓。本實用新型用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭的優(yōu)點是:由于電路板的混頻部分采用N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻單元，在保證性能穩(wěn)定的前提下進一步降低了使用功耗，提高了增益，降低了噪聲。

圖1是本實用新型用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭的主視圖；圖2是本實用新型用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭的半剖視立體圖；圖3是電路的結(jié)構(gòu)框圖；圖4是電路的原理圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖詳細說明本實用新型一種用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭的實施例。參照圖1和圖2，本實用新型提供的用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭包括高頻轉(zhuǎn)接頭I及其轉(zhuǎn)接頭座2、導(dǎo)波筒4、集波器6和電路盒3。在電路盒3內(nèi)安裝有電路板7。本實用新型用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭從技術(shù)上考慮到:如果采用一個沒有非線性的時變元件，就能實現(xiàn)沒有失真的混頻器。場效應(yīng)管可以實現(xiàn)這一點。這種混頻器具有失真小，Ι/f噪聲低，沒有散粒噪聲的優(yōu)點，其變頻損耗同二極管混頻器相當(dāng)。當(dāng)漏源電壓較低或為O時，場效應(yīng)管FET溝道可很好的近似為一個線性電阻。這個線性溝道的電阻由柵極上的RF電壓來調(diào)制。因為柵壓的變化可以改變柵下耗盡區(qū)的深度，從而改變溝道電阻的值。當(dāng)柵壓低于開啟電壓Vt時，溝道阻值很大相當(dāng)于開路；而當(dāng)柵壓超過最大值時，溝道電阻將會降到幾個歐姆。這個變化范圍對于一個阻性混頻器已經(jīng)足夠了。另夕卜，場效應(yīng)管FET溝道是純電阻，它的噪聲幾乎完全是熱噪聲。場效應(yīng)管FET電阻混頻器的等效噪聲溫度等于混頻器的物理溫度，比二極管混頻器的低一點。因為二極管混頻器的噪聲包括散粒噪聲和熱噪聲。參照圖3，電路板7包括控制芯片單元12、高頻放大單元8、介質(zhì)DR本振單元10、N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元11和中頻輸出放大單元13。結(jié)合參照圖4，高頻放大單元8、N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元11和中頻輸出放大單元13依次相連?？刂菩酒瑔卧?2與高頻放大單元8、N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元11和中頻輸出放大單元13分別相連?？刂菩酒瑔卧?2經(jīng)介質(zhì)DR本振單元10與N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元11相連。高頻放大單元8接收Ku波段的衛(wèi)星RF信號，中頻輸出放大單元13與高頻轉(zhuǎn)接頭I相連。其中N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元11包括N溝道場效應(yīng)管FET管Q4、電阻R4、電容C18、電容C19和電容C21。電容C21 —端與高頻放大單元8輸出端和控制芯片單元12芯片第5腳分別相連，另一端與N溝道場效應(yīng)管FET管Q4的柵極相連。電阻R4 —端與電容C18串聯(lián)接地，另一端與N溝道場效應(yīng)管FET管Q4的柵極相連。電阻R4與電容C18的串聯(lián)結(jié)點與控制芯片單元12芯片第6腳相連。N溝道場效應(yīng)管FET管Q4的源極接地，N溝道場效應(yīng)管FET管Q4的漏極與介質(zhì)DR本振單元10輸出端相連，并經(jīng)一組印刷電感和電容C19與中頻輸出放大單元13的輸入端相連。控制芯片單元12為電路板7供電，控制芯片單元12通過相互并聯(lián)的電阻R5和電阻R6并經(jīng)一組印刷電感連接到中頻輸出放大單元13的輸出端，控制芯片單元9經(jīng)過穩(wěn)壓提供5V電壓VCC并為高頻前端放大單元8提供偏置電壓?？刂菩酒瑔卧?2分別通過電阻Rl至電阻R3接至高頻放大單元8的偏置電路。在本實用新型用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭的實施例中，高頻頭的工作過程是:Ku波段的衛(wèi)星RF信號經(jīng)高頻放大電路8放大后，接入N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元11與介質(zhì)DR本振單元10接入N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元11的信號進行混頻，N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元11輸出中頻信號并經(jīng)中頻輸出放大單元13放大輸出至高頻轉(zhuǎn)接頭I。上面所述的實施例僅僅是對本實用新型的優(yōu)選實施方式進行描述，并非對本實用新型的構(gòu)思和范圍進行限定。在不脫離本實用新型設(shè)計構(gòu)思的前提下，本領(lǐng)域普通人員對本實用新型的技術(shù)方案做出的各種變型和改進，均應(yīng)落入到本實用新型的保護范圍，本實用新型請求保護的技術(shù)內(nèi)容，已經(jīng)全部記載在權(quán)利要求書中。
權(quán)利要求1.一種用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭，包括高頻轉(zhuǎn)接頭(I)及其轉(zhuǎn)接頭座(2)、導(dǎo)波筒(4)、集波器(6)和電路盒(3)，所述電路盒(3)內(nèi)安裝有電路板(7)，所述電路板(7 )包括控制芯片單元(12 )、高頻放大單元(8 )、介質(zhì)DR本振單元(10 )和中頻輸出放大單元(13)，其特征在于:所述電路板(7)還包括N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元(11)，所述高頻放大單元(8)、N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元(11)和中頻輸出放大單元(13)依次相連，所述控制芯片單元(12)與所述高頻放大單元(8)、N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元(11)和中頻輸出放大單元(13)分別相連，所述控制芯片單元(12)經(jīng)所述介質(zhì)DR本振單元(10 )與所述N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元(11)相連，所述高頻放大單元(8 )接收Ku波段的衛(wèi)星RF信號，所述中頻輸出放大單元(13)與所述高頻轉(zhuǎn)接頭(I)相連；Ku波段的衛(wèi)星RF信號經(jīng)所述高頻放大電路(8)放大后，接入所述N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元(11)與介質(zhì)DR本振單元(10)接入所述N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元(11)的信號進行混頻，所述N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元(11)輸出中頻信號并經(jīng)所述中頻輸出放大單元(13)放大輸出至所述高頻轉(zhuǎn)接頭(I)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭，其特征在于:其中所述N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元(11)包括N溝道場效應(yīng)管FET管(Q4)、電阻R4、電容C18、電容C19和電容C21，所述電容C21 —端與所述高頻放大單元(8)輸出端和所述控制芯片單元(12)芯片第5腳分別相連，另一端與N溝道場效應(yīng)管FET管(Q4)的柵極相連，電阻R4 —端與電容C18串聯(lián)接地，另一端與N溝道場效應(yīng)管FET管(Q4)的柵極相連，電阻R4與電容C18的串聯(lián)結(jié)點與所述控制芯片單元(12)芯片第6腳相連，所述N溝道場效應(yīng)管FET管(Q4)的源極接地，所述N溝道場效應(yīng)管FET管(Q4)的漏極與所述介質(zhì)DR本振單元(10)輸出端相連，并經(jīng)一組印刷電感和電容C19與所述中頻輸出放大單元(13)的輸入端相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭，其特征在于:其中所述控制芯片單元(12)為所述電路板(7)供電，所述控制芯片單元(12)通過相互并聯(lián)的電阻R5和電阻R6并經(jīng)一組印刷電感連接到所述中頻輸出放大單元(13)的輸出端，控制芯片單元(9)經(jīng)過穩(wěn)壓提供5V電壓(VCC)并為高頻前端放大單元(8)提供偏置電壓。
專利摘要本實用新型提供的用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭，包括高頻轉(zhuǎn)接頭及其轉(zhuǎn)接頭座、導(dǎo)波筒、集波器和電路盒，電路盒內(nèi)安裝的電路板包括控制芯片單元、高頻放大單元、介質(zhì)DR本振單元、N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元和中頻輸出放大單元，Ku波段的衛(wèi)星RF信號經(jīng)高頻放大電路放大后，接入N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元與介質(zhì)DR本振單元接入N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元的信號進行混頻，輸出的中頻信號并經(jīng)中頻輸出放大單元放大輸出至高頻轉(zhuǎn)接頭。本實用新型用于接收Ku波段衛(wèi)星電視信號的高頻頭的優(yōu)點是由于電路板的混頻部分采用N溝道場效應(yīng)管FET阻性混頻單元，在保證性能穩(wěn)定的前提下進一步降低了使用功耗，提高了增益，降低了噪聲。
文檔編號H04N5/50GK203057323SQ20132001644
公開日2013年7月10日 申請日期2013年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月11日
發(fā)明者張金國 申請人:張金國